薄膜技術(shù)及應(yīng)用

薄膜技術(shù)及應(yīng)用第1頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四《薄膜材料制備原理、技術(shù)及應(yīng)用》

唐偉忠，冶金工業(yè)出版社《薄膜物理與技術(shù)》

楊邦朝，電子科技大學(xué)出版社

《薄膜物理與技術(shù)》

陳國(guó)平，東南大學(xué)出版社

參考書第2頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第3頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

在材料科學(xué)的各分支中，薄膜材料科學(xué)發(fā)展的地位極為重要。薄膜材料是采用特殊的方法，在體材料的表面沉積或制備的一層性質(zhì)與體材料性質(zhì)完全不同的物質(zhì)層。薄膜材料往往具有特殊的材料性能或性能組合。

第4頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四薄膜材料科學(xué)成為材料科學(xué)中發(fā)展最迅速分支的原因：(1)現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，特別是微電子技術(shù)的發(fā)展，過去需要眾多材料組合才能實(shí)現(xiàn)的功能，現(xiàn)在僅僅需要少數(shù)幾個(gè)器件或一塊集成電路板就可以完成。薄膜技術(shù)正是實(shí)現(xiàn)器件和系統(tǒng)微型化的最有效的技術(shù)手段。

第5頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四薄膜材料科學(xué)成為材料科學(xué)中發(fā)展最迅速分支的原因：(2)器件的微小型化不僅可以保持器件原有的功能并使之更加強(qiáng)化，而且隨著器件的尺寸減小并接近了電子或其他粒子量子化運(yùn)動(dòng)的微觀尺度，薄膜材料或其器件將顯示出許多全新的物理現(xiàn)象。薄膜技術(shù)作為器件微型化的關(guān)鍵技術(shù)，是制備這類具有新型功能器件的有效手段。

第6頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四薄膜材料科學(xué)成為材料科學(xué)中發(fā)展最迅速分支的原因：(3)薄膜技術(shù)作為材料制備的有效手段，可以將各種不同材料靈活地復(fù)合在一起，構(gòu)成具有優(yōu)異特性的復(fù)雜材料體系，發(fā)揮每種材料各自的優(yōu)勢(shì)，避免單一材料的局限性．薄膜材料學(xué)在科學(xué)技術(shù)以及國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著越來越大的作用。第7頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第8頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四薄膜分類（按功能及其應(yīng)用領(lǐng)域）：⑴

電學(xué)薄膜①

半導(dǎo)體器件與集成電路中使用的導(dǎo)電材料與介質(zhì)薄膜材料Al、Cr、Pt、Au、多晶硅、硅化物薄膜；SiO2、Si3N4、Ta2O5、SiOF薄膜。第9頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四②

超導(dǎo)薄膜YbaCuO系高溫超導(dǎo)薄膜；BiSrCaCuO系高溫超導(dǎo)薄膜；TiBaCuO系高溫超導(dǎo)薄膜。YBa2Cu3O7-xFilm

第10頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四③

光電子器件中使用的功能薄膜GaAs/GaAlAs、HgTe/CdTe、a-Si：H、A-SiGe：H、a-SiC：H、a-SiN：H、a-Si/a-SiC等一系列晶態(tài)與非晶態(tài)超晶格薄膜。C-VCharacteristicsofGaAs/AlGaAsSuperlatticeStructureshowingcapacitanceOscillationsAssociatedwithchargeaccumulationduetothesequentialtunnelingofelectrons.第11頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四④

薄膜敏感元件與固態(tài)傳感器薄膜可燃?xì)怏w傳感器、薄膜氧敏傳感器、薄膜應(yīng)變電阻與壓力傳感器、薄膜熱敏電阻和薄膜離子敏傳感器等。ThinFilmPressureSensor第12頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

DiamondThinFilmUVsensor

Schematicoffiberopticcablewithchemochromichydrogensensordepositedonend.第13頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四⑤薄膜電阻、薄膜電容、薄膜阻容網(wǎng)絡(luò)與混合集成電路HybridIC

第14頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Copper-indium-diselenide(CuInSe2,orCIS)

Thin-filmmaterialwithefficiencyofupto17%.Thematerialispromising,yetnotwidelyusedduetoproductionspecificprocedures.⑥

薄膜太陽能電池非晶硅、CuInSe2和CdSe薄膜太陽電池。第15頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第16頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四⑦

