精選材料表面形貌分析方法及其應(yīng)用講解講義

（優(yōu)選）第一章材料表面形貌分析方法及其應(yīng)用ppt講解現(xiàn)在是1頁\一共有96頁\編輯于星期四a),b),c)分別為二氧化鈦納米管的正面，背面和側(cè)面的掃描電鏡圖片；第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用現(xiàn)在是2頁\一共有96頁\編輯于星期四電子顯微鏡掃描下的花粉粒結(jié)構(gòu)圖第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用現(xiàn)在是3頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用蚯蚓,生物學(xué),掃描電子顯微鏡,一只動(dòng)物,無脊椎現(xiàn)在是4頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用細(xì)胞在納米管表面的粘附狀態(tài)觀察現(xiàn)在是5頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用現(xiàn)在是6頁\一共有96頁\編輯于星期四掃描電子顯微鏡開始發(fā)展于20世紀(jì)60年代，隨其性能不斷提高和功能逐漸完善，目前在一臺掃描電鏡上可同時(shí)實(shí)現(xiàn)組織形貌、微區(qū)成分和晶體結(jié)構(gòu)的同位分析，現(xiàn)已成為材料科學(xué)等研究領(lǐng)域不可缺少的分析工具與光學(xué)顯微鏡相比，掃描電子顯微鏡不僅圖像分辨率高，而且景深大，因此在斷口分析方面顯示出十分明顯的優(yōu)勢第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.1概述現(xiàn)在是7頁\一共有96頁\編輯于星期四掃描電子顯微鏡的成像原理與透射電鏡完全不同，不是利用電磁透鏡聚焦成像，而是利用細(xì)聚焦電子束在樣品表面掃描，用探測器接收被激發(fā)的各種物理信號調(diào)制成像目前，掃描電子顯微鏡二次電子像的分辨率已優(yōu)于3nm，高性能的場發(fā)射槍掃描電子顯微鏡的分辨率已達(dá)到1nm

