單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展_第1頁(yè)
單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展_第2頁(yè)
單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展_第3頁(yè)
單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展_第4頁(yè)
單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展_第5頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

單片機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展第1頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.1系統(tǒng)擴(kuò)展概述4.1.1最小應(yīng)用系統(tǒng)單片機(jī)系統(tǒng)的擴(kuò)展是以基本的最小系統(tǒng)為基礎(chǔ)的,故應(yīng)首先熟悉最小應(yīng)用系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。實(shí)際上,內(nèi)部帶有程序存儲(chǔ)器的8051或8751單片機(jī)本身就是一個(gè)最簡(jiǎn)單的最小應(yīng)用系統(tǒng),許多實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)就是用這種成本低和體積小的單片結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高性能的控制。對(duì)于目前國(guó)內(nèi)較多采用的內(nèi)部無(wú)程序存儲(chǔ)器的芯片8031來(lái)說(shuō),則要用外接程序存儲(chǔ)器的方法才能構(gòu)成一個(gè)最小應(yīng)用系統(tǒng)。第2頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一1.片內(nèi)帶程序存儲(chǔ)器的最小應(yīng)用系統(tǒng)片內(nèi)帶程序存儲(chǔ)器的8051、8751本身即可構(gòu)成一片最小系統(tǒng),只要將單片機(jī)接上時(shí)鐘電路和復(fù)位電路即可,同時(shí)接高電平,ALE、信號(hào)不用,系統(tǒng)就可以工作。如圖4―1(a)所示該系統(tǒng)的特點(diǎn)如下:(1)系統(tǒng)有大量的I/O線可供用戶使用:P0、P1、P2、P3四個(gè)口都可以作為I/O口使用。(2)內(nèi)部存儲(chǔ)器的容量有限,只有128B的RAM和4KB的程序存儲(chǔ)器。第3頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一(3)應(yīng)用系統(tǒng)的開發(fā)具有特殊性,由于應(yīng)用系統(tǒng)的P0口、P2口在開發(fā)時(shí)需要作為數(shù)據(jù)、地址總線,故這兩個(gè)口上的硬件調(diào)試只能用模擬的方法進(jìn)行。8051的應(yīng)用軟件須依靠廠家用掩膜技術(shù)置入,故一般只適用于可作大批量生產(chǎn)的應(yīng)用系統(tǒng)。2.片內(nèi)無(wú)程序存儲(chǔ)器的最小應(yīng)用系統(tǒng)片內(nèi)無(wú)程序存儲(chǔ)器的芯片構(gòu)成最小應(yīng)用系統(tǒng)時(shí),必須在片外擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器。由于一般用作程序存儲(chǔ)器的EPROM芯片不能鎖存地址,故擴(kuò)展時(shí)還應(yīng)加1個(gè)鎖存器,構(gòu)成一個(gè)3片最小系統(tǒng),如圖4―1(b)所示。該圖中74LS373為地址鎖存器,用于鎖存低8位地址。第4頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―1MCS—51系列最小化系統(tǒng)第5頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.1.2系統(tǒng)擴(kuò)展的內(nèi)容與方法1.單片機(jī)的三總線結(jié)構(gòu)當(dāng)單片機(jī)最小系統(tǒng)不能滿足系統(tǒng)功能的要求時(shí),就需要進(jìn)行擴(kuò)展。為了使單片機(jī)能方便地與各種擴(kuò)展芯片連接,常將單片機(jī)的外部連線變?yōu)橐话愕奈⑿陀?jì)算機(jī)3總線結(jié)構(gòu)形式。對(duì)于MCS-51系列單片機(jī),其3總線由下列通道口的引線組成:地址總線:由P2口提供高8位地址線,此口具有輸出鎖存的功能,能保留地址信息。由P0口提供低8位地址線。數(shù)據(jù)總線:由P0口提供。此口是雙向、輸入三態(tài)控制的8位通道口??刂瓶偩€:第6頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一控制總線:擴(kuò)展系統(tǒng)時(shí)常用的控制信號(hào)為:ALE——地址鎖存信號(hào),用以實(shí)現(xiàn)對(duì)低8位地址的鎖存。

——片外程序存儲(chǔ)器取指信號(hào)。

——片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀信號(hào)?!鈹?shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫信號(hào)。EA內(nèi)外程序存儲(chǔ)器的選擇信號(hào),(低電平有效)圖4―2為單片機(jī)擴(kuò)展成3總線結(jié)構(gòu)的示意圖。這樣一來(lái),擴(kuò)展芯片與主機(jī)的連接方法同一般3總線結(jié)構(gòu)的微型計(jì)算機(jī)就完全一樣了。對(duì)于MCS-51系列單片機(jī)而言,Intel公司專門為它們配套生產(chǎn)了一些專用外圍芯片,使用起來(lái)就更加方便。第7頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―2單片機(jī)的3總線結(jié)構(gòu)形式詳細(xì)第8頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一

