單晶斷棱的原因及采取的措施

單晶斷棱的原因及采取的措施第1頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一斷棱的原因及采取的措施斷棱的原因：A：極限真空、漏氣率達不到要求B：設(shè)備故障C：縮頸位錯排除不干凈D：吃渣E：操作不當(dāng)F：熱場梯度不合適第2頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一極限真空、漏氣率達不到要求原因：1.存在僥幸心理。采取措施：嚴格執(zhí)行工藝條件2.密封清理不干凈采取措施：重新清理密封3.泵油沒及時更換；過濾網(wǎng)沒有清掃采取措施：更換泵油4.其它原因，請維修部檢修第3頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一設(shè)備故障機械故障液面震動；堝升不合適等。電器故障拉速不穩(wěn)；晶轉(zhuǎn)、堝轉(zhuǎn)不穩(wěn)；歐陸有自動升降溫現(xiàn)象等。采取措施：找維修人員維修第4頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一縮頸位錯排除不干凈

引晶的目的：引入一定向晶核，對于我公司的產(chǎn)品型號是P型，晶向是<100>縮頸的目的：引出的單晶存在著大量的位錯，通過縮細頸可有效地排除位錯，保證無位錯單晶的生長。第5頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一如何引晶、縮細頸引晶1.保證籽晶無氧化、表面干凈2.熔硅時使籽晶遠離高溫區(qū)，避免籽晶污染和新的位錯產(chǎn)生。3.多晶硅熔完后，籽晶下降到離液面10—20毫米，烘5—10分鐘，使籽晶溫度接近熔硅溫度。4.調(diào)整液面溫度，待溫度合適時，籽晶點入熔體5毫米左右，停留穩(wěn)定至少10分鐘，讓其充分熔接。第6頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一如何引晶、縮細頸縮細頸待溫度合適時，逐漸上提拉速引出一段晶體，確認是要求的晶向，并且是單晶開始縮頸。縮頸的要求：1.拉速2.5—4.0毫米/分最好2.細頸的直徑2.5—4.5毫米3.細頸的長度100毫米以上4.縮頸時位錯排除不徹底，放肩時到轉(zhuǎn)肩200毫米時會斷棱，因為位錯會擴張長大。5.熔硅溫度的起伏和縮頸速率的起伏，均會產(chǎn)生新的位錯第7頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一

吃渣當(dāng)晶體在生長過程中遇到外來的渣點原來生長的單晶的晶格將被破壞，使原來的單晶變?yōu)槎嗑?，對?lt;100>晶向即所謂的斷棱。渣點的來源

1.原料內(nèi)存在的石英、石墨及多晶料殘留的水痕、酸痕。

2.爐室清掃的不干凈，殘留的渣點落入液面造成斷棱。

3.導(dǎo)流筒內(nèi)外表面清掃的不干凈，殘留的渣點落入液面造成斷棱。

4.氬氣不純、漏氣、漏水生成的SiO

5.抽氣速率低生成的揮發(fā)物排除的不及時。第8頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一

避免吃渣采取的措施1.裝料時要認真檢查原料是否有石英、石墨，盡量避免熔硅時的搭橋、掛邊，檢查原料是否清洗干凈。2.爐室及導(dǎo)流筒的內(nèi)、外表面必須清掃干凈，必要時要用沙紙把表面過多的揮發(fā)物要進行清理。3.嚴格按操作工藝要求操作，認真檢查爐臺各部分的密封，并按工藝要求進行清理。4.對于抽氣率、漏氣率要嚴格按工藝要求執(zhí)行。5.認真觀察拉晶過程中爐內(nèi)的運行情況，并做好記錄，存在的問題要及時處理。6.必要時要掉出一部分料沾出一些渣點，高溫揮發(fā)一段時間第9頁，共10頁，2023年，2月20日，星期一

操作不當(dāng)1.引晶、縮頸位錯排除的不徹底2.放肩速度不合適，溫度、拉速控制不當(dāng)3.轉(zhuǎn)肩沒有掌握要領(lǐng)4.裝爐檢查不仔細，造成坩堝擺動，