左右，相應(yīng)的放大倍數(shù)可高達(dá)60萬倍第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.1概述現(xiàn)在是8頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.1散射的概念樣品對入射電子束的作用主要是散射，其中包括：彈性散射和非彈性散射：又稱彈性碰撞和非彈性碰撞。只有動(dòng)能的交換，粒子的類型及其內(nèi)部運(yùn)動(dòng)狀態(tài)并無改變，則這種碰撞稱為彈性散射。除有動(dòng)能交換外，粒子內(nèi)部狀態(tài)在碰撞過程中有所改變或轉(zhuǎn)化為其他粒子，則稱為非彈性散射。如電子－原子碰撞中所引起的原子電離和激發(fā)現(xiàn)在是9頁\一共有96頁\編輯于星期四背散射電子吸收電子透射電子二次電子特征X射線俄歇電子第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.2信號的種類現(xiàn)在是10頁\一共有96頁\編輯于星期四在這種彈性和非彈性散射的過程中，有些入射電子累積散射角超過90度，并將重新從樣品表面逸出。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號當(dāng)電子束照射樣品時(shí)，入射電子在樣品內(nèi)遭到衍射時(shí)，會(huì)改變方向，甚至損失一部分能量（在非彈性散射的情況下）。1.2.3背散射電子現(xiàn)在是11頁\一共有96頁\編輯于星期四比較類別定義能量變化能量大小方向數(shù)量彈性背散射電子被樣品中原子核反彈回來的入射電子基本上不變數(shù)千到數(shù)萬電子伏散射角大于90°，方向變化較多非彈性背散射電子入射電子和核外電子撞擊經(jīng)多次散射后反彈出樣品表面變化數(shù)十到數(shù)千電子伏方向變化較少第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.3背散射電子現(xiàn)在是12頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號產(chǎn)生深度：背散射電子產(chǎn)生于樣品表層幾百納米直一微米的深度范圍能量范圍：較寬，從幾十到幾萬電子伏特產(chǎn)額數(shù)量：隨樣品平均原子序數(shù)增大而增大，所以背散射電子像的襯度可反映對應(yīng)樣品位置的平均原子序數(shù)。技術(shù)應(yīng)用：背散射電子像主要用于定性分析材料的成分分布和顯示相的形狀和分布1.2.3背散射電子現(xiàn)在是13頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號定義：在入射電子束作用下被轟擊出來并離開樣品表面的樣品原子的核外電子叫做二次電子產(chǎn)生過程：這是一種真空中的自由電子。由于原子核和外層價(jià)電子的結(jié)合力能很小，因此外層的電子比較容易和原子脫離，使原子電離。一個(gè)能量很高的入射電子射入樣品時(shí)，可以產(chǎn)生許多的自由電子，這些自由電子中90%時(shí)來自樣品原子外層的價(jià)電子1.2.4二次電子現(xiàn)在是14頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號能量：能量較低，一般不超過50eV，大多數(shù)均小于10eV應(yīng)用：二次電子一般都是在表層5~10nm深度范圍內(nèi)發(fā)射出來的，它對樣品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效的顯示樣品的表面形貌。但二次電子的產(chǎn)額和原子序數(shù)之間沒有明顯的依賴關(guān)系，所以不能用它來進(jìn)行成分分析1.2.4二次電子現(xiàn)在是15頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號背散射射電子產(chǎn)額和二次電子產(chǎn)額與原子序數(shù)Z的關(guān)系0204060801000.20.40.6原子序數(shù)Z產(chǎn)額背散射電子二次電子現(xiàn)在是16頁\一共有96頁\編輯于星期四定義：入射電子進(jìn)入樣品后，經(jīng)多次非彈性散射使其能量消耗殆盡，最后被樣品吸收，稱吸收電子。產(chǎn)生范圍：產(chǎn)生于樣品表層約1微米的深度范圍產(chǎn)額：隨樣品平均原子序數(shù)增大而減小。因?yàn)?，在入射電子束?qiáng)度一定的情況下，對應(yīng)背散射電子產(chǎn)額大的區(qū)域吸收電子就少，所以吸收電子像也可提供原子序數(shù)襯度應(yīng)用：吸收電子像主要也用于定性分析材料的成分分布和顯示相的形狀和分布第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.5吸收電子現(xiàn)在是17頁\一共有96頁\編輯于星期四定義：若入射電子能量很高，且樣品很薄，則會(huì)有一部分電子穿過樣品，這部分入射電子稱透射電子分類：透射電子中除了能量和入射電子相當(dāng)?shù)膹椥陨⑸潆娮油?，還有不同能量損失的非彈性散射電子，其中有些電子的能量損失具有特征值，稱為特征能量損失電子第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.6透射電子現(xiàn)在是18頁\一共有96頁\編輯于星期四特點(diǎn)：特征能量損失電子的能量與樣品中元素的原子序數(shù)有對應(yīng)關(guān)系，其強(qiáng)度隨對應(yīng)元素的含量增大而增大應(yīng)用：利用電子能量損失譜儀接收特征能量損失電子信號，可進(jìn)行微區(qū)成分的定性和定量分析第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.6透射電子現(xiàn)在是19頁\一共有96頁\編輯于星期四如果使樣品接地，上述四種電子信號強(qiáng)度與入射電子強(qiáng)度(i0)之間應(yīng)滿足ib+is+ia+it=i0式中，ib、

is、

ia

和

it

分別為背散射電子、二次電子、吸收電子和透射電子信號強(qiáng)度。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.6電子信號強(qiáng)度的關(guān)系現(xiàn)在是20頁\一共有96頁\編輯于星期四銅樣品、、