外部擴(kuò)展的器件掛在3總線上

地址總線是由CPU發(fā)向外部存儲(chǔ)器和一些I/O接口。16位,64K范圍

控制總線有CPU發(fā)向外部存儲(chǔ)器和一些I/O接口,還有外部器件給CPU提供的狀態(tài)的信號(hào)。是雙向的

數(shù)據(jù)總線也是雙向的,RAM即可以讀也可以寫,ROM只能讀。

總線是連接各部件的公共線。單片機(jī)64K尋址空間,需要16根地址線P0口復(fù)用線,低8位地址線,也是數(shù)據(jù)線復(fù)用技術(shù):增加一個(gè)鎖存器第9頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一鎖存器入口8位,出口8位,出口的線和外部芯片的引腳相連。

ALE低電平是P0口8個(gè)線與鎖存器出口線連接,高電平時(shí)斷開P0口與鎖存器出口線第10頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2.系統(tǒng)擴(kuò)展的內(nèi)容與方法(1)系統(tǒng)的擴(kuò)展一般有以下幾方面的內(nèi)容:①外部程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展;②外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展;③輸入/輸出接口的擴(kuò)展;④管理功能器件的擴(kuò)展(如定時(shí)/計(jì)數(shù)器、鍵盤/顯示器、中斷優(yōu)先編碼器等)。(2)系統(tǒng)擴(kuò)展的基本方法:①使用TTL中小規(guī)模集成電路進(jìn)行擴(kuò)展。第11頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一②采用IntelMCS-80/85微處理器外圍芯片來(lái)擴(kuò)展。③采用為MCS-48系列單片機(jī)設(shè)計(jì)的一些外圍芯片,其中許多芯片可直接與MCS-51系列單片機(jī)連用。④采用與MCS-80/85外圍芯片兼容的其它一些通用標(biāo)準(zhǔn)芯片。第12頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.2常用的擴(kuò)展器件簡(jiǎn)介在MCS—51單片機(jī)系統(tǒng)的擴(kuò)展中常用的擴(kuò)展器件如表4―1所示?,F(xiàn)將另外幾種常用器件簡(jiǎn)介如下。第13頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一表4―1MCS—51單片機(jī)常用的擴(kuò)展器件第14頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.2.18D鎖存器74LS37374LS373是一種帶輸出三態(tài)門的8D鎖存器,其結(jié)構(gòu)示意圖如圖4―3所示。其中:1D~8D為8個(gè)輸入端。1Q~8Q為8個(gè)輸出端。G為數(shù)據(jù)打入端:當(dāng)G為“1”時(shí),鎖存器輸出狀態(tài)(1Q~8Q)同輸入狀態(tài)(1D~8D);當(dāng)G由“1”變“0”時(shí),數(shù)據(jù)打入鎖存器中。第15頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―374LS373的結(jié)構(gòu)示意圖第16頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―474LS373用作地址鎖存器第17頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.2.2總線驅(qū)動(dòng)器74LS244,74LS245總線驅(qū)動(dòng)器74LS244和74LS245經(jīng)常用作三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器,74LS244為單向三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器,而74LS245為雙向三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器。單向的內(nèi)部有8個(gè)三態(tài)驅(qū)動(dòng)器,分成兩組,分別由控制端和2G控制;雙向的有16個(gè)三態(tài)驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)方向8個(gè)。在控制端有效時(shí)(為低電平),由DIR端控制驅(qū)動(dòng)方向:DIR為“1”時(shí)方向從左到右(輸出允許),DIR為“0”時(shí)方向從右到左(輸入允許)。74LS244和74LS245的引腳圖如圖4―5所示。不講第18頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―5總線驅(qū)動(dòng)器芯片管腳圖(a)單向驅(qū)動(dòng)器74LS244;(b)雙向驅(qū)動(dòng)器74LS245不講第19頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一P2口如外接總線驅(qū)動(dòng)器,可用單向的72LS244,其連接圖如圖4―6(a)所示。它的兩個(gè)控制端和均接地,相當(dāng)于8個(gè)三態(tài)門均打開,數(shù)據(jù)從P2口到A8~A15端直通,也就是說(shuō)。此處采用74LS244純粹是為了增加驅(qū)動(dòng)能力而不加任何控制。不講第20頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―6總線驅(qū)動(dòng)器的連接圖(a)P2口外接74LS244;(b)P0口外接74LS245不講第21頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.2.33—8譯碼器74LS1383—8譯碼器74LS138為一種常用的地址譯碼器芯片,其管腳圖如圖4―7所示。其中,G1、,個(gè)控制端,只有當(dāng)G1為“1”且,均為“0”時(shí),譯碼器才能進(jìn)行譯碼輸出。否則譯碼器的8個(gè)輸出端全為高阻狀態(tài)。譯碼輸入端與輸出端之間的譯碼關(guān)系如表4―2所示。具體使用時(shí),G1、與既可直接接至+5V端或地,也可參與地址譯碼。但其譯碼關(guān)系必須為100。需要時(shí)也可通過(guò)反相器使輸入信號(hào)符合要求。不講第22頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―774LS138管腳圖不講第23頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一表4―274LS138的譯碼關(guān)系不講第24頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.3存儲(chǔ)器的擴(kuò)展4.3.1存儲(chǔ)器擴(kuò)展概述MCS-51系列單片機(jī)具有64KB的程序存儲(chǔ)器空間,其中8051、8751型單片機(jī)含有4KB的片內(nèi)程序存儲(chǔ)器,而8031型單片機(jī)則無(wú)片內(nèi)程序存儲(chǔ)器。當(dāng)采用8051、8751型單片機(jī)而程序超過(guò)4KB,或采用8031型單片機(jī)時(shí),就需要進(jìn)行程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。詳細(xì)第25頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一MCS-51系列單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器與程序存儲(chǔ)器的地址空間是互相獨(dú)立的,其片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的空間可達(dá)64KB,而的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間只有128B。如果片內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器不夠用時(shí),則需進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。總結(jié):MCS-51單片機(jī)存儲(chǔ)器有4個(gè)部分1)片內(nèi)ROM(部分有,8031無(wú)片內(nèi)ROM)2)片外ROM(擴(kuò)展)3)片內(nèi)RAM(51系列單片機(jī)都有,256字節(jié))4)片外RAM(擴(kuò)展)