平板顯示器件液晶顯示、等離子體顯示和電致發(fā)光顯示三大類平板顯示器件所用的透明導(dǎo)電電極（ITO薄膜）。電致發(fā)光多層薄膜（包括ITO膜，ZnS：Mn等發(fā)光膜，Al電極膜等）組成的全固態(tài)平板顯示器件及OLED顯示器件。OLEDDisplays:BetterThanPlasmaOrLCD第17頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四⑧

用ZnO、AlN等薄膜制成的聲表面波濾波器。⑨

磁記錄薄膜與薄膜磁頭高質(zhì)量和錄象的磁性材料薄膜錄音帶與錄象帶；計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的CoCrTa、CoCrNi等的薄膜軟盤和硬盤；垂直磁記錄中FeSiAl薄膜磁頭等。⑩

靜電復(fù)印鼓用Se-Te、SeTeAs合金薄膜及非晶硅薄膜。第18頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四鐵電存儲(chǔ)器第19頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四ANTI-REFLECTIONCHARTthreelayers

⑵光學(xué)薄膜減反射膜、反射膜、分光鏡、濾光片；照明光源所用的反熱鏡與冷光鏡薄膜；建筑物、汽車等交通工具所用的鍍膜玻璃；激光唱片與光盤中的光存儲(chǔ)薄膜；集成光學(xué)元件所用的介質(zhì)薄膜與半導(dǎo)體薄膜。第20頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四刀具表面氮化物、氧化物、碳化物鍍膜⑶硬質(zhì)膜、耐蝕膜、潤(rùn)滑膜⑷有機(jī)分子薄膜⑸裝飾膜⑹包裝膜第21頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第22頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四薄膜材料學(xué)涉及的內(nèi)容：(1)薄膜材料的制備手段；(2)薄膜材料的形核與生長(zhǎng)理論；(3)薄膜材料的表征技術(shù)；(4)薄膜材料的體系、性能及應(yīng)用。第23頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第24頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第25頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第26頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第27頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第28頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四HighperformanceNano-FETsNano-OptoelectronicDevicesPhotodetectorsNanoLEDsSensorsSolarcell

第29頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第一章薄膜制備的真空技術(shù)基礎(chǔ)1.1氣體分子運(yùn)動(dòng)論的基本概念1.1.1氣體分子的運(yùn)動(dòng)速度及其分布?xì)怏w分子運(yùn)動(dòng)論：氣體分子一直處無規(guī)熱運(yùn)動(dòng)；平均運(yùn)動(dòng)速度取決于溫度；分子之間和分子與器壁之間相互碰撞。結(jié)果：氣體分子的速度服從一定統(tǒng)計(jì)分布,氣體本身對(duì)外顯壓力。第30頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四理想氣體氣體模型：

氣體分子之間除相互碰撞的瞬間之外，不存在相互作用，可看作是相互獨(dú)立運(yùn)動(dòng)硬球，且硬球的半徑遠(yuǎn)小于球與球之間的距離。在一般的溫度和壓力條件下，所有氣體可看作理想氣體。第31頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Inasolid,ametalforexample,theparticlesareatoms,arrangedinanorderlyarray.Theatomsarerelativelyclosetooneanother,andthemotionofeachatomisrestrictedbyitsinteractionwithotheratoms.

第32頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Inaliquid,theatomsormolecules,arefurtherapartthaninasolid,andarenotarrangedinanyspecialorder.Thereislessinteractionbetweenthemolecules,andtheyarefreetomoveinanydirection,butasinteractionsbetweenthemoleculesarestillpresent,mostmoleculesareconfinedtothevolumeoccupiedbytheliquidsample.第33頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Inagas,theatomsormoleculesarefurtherapartandhavelittleinteractionwithoneanother.Themotionoftheseparticlesisconfinedbythewallsofthecontainingvessels.第34頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Maxwell-Boltzmann分布?xì)怏w分子的運(yùn)動(dòng)速度的一維分量

氣體分子的速度分布只取決于分子的相對(duì)原子質(zhì)量M與氣體的熱力學(xué)溫度T的比值。第35頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第36頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Distributionofmolecularspeeds:effectsofmolarmassandtemperature第37頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四f(v)v第38頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Distributionofmolecularspeeds-hydrogengasat0°C.Thepercentagesofmoleculeswithacertainspeedareplottedasafunctionofthespeed.Threedifferentspeedsarenotedonthegraph.第39頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.1.2氣體的壓力和氣體分子的平均自由程

Theidealgasequation第40頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Pressureunit