及

與t

的關(guān)系(入射電子能量E0

=10keV)上式兩端除以i0

得+++=1

式中，、、和分別為背散射、發(fā)射、吸收和透射系數(shù)上述四個(gè)系數(shù)與樣品質(zhì)量厚度的關(guān)系如圖所示第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.6電子信號強(qiáng)度的關(guān)系現(xiàn)在是21頁\一共有96頁\編輯于星期四產(chǎn)生過程：如前所述，當(dāng)入射電子能量足以使樣品原子的內(nèi)層電子擊出時(shí)，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，外層電子將向內(nèi)層躍遷填補(bǔ)內(nèi)層空位，發(fā)射特征X射線釋放多余的能量。特點(diǎn)：產(chǎn)生于樣品表層約1m的深度范圍其能量或波長與樣品中元素的原子序數(shù)有對應(yīng)關(guān)系，其強(qiáng)度隨對應(yīng)元素含量增多而增大。應(yīng)用：特征X射線主要用于材料微區(qū)成分定性和定量分析第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.7特征X射線現(xiàn)在是22頁\一共有96頁\編輯于星期四產(chǎn)生過程：處于能量較高的激發(fā)態(tài)原子，外層電子將向內(nèi)層躍遷填補(bǔ)內(nèi)層空位時(shí)，不以發(fā)射特征X射線的形式釋放多余的能量，而是向外發(fā)射外層的另一個(gè)電子，稱為俄歇電子。特點(diǎn)：產(chǎn)生于樣品表層約1nm的深度范圍其能量與樣品中元素的原子序數(shù)存在對應(yīng)關(guān)系，能量較低，一般在50~1500eV范圍內(nèi)，其強(qiáng)度隨對應(yīng)元素含量增多而增大。應(yīng)用：俄歇電子主要用于材料極表層的成分定性和定量分析。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.2電子束與樣品作用產(chǎn)生的主要信號1.2.8俄歇電子現(xiàn)在是23頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)樣品腔電子束系統(tǒng)SEM控制臺計(jì)算機(jī)系統(tǒng)樣品腔樣品臺現(xiàn)在是24頁\一共有96頁\編輯于星期四電子光學(xué)系統(tǒng)；信號收集；顯示系統(tǒng)；真空系統(tǒng)；電源系統(tǒng)。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是25頁\一共有96頁\編輯于星期四（1）電子槍光源（2）電磁透鏡會(huì)聚透鏡（3）掃描線圈偏轉(zhuǎn)電子束，掃描樣品（4）樣品室放置樣品及信號探測器a)電子光學(xué)系統(tǒng)第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是26頁\一共有96頁\編輯于星期四（1）電子槍目前掃描電鏡電子槍的發(fā)射材料主要有：鎢、LaB6，YB6，TiC或ZrC等制造，其中W、LaB6應(yīng)用最多

