集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝

集成電路制造工藝之光刻與刻蝕工藝第1頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四①高分辨率。通常把線寬作為光刻水平的標(biāo)志，線寬越來(lái)越細(xì)，要求光刻具有高分辨率。②高靈敏度的光刻膠。光刻膠的靈敏度通常是指光刻膠的感光速度。光刻膠靈敏度提高，曝光時(shí)間短，但往往使光刻膠的其他屬性變差。③低缺陷。在集成電路芯片的加工進(jìn)程中，如果在器件上產(chǎn)生一個(gè)缺陷，即使缺陷的尺寸小于圖形的線寬，也可能會(huì)使整個(gè)芯片失效。④精密的套刻對(duì)準(zhǔn)。集成電路芯片的制造需要經(jīng)過(guò)多次光刻，在各次曝光圖形之間要相互套準(zhǔn)。通常要采用自動(dòng)套刻對(duì)準(zhǔn)技術(shù)。⑤對(duì)大尺寸硅片的加工。為了提高經(jīng)濟(jì)效益和硅片利用率，一般在一個(gè)大尺寸硅片上同時(shí)制作很多個(gè)完全相同的芯片。對(duì)于光刻而言，在大尺寸硅片上滿足前述的要求難度更大。ULSI中對(duì)光刻的基本要求第2頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1、光刻工藝流程曝光、顯影、刻蝕(或淀積)是光刻過(guò)程中的三個(gè)主要步驟。第3頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.1、涂膠在集成電路工藝中，光刻膠層的作用是在刻蝕或離子注入過(guò)程中，保護(hù)被光刻膠覆蓋的材料。因此，光刻膠層與硅片表面之間需要牢固地黏附。涂膠的目的是在硅片表面形成厚度均勻、附著性強(qiáng)、并且沒有缺陷的光刻膠薄膜。在涂膠之前，硅片一般需要經(jīng)過(guò)脫水烘焙并且涂上用來(lái)增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物。第4頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四以光刻膠在SiO2表面的附著情況為例，由于SiO2的表面是親水性的，而光刻膠是疏水性的，SiO2表面可以從空氣中吸附水分子，含水的SiO2會(huì)使光刻膠的附著能力降低。因此在涂膠之前需要預(yù)先對(duì)硅片進(jìn)行脫水處理，稱為脫水烘焙。①在150-200℃釋放硅片表面吸附的水分子；②在400℃左右使硅片上含水化合物脫水；③進(jìn)行750℃以上的脫水。脫水烘焙第5頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在涂膠之前，還應(yīng)在Si片表面上涂上一層化合物，其目的也是為了增強(qiáng)光刻膠與硅片之間的附著力。目前應(yīng)用比較多的是六甲基乙硅氮烷(簡(jiǎn)稱HMDS)。在實(shí)際應(yīng)用中，HMDS的涂布都是以氣相的方式進(jìn)行的，HMDS以氣態(tài)的形式輸入到放有硅片的容器中，然后在硅片的表面完成涂布。還可以將脫水烘焙與HMDS的氣相涂布結(jié)合起來(lái)進(jìn)行。硅片首先在容器里經(jīng)過(guò)100-200℃的脫水烘焙，然后直接進(jìn)行氣相涂布。由于避免了與大氣的接觸，硅片吸附水分子的機(jī)會(huì)將會(huì)降低，涂布HMDS的效果將會(huì)更加理想。涂布HMDS第6頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四涂膠工藝步驟：①將光刻膠溶液噴灑到硅片表面上；②加速旋轉(zhuǎn)托盤(硅片)，直至達(dá)到需要的旋轉(zhuǎn)速度；③達(dá)到所需的旋轉(zhuǎn)速度后，保持一定時(shí)間的旋轉(zhuǎn)。涂膠把硅片放在一個(gè)平整的金屬托盤上，有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤上，硅片與托盤一起旋轉(zhuǎn)。第7頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠的膜厚與光刻膠本身的黏性有關(guān)對(duì)于同樣的光刻膠，光刻膠的膜厚由旋轉(zhuǎn)速度決定，轉(zhuǎn)動(dòng)速度越快，光刻膠層的厚度越薄，光刻膠的均勻性也越好。涂膠的過(guò)程應(yīng)始終在超凈環(huán)境中進(jìn)行。同時(shí)噴灑的光刻膠溶液中不能含有空氣，因?yàn)闅馀莸淖饔门c微粒相似，都會(huì)在光刻工藝中引起缺陷。光刻膠的膜厚第8頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.2、前烘在液態(tài)的光刻膠中，溶劑的成份占65％-85％，經(jīng)過(guò)甩膠之后，雖然液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍含有10％-30％的溶劑，涂膠以后的硅片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，使溶劑從光刻膠內(nèi)揮發(fā)出來(lái)，這一步驟稱為前烘。(前烘后光刻膠中溶劑含量降至到5％左右)

在前烘過(guò)程中，由于溶劑的揮發(fā)，光刻膠的厚度也會(huì)減薄，一般減小的幅度為10％-20％左右。第9頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四降低灰塵的玷污；減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力，從而提高光刻膠的附著性。如果光刻膠沒有經(jīng)過(guò)前烘處理，對(duì)于正膠來(lái)說(shuō)，非曝光區(qū)的光刻膠由于溶劑的含量比較高，在顯影液中也會(huì)溶解變簿，從而使光刻膠的保護(hù)能力下降。前烘的作用第10頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四前烘的溫度和時(shí)間需要嚴(yán)格地控制。前烘的溫度太低或時(shí)間太短光刻膠層與硅片表面的黏附性差；由于光刻膠中溶劑的含量過(guò)高，曝光的精確度也會(huì)變差；太高的溶劑濃度使顯影液對(duì)曝光區(qū)和非曝光區(qū)光刻膠的選擇性下降，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移效果不好。前烘溫度太高光刻膠層的黏附性也會(huì)因?yàn)楣饪棠z變脆而降低；過(guò)高的烘焙溫度會(huì)使光刻膠中的感光劑發(fā)生反應(yīng)，使光刻膠在曝光時(shí)的敏感度變差。前烘的溫度和時(shí)間第11頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四前烘通常采用干燥循環(huán)熱風(fēng)、紅外線輻射以及熱平板傳導(dǎo)等熱處理方式。在ULSI工藝中，常用的前烘方法是真空熱平板烘烤。真空熱平板烘烤可以方便地控制溫度，同時(shí)還可以保證均勻加熱。前烘的加熱方式第12頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.3、曝光光刻膠在經(jīng)過(guò)前烘之后就可以進(jìn)行曝光。在未經(jīng)曝光之前，正性光刻膠中的感光劑DQ是不溶于顯影液的，同時(shí)也會(huì)抑制酚醛樹脂在顯影液中的溶解。在曝光的過(guò)程中，感光劑DQ發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，成為乙烯酮。因?yàn)橐蚁┩幕瘜W(xué)性質(zhì)并不穩(wěn)定，會(huì)進(jìn)一步的水解為茚并羧酸(ICA)。羧酸對(duì)堿性溶劑的溶解度將比未曝光的感光劑高出許多(約100倍左右)，同時(shí)還會(huì)促進(jìn)酚醛樹脂的溶解。

