20220928-長城證券-功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告：八大維度解析功率公司碳化硅IGBT分立器件哪家強(qiáng)

證券研究報(bào)告行業(yè)深度報(bào)告八大維度解析：功率公司碳化硅/IGBT/分立器件哪家強(qiáng)？——功率半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告長城證券研究院執(zhí)業(yè)證書編號：S10705211200012022.09.28一張圖看懂功率半導(dǎo)體全景梳理光電子半導(dǎo)體分類光電子434億美元

低壓（20V-50V）

中壓（50V-500V）市場規(guī)模：136億美元

高壓（500V以上）

產(chǎn)業(yè)鏈分立器件D-O-S929分立器件D-O-S半5559導(dǎo)億美元

傳感器傳感器191億美元分立元分立元器件模擬IC模擬IC

二極管+3%功率分立器件33億美元+3%功率分立器件TVSFRD

53億美元5SCRTRIACGTO

BJT5億美元GTR

MOSFET78億美元SJSGT

IGBT14億美元TrenchFSIT7

SiC器件2億美元SBDDMOS

GaN器件1億美元HEMT

Si SiC GaN功率芯片制造集成電路IC集成電路IC4630億美元

741億美元數(shù)字?jǐn)?shù)字IC50億美元28億美元多通道PMIC開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC50億美元28億美元多通道PMIC開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC線性穩(wěn)壓器LDO功率IC及模塊

第一代半導(dǎo)體器件

第三代半導(dǎo)體器件

芯片設(shè)計(jì)FablessFabless

晶圓制造34億美元其他功率IC34億美元其他功率IC電池管理IC

器件/模塊封測二極管國外國內(nèi)威世 揚(yáng)杰科技羅姆 華微電子二極管國外國內(nèi)威世 揚(yáng)杰科技羅姆 華微電子蘇州固锝市場規(guī)模：228億美元市場規(guī)模：57億美元IGBT模塊其他模塊47億美元 10億美元SiC功率模塊等SiC二極管國外國內(nèi)英飛凌 三安光意法半體時(shí)代電三菱電機(jī) 華潤微過壓保護(hù)欠壓保護(hù)等集成開關(guān)的多相升降壓轉(zhuǎn)換器76億美元 電壓基準(zhǔn)過壓保護(hù)欠壓保護(hù)等集成開關(guān)的多相升降壓轉(zhuǎn)換器76億美元 電壓基準(zhǔn)PFC控制器等40億美元 電路搭建晶閘管國外國內(nèi)意法半體捷捷微恩智浦 華微電SiCMOSFET國外國內(nèi)英飛凌 華潤微Wolfspeed 時(shí)代電氣羅姆 BJT國外國內(nèi)英飛凌 揚(yáng)杰科技安森美 華微電子士蘭微

整流電路直流 交流交流 交直流 交流

升降壓電路應(yīng)用領(lǐng)域低壓 高壓MOSFET國外國內(nèi)英飛凌 新潔能德州儀器 聞泰科應(yīng)用領(lǐng)域低壓 高壓MOSFET國外國內(nèi)英飛凌 新潔能德州儀器 聞泰科安森美 華潤微風(fēng)電 27億美元高壓電力運(yùn)輸IGBT國外國內(nèi)IGBT國外國內(nèi)英飛凌 時(shí)代電氣三菱電機(jī) 士蘭微富士電機(jī) 斯達(dá)半導(dǎo)光伏

用電端28億美元

55億美元

功率模塊國外國內(nèi)功率模塊國外國內(nèi)英飛凌 斯達(dá)半導(dǎo)安森美 時(shí)代電氣三菱電機(jī) BYD半導(dǎo)功率IC國外國內(nèi)英飛凌 功率IC國外國內(nèi)英飛凌 富滿電子德州儀器 芯朋微意法半體 圣邦微下游應(yīng)用國外國內(nèi)特斯拉 華為寶馬 蔚來108億美元