發(fā)射方式主要為：熱發(fā)射，場發(fā)射;發(fā)射溫度:常溫300K（冷場發(fā)射），1500K-1800K(熱場發(fā)射、肖特基Schottky熱發(fā)射)，1500K-2000K（LaB6熱發(fā)射），2700K(發(fā)叉式鎢絲熱發(fā)射）第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是27頁\一共有96頁\編輯于星期四（2）電磁透鏡掃描電鏡中的電磁透鏡并不用于聚焦成像，而均為聚光鏡，它們的作用是把電子束斑尺寸逐級聚焦縮小，從電子槍的束斑50m縮小為幾個(gè)納米的電子束掃描電鏡一般配有三個(gè)聚光鏡，前兩級聚光鏡為強(qiáng)磁透鏡；末級透鏡是弱磁透鏡，具有較長的焦距，習(xí)慣上稱之為物鏡。掃描電鏡束斑尺寸約為3~5nm，場發(fā)射掃描電鏡可小至1nm第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是28頁\一共有96頁\編輯于星期四圖電子束的掃描方式a)光柵掃描b)角光柵掃描（3）掃描線圈掃描線圈的作用是使電子束偏轉(zhuǎn)，并在樣品表面作有規(guī)則的掃描，兩種方式見圖。表面形貌分析時(shí)，采用光柵掃描方式，電子束在樣品表面掃描出方形區(qū)域。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是29頁\一共有96頁\編輯于星期四圖電子束的掃描方式a)光柵掃描b)角光柵掃描（3）掃描線圈電子通道花樣分析時(shí)，采用角光柵(搖擺)掃描方式掃描線圈同步控制電子束在樣品表面的掃描和顯像管的掃描第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是30頁\一共有96頁\編輯于星期四（4）樣品室樣品室位于鏡筒的最下方，除了放置樣品外，還要在合適位置安放各種信號探測器樣品臺是一個(gè)復(fù)雜而精密的組件，應(yīng)能可靠地承載或夾持樣品，并使樣品能夠?qū)崿F(xiàn)平移、傾斜和旋轉(zhuǎn)等動(dòng)作，以便對樣品上每一特定位置或特定方位進(jìn)行分析第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是31頁\一共有96頁\編輯于星期四（4）樣品室新式掃描電鏡的樣品室相當(dāng)于一個(gè)微型試驗(yàn)室，附有多種控制功能，如可使樣品進(jìn)行加熱、冷卻、拉伸、彎曲等試驗(yàn)樣品室一般設(shè)置為高真空狀態(tài)。目前有些掃描電鏡，可根據(jù)分析需要，將樣品室設(shè)置為低真空或環(huán)境真空第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)a)電子光學(xué)系統(tǒng)現(xiàn)在是32頁\一共有96頁\編輯于星期四(1)信號收集二次電子、背散射電子等信號，采用閃爍計(jì)數(shù)器檢測。電子信號進(jìn)入閃爍體后即引起電離，離子和自由電子復(fù)合后產(chǎn)生可見光，可見光信號進(jìn)入光電倍增管，光信號放大又轉(zhuǎn)化為電流信號輸出，電流信號經(jīng)視頻放大器放大后成為調(diào)制信號b)信號收集及圖像顯示第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是33頁\一共有96頁\編輯于星期四背散射電子二次電子背散射電子探頭樣品二次電子探頭b)信號收集及圖像顯示第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是34頁\一共有96頁\編輯于星期四b)信號收集及圖像顯示第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是35頁\一共有96頁\編輯于星期四(2)圖像顯示樣品上入射電子束和顯像管中的電子同步掃描，熒光屏上每一像點(diǎn)的亮度，對應(yīng)于樣品相應(yīng)位置的信號強(qiáng)度。