利用感光與未感光的光刻膠對(duì)堿性溶液的不同溶解度就可以進(jìn)行掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。第13頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.4、顯影顯影后所留下的光刻膠圖形將在后續(xù)的刻蝕和離子注入工藝中做為掩膜，因此顯影也是一步重要工藝。嚴(yán)格地說(shuō)，在顯影時(shí)曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區(qū)與非曝光區(qū)的光刻膠的溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形對(duì)比度越高。影響顯影效果的主要因素包括：①光刻膠的膜厚；②前烘的溫度和時(shí)間；③曝光時(shí)間；④顯影液的濃度；⑤顯影液的溫度；⑥顯影液的攪動(dòng)情況等。以正膠為例，在顯影過(guò)程中，曝光區(qū)的光刻膠在顯影液中溶解，非曝光區(qū)的光刻膠則不會(huì)溶解。曝光后在光刻膠層中形成的潛在圖形，顯影后便顯現(xiàn)出來(lái)。第14頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四目前廣泛使用的顯影的方式是噴灑方法?？煞譃槿齻€(gè)階段：①硅片被置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，并且在硅片表面上噴灑顯影液；②然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進(jìn)行顯影；③顯影完成之后，需要經(jīng)過(guò)漂洗，之后再旋干。噴灑方法的優(yōu)點(diǎn)在于它可以滿足工藝流水線的要求。顯影之后，一般要通過(guò)光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡(SEM)或者激光系統(tǒng)來(lái)檢查圖形的尺寸是否滿足要求。如果不能滿足要求，可以返工。因?yàn)榻?jīng)過(guò)顯影之后只是在光刻膠上形成了圖形，只需去掉光刻膠就可以重新進(jìn)行上述各步工藝。顯影方式與檢測(cè)第15頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.5、堅(jiān)膜硅片在經(jīng)過(guò)顯影之后，需要經(jīng)歷一個(gè)高溫處理過(guò)程，簡(jiǎn)稱堅(jiān)膜。堅(jiān)膜的主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力，同時(shí)提高光刻膠在刻蝕和離子注入過(guò)程中的抗蝕性和保護(hù)能力。通常堅(jiān)膜的溫度要高于前烘溫度。第16頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠的光學(xué)穩(wěn)定是通過(guò)紫外光輻照和加熱來(lái)完成的。經(jīng)過(guò)UV輻照和適度的熱處理(110℃)之后，在光刻膠的表面圖形上可以形成交叉鏈接的硬殼，可以使光刻膠圖形在高溫過(guò)程中不會(huì)變形。光學(xué)穩(wěn)定可以使光刻膠產(chǎn)生均勻的交叉鏈接，提高光刻膠的抗刻蝕能力，進(jìn)而提高刻蝕工藝的選擇性。經(jīng)過(guò)UV處理的光刻膠，要先經(jīng)過(guò)氧等離子的活化，然后通過(guò)濕法除去。光學(xué)穩(wěn)定第17頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.1.6刻蝕8.1.7去膠在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠，在濕法去膠中又分為有機(jī)溶液去膠和無(wú)機(jī)溶液去膠。有機(jī)溶液去膠主要是使光刻膠溶于有機(jī)溶液中（丙酮和芳香族的有機(jī)溶劑），從而達(dá)到去膠的目的。無(wú)機(jī)溶液去膠的原理是使用一些無(wú)機(jī)溶液(如H2SO4和H2O2等)，將光刻膠中的碳元素氧化成為二氧化碳，把光刻膠從硅片的表面上除去。由于無(wú)機(jī)溶液會(huì)腐蝕A1，因此去除A1上的光刻膠必須使用有機(jī)溶液。干法去膠則是用等離子體將光刻膠剝除。光刻膠通過(guò)在氧等離子體中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氣態(tài)的CO，CO2和H2O由真空系統(tǒng)抽走。相對(duì)于濕法去膠，干法去膠的效果更好，但是干法去膠存在反應(yīng)殘留物的玷污問題，因此干法去膠與濕法去膠經(jīng)常搭配進(jìn)行。第18頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.2、分辨率

分辨率R描述了光刻工藝中可能達(dá)到的最小光刻圖形尺寸，表示每mm內(nèi)最多能刻蝕出多少可分辨的線條數(shù)。線寬與線條間距相等的情況下，R定義為

線條越細(xì)，分辨率越高。光刻的分辨率受到光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。這里我們只從物理角度對(duì)分辨率進(jìn)行探討。光刻中所用的曝光光源是光、電子、離子和X射線等各種粒子束。從量子物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。第19頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四設(shè)有一物理線度L，為了測(cè)量和定義它，必不可少的誤差為ΔL，根據(jù)量子理論的不確定性關(guān)系，則有其中h是普朗克常數(shù)，Δp是粒子動(dòng)量的不確定值。對(duì)于曝光所用的粒子束，若其動(dòng)量的最大變化是從-p到+p，即Δp=2p，代入上式，則有ΔL在這里表示分清線寬L必然存在的誤差。若ΔL就是線寬，那么它就是物理上可以得到的最細(xì)線寬，因而最高的分辨率

最高的分辨率第20頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四不同的粒子束，因其能量、動(dòng)量不同，則ΔL亦不同。對(duì)于光子通常把上式看作是光學(xué)光刻方法中可得到的最細(xì)線條，即不可能得到一個(gè)比λ/2還要細(xì)的線條。其物理圖像是，光的波動(dòng)性所顯現(xiàn)的衍射效應(yīng)限制了線寬≥λ/2。因此最高分辨率為：

這是僅考慮光的衍射效應(yīng)而得到的結(jié)果，沒有涉及光學(xué)系統(tǒng)的誤差以及光刻膠和工藝的誤差等，因此這是純理論的分辨率。光子曝光的最高的分辨率第21頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四關(guān)于光束的線寬限制，對(duì)其他的粒子束同樣適用。任何粒子束都具有波動(dòng)性，即德布羅意物質(zhì)波，其波長(zhǎng)λ與質(zhì)量m、動(dòng)能E的關(guān)系描述如下。粒子束的動(dòng)能E為其動(dòng)量p粒子束的波長(zhǎng)由此，用粒子束可得到的最細(xì)線條為任意粒子曝光的最高的分辨率第22頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四結(jié)論：若粒子束的能量E給定后，則粒子的質(zhì)量m愈大，ΔL愈小，因而分辨率愈高。以電子和離子作比較，離子的質(zhì)量大于電子，所以它的ΔL小，即分辨率高。但這個(gè)說(shuō)法有一定的限制，因?yàn)殡x子本身的線度一般大于1?，所以用它加工的尺寸不可能做到小于它本身的線度。對(duì)于m一定，即給定一種粒子，例加電子，則其動(dòng)能愈高，ΔL愈小，分辨率愈高。第23頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光學(xué)光刻膠通常包含有三種成份：①聚合物材料(樹脂)：附著性和抗腐蝕性②感光材料：感光劑③溶劑：使光刻膠保持為液態(tài)8.3、光刻膠的基本屬性正膠的感光區(qū)在顯影時(shí)溶掉，沒有感光的區(qū)域在顯影時(shí)不溶解，因此形成的光刻膠圖形是掩模版圖形的正影像。負(fù)膠的情況與正膠相反，經(jīng)過(guò)顯影后光刻膠層上形成的是掩模版的負(fù)性圖形。正膠的分辨率比負(fù)膠高。光刻膠通?？煞譃檎z和負(fù)膠，經(jīng)過(guò)曝光和顯影之后所得到的圖形是完全相反的。第24頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠的對(duì)比度會(huì)直接影響到曝光后光刻膠膜的傾角和線寬。8.3.1、對(duì)比度為了測(cè)量光刻膠的對(duì)比度，將一定厚度的光刻膠膜在不同的輻照劑量下曝光，然后測(cè)量顯影之后剩余光刻膠的膜厚，利用得到的光刻膠膜厚-曝光劑量響應(yīng)曲線進(jìn)行計(jì)算就可以得到對(duì)比度。光刻膠的對(duì)比度：不同的光刻膠膜厚-曝光劑量響應(yīng)曲線的外推斜率。第25頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四根據(jù)對(duì)比度定義，Y2＝1.0，Y1=0，X2＝log10Dog，X1＝log10Dig。負(fù)膠的對(duì)比度負(fù)膠的對(duì)比度對(duì)于負(fù)膠，只有達(dá)到臨界曝光劑量后，才形成膠體的交叉鏈接，臨界曝光劑量以下的負(fù)膠中不會(huì)形成圖形，如圖所示。達(dá)到臨界曝光劑量后，隨曝光劑量的增加，負(fù)膠膜上形成的膠化圖像厚度逐漸加大，最終使膠化圖像的薄膜厚度等于初始時(shí)負(fù)膠的膜厚。其中，Dig為負(fù)膠的臨界曝光劑量，Dog為負(fù)膠的膠化薄膜厚度與曝光開始時(shí)負(fù)膠膜厚度相等時(shí)的曝光劑量。第26頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四測(cè)量正膠對(duì)比度的方法與負(fù)膠相同，正膠的膜厚隨著曝光劑量的增加而減小，直到在顯影的過(guò)程中被完全除去，曝光區(qū)域剩余的正膠膜厚與曝光劑量的關(guān)系如圖所示。正膠的對(duì)比度根據(jù)對(duì)比度定義，Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝log10Do。正膠的對(duì)比度Dc為完全除去正膠膜所需要的最小曝光劑量，Do為對(duì)正膠不產(chǎn)生曝光效果所允許的最大曝光劑量。第27頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在理想的曝光過(guò)程中，投到光刻膠上的輻照區(qū)域應(yīng)該等于掩模版上的透光區(qū)域，在其他區(qū)域應(yīng)該沒有輻照能量。在實(shí)際的曝光過(guò)程中，由于衍射和散射的影響，光刻膠所接受的輻照具有一定的分布。以正膠為例，部分區(qū)域的光刻膠受到的曝光劑量小于Dc而大于Do，在顯影過(guò)程中只有部分溶解。因此經(jīng)過(guò)顯影之后留下的光刻膠的側(cè)面都會(huì)有一定的斜坡。