SI（SystemInternational）Unit1Pa（Pascal）＝1Newton/m2

1atm＝1.013×105Pa＝760mmHg1bar＝105N/m2＝105Pa

PracticalUnit1Torr＝1mmHg1mTorr＝10－3mmHg1Pa＝7.5×10－3Torr1Torr＝133.3Pa1bar＝105Pa＝750Torr1atm＝1.013×105Pa＝760Torr第41頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四氣體分子的平均自由程

第42頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第43頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第44頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四Freezeothermoleculesandexaminemotionofonemolecule:第45頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

由于氣體分子的平均自由程與氣體分子的密度n成反比，因而氣體分子自由程隨著氣體壓力的下降而增加。在氣體壓力低于0.1Pa的情況下,氣體分子間的碰撞幾率很小，氣體分子的碰撞主要是其與容器器壁間的碰撞。第46頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.1.3氣體分子的通量單位面積上氣體分子的通量:氣體分子對(duì)于單位表面的碰撞頻率。氣體分子對(duì)襯底碰撞--->薄膜沉積。薄膜沉積速度正比于分子的通量。第47頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四氣體分子的通量與壓力呈正比，與溫度和相對(duì)原子質(zhì)量乘積的1/2次方成反比。是真空和薄膜沉積技術(shù)中最常用的方程之一?？伺匠痰?8頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四例：計(jì)算在高真空的條件下，清潔襯底被環(huán)境中的雜質(zhì)氣體分子污染所需時(shí)間。假設(shè)每一個(gè)向襯底運(yùn)動(dòng)過來的氣體分子都是雜質(zhì)，且每一個(gè)分子都被襯底所俘獲。襯底完全被一層雜質(zhì)氣體分子覆蓋所需要的時(shí)間為其中N為襯底表面的原子面密度。在常溫、常壓條件下，潔凈表面被雜質(zhì)完全覆蓋所需的時(shí)間約為3.5x10-9s，而在3x10-8Pa的超高真空中，上述時(shí)間可延長(zhǎng)至10h左右。這說明了在薄膜技術(shù)中獲得和保持適當(dāng)?shù)恼婵窄h(huán)境的極端重要性。第49頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四真空環(huán)境劃分

低真空>102Pa中真空102~10-1Pa高真空10-1~10-5Pa超高真空<10-5Pa第50頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

不同薄膜制備和分析技術(shù)對(duì)于真空度要求不同真空蒸發(fā)沉積需要高真空和超高真空范圍（<10-3Pa）;濺射沉積需要中、高真空（10-2~10-5Pa）;低壓化學(xué)氣相沉積需要中、低真空（10~100Pa）;電子顯微技術(shù)維持的分析環(huán)境需要高真空;材料表面分析需要超高真空。第51頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第52頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.2氣體的流動(dòng)狀態(tài)和真空抽速1.2.1氣體的流動(dòng)狀態(tài)氣體分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)本身并不導(dǎo)致氣體的宏觀流動(dòng)。只有在空間存在宏觀壓力差的情況下，氣體作為一個(gè)整體才會(huì)產(chǎn)生宏觀的定向流動(dòng)。氣體的流動(dòng)狀態(tài)根據(jù)氣體容器的幾何形狀、氣體的壓力、溫度以及氣體的種類不同而存在很大差別。

分子流狀態(tài)：在高真空環(huán)境下，氣體的分子除了與容器壁碰撞以外，幾乎不發(fā)生氣體分子間的相互碰撞。特點(diǎn)是氣體分子平均自由程超過氣體容器的尺寸或與其相當(dāng)。高真空薄膜蒸發(fā)沉積系統(tǒng)或各種材料表面分析儀器就工作在分子流狀態(tài)下。

粘滯流狀態(tài)：當(dāng)氣壓較高時(shí)，氣體分子的平均自由程很短，氣體分子間的相互碰撞極為頻繁。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)一般工作在粘滯流狀態(tài)。第53頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.2氣體的流動(dòng)狀態(tài)和真空抽速1.2.1氣體的流動(dòng)狀態(tài)克努森（Knudsen）準(zhǔn)數(shù)第54頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第55頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四層流狀態(tài)：低流速黏滯流所處的氣流狀態(tài)。在與氣體流動(dòng)方向相垂直的方向上，設(shè)想存在不同氣體流動(dòng)層的層狀流線，且各層氣體的流動(dòng)方向相互平行。如氣體在管道中以較慢的速度流動(dòng)時(shí)，在靠近管壁的地方，氣體分子感受到管壁的阻力作用，流動(dòng)的速度接近于零；隨著離開管壁距離的增加，氣體流動(dòng)的速度增加，并且在管道的中心處氣體流動(dòng)最快。紊流狀態(tài)：高流速黏滯流所處的氣流狀態(tài)。在氣體流速較高的情況下，各層氣體的流動(dòng)方向之間不能保持相互平行的狀態(tài)，而呈現(xiàn)出一種旋渦狀的流動(dòng)形式。流動(dòng)的氣體中出現(xiàn)了一些低氣壓的旋渦，同時(shí)流動(dòng)路徑上的任何微小的阻礙都會(huì)對(duì)流動(dòng)產(chǎn)生很大的影響。第56頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第57頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