因此若樣品上各點(diǎn)的狀態(tài)不同，接收到的信號強(qiáng)度也不同，對應(yīng)于熒光屏上像點(diǎn)的亮度就不同，所以在熒光屏上顯示出反映樣品表面狀態(tài)的圖像b)信號收集及圖像顯示第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是36頁\一共有96頁\編輯于星期四(1)真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)的作用是為保證電子光學(xué)系統(tǒng)正常工作，防止樣品污染提供高的真空度。(2)電源系統(tǒng)電源系統(tǒng)由穩(wěn)壓，穩(wěn)流及相應(yīng)的安全保護(hù)電路所組成，其作用是提供掃描電鏡各部分所需的電源c)真空系統(tǒng)和電源系統(tǒng)第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)1.3.1掃描電子顯微鏡的基本結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是37頁\一共有96頁\編輯于星期四

分辨率：對微區(qū)成分分析而言，它是指能分析的最小區(qū)域；對成像而言，它是指能分辨兩點(diǎn)之間的最小距離。熱鎢絲發(fā)射電子槍SEM的分辨率一般是3-6nm，場發(fā)射槍SEM的分辨率1-2nm，超高分辨率SEM的分辨率。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)分辨率現(xiàn)在是38頁\一共有96頁\編輯于星期四信號二次電子背散射電子吸收電子特征X射線俄歇電子深度范圍5~1050~200100~1000100~10000.5~2各種信號來自樣品表面的深度范圍(nm)掃描電鏡的分辨率的高低和檢測的信號種類有關(guān)，因?yàn)椴煌盘柈a(chǎn)生于樣品的深度范圍不同，見下表第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)分辨率現(xiàn)在是39頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)分辨率產(chǎn)生俄歇電子的樣品深度最小，其次為二次電子，吸收電子和特征X射線產(chǎn)生的樣品深度范圍最大。電子束在樣品中一般擴(kuò)展成一個(gè)滴狀區(qū)域，其擴(kuò)展區(qū)域深度和形狀受加速電壓和樣品原子序數(shù)的影響，擴(kuò)展區(qū)域隨加速電壓升高而增大，隨樣品原子序數(shù)增大而減小現(xiàn)在是40頁\一共有96頁\編輯于星期四各種信號成像分辨率將隨著信號產(chǎn)生的深度范圍增大而下降。因?yàn)殡S著深度距離增大，電子束橫向擴(kuò)展范圍也增大。因電子的平均自由程很短，而二次電子的能量很低，較深范圍產(chǎn)生的二次電子不能逸出表面；由于產(chǎn)生二次電子的樣品區(qū)域小，因此二次電子圖像分辨率高較深范圍產(chǎn)生的俄歇電子因受樣品非彈性散射而失去特征能量；第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是41頁\一共有96頁\編輯于星期四因產(chǎn)生背散射電子的深度范圍較大，電子束在此深度的橫向擴(kuò)展范圍也變大，所以背散射電子像的分辨率低于二次電子像；而產(chǎn)生吸收電子深度范圍更大，因此相應(yīng)的圖像分辨率更低；第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是42頁\一共有96頁\編輯于星期四因二次電子像的分辨率最高，習(xí)慣用二次電子像分辨率作為掃描電鏡分辨率指標(biāo)；特征X射線和俄歇電子用于成分分析，通常把產(chǎn)生這些信號的樣品區(qū)域，稱作為微區(qū)成分析的空間分辨率第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是43頁\一共有96頁\編輯于星期四