光刻膠的對(duì)比度越高，光刻膠層的側(cè)面越陡。光刻膠的側(cè)墻傾斜第28頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四由于線寬是通過(guò)測(cè)量光刻膠/襯底之上特定高度的線條間距得到的，光刻膠側(cè)面的陡度越好，線寬描述掩模尺寸的準(zhǔn)確度就越高。最終的圖形轉(zhuǎn)移是經(jīng)過(guò)刻蝕完成的，而干法刻蝕在一定程度上對(duì)光刻膠也有侵蝕作用，所以陡峭的光刻膠可以減小刻蝕過(guò)程中的鉆蝕效應(yīng)，從而提高分辨率。側(cè)墻傾斜對(duì)分辨率的影響第29頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四采用調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)(MTF)來(lái)描述曝光圖形的質(zhì)量，MTF的定義表達(dá)式為：Imax為曝光圖形上的最大輻照強(qiáng)度，Imin為最小輻照強(qiáng)度。定義光刻膠的臨界調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)為：

為了使曝光系統(tǒng)能夠得到要求的線條，對(duì)應(yīng)這些線條尺寸的調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)MTF就需要大于或等于所用的光刻膠的CMTF。

對(duì)比度與CMTF之間的關(guān)系為

如果已知曝光系統(tǒng)對(duì)各種線條的MTF，根據(jù)光刻膠對(duì)比度，可以計(jì)算這一系統(tǒng)可以形成的最小圖形尺寸。調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)和臨界調(diào)制轉(zhuǎn)移函數(shù)第30頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在顯影過(guò)程中，如果顯影液滲透到光刻膠中，光刻膠的體積就會(huì)膨脹，這將導(dǎo)致圖形尺寸發(fā)生變化，這種膨脹現(xiàn)象主要發(fā)生在負(fù)膠中。

由于負(fù)膠存在膨脹現(xiàn)象，對(duì)于光刻小于3μm圖形的情況，基本使用正膠來(lái)代替負(fù)膠。正膠在顯影液中的溶解機(jī)制與負(fù)膠不同，不會(huì)發(fā)生膨脹，所以正膠的分辨率比負(fù)膠高。8.3.2、光刻膠的膨脹第31頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠的光敏度是指完成所需圖形曝光的最小曝光劑量。對(duì)于光化學(xué)反應(yīng)，光敏度是由曝光效率（參與光刻膠曝光的光子能量與進(jìn)入光刻膠中的光子能量的比值）決定的。通常正膠比負(fù)膠有更高的曝光效率，因此正膠的光敏度也就比較大。提高光敏度可以減小曝光時(shí)間。實(shí)際工藝中對(duì)光刻膠光敏度是有限制的。如果光刻膠的光敏度過(guò)高，室溫下就可能發(fā)生熱反應(yīng)，這將使光刻膠的存儲(chǔ)時(shí)間減少。此外，對(duì)光敏度高的正膠曝光時(shí)，每個(gè)像素點(diǎn)只需要得到少量的光子就可以完成曝光。而每個(gè)像素點(diǎn)上接收到的光子數(shù)受統(tǒng)計(jì)漲落影響，這就將對(duì)均勻曝光產(chǎn)生影響。8.3.3、光敏度第32頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四

光刻膠的抗刻蝕能力是指在圖形轉(zhuǎn)移的過(guò)程中，光刻膠抵抗刻蝕的能力。通常光刻膠對(duì)濕法刻蝕有比較好的抗刻蝕能力。對(duì)于大部分的干法刻蝕，光刻膠的抗刻蝕能力比較差。DQN正膠對(duì)干法刻蝕有比較好的抗刻蝕能力，但光敏度會(huì)降低。可以針對(duì)刻蝕中使用的刻蝕劑來(lái)改進(jìn)光刻膠的抗刻蝕能力，對(duì)于氯化物的刻蝕劑可以在光刻膠中添加氟化物來(lái)加強(qiáng)抗蝕能力。大部分X射線和電子束光刻膠抗干法刻蝕的能力比光學(xué)光刻膠還差。通常干法刻蝕的工作溫度比濕法腐蝕要高，這就要求光刻膠能夠保證在工作溫度下的熱穩(wěn)定。一般光刻膠需要能夠經(jīng)受200℃以上的工作溫度。8.3.4、抗刻蝕能力和熱穩(wěn)定性第33頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在刻蝕的過(guò)程中，如果光刻膠黏附不牢就會(huì)發(fā)生鉆蝕和浮膠，直接影響光刻的質(zhì)量，甚至使整個(gè)圖形丟失。

光刻膠附著問題在多晶硅、金屬層和高摻雜的SiO2層上最為明顯。影響光刻膠黏附性的因素有很多，襯底材料的性質(zhì)和表面圖形的情況以及工藝條件都會(huì)對(duì)光刻膠黏附性造成影響。增強(qiáng)光刻膠與襯底表面之間的黏附方法有：①在涂膠之前對(duì)硅片進(jìn)行脫水處理；②使用HMDS或TMSDEA增黏劑；③提高堅(jiān)膜的循環(huán)溫度。另外，使用干法刻蝕可以降低對(duì)光刻膠黏著力的要求。8.3.5、黏著力第34頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠是由溶劑溶解了固態(tài)物質(zhì)(如樹脂)所形成的液體，其中溶解的固態(tài)物質(zhì)所占的比重稱為溶解度。光刻膠的溶解度將決定甩膠后所形成的光刻膠膜的厚度以及光刻膠的流動(dòng)性。光刻膠的黏滯度與溶解度和環(huán)境溫度都有關(guān)系，并且黏滯度是影響甩膠后光刻膠膜厚的兩個(gè)因素之一(另一個(gè)為甩膠速度)。

只有嚴(yán)格控制涂膠和甩膠時(shí)的溶解度以及工作溫度，才能得到可重復(fù)的膠膜厚度。8.3.6、溶解度和黏滯力第35頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠的純凈度與光刻膠中的微粒數(shù)量和金屬含量有關(guān)。通過(guò)嚴(yán)格的過(guò)濾和超凈包裝，可以得到高純度的光刻膠。

即使是高純度的光刻膠，使用前仍需要進(jìn)行過(guò)濾。因?yàn)殡S著存儲(chǔ)時(shí)間的增加，光刻膠中的微粒數(shù)量還會(huì)繼續(xù)增加。光刻膠的過(guò)濾通常是在干燥的惰性氣體(如氮?dú)?中進(jìn)行的，根據(jù)需要選擇過(guò)濾的級(jí)別，一般直徑在0.1μm以上的微粒都需要除去。光刻膠的金屬含量主要是指鈉和鉀在光刻膠中的含量。因?yàn)楣饪棠z中的鈉和鉀會(huì)帶來(lái)污染，降低器件的性能。通常要求光刻膠的金屬含量越低越好，特別是鈉需要達(dá)到50萬(wàn)原子分之一。這種低濃度的鈉和鉀可以通過(guò)原子吸收光譜分光光度計(jì)來(lái)測(cè)量。8.3.7、微粒數(shù)量和金屬含量第36頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四光刻膠中的成份會(huì)隨時(shí)間和溫度而發(fā)生變化。

如果保存在高溫的條件下，光刻膠會(huì)發(fā)生交叉鏈接。由于交叉鏈接的作用，DQN正膠中的高分子成份會(huì)增加，這時(shí)DQN感光劑不再可溶，而是結(jié)晶成沉淀物。通常負(fù)膠的儲(chǔ)存壽命比正膠短(負(fù)膠易于自動(dòng)聚合成膠化團(tuán))。從熱敏性和老化情況來(lái)看，DQN正膠在封閉條件下儲(chǔ)存是比較穩(wěn)定的。如果儲(chǔ)存得當(dāng)，DQN正膠可以保存六個(gè)月至一年。采用適當(dāng)?shù)倪\(yùn)輸和存儲(chǔ)手段，在特定的條件下保存以及使用前對(duì)光刻膠進(jìn)行過(guò)濾，這都有利于解決光刻膠的老化問題。8.3.8、存儲(chǔ)壽命第37頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.4、多層光刻膠工藝為了得到既?。梢蕴岣叻直媛剩┒种旅埽ūＷo(hù)下面的圖形）的光刻膠層，采用多層光刻膠(MLR)技術(shù)。多層光刻膠(MLR)技術(shù)：采用性質(zhì)不同的多層光刻膠，分別利用其抗蝕性、平面平坦化等不同特性完成圖形的轉(zhuǎn)移。在雙層光刻膠工藝中，頂層光刻膠經(jīng)過(guò)曝光和顯影后形成曝光圖形，在后續(xù)的刻蝕工藝中作為刻蝕掩蔽層；底層光刻膠用來(lái)在襯底上形成平坦化的平面，需要通過(guò)干法刻蝕(氧等離子刻蝕)去掉。MLR工藝雖然有很多優(yōu)點(diǎn)，但是增加了工藝的復(fù)雜性，不但降低了產(chǎn)量，而且可能增加缺陷和成本。第38頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四如右圖所示，首先在硅片上甩上底層膠，保護(hù)襯底上的圖形，在起伏的襯底上形成平坦化的光刻膠平面。經(jīng)過(guò)前烘之后，在底層膠上面再甩一層很薄的正膠，用來(lái)作為成像層。經(jīng)過(guò)曝光和顯影之后，在頂層膠中形成所需要的圖形。頂層膠中含有酐，經(jīng)過(guò)曝光后轉(zhuǎn)化為羧酸，而非曝光區(qū)中的酐被保留下來(lái)。然后將硅片浸入到帶有氨基的硅氧烷溶液中，硅氧烷溶液中的氨基與未曝光的頂層膠中的酐反應(yīng)，使硅氧烷中的硅原子保留在頂層膠中，頂層膠中約含有20％-30％的硅。8.4.1、光刻膠圖形的硅化學(xué)增強(qiáng)(Si-CARL)工藝第39頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四然后在氧氣氛中進(jìn)行干法刻蝕，頂層膠中的硅與氧反應(yīng)，從面在頂層膠表面形成SiO2薄層。因此在刻蝕過(guò)程中，氧等離子只刻蝕沒有被頂層保護(hù)的底層光刻膠。經(jīng)過(guò)刻蝕之后，由頂層光刻膠保護(hù)的圖形被保留下來(lái)，轉(zhuǎn)移到底層光刻膠上去。