ROM和RAM都可以擴(kuò)展至64K詳細(xì)第26頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一內(nèi)部ROM

EA=0

4K

外部ROMEA=160K0FFFFH(64K)(216)11000H/0FFFH(4K)(212)0000H程序存儲(chǔ)器映像詳細(xì)外部RAM64K特殊功能寄存器(128字節(jié)內(nèi)部RAM128字節(jié)00FFH/0100H007FH/0080H0000H0FFFFFH64K數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器映像第27頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一ROM是一個(gè)整體,內(nèi)部和外部空間加到一起是64K,內(nèi)部4K,EA=0,內(nèi)部沒有直接就從外部開始RAM內(nèi)部和外部空間是獨(dú)立的,在低地址段,內(nèi)外地址是重疊的,如何區(qū)分,用指令MOV內(nèi)部空間MOVX外部空間第28頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一存儲(chǔ)器擴(kuò)展的核心問(wèn)題是存儲(chǔ)器的編址問(wèn)題。所謂編址就是給存儲(chǔ)單元分配地址。由于存儲(chǔ)器通常由多片芯片組成,為此存儲(chǔ)器的編址分為兩個(gè)層次:即存儲(chǔ)器芯片的選擇和存儲(chǔ)器芯片內(nèi)部存儲(chǔ)單元的選擇。存儲(chǔ)器編址技術(shù)將地址進(jìn)行適當(dāng)連接,使得存儲(chǔ)器中的每一個(gè)單元可唯一對(duì)應(yīng)一個(gè)編址。51單片機(jī)16根地址線可以擴(kuò)展64K,所以需要4位16進(jìn)制數(shù)。詳細(xì)第29頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一存儲(chǔ)器芯片的選擇有兩種方法:線選法和譯碼法。1.線選法所謂線選法,就是直接以系統(tǒng)的高地址線作為存儲(chǔ)器芯片的片選信號(hào),為此只需把用到的地址線與存儲(chǔ)器芯片的片選端直接相連即可。P2口是高位地址,P0口是低位地址,所以P2.7是最高位。一般把系統(tǒng)暫時(shí)不用的高位線作為片選端。2.譯碼法所謂譯碼法就是使用地址譯碼器對(duì)系統(tǒng)的片外地址進(jìn)行譯碼,

以其譯碼輸出作為存儲(chǔ)器芯片的片選信號(hào)。詳細(xì)第30頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一有效的利用存儲(chǔ)空間,最常用的存儲(chǔ)器編址方法

譯碼器:(對(duì)高位地址進(jìn)行譯碼)

74LS139雙2---4譯碼器(2個(gè)譯碼器)

74LS138雙3--8譯碼器

詳細(xì)第31頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一G片選端為高電平時(shí),不管A,B是什么信號(hào),輸出都是高電平。當(dāng)G片選端為低電平,A,B得4種狀態(tài)對(duì)應(yīng)4個(gè)譯碼狀態(tài)。輸入輸出使能選擇Y0Y1Y2Y3BA10000×0011×010110111110111110111110詳細(xì)第32頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一3-8譯碼器,注意C端應(yīng)連接地址的最高位,B是次高位假如P2.7不用,C是P2.6,B就是P2.5;E1,E2,E3是3個(gè)使能端,Y0---Y7為輸出端。詳細(xì)第33頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一E1=E2=0,E3=1所以En=1有效&E3E2E1En輸入輸出使能選擇Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CBA10010010010000000101001101111011110111101111111111111111100100100100100101110111111111111111111101111011110111101×××1×××1×××××××××111111111111111111111111詳細(xì)第34頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一000對(duì)應(yīng)Y0;-----111對(duì)應(yīng)Y7