入射電子束在樣品表面掃描的幅度為As,相應(yīng)地在熒光屏上陰極射線同步掃描的幅度為Ac，Ac和As的比值即為掃描電鏡放大倍數(shù)由于掃描電鏡熒光屏尺寸固定不變，因此只需改變電子束在樣品上的掃描區(qū)域的大小，即可改變放大倍數(shù)。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用放大倍數(shù)1.3.3掃描電子顯微鏡的基本性能1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是44頁\一共有96頁\編輯于星期四二次電子像中像點(diǎn)的亮度取決于對應(yīng)樣品位置二次電子的產(chǎn)額，而二次電子產(chǎn)額對樣品微區(qū)表面的取向非常敏感，見圖。二次電子的產(chǎn)額取決于產(chǎn)生二次電子的樣品體積.第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用a.二次電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是45頁\一共有96頁\編輯于星期四隨微區(qū)表面法線相對于電子束方向間夾角增大，激發(fā)二次電子的有效深度增大，二次電子的產(chǎn)額隨之增大；

=0時(shí)，二次電子產(chǎn)額最小；

=45時(shí)，其產(chǎn)額增大；

=60時(shí)，二次電子產(chǎn)額更大第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用a.二次電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是46頁\一共有96頁\編輯于星期四二次電子成像襯度示意圖根據(jù)上述原理，二次電子成像襯度如圖所示，圖中B平面的傾斜程度最小，二次電子的產(chǎn)額最少，像亮度最低；C平面的傾斜程度最大，像亮度也最大第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用a.二次電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是47頁\一共有96頁\編輯于星期四實(shí)際樣品中二次電子的激發(fā)示意圖a)凸出尖角b)小顆粒c)棱角d)凹槽而圖像中像點(diǎn)的亮度最終取決于檢測到的二次電子的多少，凸出于表面的尖角、顆粒等部位圖像較亮；凹槽處圖像較暗，因?yàn)殡m然此處二次電子產(chǎn)額較大，但不易被接收第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用a.二次電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是48頁\一共有96頁\編輯于星期四檢測二次電子和背散射電子的比較背散射電子像也能提供表面形貌襯度。但與二次電子像相比，背散射電子像形貌襯度特點(diǎn)為:1)產(chǎn)生背散射電子的樣品區(qū)域較大，所以背散射電子圖像分辨率低第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用b.背散射電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是49頁\一共有96頁\編輯于星期四背散射電子像形貌襯度特點(diǎn)為:2)二次電子能量很低，背向檢測器的二次電子在柵極吸引下也能被檢測到；而背散射電子的能量較高，背向探測器的信號難以檢測到，因此圖像存在較大的陰影第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用b.背散射電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)檢測二次電子和背散射電子的比較現(xiàn)在是50頁\一共有96頁\編輯于星期四若利用背散射電子信號成像，對應(yīng)樣品中平均原子序數(shù)大的區(qū)域圖像較亮，對應(yīng)樣品中平均原子序數(shù)小的區(qū)域圖像較暗。不同物相元素組成不同，其平均原子序數(shù)也不同，利用背散射電子成像時(shí)，不同物相顯示不同的亮度第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用b.背散射電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是51頁\一共有96頁\編輯于星期四檢測器對的工作原理a)表面光滑b)成分均勻c)形貌、成分有差別