利用Si化學(xué)增強(qiáng)方法可以形成高寬比很大的圖形，還可以形成分辨率小于0.25μm的圖形。第40頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四經(jīng)過(guò)甩膠和前烘之后，在光刻膠上甩上一層CEL薄膜，CEL薄膜通常是不透明的，在投影曝光系統(tǒng)中，通過(guò)掩膜板，透光區(qū)的CEL在強(qiáng)光作用下變?yōu)橥该?，光線通過(guò)透明區(qū)的CEL并對(duì)下面的光刻膠曝光。在對(duì)光刻膠曝光的過(guò)程中，不透光的CEL可以吸收衍射的光線。由于CEL是直接與光刻膠接觸的，它的作用類似接觸式曝光中的掩模版。因此，使用CEL就可以充分發(fā)揮投影曝光的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又達(dá)到接觸式曝光的效果。曝光之后，先通過(guò)濕法顯影除去CEL，再對(duì)光刻膠進(jìn)行顯影。8.4.2、對(duì)比增強(qiáng)層CEL第41頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四采用對(duì)比增強(qiáng)層可以增加分辨率第42頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四為了減少M(fèi)LR所增加的工藝復(fù)雜性，選擇性地將硅擴(kuò)散到成像層中，稱為擴(kuò)散增強(qiáng)硅烷基化光刻膠工藝(DESIRE)。8.4.3、硅烷基化光刻膠表面成像工藝1、擴(kuò)散增強(qiáng)硅烷基化光刻膠工藝①光刻膠DNQ曝光，DNQ分解，形成隱性圖形。②前烘，未曝光的DNQ形成交叉鏈接，不容易吸收硅。③硅烷基化，高溫下將基片放在含硅的HMDS或TMDS中烘烤，硅擴(kuò)散進(jìn)入到曝光區(qū)的光刻膠中。第43頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四④O2等離子體刻蝕，曝光區(qū)中的硅氧化形成抗刻蝕的二氧化硅，而未曝光的光刻膠被刻蝕。由于是各向異性的刻蝕，光刻膠圖形的垂直效果很好。通過(guò)DESIRE工藝形成的是負(fù)性的圖形（曝光區(qū)留下）。第44頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四2、干法刻蝕正膠成像(PRIME)工藝PRIME工藝能夠選擇性地形成正性的圖形。在曝光的過(guò)程中，曝光區(qū)的感光劑發(fā)生分解的同時(shí)形成交叉鏈接，交叉鏈接的深度可以達(dá)到30nm。然后由UV輻照代替前烘。UV輻照可以使未曝光區(qū)的感光劑分解，從而可使硅擴(kuò)散到這些未曝光的區(qū)域中，因此硅烷基化是在未曝光區(qū)進(jìn)行的。

經(jīng)過(guò)干法刻蝕光刻膠之后，就在光刻膠上形成了正性的掩膜圖形。第45頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.5、抗反射涂層工藝曝光光波進(jìn)入到光刻膠層之后，如果沒有被完全吸收，就會(huì)有一部分光穿過(guò)光刻膠膜達(dá)到襯底表面，被襯底表面反射，又回到光刻膠中。

反射光與光刻膠中的入射光發(fā)生干涉，形成駐波，駐波效應(yīng)在光刻膠中形成以λ/2n為間隔、強(qiáng)弱相間的曝光區(qū)域，如圖所示。λ為曝光波長(zhǎng)，n為光刻膠的折射率。8.5.1、駐波效應(yīng)第46頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四由于駐波的影響，光刻膠中光強(qiáng)的周期性變化，引起光刻膠中光吸收的不均勻，導(dǎo)致線寬發(fā)生變化，最終降低分辨率。襯底的強(qiáng)反射也會(huì)加重駐波效應(yīng)的影響。為了改善駐波效應(yīng)，在光刻膠層表面或底部使用抗反射涂層(ARC)，同時(shí)在曝光后進(jìn)行烘焙(PEB)。曝光后烘焙：是在顯影之前進(jìn)行的，經(jīng)過(guò)曝光和曝光后烘焙，非曝光區(qū)的感光劑會(huì)向曝光區(qū)擴(kuò)散，從而在曝光區(qū)與非曝光區(qū)的邊界形成了平均的曝光效果。對(duì)于曝光0.5μm以下的線條都需要使用上述技術(shù)，否則0.4μm以下的i線曝光是不可能實(shí)現(xiàn)的。駐波效應(yīng)使分辨率降低第47頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.5.2、底層抗反射涂層(BARC)

BARC位于襯底和光刻膠之間，由高消光率的材料組成，可以吸收穿過(guò)光刻膠層的光線。光線入射到BARC與光刻膠的界面時(shí)，少部分被反射回光刻膠中，大部分進(jìn)入到BARC里。通過(guò)調(diào)整BARC的厚度，使透射光穿過(guò)BARC的過(guò)程中，形成/4的光程。進(jìn)入到BARC中的光，經(jīng)襯底表面反射后兩次通過(guò)BARC層，產(chǎn)生/2的光程，即產(chǎn)生180°的相移。相移波與在BARC/光刻膠界面反射的光波發(fā)生干涉，使強(qiáng)度減弱甚至抵消。如果BARC與入射光匹配良好，只有少量的光可以由光刻膠/BARC界面反射回光刻膠。同時(shí)，反射光的振幅減小，也會(huì)降低駐波效應(yīng)的影響。使用BARC的代價(jià)是增加了工藝復(fù)雜性，且需要獨(dú)立的工序去除BARC。第48頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6、紫外光曝光紫外(UV)光源和深紫外(DUV)光源是目前工業(yè)上普遍應(yīng)用的曝光光源。8.6.1、水銀弧光燈光源在248nm的KrF準(zhǔn)分子激光器被應(yīng)用到DUV光刻之前，光刻系統(tǒng)是使用高壓水銀燈作為光源。汞燈內(nèi)部充有水銀氣體，在兩個(gè)電極之間施加高壓脈沖，脈沖將會(huì)使電極間的氣體電離，形成高壓水銀氣的弧光發(fā)射，發(fā)射一個(gè)特征光譜。如果在汞燈內(nèi)加入一定的氙氣，可以提高波長(zhǎng)為200～300nm范圍的輸出能量。第49頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四右圖顯示了汞氣的發(fā)射光譜。在350～450nm的UV光譜范圍內(nèi)，有三條強(qiáng)而銳利的發(fā)射線：i線(365nm)、h線(405nm)和g線(436nm)。通過(guò)折射透鏡進(jìn)行分離，就可以得到單一波長(zhǎng)的光線。第50頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四第51頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.2、投影式照明系統(tǒng)投影式照明系統(tǒng)的作用是收集從弧光燈中射出的光，并使收集的光通過(guò)掩模版投射到透鏡組的入射光孔中。光學(xué)收集系統(tǒng)：通常為拋物面或橢圓面的鏡子，盡可能多地將發(fā)射的光波引到需要曝光的硅片表面。過(guò)濾器：將其他波長(zhǎng)光過(guò)濾，通過(guò)投影透鏡的就是曝光波長(zhǎng)的光線。光線空間均勻：弧形燈發(fā)射光線的空間一致性不夠好，照明掩膜要求光強(qiáng)波動(dòng)小于1％。使用蜂窩狀透鏡，產(chǎn)生小弧形燈的多重圖像，從多重圖像射出的光集合在一起，產(chǎn)生一個(gè)平均強(qiáng)度，這個(gè)平均強(qiáng)度要均勻很多。第52頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.3、準(zhǔn)分子激光DUV光源DUV光刻系統(tǒng)中的光源是準(zhǔn)分子激光器：KrF準(zhǔn)分子激光器：可以產(chǎn)生波長(zhǎng)為248nm的DUV光線，目前已經(jīng)成為光刻工藝中的主要光源，應(yīng)用于0.35μm、0.25μm和0.18μmCMOS技術(shù)。ArF準(zhǔn)分子激光器：可以產(chǎn)生波長(zhǎng)為193nm的DUV光線，應(yīng)用于0.2μm以下的CMOS工藝。第53頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四準(zhǔn)分子：是由一個(gè)惰性氣體原子和一個(gè)鹵素原子組成的特殊分子，這種分子只是在激發(fā)狀態(tài)下被約束在一起。如果其中一個(gè)或兩個(gè)原子處在激發(fā)態(tài)，就可以發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成二聚物。準(zhǔn)分子發(fā)射DUV光：當(dāng)準(zhǔn)分子中的原子的狀態(tài)由激發(fā)態(tài)衰變到基態(tài)時(shí)，二聚物就分離成兩個(gè)原子，在衰變的過(guò)程中，有DUV能量放射。準(zhǔn)分子激光原理KrF準(zhǔn)分子激光器：首先是等離子體中產(chǎn)生Kr+和F-離子，然后對(duì)Kr+和F-離子氣體施加高電壓的脈沖，使這些離子結(jié)合在一起形成KrF準(zhǔn)分子。在一些準(zhǔn)分子開始自發(fā)衰變之后，它們發(fā)射的光穿過(guò)含有準(zhǔn)分子的氣體時(shí)，就會(huì)激勵(lì)這些準(zhǔn)分子發(fā)生衰變。因此，準(zhǔn)分子激光以短脈沖形式發(fā)射，而不是連續(xù)地發(fā)射激光。只要充以足夠高的電壓，那么激發(fā)、脈沖和激光發(fā)射就會(huì)重復(fù)產(chǎn)生。第54頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.4、接近式曝光接近式曝光裝置主要由四部分組成：光源和透鏡系統(tǒng)掩模版硅片(樣品)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)汞燈發(fā)射的紫外光由透鏡變成平行光，平行光通過(guò)掩模版后在光刻膠膜上形成圖形的像。掩模版與硅片之間有一小的間隙s，一般為5μm，故稱為接近式曝光。第55頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在8.2節(jié)中我們知道，光學(xué)曝光的最高分辨率為1/λ。但在接近式曝光系統(tǒng)中，由于掩模版和硅片間有一小間隙s，必須考慮這種情況下衍射對(duì)分辨率的限制。經(jīng)過(guò)分析，如果像與掩膜版尺寸相同，沒有畸變，則接近式曝光系統(tǒng)的最小線寬為因此分辨率為若s=5μm，λ=400nm，則a=2μm，R=250線對(duì)。