176億美元

消費(fèi)電子數(shù)據(jù)來源：WSTS，Yole，KBVResearch，長城證券研究院整理

注：圖中示市規(guī)模為2021年預(yù)數(shù)據(jù) 2PAGE3（本表格中未注明處，其單位均為：億美元）數(shù)據(jù)來源：PAGE3（本表格中未注明處，其單位均為：億美元）數(shù)據(jù)來源：WSTS，Yole，KBVResearch，長城證券研究院整理產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)市場規(guī)模一級分類市場規(guī)模二級分類市場規(guī)模三級分類市場規(guī)模全球主要廠家國內(nèi)主要廠家功率芯片制造421功率分立器件136第一代半導(dǎo)體器件133二極管33威世、羅姆揚(yáng)杰科技、蘇州固锝、華微電子、華潤微、瑞能半導(dǎo)體、銀河微電、東微半導(dǎo)、士蘭微、捷捷微電晶閘管3意法半導(dǎo)體、恩智浦捷捷微電、華微電子、瑞能半導(dǎo)體、臺(tái)基股份BJT5英飛凌、安森美華潤微、瑞能半導(dǎo)體、銀河微電、士蘭微MOSFET78英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導(dǎo)體、羅姆、東芝、恩智浦、威世、瑞薩士蘭微、華微電子、新潔能、聞泰科技、華潤微、東微半導(dǎo)IGBT14英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、Semikron、日立、安森美、威科、ABB比亞迪半導(dǎo)體、士蘭微、華微電子、時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、宏微科技、新潔能第三代半導(dǎo)體器件3SiC分立器件2Cree、羅姆、英飛凌、STM三安光電、BYD半導(dǎo)、斯達(dá)半導(dǎo)、華潤微、士蘭微、時(shí)代電氣、瑞能半導(dǎo)體GaN分立器件1Cree、Nitronex、東芝士蘭微、華潤微、聞泰科技功率模塊57IGBT模塊47英飛凌、Semikron、富士電機(jī)、三菱電機(jī)斯達(dá)半導(dǎo)、BYD半導(dǎo)、時(shí)代電氣、宏微科技、華微電子、臺(tái)基股份SiC模塊6英飛凌、羅姆、三菱電機(jī)BYD半導(dǎo)、斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣其他4英飛凌、Semikron、三菱電機(jī)士蘭微、華微電子功率IC228多通道PMIC50英飛凌、德州儀器、瑞薩、MPS圣邦微、矽力杰DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器40英飛凌、德州儀器、意法半導(dǎo)體、安森美、MPS矽力杰、圣邦微電池管理IC34英飛凌、德州儀器、羅姆、瑞薩、MPS矽力杰、圣邦微線性穩(wěn)壓器28德州儀器、ADI、英飛凌、意法半導(dǎo)體、MPS圣邦微、矽力杰、芯朋微、力芯微其他76英飛凌、德州儀器、意法半導(dǎo)體、安森美、MPS圣邦微、矽力杰下游應(yīng)用421消費(fèi)電子電動(dòng)汽車與交通工業(yè)信息與通信技術(shù)國防與航空航天其他176索尼、Apple、戴爾、三星、LG小米、VIVO、OPPO、聯(lián)想、美的、格力、海爾108特斯拉、寶馬、奔馳蔚來、小鵬、比亞迪、理想55西門子、ABB、艾默生、羅克韋爾、施耐德、GE匯川技術(shù)、英威騰27愛立信、三星華為、中興、移動(dòng)、聯(lián)通、電信、TP-LINK28波音中國航天、中國商飛27Nodex、EurusEnergy、FirstSolar天合光能PAGE4PAGE4目錄CONTENTS功率半導(dǎo)體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領(lǐng)域進(jìn)發(fā)01●功率半導(dǎo)體分類：功率分立器件+功率模塊+功率IC市場結(jié)構(gòu)化演變，轉(zhuǎn)向高頻高壓領(lǐng)域：二極管、三極管、晶閘管→主流的MOSFET、行業(yè)未來發(fā)展趨勢：（1）內(nèi)部結(jié)構(gòu)迭代升級；（2）功能模塊集成度升級；（3）寬禁帶材料替代突破硅限02公司橫向?qū)Ρ龋焊饔星?，時(shí)代、斯達(dá)、BYD產(chǎn)品優(yōu)勢凸顯02產(chǎn)品線布局的廣度：聞泰科技、華潤微布局最全（覆蓋80%），士蘭微其次（覆蓋第三代半導(dǎo)體器件布局趨向全面，九成以上公司布局SiC賽道。產(chǎn)品技術(shù)深度：IGBT：斯達(dá)、時(shí)代、BYD、士蘭微對標(biāo)國際英飛凌最新Gen.7；SiC：斯達(dá)、時(shí)代、BYD領(lǐng)先車規(guī)級SiC模塊；GaN：聞泰、三安、華潤微領(lǐng)先8英寸硅基GaN產(chǎn)品議價(jià)能力：時(shí)代、BYD、斯達(dá)以數(shù)；一些公司在第三代半導(dǎo)體價(jià)格端優(yōu)勢顯現(xiàn)：泰科天潤SiC二極管均價(jià)兩位數(shù)，安世GaN晶體管均價(jià)上百元，斯達(dá)SiCMOSFET模塊均價(jià)高達(dá)幾千元。實(shí)際經(jīng)營情況：(1)聞泰科技體量最大，營收達(dá)138億元；(2)東微半導(dǎo)人均創(chuàng)收1043(3)聞泰科技研發(fā)支出最高，高達(dá)37億元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最強(qiáng)，毛利率高達(dá)53%；(5)聞泰科技、蘇州固锝運(yùn)營能力最強(qiáng)，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)僅45天、48天。03投資建議：IGBT賽道和第三代半導(dǎo)體賽道“龍頭低估”&“小而美”03持續(xù)看好半導(dǎo)體國產(chǎn)替代趨勢，重點(diǎn)關(guān)注IGBT及SiC布局的相關(guān)公司。隨著車規(guī)級IGBT需求驅(qū)動(dòng)以及第三代半導(dǎo)體加速滲透，持續(xù)看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成長型公司，其中重點(diǎn)關(guān)注斯達(dá)半導(dǎo)、BYD半導(dǎo)、時(shí)代電氣等。同時(shí)“龍頭賽道”具備長期配置價(jià)值，重點(diǎn)關(guān)注聞泰科技、華潤微、士蘭微等。一、功率半導(dǎo)體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領(lǐng)域進(jìn)發(fā)功率半導(dǎo)體分類：分立器件+功率模塊+功率早期二極管VS三極管VS晶閘管：開關(guān)速度慢，常用于低頻領(lǐng)域主流功率器件MOSFETVSIGBT：向更高頻領(lǐng)域VS向更高壓領(lǐng)域； 功率器件結(jié)構(gòu)端演進(jìn)：器件結(jié)構(gòu)迭代性能升級，工藝復(fù)雜度提升