為排除表面形貌襯度對原子序數(shù)襯度的干擾，可使用表面拋光而不腐蝕樣品，或采用一對(A、B)探測器檢測信號將A、B信號相加，可獲得原子序數(shù)襯度像；將A、B信號相減，可獲得表面形貌襯度像。新型掃描電鏡多采用頂插式環(huán)形四分割背散射電子探測器第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.3.4表面形貌襯度原理及其應(yīng)用b.背散射電子成像原理1.3掃描圖像成像原理及其襯度特點(diǎn)現(xiàn)在是52頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.4掃描電鏡圖像分辨率及其影響因素1.4.1加速電壓加速電壓KV151015202530分辨率

低←—————————→高邊緣效應(yīng)

小←—————————→大襯度

小←—————————→大無鍍膜觀察

容易←————————現(xiàn)在是53頁\一共有96頁\編輯于星期四15kV1kV第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.4掃描電鏡圖像分辨率及其影響因素加速電壓提高，電子束波長越短，理論上，只考慮電子束直徑的大小，加速電壓愈大，可得到愈小的聚焦電了束，因而提高分辨率，然而提高加速電壓卻有一些不可忽視的缺點(diǎn):1.4.1加速電壓A.無法看到樣品表面的微細(xì)結(jié)構(gòu)。B.會(huì)出現(xiàn)不尋常的邊緣效應(yīng)。C.電荷累積的可能性增高。D.樣品損傷的可能性增高。因此適當(dāng)?shù)募铀匐妷赫{(diào)整，才可獲得最清晰的影像?，F(xiàn)在是54頁\一共有96頁\編輯于星期四在加速電壓和物鏡光闌孔徑固定的情況下調(diào)節(jié)聚光鏡電流可以改變束流大小，聚光鏡勵(lì)磁電流越大，電子束直徑就越小，從而使分辨率提高。束流減小使二次電子信號減弱，噪音增大。過大的束流會(huì)使邊緣效應(yīng)增大，帶來過強(qiáng)的反差，要獲得最佳的圖像質(zhì)量，必須兼顧電子束直徑和能收集足夠強(qiáng)的二次電子信號兩方面的要求。束斑尺寸第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.4掃描電鏡圖像分辨率及其影響因素現(xiàn)在是55頁\一共有96頁\編輯于星期四Ag-Cu釬焊層的背散射電子像第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.1背散射電子應(yīng)用現(xiàn)在是56頁\一共有96頁\編輯于星期四多孔氧化鋁模板制備的金納米線的形貌（a）低倍像（b）高倍像第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是57頁\一共有96頁\編輯于星期四C球C管陣列第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是58頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用C管螺旋ZnO納米飛機(jī)網(wǎng)絡(luò)1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是59頁\一共有96頁\編輯于星期四ZnO納米棒ZnO納米帶第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是60頁\一共有96頁\編輯于星期四ZnO管狀結(jié)構(gòu)ZnO薄膜第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是61頁\一共有96頁\編輯于星期四ZnO梳狀結(jié)構(gòu)鉑顆粒（4～6納米）第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是62頁\一共有96頁\編輯于星期四Al2O3模板Fe納米塔陣列第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是63頁\一共有96頁\編輯于星期四納米電極昆蟲標(biāo)本第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用1.5.2.1常見材料表面形貌觀察現(xiàn)在是64頁\一共有96頁\編輯于星期四1.5.2.2典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)一、按實(shí)驗(yàn)方式劃分（應(yīng)力方式）拉伸斷口沖擊試樣斷口疲勞斷口二、按韌性、脆性分類韌性斷口脆性斷口第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用1.5.2二次電子應(yīng)用現(xiàn)在是65頁\一共有96頁\編輯于星期四宏觀觀察（5×）：三個(gè)區(qū)域纖維區(qū)：裂紋源形成區(qū)，有一定灰度放射區(qū)：裂紋擴(kuò)展區(qū)；裂紋擴(kuò)展方向：放射條紋破斷區(qū)（剪切唇）：最后破斷第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)現(xiàn)在是66頁\一共有96頁\編輯于星期四第一個(gè)區(qū)域在試樣的中心位置，叫做纖維區(qū)(如圖)，裂紋首先在該區(qū)域形成，該區(qū)顏色灰暗，表面有較大的起伏，如山脊?fàn)睿@表明裂紋在該區(qū)擴(kuò)展時(shí)伴有較大的塑性變形，裂紋擴(kuò)展也較慢；第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口第二個(gè)區(qū)域?yàn)榉派鋮^(qū)，表面較光亮平坦，有較細(xì)的放射狀條紋，裂紋在該區(qū)擴(kuò)展較快；現(xiàn)在是67頁\一共有96頁\編輯于星期四接近試樣邊緣時(shí)，應(yīng)力狀態(tài)改變了（平面應(yīng)力狀態(tài)），最后沿著與拉力軸向成40-50°剪切斷裂，表面粗糙發(fā)深灰色。這稱為第三個(gè)區(qū)域剪切唇。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口現(xiàn)在是68頁\一共有96頁\編輯于星期四試樣塑性的好壞，由這三個(gè)區(qū)域的比例而定:如放射區(qū)較大，則材料的塑性低，因?yàn)檫@個(gè)區(qū)域是裂紋快速擴(kuò)展部分，伴隨的塑性變形也小。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口反之對塑性好的材料，必然表現(xiàn)為纖維區(qū)和剪切唇占很大比例，甚至中間的放射區(qū)可以消失。影響這三個(gè)區(qū)比例的主要因素是材料強(qiáng)度和試驗(yàn)溫度現(xiàn)在是69頁\一共有96頁\編輯于星期四微觀觀察（400×以上）纖維區(qū)：裂紋源形成區(qū)大量韌窩（微坑）、撕裂棱（塑性變形的痕跡）裂紋源形核：夾雜物、二相粒子、硬質(zhì)點(diǎn)放射區(qū)：裂紋擴(kuò)展剪切的韌窩第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口現(xiàn)在是70頁\一共有96頁\編輯于星期四韌性斷口→性能