實(shí)際s>5μm，因此接近式曝光只能用于3μm以上的工藝。接近式曝光的分辨率第56頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.5、接觸式曝光

接觸式曝光系統(tǒng)與接近式相同，唯一的區(qū)別是掩模版與硅片是緊密接觸，因此接觸式曝光的分辨率優(yōu)于接近式曝光。接觸式是集成電路研究與生產(chǎn)中最早采用的曝光方法，但目前已處于被淘汰的地位，主要原因是掩模版和硅片緊密接觸容易引入大量的工藝缺陷，成品率太低。第57頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.6、投影光刻投影光刻系統(tǒng)如圖所示：光源光線經(jīng)透鏡后變成平行光通過(guò)掩模版由第二個(gè)透鏡系統(tǒng)聚焦投影并在硅片上成像硅片支架和掩模版間有一對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)第58頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四投影曝光系統(tǒng)的分辨率：主要是受衍射限制。透鏡系統(tǒng)能夠分辨的最小間隔y為：

NA為透鏡系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，一般為0.2-0.45。若NA=0.4，=400nm，則y=0.61μm。投影光刻可以達(dá)到亞微米水平。投影光刻已成為3μm以下的主要光刻方法。投影曝光系統(tǒng)的分辨率及優(yōu)點(diǎn)第59頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.7、離軸照明離軸照明技術(shù)在不改變工作波長(zhǎng)、投影物鏡的數(shù)值孔徑與光刻膠工藝的條件下，就能提高光刻分辨率，優(yōu)化焦深，因而得到了廣泛應(yīng)用。對(duì)于數(shù)值孔徑一定的投影物鏡，當(dāng)光柵周期太小時(shí)，在同軸照明情況下，±1級(jí)及更高階衍射光都被物鏡的光闌遮擋，只有0級(jí)衍射光進(jìn)入物鏡，0級(jí)衍射光不包含任何空間信息，硅片上不能形成掩模的圖像。如果采用離軸照明的光線，如圖(b)所示，0級(jí)和-1級(jí)衍射光都可能進(jìn)入成像系統(tǒng)的光瞳，-1級(jí)衍射光包含了掩模圖形的空間信息，能在硅片上得到掩模圖像。因此離軸照明分辨率更高。離軸照明提高光刻分辨率第60頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四焦深：焦點(diǎn)深度，當(dāng)焦點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)某一物體時(shí)，不僅位于該點(diǎn)平面上的各點(diǎn)都可以看清楚，而且在此平面的上下一定厚度內(nèi)，也能看得清楚，這個(gè)清楚部分的厚度就是焦深。焦深大,可以看到物體的全層，焦深小，則只能看到物體的一薄層，焦深與其它技術(shù)參數(shù)有以下關(guān)系：

1．焦深與物鏡的數(shù)值孔鏡成反比，

2．焦深大，分辨率降低。離軸照明條件下，參與成像的0級(jí)與-1級(jí)衍射光的夾角小于傳統(tǒng)照明條件下成像的±

1級(jí)衍射光之間的夾角。因此．要實(shí)現(xiàn)相同的光刻分辨率，離軸照明需要較小的NA。由上式可知，與傳統(tǒng)照明相比，離軸照明提高了焦深。離軸照明增大焦深第61頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.8、擴(kuò)大調(diào)焦范圍曝光

擴(kuò)大調(diào)焦范圍曝光(FLEX,FocusLatitudeEnhancementExposure)，主要適用于曝光接觸孔或通孔時(shí)擴(kuò)展焦深，同時(shí)也可以用于曝光硅片表面不平坦引起表面隨機(jī)變化的區(qū)域。FLEX也稱為焦點(diǎn)鉆孔技術(shù)。曝光視場(chǎng)中存在兩個(gè)焦點(diǎn)，一個(gè)位于光刻膠膜中點(diǎn)，一個(gè)接近光刻膠膜的頂部表面，每個(gè)接觸孔形成兩個(gè)重置的像，一個(gè)在焦點(diǎn)上，一個(gè)在焦點(diǎn)外，焦點(diǎn)外的像可以在一個(gè)寬敞的區(qū)域上伸展，其只對(duì)焦點(diǎn)上的像產(chǎn)生模糊的背景效果。通過(guò)選擇曝光焦點(diǎn)可以提高接觸孔的聚集深度3至4倍。第62頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.6.9、化學(xué)增強(qiáng)的深紫外光刻膠對(duì)于0.35μm以下的工藝，需要采用深紫外光源，由于樹脂和DQN對(duì)紫外光的250nm波長(zhǎng)都存在強(qiáng)吸收，在DUV區(qū)不能很好地使用，這就需要使用化學(xué)增強(qiáng)(CA)的光刻膠材料。

CA光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：相對(duì)較高的光敏度；相比于DQN/樹脂光刻膠，CA膠的對(duì)比度也較高。第63頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四對(duì)于0.35μm的工藝，通常會(huì)使用混合的光學(xué)曝光技術(shù)，包括使用i線和248nm的DUV曝光(使用單層的CA光刻膠)。當(dāng)器件尺寸達(dá)到0.25μm時(shí)，就需要完成由i線到248nm深紫外光源的過(guò)渡。通過(guò)采用相轉(zhuǎn)移技術(shù)和多層光刻膠技術(shù)，248nm的光刻將會(huì)廣泛應(yīng)用到小尺寸器件的制備中去。下一代193nm的光刻所需要的光刻膠，依然依賴于CA膠。