1.2.2氣體管路的流導(dǎo)流導(dǎo):真空管路中氣體的通過能力。流導(dǎo)C的定義為p1和p2:管路兩端的氣壓Q:單位時(shí)間內(nèi)通過管路的氣體流量(單位時(shí)間內(nèi)流過的氣體體積與壓力的乘積)第58頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四分子流氣體，流導(dǎo)C與壓力無關(guān)。氣體種類、溫度不同--氣體的流速不同--即使壓力差相同，管路中氣體流量Q也不同。分子流條件下,管路流導(dǎo)受管路形狀影響，且與氣體種類、溫度有關(guān)。如，一個(gè)處于兩個(gè)直徑很大的管路間的通孔，設(shè)孔的截面積為A，則其流導(dǎo)應(yīng)正比于通孔兩側(cè)氣體分子向通孔方向流動(dòng)的流量之差。通孔的流導(dǎo)第59頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四在粘滯流情況下，氣體流導(dǎo)的數(shù)值還隨氣體的壓力呈現(xiàn)復(fù)雜的變化。當(dāng)壓力升高時(shí)，氣體通過單位面積的流量有增加的趨勢(shì)，因而管路流導(dǎo)的數(shù)值增加。

不同流導(dǎo)C1、C2、C3相互串聯(lián)或并聯(lián)，形成總流導(dǎo)C：第60頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

1.2.3真空泵的抽速p：真空泵入口處氣體壓力Q:單位時(shí)間內(nèi)通過真空泵入口處氣體流量。真空泵的抽速和管路的流導(dǎo)物理量綱相同，物理意義不同。流導(dǎo)描述真空部件的氣體通過能力，它使流動(dòng)著的氣體形成一定程度的壓力降低。抽速特指一個(gè)截面上的氣體流速。第61頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四抽速為Sp的泵通過流導(dǎo)C抽除特定真空容器中的氣體。設(shè)真空容器的壓力為p，泵入口處的壓力為pp，由流量各處相等，即Q=C(p-pp)=Sppp，真空容器出口處的實(shí)際抽速S降低為S不僅永遠(yuǎn)小于泵的理論抽速Sp，而且也永遠(yuǎn)小于管路的流導(dǎo)C。即S是受Sp和C之中較小的一個(gè)所限制。當(dāng)Sp=C時(shí)，S=Sp/2。由此可以理解，真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的一個(gè)基本原則是要確保C大于Sp。第62頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四真空泵可以達(dá)到的極限真空度

（存在氣體回流的情況）（極限真空度）第63頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3真空泵簡(jiǎn)介

真空環(huán)境的獲得需要使用各種各樣的真空泵，它們是真空系統(tǒng)的主要組成部分。按獲得真空的方法分為兩大類：一、輸運(yùn)式真空泵1、機(jī)械式氣體輸運(yùn)泵（旋轉(zhuǎn)式機(jī)械真空泵、羅茨泵以及渦輪分子泵）；2、氣流式氣體輸運(yùn)泵（油擴(kuò)散泵）。采用對(duì)氣體進(jìn)行壓縮的方式將氣體分子輸送至真空系統(tǒng)之外。二、捕獲式真空泵（低溫吸附泵、濺射離子泵）依靠在真空系統(tǒng)內(nèi)凝集或吸附氣體分子的方式將氣體分子捕獲，排除于真空系統(tǒng)之外。與輸運(yùn)式真空泵不同，某些捕獲式真空泵在工作完畢以后還可能將己捕獲的氣體分子釋放回真空系統(tǒng)。