韌性好宏觀看：纖維區(qū)較大；纖維區(qū)灰度大；放射區(qū)較?。晃⒂^看：韌窩大且深、塑性變形充分第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口現(xiàn)在是71頁\一共有96頁\編輯于星期四韌性斷口→性能韌性差宏觀看：纖維區(qū)較小；甚至沒有，纖維區(qū)灰度?。簧踔列×咙c(diǎn)，放射區(qū)較大；微觀看：韌窩小且淺，甚至沒有；塑性變形不充分第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口現(xiàn)在是72頁\一共有96頁\編輯于星期四韌窩第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用（1）拉伸斷口現(xiàn)在是73頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用撕裂棱（1）拉伸斷口現(xiàn)在是74頁\一共有96頁\編輯于星期四（2）沖擊試樣斷口主要體現(xiàn)放射區(qū)，即裂紋擴(kuò)展區(qū)人字型花樣韌性或脆性第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用現(xiàn)在是75頁\一共有96頁\編輯于星期四(3)、疲勞斷口第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用現(xiàn)在是76頁\一共有96頁\編輯于星期四(3)、疲勞斷口疲勞斷口，從宏觀上看，疲勞斷口分成三個(gè)區(qū)城，即1:疲勞核心區(qū)（源區(qū)）2:疲勞裂紋擴(kuò)展區(qū)3:瞬時(shí)破斷區(qū)(最后斷裂區(qū))第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用現(xiàn)在是77頁\一共有96頁\編輯于星期四疲勞核心區(qū)：是疲勞裂紋最初形成的地方，一般起源于零件表面應(yīng)力集中或表面缺陷的位置，如表面槽、孔，過渡小圓角、刀痕和材料內(nèi)部缺陷，如夾雜、白點(diǎn)、氣孔等。(3)、疲勞斷口第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用現(xiàn)在是78頁\一共有96頁\編輯于星期四疲勞裂紋擴(kuò)展區(qū)：是疲勞斷口的最重要特征區(qū)域。它一般分為兩個(gè)階段。第一階段，裂紋只有幾個(gè)晶粒尺寸，且與主應(yīng)力成45。，第二階段垂直于主應(yīng)力，它是疲勞裂紋擴(kuò)展的主要階段。(3)、疲勞斷口第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用擴(kuò)展區(qū)斷口的主要特征：是存在疲勞紋，即一系列基本上相互平行的、略帶彎曲的、呈波浪形的條紋現(xiàn)在是79頁\一共有96頁\編輯于星期四二、按韌性、脆性分類典型韌性斷口典型脆性斷口第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用解理斷裂準(zhǔn)解理斷裂沿晶斷裂現(xiàn)在是80頁\一共有96頁\編輯于星期四大量觀察表明，微坑一般均形核于夾雜物、第二相粒子或硬質(zhì)點(diǎn)處，因它們與基體之間結(jié)合力較弱，在外力作用下便容易在界面發(fā)生破裂而形成微孔，然后逐漸長大成微坑。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用二、1.韌性斷裂斷口：現(xiàn)在是81頁\一共有96頁\編輯于星期四第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用掃描電子顯微鏡景深大，因此能夠清晰地顯示微坑底部的夾雜物或第二相粒子，從圖上可看出這類質(zhì)點(diǎn)與微坑幾乎是一一對應(yīng)的，說明一個(gè)夾雜物或第二相粒子就是一個(gè)微坑的形核位置。二、1.韌性斷裂斷口：現(xiàn)在是82頁\一共有96頁\編輯于星期四微坑的形狀：有等軸、剪切長形和撕裂長形三種，如圖所示。當(dāng)斷裂是由微孔聚集方式進(jìn)行時(shí)，其斷面上將出現(xiàn)微坑。按作用在金屬材料上的應(yīng)力狀態(tài)，第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用二、1.韌性斷裂斷口：韌窩（微坑）現(xiàn)在是83頁\一共有96頁\編輯于星期四如果材料在普遍屈服的情況下發(fā)生斷裂，即韌性斷裂，其斷口一定是微坑聚集型的。但是，如果材料在未曾發(fā)生普遍屈服情況下發(fā)生斷裂，雖斷口兩側(cè)微區(qū)發(fā)生變形，存在大量微坑，就整個(gè)構(gòu)件來說仍屬脆性斷裂。所以這樣的斷口形貌只說明斷裂過程是按微坑聚集型的方式進(jìn)行的，它不是延性斷裂的同義詞。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用二、1.韌性斷裂斷口：現(xiàn)在是84頁\一共有96頁\編輯于星期四2.1解理斷裂解理斷裂是金屬在拉應(yīng)力作用下，由于原子間結(jié)合鍵的破壞而造成的穿晶斷裂。通常是沿著一定的，嚴(yán)格的晶面(解理面)斷開，有時(shí)也可以沿著滑移面或?qū)\晶面發(fā)生解理斷裂。一般說解理是脆性斷裂，但并不意味著所有的解理斷裂都是脆性的，因?yàn)橛械倪€伴有一定程度的塑性變形。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用二、2.脆性斷裂斷口：現(xiàn)在是85頁\一共有96頁\編輯于星期四典型的解理斷口特點(diǎn):解理臺階河流狀花樣舌狀花樣2.1解理斷裂第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二次電子應(yīng)用二、2.脆性斷裂斷口：現(xiàn)在是86頁\一共有96頁\編輯于星期四解理臺階從理論上說在單個(gè)晶塊內(nèi)解理斷口應(yīng)是一個(gè)平面。但是實(shí)際晶體難免存在缺陷，如位錯(cuò)、夾雜物、沉淀相等，所以實(shí)際的解理面是一簇相互平行的(具有相同晶面指數(shù))、位于不同高度的晶面。不同高度解理面之間存在著“臺階”。第1章表面形貌分析方法及其應(yīng)用1.5掃描電鏡在材料研究中的應(yīng)用典型斷口形貌及其掃描電子顯微鏡圖像特點(diǎn)1.5.2二