第64頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四制作一個(gè)完整的ULSI芯片需要20-25塊不同圖形的掩膜版。傳統(tǒng)光刻掩膜版是在石英板上淀積一層鉻，用電子束或激光束將圖形直接刻在鉻層上，形成1X或4X、5X的掩膜版。8.7、掩模板的制造石英玻璃的熱擴(kuò)散系數(shù)小，使石英玻璃板在掩模版刻寫過(guò)程中受溫度變化的影響較小。石英玻璃對(duì)248nm和193nm波長(zhǎng)的通透效果是最好的。8.7.1、石英玻璃板第65頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.7.2、鉻層在石英玻璃片上淀積一層鉻(Cr)，掩膜圖形最終就是在鉻膜上形成的。選擇鉻膜是因?yàn)殂t膜的淀積和刻蝕都比較容易，而且對(duì)光線完全不透明。在鉻膜的下方還要有一層由鉻的氮化物或氧化物形成的薄膜，增加鉻膜與石英玻璃之間黏附力。在鉻膜的上方需要有一層的20nm厚的Cr2O3抗反射層。這些薄膜都是通過(guò)濺射法制備的。第66頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.7.3、掩模板的保護(hù)層為了防止在掩模版上形成缺陷，需要用保護(hù)膜將掩模版的表面密封起來(lái)，這樣就可以避免掩模版遭到空氣中微粒以及其他形式的污染。保護(hù)膜的厚度需要足夠薄，以保證透光性，同時(shí)又要耐清洗，還要求保護(hù)膜長(zhǎng)時(shí)間暴露在UV射線的輻照下，仍然能保持它的形狀。目前所使用的材料包括硝化纖維素醋酸鹽和碳氟化合物．形成的保護(hù)薄膜厚度為l～2μm。有保護(hù)膜的掩模版可以用去離子水清洗，這樣可以去掉保護(hù)膜上大多數(shù)的微粒，然后再通過(guò)弱表面活性劑和手工擦洗，就可以完成對(duì)掩模版的清潔。第67頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.7.4、移相掩模（PSM）當(dāng)圖形尺寸縮小到深亞微米，通常需要使用移相掩膜(Phase-ShiftMask)技術(shù)。移相掩膜與準(zhǔn)分子激光源相結(jié)合，可以使光學(xué)曝光技術(shù)的分辨能力大為提高。移相掩膜的基本原理是在光掩模版的某些圖形上增加或減少一個(gè)透明的介質(zhì)層，稱移相器，使光波通過(guò)這個(gè)介質(zhì)層后產(chǎn)生180°的相位差，與鄰近透明區(qū)域透過(guò)的光波產(chǎn)生干涉，從而抵消圖形邊緣的光衍射效應(yīng)，提高曝光的分辨率。（圖8.18，p.239）移相層材料有兩類：①有機(jī)膜，以光刻膠為主，如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA膠)；②無(wú)機(jī)膜，如二氧化硅。第68頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.8、X射線曝光X射線源：用高能電子束轟擊金屬靶，當(dāng)高能電子撞擊靶時(shí)將損失能量，激發(fā)原子核內(nèi)層電子的躍遷，當(dāng)這些激發(fā)電子落回到基態(tài)時(shí)，將發(fā)射X射線。這些X射線形成分立的線譜，其能量取決于靶材料。X射線源必須在真空下工作，因此X射線必須透過(guò)窗口進(jìn)入到常壓氣氛中進(jìn)行曝光。窗口材料對(duì)X射線吸收要盡量少，鈹是常用的窗口材料。X射線的波長(zhǎng)一般選在2-40?，即軟X射線區(qū)。8.8.1、X射線曝光系統(tǒng)目前集成電路中的光刻技術(shù)已經(jīng)達(dá)到0.13μm，已接近光學(xué)光刻的極限。替代光學(xué)光刻的主要有X射線光刻和電子束光刻。第69頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.8.2、圖形的畸變?cè)赬射線曝光系統(tǒng)中，X射線的波長(zhǎng)小于40?，故衍射對(duì)分辨率的影響只有當(dāng)線寬小于20?時(shí)才明顯。因此當(dāng)圖形尺寸大于20?，而小于1μm時(shí)，引起圖形畸變和影響分辨率的主要原因不是衍射，而是半陰影和幾何畸變。圖形畸變的原因：電子束轟擊金屬靶所產(chǎn)生的X射線，沒有簡(jiǎn)單的反射鏡和透射鏡能夠使它變成平行光，實(shí)際是發(fā)散型的點(diǎn)光源。第70頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四從圖中可以看出半陰影Δ為其中S是掩模版與樣品的距離，d是靶斑尺寸，D是光源到掩模版的距離。D大則單位面積上接收到的X射線劑量變小，曝光時(shí)間加長(zhǎng)；d小對(duì)Δ有利，但靶斑尺寸減小是非常困難的。在實(shí)際應(yīng)用中通常是采用折衷的方法，以得到最佳的Δ。半陰影第71頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四

①當(dāng)樣品上曝光位置偏離X射線束的軸心時(shí)，入射X射線與硅片表面法線有一傾角，不同位置傾角不同，因此產(chǎn)生了幾何偏差x：其中W是硅片曝光位置偏離X射線束軸心的距離，若在硅片的邊上，即W等于硅片的半徑Wr，相應(yīng)的偏差是最大幾何偏差xm：②樣品與掩模版的間隙S也會(huì)引入幾何偏差，樣品表面不是絕對(duì)平面，存在加工偏差引起的隨機(jī)起伏和多次光刻引起的有規(guī)則的圖形起伏，這些因素引起的幾何偏差dx為其中dS為硅片起伏不平引起的S的變化量。如果要求dx最大變化量dxm≤0.1μm，則可以允許的dS的相應(yīng)變化dSm≤1.05μm。在4英寸的硅片平面上起伏變化量≤1μm是非常高的技術(shù)要求。幾何畸變第72頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.8.3、X射線光源在X射線曝光中，對(duì)X射線源的要求主要有：①輻射功率高，使X射線曝光時(shí)間小于60秒；②X射線源的尺寸d直接影響半陰影和幾何畸變，為了滿足高分辨率的需要，要求X射線源的尺寸小于1mm：③X射線的能量要求在1-10keV，使X射線對(duì)掩模版中的透光區(qū)有較好的透過(guò)率，從而滿足掩模反差大的要求；④使用平行光源，X射線難以聚集，光源發(fā)射X射線的形式?jīng)Q定了X射線到達(dá)硅片的形式。X射線光源：電子轟擊固體靶形成的X射線光源和等離子體源，基本是點(diǎn)光源。同步輻射X射線光源近乎平行發(fā)射，因此目前被廣泛關(guān)注。第73頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.8.4、X射線曝光的掩模版波長(zhǎng)在2-40?之間時(shí)，低原子序數(shù)的輕元素材料(如氮化硅、氮化硼、鈹?shù)?對(duì)X射線吸收較弱，而高原子序數(shù)的重元素材料(如金)對(duì)X射線的吸收很強(qiáng)，所以可通過(guò)適當(dāng)?shù)倪x擇制成掩模版。這是X射線曝光時(shí)，波段選擇在2-40?的一個(gè)重要原因。X射線光刻要在掩模版上形成可透X射線區(qū)和不透X射線區(qū)，從而形成曝光圖形。第74頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四通常采用LPCVD方法沉積低原子序數(shù)的輕元素材料膜(如氮化硅)來(lái)形成透光的薄膜襯底。吸收體層則采用常規(guī)的蒸發(fā)、射頻濺射或電鍍等方法形成。X射線吸收體圖形的加工，一般由電子束掃描光刻和干法刻蝕、精細(xì)電鍍等圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。在X射線掩模版的基本結(jié)構(gòu)中，用于薄膜襯底的材料主要有硅、氮化硅、碳化硅、金剛石等，而吸收體材料除廣泛使用的金之外，還有鎢、鉭、鎢-鈦等。第75頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.8.5、X射線光刻膠由于X射線具有很強(qiáng)的穿透能力，深紫外曝光用的光刻膠對(duì)X射線光子的吸收率很低，只有少數(shù)入射的X射線能對(duì)光化學(xué)反應(yīng)做貢獻(xiàn)，因此深紫外光刻膠在X射線波段的靈敏度非常低。提高X射線光刻膠靈敏度的主要方法是，在光刻膠合成時(shí)添加在特定波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高吸收峰的元素，從而增強(qiáng)光化學(xué)反應(yīng)，提高光刻膠的靈敏度。第76頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.9、電子束直寫式曝光電子束直寫式曝光技術(shù)可以完成0.1～0.25μm的超微細(xì)加工，甚至可以實(shí)現(xiàn)數(shù)十納米線條的曝光。目前，電子束曝光技術(shù)已廣泛地應(yīng)用于制造高精度掩模版、移相掩膜和X射線掩模版的過(guò)程中。

電子束曝光的原理是利用具有一定能量的電子與光刻膠的碰撞作用，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)完成曝光。具有一定能量的電子束進(jìn)入光刻膠，與光刻膠發(fā)生碰撞時(shí)，主要有三種情況：①電子束穿過(guò)光刻膠層，既不發(fā)生方向的變化也沒有能量的損失；②電子束與光刻膠分子發(fā)生彈性散射，方向發(fā)生改變，但不損失能量；③電子束與光刻膠分子發(fā)生非彈性散射，方向改變，且有能量損失。第77頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四