都是低電平有效,只有一個(gè)有效

輸入3根線,P2.7,P2.6,P2.5可以得到8個(gè)片選信號(hào)805174LS138+5V+5VE2E3E1Y0Y7P2.7P2.6P2.5CBAGND詳細(xì)第35頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一譯碼法又分為完全譯碼和部分譯碼兩種。(1)完全譯碼。地址譯碼器使用了全部地址線,地址與存儲(chǔ)單元一一對(duì)應(yīng),也就是1個(gè)存儲(chǔ)單元只占用1個(gè)唯一的地址。(2)部分譯碼。地址譯碼器僅使用了部分地址線,地址與存儲(chǔ)單元不是一一對(duì)應(yīng),而是1個(gè)存儲(chǔ)單元占用了幾個(gè)地址。詳細(xì)第36頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一在設(shè)計(jì)地址譯碼器電路時(shí),如果采用地址譯碼關(guān)系圖的話,將會(huì)帶來(lái)很大的方便。所謂地址譯碼關(guān)系圖,就是一種用簡(jiǎn)單的符號(hào)來(lái)表示全部地址譯碼關(guān)系的示意圖。例如:A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0

.0100XXXXXXXXXXX詳細(xì)第37頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一從地址譯碼關(guān)系圖上可以看出以下幾點(diǎn):①屬完全譯碼還是部分譯碼;②片內(nèi)譯碼線和片外譯碼線各有多少根;③所占用的全部地址范圍為多少。例如在上面的關(guān)系圖中,有1個(gè)“·”(A15不接),表示為部分譯碼,每個(gè)單元占用2個(gè)地址。片內(nèi)譯碼線有11根(A10~A0),片外譯碼線有4根。其所占用的地址范圍如下:詳細(xì)第38頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一當(dāng)A15為0時(shí),所占用地址為0010000000000000~0010011111111111,即2000H~27FFH。當(dāng)A15為1時(shí),所占用地址為1010000000000000~1010011111111111,即A000H~A7FFH。共占用了兩組地址,這兩組地址在使用中同樣有效。

應(yīng)該指出的是,隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的不斷發(fā)展,大容量、高性能、低價(jià)格的存儲(chǔ)器不斷推出,這就使得存儲(chǔ)器的擴(kuò)展變得更加方便,譯碼電路也越來(lái)越簡(jiǎn)單了。詳細(xì)第39頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.3.2程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展1.只讀存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory)和只讀存儲(chǔ)器(ReadOnlyMemory)兩大類,前者主要用于存放數(shù)據(jù),后者主要用于存放程序。只讀存儲(chǔ)器是由MOS管陣列構(gòu)成的,以MOS管的接通或斷開來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。按照程序要求確定ROM存儲(chǔ)陣列中各MOS管狀態(tài)的過(guò)程叫做ROM編程。根據(jù)編程方式的不同,ROM可分為以下3種:詳細(xì)第40頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一1)掩膜ROM掩膜ROM簡(jiǎn)稱為ROM,其編程是由半導(dǎo)體制造廠家完成的,即在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行編程。用戶無(wú)法修改2)可編程ROM(PROM)PROM芯片出廠時(shí)并沒有任何程序信息,其程序是由用戶寫入的,與掩膜ROM相比,有了一定的靈活性,批量也不一定很大。只能寫一次3)可擦除ROM(EPROM或EEPROM)可擦除ROM芯片的內(nèi)容由用戶寫入,并允許反復(fù)擦除重新寫入。詳細(xì)第41頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一EEPROM芯片電擦除。EPROM是紫外線擦除EEPROM芯片每個(gè)字節(jié)可改寫萬(wàn)次以上,信息的保存期大于10年。這種芯片給計(jì)算機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)帶來(lái)很大的方便,不僅可以修改參數(shù),而且斷電后能保存數(shù)據(jù)。它的缺點(diǎn)是價(jià)格偏高。先介紹一下2716使用INTEL公司27系列產(chǎn)品,有2716,2732,2764,27128等加電編程,紫外線擦除EPROM存儲(chǔ)容量分別:2K*8(位),4K*8(位),8K*8(位)16K*8(位)1K空間對(duì)應(yīng)10根地址線,2716是2K對(duì)應(yīng)11根地址線2764是8K對(duì)應(yīng)13根地址線詳細(xì)第42頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2716用11根地址線,16根線還剩5根詳細(xì)第43頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一A10~A0是11位地址

18引腳是片選CE低電平有效,編程時(shí)PGM有效,25伏高電壓時(shí)寫程序

OE輸出允許信號(hào),低電平有效,才允許讀出。

詳細(xì)

控制方式操作方式VPPVCC數(shù)據(jù)線(18)(20)(21)(24)(9~11,13~17)讀未選中編程編程校驗(yàn)編程禁止低高正脈沖低低低X高低高+5V+5V+25V+25V+25V+5V+5V+5V+5V+5V數(shù)據(jù)輸出高阻態(tài)數(shù)據(jù)寫入(燒數(shù)據(jù)輸出(檢驗(yàn)高阻態(tài)2716的方式選擇

