半導(dǎo)體芯片制造工考試試題

半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工考試試題一、填空題1.禁帶寬度的大小決定著（電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。2.硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用(硫酸)系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。3.鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（氧化物），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。4.在半導(dǎo)體制造工藝中往往把減薄、劃片、分片、裝片、內(nèi)引線鍵合和管殼封裝等一系列工藝稱為（組裝）。5.釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（導(dǎo)電膠粘接）、(銀漿燒結(jié))等。6.金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)方向性，鍵合強(qiáng)度一般(大于)同類電極系統(tǒng)的楔刀焊接。7.芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和(剪切強(qiáng)度)兩項(xiàng)試驗(yàn)。8.如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1．5倍或大于3．0倍，其長(zhǎng)度小于1．5倍或大于6．0倍，判引線鍵合(不合格)。9.釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)(濕度)控制。10外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而(可靠性)設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。11.厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，(氧化鈹陶瓷)，氮化鋁(A1N)陶瓷。12.微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和(集總參數(shù))微波混合集成電路兩類。13.外延層的遷移率低的因素有原材料純度（不夠）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（質(zhì)量差）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。14.離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（平均投影射程）和（平均投影標(biāo)準(zhǔn)差）。15、二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（氧化）、（氣相）淀積、PECVD淀積。16、半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（Pn結(jié)介質(zhì)）（Pn結(jié)隔離）（Pn結(jié)介質(zhì)混合）隔離等三種基本方法.17、最常用的金屬膜制備方法有（電阻）加熱蒸發(fā)、（電子束）蒸發(fā)、（濺射）。18、熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（含有硅的化合物）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。19雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（替位）擴(kuò)散和（間隙）擴(kuò)散兩種。20半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（元素）半導(dǎo)體、（化合物）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（化學(xué)氣相）外延、（液相）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（分子束）外延、原子束外延、固相外延等。氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（完整）性、（成品）率，并影響其電學(xué)性能和（可靠性）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。二、判斷題1．雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。(F)2．邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。(T)3．晶體的特點(diǎn)是在各個(gè)晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能相同。(F)4．門(mén)陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種：一種是晶體管陣列，一種是門(mén)陣列。(T)5．晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。(F)。6．目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。(T)7．退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。(T)8．設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。(F)9．鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個(gè)階段。(T)10．厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。(T)11．厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。(F)12．厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。(T)13．絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。(F)14．在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。(F)15．可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。(T)16．硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。(F)17．場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。(T)18片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。(T)19.值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。(T)20低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。(T)三、選擇題1．禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。A．越不容易受B．越容易受C．基本不受2．變?nèi)荻O管的電容量隨()變化。A．正偏電流B．反偏電壓C．結(jié)溫3．雙極晶體管的1c7r噪聲與()有關(guān)。A．基區(qū)寬度B．外延層厚度C．表面界面狀態(tài)4．半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的()，使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。2.光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片的性能，成品率，可靠性。.7、有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？答：常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD）,低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD），等離子體輔助CVD。8、典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？答:存底的制備----硅氧化---生長(zhǎng)埋層---外延生長(zhǎng)---生長(zhǎng)隔離區(qū)---生長(zhǎng)基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長(zhǎng)---形成金屬互連---集成電路成品.9、潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？答:保持部件與工具潔凈,保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)提去,人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。10、簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？答:外延要求1.集電極擊穿電壓要求