電子進(jìn)入光刻膠之后發(fā)生的彈性散射，是由于電子受到核屏蔽電場(chǎng)作用而引起的方向偏轉(zhuǎn)，絕大多數(shù)情況下偏轉(zhuǎn)角小于90。在非彈性散射的情況下，散射角θ與入射電子的能量損失有關(guān)。一般來(lái)說(shuō)經(jīng)過(guò)散射之后，電子束散開的距離約為入射深度的一半。第78頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.9.1、鄰近效應(yīng)電子在光刻膠中發(fā)生散射，可以將散射分為前向散射和背散射，前向散射的散射方向與電子束入射方向的夾角θ很小，只導(dǎo)致曝光圖形的輕微展寬。背散射將使大面積的光刻膠層發(fā)生程度不同的曝光，最終使大面積的圖形模糊，因此造成電子束曝光所形成的圖形出現(xiàn)畸變，這種效應(yīng)稱為鄰近效應(yīng)。鄰近效應(yīng)可分為兩種情況：

①因增強(qiáng)曝光引起圖形的凸起；②因減弱曝光引起圖形的缺損。

第79頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四從圖中的A點(diǎn)入射的電子不僅對(duì)A點(diǎn)本身起曝光作用，而且散射電子還會(huì)對(duì)A點(diǎn)周圍區(qū)域的曝光也做出貢獻(xiàn)。同樣，入射到A點(diǎn)周圍區(qū)域的電子，因散射也會(huì)提供能量給A點(diǎn)，促進(jìn)A點(diǎn)的曝光。如果各點(diǎn)以同樣電子束照射，A點(diǎn)剛好達(dá)到閾值能量完成化學(xué)反應(yīng)，對(duì)于處在邊緣的B點(diǎn)來(lái)說(shuō)，散射電子對(duì)B點(diǎn)所貢獻(xiàn)的能量相當(dāng)于A點(diǎn)的1/2，B點(diǎn)就會(huì)顯得曝光不充分，從而出現(xiàn)邊界內(nèi)移。對(duì)于C點(diǎn)，它只接受相當(dāng)于A點(diǎn)1/4的散射電子，因而曝光的情況比B點(diǎn)還差。由于電子散射的影響，造成圖形畸變，兩個(gè)相鄰圖形之間會(huì)凸出。為了克服電子散射引起的圖形畸變，在電子束曝光中，通過(guò)選擇電子束的能量、光刻膠的膜厚和曝光劑量，可以在一定程度上克服電子散射引起的圖形畸變問題。第80頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.9.2、電子束曝光系統(tǒng)目前電子束曝光系統(tǒng)主要有以下幾類：1.改進(jìn)的掃描電鏡(SEM)：是從電子顯微鏡演變過(guò)來(lái)的，通過(guò)對(duì)電子束進(jìn)行聚焦，從而在光刻膠上形成圖形。其分辨率取決于所選用的SEM，由于其工作臺(tái)的移動(dòng)較小，一般只適用于研究工作。2.高斯掃描系統(tǒng)：通常有兩種掃描方式：①光柵掃描系統(tǒng)，采用高速掃描方式對(duì)整個(gè)圖形場(chǎng)進(jìn)行掃描，利用快速束閘，實(shí)現(xiàn)選擇性曝光；②矢量掃描方式，只對(duì)需曝光的圖形進(jìn)行掃描，沒有圖形部分快速移動(dòng)。分辨率可以達(dá)到幾納米。3.成型束系統(tǒng)：在成型束系統(tǒng)中，需要在曝光前將圖形分割成矩形和三角形，通過(guò)上下兩直角光闌的約束形成矩形束。成型束的最小分辨率一般大于100nm，但曝光效率高。第81頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.9.4、有限散射角投影式電子束曝光(SCALPEL)有限散射角投影式電子束曝光技術(shù)采用散射式掩膜技術(shù)。掩模版由原子序數(shù)低的SiNx薄膜和原子序數(shù)高的Cr/W組成，電子在SiNx薄膜發(fā)生小角度散射，而在Cr/W中電子會(huì)大角度散射。處于投影系統(tǒng)的背焦平面上的光闌可以將大角度散射的電子過(guò)濾掉，從而在光刻膠上形成高對(duì)比度的圖形。第82頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.10、ULSI對(duì)圖形轉(zhuǎn)移的要求在光刻工藝中，經(jīng)過(guò)曝光和顯影之后，在光刻膠層中形成圖形結(jié)構(gòu)，通過(guò)刻蝕可以在光刻膠下方的材料上重現(xiàn)出與光刻膠上相同的圖形，實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移。隨著超大規(guī)模集成技術(shù)的發(fā)展，圖形加工的線條寬度越來(lái)越細(xì)，對(duì)轉(zhuǎn)移圖形的重現(xiàn)精度和尺寸的要求也越來(lái)越高。目前在集成電路工藝中應(yīng)用的刻蝕技術(shù)主要包括：液態(tài)的濕法腐蝕和氣態(tài)的干法刻蝕。第83頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.10.1、圖形的保真度經(jīng)過(guò)腐蝕之后圖形，通常呈現(xiàn)為三種情況，設(shè)縱向腐蝕速率為Vv、側(cè)向腐蝕速率為Vl。圖(a)，Vl=0，腐蝕只沿縱向進(jìn)行，為各向異性腐蝕。圖(b)和(c)，在縱向腐蝕的同時(shí)，側(cè)向也進(jìn)行了腐蝕。若Vv=Vl，為各向同性腐蝕。第84頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在一般的腐蝕過(guò)程中，Vv＞Vl＞0，實(shí)際腐蝕是不同程度的各向異性，用A表示腐蝕的各向異性的程度：

如果用被腐蝕層的厚度h和圖形側(cè)向展寬量df-dm來(lái)代替縱向和橫向的腐蝕速率，則上式可改寫為若df-dm=0時(shí)，A＝1，表示圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程產(chǎn)沒有失真；若df-dm＝2h，A＝0，表示圖形失真情況嚴(yán)重，即各向同性腐蝕；通常0<A<1。第85頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.10.2、選擇比在實(shí)際的腐蝕過(guò)程中，掩模和襯底也會(huì)被腐蝕，為了嚴(yán)格控制每一層腐蝕圖形的轉(zhuǎn)移精度，同時(shí)避免對(duì)其他各層材料的腐蝕，需要控制不同材料的腐蝕速率。

選擇比是指兩種不同材料在腐蝕的過(guò)程中被腐蝕的速率比。通?？梢杂眠x擇比來(lái)描述圖形轉(zhuǎn)移中各層材料的相互影響。第86頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.10.3、均勻性在ULSI中要腐蝕的硅片尺寸通常大于150mm，而被腐蝕的圖形尺寸一般小于微米量級(jí)。硅片上薄膜的厚度存在起伏，且同一硅片不同部位的腐蝕速率也不同，這些因素都會(huì)造成腐蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。假設(shè)要腐蝕的薄膜平均厚度為h，各處厚度的變化因子為0≤δ≤1；腐蝕的平均速度為V，各處腐蝕速率的變化因子為1＞ζ＞0?？紤]極限情況：最厚處用最小腐蝕速率腐蝕，時(shí)間為tmax，最薄處用最大腐蝕速率腐蝕，時(shí)間為tmin，則有

如果以tmin為腐蝕時(shí)間，則厚膜部位未腐蝕盡；若延長(zhǎng)腐蝕時(shí)間，這將造成較薄部位的過(guò)刻蝕，影響圖形轉(zhuǎn)移精度。

為了獲得理想的腐蝕，控制腐蝕的均勻性，同時(shí)減少過(guò)刻非常重要。第87頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.10.4、刻蝕的清潔

ULSI的圖形非常精細(xì)，在腐蝕過(guò)程中如果引入玷污，既影響圖形轉(zhuǎn)移的精度，又增加了腐蝕后清洗的復(fù)雜性和難度。防止玷污是腐蝕的一個(gè)重要要求。第88頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.11、濕法腐蝕濕法腐蝕：通過(guò)腐蝕溶液與被腐蝕薄膜進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，除去沒有被光刻膠保護(hù)的薄膜。優(yōu)點(diǎn)：工藝簡(jiǎn)單；腐蝕的選擇性較高。缺點(diǎn)：各向同性的腐蝕，存在側(cè)向腐蝕。控制濕法腐蝕的主要參數(shù)包括：腐蝕溶液的濃度腐蝕的時(shí)間反應(yīng)溫度溶液的攪拌方式等。第89頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.11.1、Si的濕法腐蝕濕法腐蝕硅時(shí)，一般采用強(qiáng)氧化劑對(duì)硅進(jìn)行氧化，然后利用HF酸與SiO2反應(yīng)去掉SiO2，從而達(dá)到對(duì)硅的腐蝕目的。最常用的腐蝕溶液是硝酸與氫氟酸和水(或醋酸)的混合液。化學(xué)反應(yīng)方程式為：在腐蝕液中，水是做為稀釋劑，但最好用醋酸，醋酸可以抑制硝酸分解，使硝酸的濃度維持在較高的水平第90頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四對(duì)于金剛石或閃鋅礦結(jié)構(gòu)，(111)面的原子比(100)面排得更密，因而(111)面的腐蝕速度比(100)面的腐蝕速度小。經(jīng)過(guò)腐蝕的Si膜結(jié)構(gòu)如圖：(a)采用SiO2層做為掩模對(duì)(100)晶向的硅進(jìn)行腐蝕，可以得到V形的溝槽結(jié)構(gòu)。如果SiO2上的圖形窗口足夠大，或者腐蝕的時(shí)間比較短，可以形成U形的溝槽。(b)如果被腐蝕的是(110)晶向的硅片，則會(huì)形成基本為直壁的溝槽，溝槽的側(cè)壁為(111)面。晶向?qū)Ωg速率的影響第91頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.11.2、SiO2的濕法腐蝕