以上是2716的5種工作方式第44頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一

線選法事例:詳細(xì)P2.7P2.2P2.1P2.08031ALE

P0EAPSENCEA10A9A82716A7~A0O7~O0OE74LS373G第45頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一看圖,2716是2K,低8位地址由P0口,P0口數(shù)據(jù)復(fù)用,由鎖存器區(qū)分,11根地址線,還有3位,P2.2~P2.0,P2.7作為片選信號(hào),PSEN是讀允許。2716的地址范圍:最低地址:

A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0

1000,0000,0000,0000(8000H)P2.7=A15=1A14A13A12A11沒有用最高地址:

A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0

1000,0111,1111,1111(87FFH)87FFH減去8000H等于7FFF等于11根線全1詳細(xì)第46頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一只要P2.7=1;A14A13A12A11(P2.6~P2.3)的狀態(tài)與芯片的尋址無(wú)關(guān);只有前面的11根線起作用;

存儲(chǔ)器的映像,A14A13A12A11有16種組合,(0000~1111)都不會(huì)影響該芯片的尋址。

1xxx,x000,0000,0000~~~~~~1xxx,x111,1111,1111

例如當(dāng)4根線組合為0000時(shí),8000H~87FFH

4根線組合為0001時(shí),8800H~8FFFH;

還有9000H~97FFH;9800H~9FFFH;。。。。。

注意,每次4個(gè)xxxx,前后都一樣

F000H~F7FFH,F(xiàn)800H~FFFFH都是該芯片的尋址范圍

2716有16個(gè)地址映像區(qū),在這些地址范圍都能訪問(wèn)該芯片詳細(xì)第47頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2.EPROM2764簡(jiǎn)介1)2764的引腳自從EPROM2716芯片被逐漸淘汰后,目前比較廣泛采用的是2764芯片。該芯片為雙列直插式28引腳的標(biāo)準(zhǔn)芯片,容量為8K×8位,其管腳如圖4―8所示。第48頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―8EPROM2764引腳圖第49頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一其中:A12~A0:13位地址線。D7~D0:8位數(shù)據(jù)線。:片選信號(hào),低電平有效。:輸出允許信號(hào),當(dāng)時(shí),輸出緩沖器打開,被尋址單元的內(nèi)容才能被讀出。VPP:編程電源,當(dāng)芯片編程時(shí),該端加上編程電壓(+25V或+12V);正常使用時(shí),該端加+5V電源。(NC為不用的管腳)。第50頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2)2764的工作時(shí)序2764在使用時(shí),只能將其所存儲(chǔ)的內(nèi)容讀出,其過(guò)程與RAM的讀出十分類似。即首先送出要讀出的單元地址,然后使和均有效(低電平),則在芯片的D0~D7數(shù)據(jù)線上就可以輸出要讀出的內(nèi)容。其過(guò)程的時(shí)序關(guān)系如圖4―9所示。第51頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―9EPROM2764的讀出時(shí)序第52頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一3)2764的編程EPROM的一個(gè)重要特點(diǎn)就在于它可以反復(fù)擦除,即在其存儲(chǔ)的內(nèi)容擦除后可通過(guò)編程(重新)寫入新的內(nèi)容。這就為用戶調(diào)試和修改程序帶來(lái)很大的方便。EPROM的編程過(guò)程如下:(1)擦除:如果EPROM芯片是第一次使用的新芯片,則它是干凈的。干凈的標(biāo)志通常是每一個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容都是FFH。(2)編程:EPROM的編程有兩種方式:標(biāo)準(zhǔn)編程和靈巧編程。第53頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一這里應(yīng)注意的是,對(duì)于不同型號(hào)、不同廠家生產(chǎn)的EPROM芯片,其編程電壓Vpp是不一樣的,有+12V,+18V,+21V,+24V等數(shù)種。編程時(shí)一定要根據(jù)芯片所要求的電壓來(lái)編程。若不注意,極易燒壞芯片。第54頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一3.程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展舉例

多芯片存儲(chǔ)器的擴(kuò)展詳細(xì)P2.78031ALEP2.4~P2.0EAPSENCEA7~0

O7~82764A12~8OECEA7~0O7~02764A12~8OE373G第55頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一上面的圖是擴(kuò)展了2個(gè)EPROM