第64頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3真空泵簡(jiǎn)介1.3.1旋片式機(jī)械真空泵工作原理：是依靠安置在偏心轉(zhuǎn)子中的可以滑進(jìn)滑出的旋片將氣體隔離、壓縮，然后排除泵體外的。理論抽速：抽速:1~300L/s極限真空度：10-1Pa第65頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3.2羅茨（Roots）真空泵工作原理：泵內(nèi)兩個(gè)呈8字型的轉(zhuǎn)子以相反的方向旋轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)子咬合精度很高,轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)掃過空間很大，轉(zhuǎn)速很高下，抽速很大。抽速:103L/s極限真空度：10-2Pa第66頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3.3油擴(kuò)散泵工作原理：將油加熱至高溫蒸發(fā)狀態(tài)(約200℃)，讓油蒸氣呈多級(jí)狀向下定向高速噴出時(shí)不斷接擊被抽的氣體分子，并將部分功量傳給這些氣體分子，使其被迫向排氣口方向運(yùn)動(dòng)，在壓縮作用下被排出泵體。同時(shí)，受到泵體冷卻的油蒸氣又會(huì)凝結(jié)起來返回泵的底部。抽速:幾升-104L/s極限真空度：1-10-6Pa第67頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四DiffusionPumpingSystem第68頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3.4渦輪分子泵工作原理：工作靠對(duì)氣體分子施加作用力，并使氣體分子向特定方向運(yùn)動(dòng)。轉(zhuǎn)子葉片具有特定的形狀，高速旋轉(zhuǎn)（2000-3000r/min）的葉片將動(dòng)量傳給氣體分子。多級(jí)葉片，上級(jí)葉片輸送的氣體分子受下級(jí)葉片的作用繼續(xù)被壓縮至更下級(jí)。特點(diǎn)：壓縮比高，對(duì)一般氣體分子的抽除極有效。如氮?dú)?，壓縮比達(dá)109。極限真空度：10-8Pa抽速：可達(dá)1000L／s壓力范圍：1-10-8Pa前級(jí)泵：旋片機(jī)械泵獲得無油高真空/超高真空環(huán)境第69頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四MolecularPump第70頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第71頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3.5低溫吸附泵工作原理：靠氣體分子在低溫條件下自發(fā)凝結(jié)或被其他物質(zhì)表面吸附，而獲得高真空。真空度依賴于溫度、吸附物質(zhì)表面積、被吸附氣體種類等因素。極限真空度：10-1-10-8Pa。第72頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.3.6濺射離子泵工作原理：高壓陰極發(fā)射出的高速電子與殘余氣體分子碰撞引起電離放電，電離的氣體分子高速撞擊Ti陰極濺射出大量Ti原子?；钚院芨叩腡i原子以吸附或化學(xué)反應(yīng)的形式捕獲大量氣體分子并使其在泵體內(nèi)沉積下來，實(shí)現(xiàn)無油高真空環(huán)境。氣體活性大，抽速大。極限真空度：10-8Pa。第73頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四第74頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.4真空的測(cè)量

與真空環(huán)境的獲得方法密切相關(guān)的是真空的測(cè)量技術(shù)。根據(jù)真空度或氣體壓力范圍的不同，其測(cè)量方法也大相徑庭。由儀器測(cè)出的真空度與真空室的實(shí)際真空度之間可能會(huì)由于溫度不同而存在誤差。在氣體流動(dòng)狀態(tài)處于分子流狀態(tài)，而且真空室與測(cè)量點(diǎn)之間存在較細(xì)的管道連接時(shí)，測(cè)量壓力pm和實(shí)際壓力pc之間的關(guān)系將可由分子凈通量為零的條件，有第75頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四1.4.1熱偶真空規(guī)和皮拉尼（Pirani）真空規(guī)真空規(guī)：真空測(cè)量用的元件。熱偶規(guī)和皮拉尼規(guī)是以氣體熱導(dǎo)率隨氣體壓力的變化為基礎(chǔ)而設(shè)計(jì)的，是最常用的低真空測(cè)量手段。熱偶真空規(guī)工作原理：將作為熱絲的Pt通過恒定強(qiáng)度的電流。在達(dá)到熱平衡以后，電流提供的加熱功率與通過空間熱輻射、金屬絲熱傳導(dǎo)以及氣體分子熱傳導(dǎo)而損失的功率相等，因而熱絲的溫度將隨著真空度的不同而有規(guī)律變化。測(cè)量范圍:0.1-100Pa第76頁，共85頁，2023年，2月20日，星期四

在0.1-100Pa的壓力范圍內(nèi)，氣體的熱導(dǎo)率將隨著氣體壓力的增加而上升，因而熱絲的溫度會(huì)隨著氣體壓力的上升而降低。這時(shí)，用熱電偶測(cè)出了