SiO2的濕法腐蝕可以使用氫氟酸(HF)做為腐蝕劑，其反應(yīng)方程式為

在反應(yīng)過(guò)程中，HF不斷消耗，因此反應(yīng)速率隨時(shí)間的增加而降低。通常在腐蝕液中加入氟化氨作為緩沖劑，氟化氨分解產(chǎn)生HF，維持HF的恒定濃度。在集成電路工藝中，除了需要對(duì)熱氧化和CVD等方式得到的SiO2進(jìn)行腐蝕外，還需要對(duì)磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)等進(jìn)行腐蝕。因?yàn)榻M成成份不同，氫氟酸對(duì)這些SiO2的腐蝕速率也不一樣，以熱氧化方式生成的二氧化硅的腐蝕速率最慢。Si3N4可以使用加熱的磷酸(130～150℃)來(lái)進(jìn)行腐蝕。8.11.3、Si3N4的濕法腐蝕第92頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.12、干法刻蝕技術(shù)干法刻蝕：利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者是利用高能離子束轟擊去除物質(zhì)的方法。8.12.1、干法刻蝕的原理干法刻蝕特點(diǎn)：

各向異性，縱向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于橫向的刻蝕速率；離子對(duì)光刻膠和無(wú)保護(hù)的薄膜同時(shí)進(jìn)行刻蝕，選擇性比濕法腐蝕差。第93頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四等離子體刻蝕：利用輝光放電產(chǎn)生的活性粒子與需要刻蝕的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成揮發(fā)性產(chǎn)物完成刻蝕。具有比較好的選擇性，各向異性相對(duì)較差。濺射刻蝕：高能離子轟擊需要刻蝕的材料表面，通過(guò)濺射的物理過(guò)程完成刻蝕。具有比較好的各向異性，但選擇性相對(duì)較差。反應(yīng)離子刻蝕(RIE)：介于濺射刻蝕與等離子刻蝕之間的刻蝕技術(shù)，同時(shí)利用了物理濺射和化學(xué)反應(yīng)的刻蝕機(jī)制?？梢造`活地選取工作條件以求獲得最佳的刻蝕效果，同時(shí)具有較好的選擇性和各向異性。目前，在集成電路工藝中廣泛使用的是反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)。

干法刻蝕的分類第94頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.12.2、二氧化硅和硅的干法刻蝕在ULSI工藝中對(duì)二氧化硅的刻蝕通常是在含有氟化碳的等離子體中進(jìn)行。早期刻蝕使用的氣體為四氟化碳(CF4)，現(xiàn)在使用比較廣泛的反應(yīng)氣體有CHF3，C2F6，SF6和C2F8，其目的都是用來(lái)提供碳原子及氟原子與SiO2進(jìn)行反應(yīng)。

CF4的反應(yīng)為：使用CF4對(duì)SiO2進(jìn)行刻蝕時(shí)，刻蝕完SiO2之后，會(huì)繼續(xù)對(duì)硅進(jìn)行刻蝕。為了解決這一問題，在CF4等離子體中通常加入一些附加的氣體成份，這些附加的氣體成份可以影響刻蝕速度、刻蝕的選擇性、均勻性和刻蝕后圖形邊緣的剖面效果。第95頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在使用CF4對(duì)硅和SiO2進(jìn)行等離子刻蝕時(shí)，氟與SiO2反應(yīng)的同時(shí)，還與CFx原子團(tuán)(x≤3)結(jié)合而消耗掉，造成氟原子的穩(wěn)態(tài)濃度比較低，刻蝕速率較慢。如果加入適量的氧氣，氧氣也同樣被電離，氧可與CFx原子團(tuán)反應(yīng)，造成CFx原子團(tuán)耗盡，減少了氟原子的消耗，使F/C原子比增加，加快SiO2刻蝕速度。在氧組分達(dá)到臨界值之后，繼續(xù)增加氧的組分，由于氟原子濃度被氧沖淡，刻蝕速度下降?？涛g硅時(shí)，臨界氧組分只有12%，氧組分繼續(xù)增加，刻蝕速率下降比SiO2更快。這是由于氧原子傾向于吸附在Si的表面上，阻擋了氟原子加入反應(yīng)。隨著更多氧的吸附，對(duì)Si的刻蝕影響加劇。

加入適量的氧氣第96頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四在CF4等離子體中加入氫氣，隨氫組分增加：加入適量的氫氣SiO2的刻蝕速度緩慢減小，持續(xù)到氫的組分達(dá)到40%；Si的刻蝕速度迅速減小，當(dāng)氫的組分大于40%時(shí)，對(duì)Si的刻蝕停止。在CF4等離子體中加入適量的氫氣，可以增強(qiáng)SiO2/Si刻蝕的選擇性。第97頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四如果F/C比較高(添加氧氣)，其影響傾向于加快刻蝕。如果F/C比較低(添加氫氣)，刻蝕過(guò)程傾向于形成高分子聚合物薄膜。在CF4等離子體中添加氣體成份，影響等離子體內(nèi)F/C原子比。目前集成電路的干法刻蝕工藝中，通常CHF3等離子體進(jìn)行SiO2的刻蝕，加入少量氧來(lái)提高刻蝕速度。第98頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.12.3、Si3N4的干法刻蝕在ULSI工藝中，Si3N4的用途主要有兩種：一是在SiO2層上面，通過(guò)LPCVD淀積Si3N4，做為氧化或擴(kuò)散的掩蔽層，不成為器件的組成部分?？梢圆捎肅F4等離子刻蝕。另一種是通過(guò)PECVD淀積Si3N4做為器件保護(hù)層。這層Si3N4在經(jīng)過(guò)光刻和干法刻蝕之后，Si3N4下面的金屬化層露出來(lái)，形成器件的壓焊點(diǎn)，然后進(jìn)行測(cè)試和封裝?？梢圆捎肅F4-O2等離子體進(jìn)行刻蝕。實(shí)際上用于刻蝕SiO2的方法，都可以用來(lái)刻蝕Si3N4

。由于Si-N鍵的結(jié)合能介于Si-O鍵與Si-Si鍵之間，所以Si3N4的刻蝕速度在刻蝕SiO2和刻蝕Si之間。因此，Si3N4/SiO2

的刻蝕選擇性比較差。第99頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四8.12.4、多晶硅與金屬硅化物的干法刻蝕集成電路中一般采用polycide（多晶硅/難熔金屬硅化物）多層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)，也稱多晶硅化金屬。在MOSFET中，柵極的尺寸控制是決定性能的關(guān)鍵，對(duì)刻蝕的各向異性和選擇性的要求都很高。由于多晶硅的刻蝕速度比金屬硅化物的刻蝕速度快得多，會(huì)造成金屬硅化物下方的多晶硅被刻蝕，導(dǎo)致多晶硅化金屬對(duì)SiO2的附著力下降。對(duì)多晶硅化金屬的各向異性刻蝕通常需要分兩步進(jìn)行：

首先是對(duì)多晶硅上方的金屬硅化物進(jìn)行刻蝕。

當(dāng)上層的金屬硅化物完成刻蝕之后，開始刻蝕多晶硅。第100頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四目前廣泛應(yīng)用的金屬硅化物是WSi2和TiSi2。對(duì)于刻蝕WSi2和TiSi2的情況，氟原子及氯原子都可以與兩者反應(yīng)形成揮發(fā)性的化合物(如WF4和WCl4)。CF4，SF6，Cl2及HCl都可以做為刻蝕金屬硅化物的反應(yīng)氣體?？涛g金屬硅化物第101頁(yè)，共112頁(yè)，2023年，2月20日，星期四采用氟化物等離子體刻蝕多晶硅為各向同性刻蝕，因此，使用氯化物的等離子體對(duì)多晶硅進(jìn)行各向異性的刻蝕，主要的反應(yīng)氣體有Cl2，HCl以及SiCl4。