2個(gè)芯片低8位地址線并聯(lián)在鎖存器的出口,鎖存器的入口接P0口;2個(gè)芯片數(shù)據(jù)線并聯(lián)在P0口2764應(yīng)該13根地址線,除過(guò)低8位8根線,還用到P2.4~P2.0;P2.7作片選外,P2.5~P2.6沒有用譯碼法,原因是1-2譯碼法,P2.7作片選當(dāng)P2.7=0,選中1號(hào)片,地址為:0xx0,0000,0000,0000B~0xx1,1111,1111,1111B即0000H~1FFFH高位減低位是1FFFH,當(dāng)P2.7=1,選中1號(hào)片,地址為:1xx0,0000,0000,0000B~1xx1,1111,1111,1111B即8000H~9FFFH詳細(xì)第56頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一P2.5~P2.6沒有用,有4個(gè)組合,00,01,10,11;就有4個(gè)映像地址譯碼法編址示例:詳細(xì)第57頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一詳細(xì)P2.7P2.6P2.5P0.7~0.0

P2.4~P2.0

CEA7~0

O7~0A12~8OECEA7~0O7~0A12~8OE373PSENCEA7~0

O7~0A12~8OE….276402764127647CE3BA138E1E2+5VY1Y0Y7第58頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一8片ROM,可以擴(kuò)展64K,如果用線選法,就要8根片選線,還有13根地址線,口線這就不夠了

就必須要用譯碼法由電路圖,138芯片選中,P2.7~P2.5為000,27640的地址范圍:0000H~1FFFH0000,0000,0000,0000,~0001,1111,1111,1111P2.7~P2.5為001,27641的地址范圍:2000H~3FFFH0010,0000,0000,0000,~0011,1111,1111,1111P2.7~P2.5為010,27642的地址范圍:4000H~5FFFH0100,0000,0000,0000,~0101,1111,1111,1111P2.7~P2.5為111,27647的地址范圍:E000H~FFFFH1110,0000,0000,0000,~1111,1111,1111,1111地址連續(xù):從0000H~1FFFH~2000H~3FFFH~4000H~~~E000H~FFFH正好64k詳細(xì)第59頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一

現(xiàn)分3種情況說(shuō)明程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展方法。(1)不用片外譯碼的單片程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。例1:試用EPROM2764構(gòu)成8031的最小系統(tǒng)。解:由于8031無(wú)片內(nèi)程序存儲(chǔ)器,因此必須外接程序存儲(chǔ)器以構(gòu)成最小系統(tǒng)。其連接方法是在圖4―12的基礎(chǔ)上,將2764按3總線的要求連接,其連接的關(guān)鍵在于地址譯碼。由于一般所采用的芯片其字節(jié)數(shù)均超過(guò)256個(gè)單元,也就是說(shuō)片內(nèi)地址線超過(guò)8條,故地址譯碼的核心問(wèn)題是高8位地址線的連接。第60頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―122764與8031的連接圖第61頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一(2)采用線選法的多片程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。例2:在圖4―13所示的連接圖中,使用了兩片2764,一共構(gòu)成了8K×2=16K的有效地址?,F(xiàn)采用線選法編址,以P2.7(A15)直接作為片選信號(hào),當(dāng)P2.7=0時(shí),選中左邊1片2764,其地址范圍為0000H~1FFFH;當(dāng)P2.7=1時(shí),選中右邊1片2764,其地址范圍為8000H~9FFFH。這是部分譯碼,有2根地址線未接,1個(gè)單元要占用4個(gè)地址號(hào)。以上只是4組地址中的1組。若需地址連續(xù)的話,可取如下1組地址:6000H~7FFFH和8000H~9FFFH。

詳細(xì)第62頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―13兩片程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展連接圖詳細(xì)第63頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2764的13根線連接,A0~A7連接在鎖存器的輸出端,高5位用P2.0~P2.4;P2.7連接片選端

8根數(shù)據(jù)線和P0口相銜接,詳細(xì)(3)采用地址譯碼器的多片程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。第64頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一例3:要求用2764芯片擴(kuò)展8031的片外程序存儲(chǔ)器空間,分配的地址范圍為0000H~3FFFH。解:本例采用完全譯碼的方法,即所有地址線全部連接,每個(gè)單元只占用唯一的1個(gè)地址。①確定片數(shù):字片數(shù)為字片數(shù)=(末地址-首地址)+1芯片字?jǐn)?shù)=(3FFFH-0000H)+12000H(8k)

=4000H2000H=2(片)第65頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一②分配地址范圍:第1組(1片)所占用的地址范圍為:0000,0000,0000,00000000H……0001,1111,1111,11111FFFH第2組(1片)所占用的地址范圍為:0010,0000,0000,00002000H……0011,1111,1111,11113FFFH位片數(shù)為位片數(shù)=單元位數(shù)芯片位數(shù)=總片數(shù)=字片數(shù)×位片數(shù)=2×1=2(片)第66頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一③畫出地址譯碼關(guān)系圖:

第1組000XXXXXXXXXXXXXP2.7P2.6P2.5P2.4P2.0P0.7P0.0(A15)(A14)(A13)(A12)(A8)(A7)(A0)001XXXXXXXXXXXXX第2組第67頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一上面打×部分為片內(nèi)譯碼,對(duì)于2764來(lái)說(shuō)有13位,其地址變化范圍為從全0變到全1,其余部分為片外譯碼。④設(shè)計(jì)外譯碼電路:本例只介紹采用譯碼器芯片的設(shè)計(jì)方法,現(xiàn)采用3-8譯碼器74LS138。片外譯碼只有3根線(P2.7,P2.6,P2.5),分別接至譯碼器的C、B、A輸入端??刂贫薌1,,不參與譯碼,接成常有效。如圖4―14所示。第68頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―1474LS138譯碼器連接圖第69頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一⑤畫出存儲(chǔ)器擴(kuò)展連接圖:該連接圖如圖4―15所示。圖中3-8譯碼器74LS138只用了兩個(gè)譯碼輸出端,如果需要的話,還可利用其余6個(gè)譯碼輸出端。第70頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―15采用地址譯碼器擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器的連接圖第71頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一例4:圖4―14中3—8譯碼器74LS138的譯碼輸出端和所對(duì)應(yīng)的地址范圍各為多少?解:對(duì)于來(lái)說(shuō),其地址變化范圍為1000,0000,0000,0000~1001111111111111,即8000H~9FFFH。對(duì)于來(lái)說(shuō),其地址變化范圍為1010000000000000~1011111111111111,即A000H~BFFFH。第72頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一4.3.3數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展1.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器概述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器即隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RandomAccessMemory),簡(jiǎn)稱RAM,用于存放可隨時(shí)修改的數(shù)據(jù)信息。它與ROM不同,對(duì)RAM可以進(jìn)行讀、寫兩種操作。RAM為易失性存儲(chǔ)器,斷電后所存信息立即消失。按其工作方式,RAM又分為靜態(tài)(SRAM)和動(dòng)態(tài)(DRAM)兩種。靜態(tài)RAM只要電源加上,所存信息就能可靠保存。動(dòng)態(tài)的不但要加電,還要不斷刷新。詳細(xì)第73頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一2.靜態(tài)RAM6116簡(jiǎn)介詳細(xì)第74頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一6116是一種16384位(2K×8)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器電路,24線的雙列直插式器件,A0~A10為11位地址線;O0~O7為8位數(shù)據(jù)線;CE為選片信號(hào)線;WE寫信號(hào)線,OE為數(shù)據(jù)輸出允許。6116和CPU連接時(shí),WE就要和CPU的WR連接,OE和CPU的RD連接詳細(xì)方式功能001寫O0~O7上內(nèi)容寫入A0~A10對(duì)應(yīng)單元010讀A0~A10對(duì)應(yīng)單元內(nèi)容輸出到O0~O71××非選O0~O7呈高阻第75頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一詳細(xì)P0ALEP2.2~P2.0

WRRDCSA7~0

O7~86116(2)A10~8OEWECSA7~0O7~06116(1)A10~8OEWE373G線選法舉例P2.3P2.4第76頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一和ROM相似

寫RAM,指令MOVX,WR就出現(xiàn)低電平

6116擁有11根線,剩下5根線,用其中2根線作片選線。61161地址范圍:(P2.4p2.3=10)0001,0000,0000,0000~0001,0111,1111,1111即1000H~17FFH61162地址范圍:(P2.4p2.3=01)0000,1000,0000,0000~0000,1111,1111,1111即0800H~0FFFH其他3根線沒有用,取000,也可以111第77頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一靜態(tài)RAM6264簡(jiǎn)介6264是8K×8位的靜態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器芯片,采用CMOS工藝制造,為28引腳雙列直插式封裝,其引腳圖如圖4―16所示。第78頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―16RAM6264引腳圖第79頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一3.數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展舉例數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展與程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展相類似,不同之處主要在于控制信號(hào)的接法不一樣,不用信號(hào),而用和信號(hào),且直接與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的端和端相連即可。圖4―17為外擴(kuò)1片6264的連接圖。采用線選法,將片選信號(hào)與P2.7相連,片選信號(hào)CE2與P2.6相連。其地址譯碼關(guān)系為:(CE2高電平有效)01XXXXXXXXXXXXXXA15A14A13A12A11A10A0

所占用的地址為:(兩個(gè)地址映像)第1組4000H~5FFFH(A13=0)第2組6000H~7FFFH(A13=1)第80頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一第81頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一詳細(xì)P08031ALEP2.4~P2.0EAPSENWRRDCSA7~0

O7~02764A12~8OE

CSA7~0O7~06264A12~8OEWE373G地址譯碼信號(hào)4.3.4全地址范圍的存儲(chǔ)器最大擴(kuò)展系統(tǒng)

同時(shí)擴(kuò)展ROM,RAM地址譯碼信號(hào)第82頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一既要擴(kuò)展RAM,還要擴(kuò)展ROM;2764是ROM,6264是RAM,都是8K容量;地址線都是13根

2764只能讀,只有一根信號(hào),6264時(shí)RAM有2個(gè)信號(hào),給CE1接片選信號(hào),給CE2直接接高電平。

2764和6264由兩個(gè)信號(hào)片選為P2.7,P2.6選擇2764(ROM)接P2.7地址范圍:0xx0,0000,0000,0000~~~~0xx1,1111,1111,11110000H~~1FFFH6264(RAM)接P2.6地址范圍:x0x0,0000,0000,0000~~~~x0x1,1111,1111,11110000H~~1FFFH兩組地址可能重合,如何理解;雖然從表面看一樣,其實(shí)沒有重疊,因?yàn)橹噶钜粋€(gè)是MOVC,MOVX;不同的指令相應(yīng)的控制信號(hào)不同,PSEN是一個(gè)讀ROM,MOVX不能信號(hào)使他有效詳細(xì)第83頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一*下面介紹擴(kuò)展即可讀,又可寫的程序存儲(chǔ)器(ROM)

一般單片機(jī)既有RAM,又有ROM

ROM只能運(yùn)行程序,不能修改程序

RAM可以修改程序,但不能運(yùn)行程序

有些情況下,如單片機(jī)系統(tǒng)開發(fā),程序仿真,試驗(yàn)需要;希望有既能運(yùn)行程序,又能修改程序的存儲(chǔ)器,這就是即可讀,又可寫的程序存儲(chǔ)器。由于ROM的結(jié)構(gòu),不能修改,只能用RAM,進(jìn)行一些特殊的連接。

詳細(xì)不講第84頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一詳細(xì)P2.7P0

P2.4~P2.0EAPSENWRRDCEA7~0

O7~02764A12~8OE

CEA7~0O7~06264A12~8OEWE373&調(diào)試應(yīng)用不講第85頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一RAM的讀選通,詳細(xì)&PSENRD一個(gè)是ROM2764,另一個(gè)是RAM6264,當(dāng)ROM讀時(shí),用MOVC指令,PSEN為0電平,同時(shí)通過(guò)與門6264RAM也可以讀。開關(guān)有調(diào)試和應(yīng)用,應(yīng)用時(shí),把ROM2764拔去。開關(guān)打到調(diào)試2764(第一片)首地址0000H;存放監(jiān)控程序6264(第二片)首地址8000H;存放用戶調(diào)試程序系統(tǒng)啟動(dòng),自動(dòng)進(jìn)入監(jiān)控程序,然后進(jìn)入應(yīng)用程序?qū)㈤_關(guān)打到應(yīng)用,應(yīng)用端接0電平,所以6264首地址0000H(2764拔去),系統(tǒng)復(fù)位后,用戶應(yīng)用程序自動(dòng)執(zhí)行。只是簡(jiǎn)單的介紹一下,同學(xué)可以進(jìn)一步研究。不講第86頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一現(xiàn)以8031為例,說(shuō)明全地址范圍的存儲(chǔ)器最大擴(kuò)展系統(tǒng)的構(gòu)成方法,如圖4―18所示。8031的片外程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的地址各為64K。若采用EPROM2764和RAM6264芯片,則各需8片才能構(gòu)成全部有效地址。芯片的選擇采用3—8譯碼器74LS138,片外地址線只有3根(A15、A14、A13),分別接至74LS138的C、B、A端,其8路譯碼輸出分別接至8個(gè)2764和8個(gè)6264的片選端。選講第87頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一圖4―18單片機(jī)外存儲(chǔ)器最大擴(kuò)展電路選講第88頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一總結(jié):?jiǎn)纹瑱C(jī)存儲(chǔ)器的系統(tǒng)特點(diǎn)和使用程序存儲(chǔ)器與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器同時(shí)存在,又截然分開,各有各的地址空間,存取指令,和控制信號(hào)。內(nèi)外存儲(chǔ)器同時(shí)存在,分4個(gè)物理空間。存儲(chǔ)器地址空間既有重疊,又有連續(xù)。程序存儲(chǔ)器:內(nèi)外連續(xù)編址,形成完整地址空間(最大64K),51單片機(jī)內(nèi)部4K空間,外部只有60K空間。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:內(nèi)外存儲(chǔ)器分開各自編址,都從0單元開始。內(nèi)部從0到255單元,外部也是從0開始,到255和內(nèi)部地址是重疊的,可以從指令上分開,MOV,MOVX詳細(xì)第89頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一三個(gè)邏輯空間:1)片內(nèi)外統(tǒng)一編址的64k字節(jié)程序存儲(chǔ)器空間;2)256片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間;3)64k字節(jié)片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間。程序存儲(chǔ)器MOVC指令EA=1MOV指令MOVC指令PSEN選通EA=0MOVX指令RD,WR選通數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器詳細(xì)第90頁(yè),共98頁(yè),2023年,2月20日,星期一存儲(chǔ)器的使用:

內(nèi)外存儲(chǔ)器的銜接當(dāng)?shù)刂穲?zhí)行到0FFFH之前,在內(nèi)部ROM,指令執(zhí)行到1000H以后,訪問(wèn)的是外部ROM,前面4K沒有用。內(nèi)部ROM外部ROM0000H0FFFH~1000HF

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