功率器件產(chǎn)品端演進(jìn)：功能集成模塊化，更適用高壓大電流場景 功率器件材料端演進(jìn)：性能突破硅限，SiC、GaN成未來功率新趨勢數(shù)據(jù)來源：WSTS，Yole數(shù)據(jù)來源：WSTS，Yole，KBVResearch，華潤微，長城證券研究院整理注：圖中所示市場規(guī)模均為2021年預(yù)測數(shù)據(jù)PAGE6功率半導(dǎo)體分類：功率分立器件+功率模塊+功率IC?功率半導(dǎo)體是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電路控制的核心器件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。?按器件集成度劃分，功率半導(dǎo)體可以分為功率分立器件、功率模塊和功率IC三大類。圖：功率半導(dǎo)體分類及市場規(guī)模圖：功率半導(dǎo)體分類及市場規(guī)模421億美元

136億美元（占功率半導(dǎo)體57億美元功率半導(dǎo)體（占14%）228億美元（占

二極管33億美元晶體管功率分立器件97億美元功率分立器件3億美元功率模塊第三代半導(dǎo)體3億美元IGBT模塊功率模塊47億美元其他模塊10億美元功率IC線性穩(wěn)壓器功率IC28億美元開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC40億美元

BJT5億美元MOSFET78億美元IGBT14億美元SiC2億美元GaN器件1億美元多通道PMIC50億美元電池管理IC34億美元

其他功率IC76億美元數(shù)據(jù)來源：東芝，KIA，菱端電子，電子工程網(wǎng)，長城證券研究院整理數(shù)據(jù)來源：東芝，KIA，菱端電子，電子工程網(wǎng)，長城證券研究院整理PAGE7早期二極管VS晶閘管VS三極管：開關(guān)速度慢，常用于低頻領(lǐng)域+++b基極-+++b基極-------Vbe＜0.7V時(shí)0Ve發(fā)射極（1）截止?fàn)顟B(tài)--Vbe＜0.7V時(shí)0Ve發(fā)射極（1）截止?fàn)顟B(tài)------+0.1V

圖：三極管BJT原理示意圖：導(dǎo)通時(shí)需有連續(xù)電流供應(yīng)，可實(shí)現(xiàn)電流線性放大 c集電極+3V 大電流c集電極+3V大電流Ic=β·Ibc集電極+3V小電流Ib--小電流Ib--N-0Ve發(fā)射極大電流Ib圖：晶閘管原理示意圖：正向觸發(fā)導(dǎo)通后，無電流供應(yīng)仍可保持導(dǎo)通圖：晶閘管原理示意圖：正向觸發(fā)導(dǎo)通后，無電流供應(yīng)仍可保持導(dǎo)通（2）線性放大狀態(tài)Vbe＞0.7V時(shí)電流Ie-（2）線性放大狀態(tài)Vbe＞0.7V時(shí)電流Ie--N---圖：二極管原理示意圖：僅可單向?qū)ㄐ纬呻娏鳎?）正極P+++++-+PN結(jié)導(dǎo)通----- 負(fù)極+++--N-二極管導(dǎo)通，形成電流I（2）正極 +++++++++- +PN結(jié)截止- 負(fù)極--- --× +二極管不導(dǎo)通+12VPN

導(dǎo)通電流--

--N

陽極a（3）飽和狀態(tài)-----0V（3）飽和狀態(tài)-----0Ve發(fā)射極Vbe＞Vce時(shí)電流IeJ1

陽極-12V+P+++++++P-N

J1截止J2截止

-- J2

-- -

--J20V/-5V控制極g

P +5VJ3 控制極

---P---

+5V控制極g

+++P++++

J3截止N --N-- ---N---觸發(fā)電流 - -0V陰極

導(dǎo)通電流

0V陰極

0V陰極k（1）晶閘管正向阻斷

（2）晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通

（3）晶閘管反向阻斷圖：功率器件性能對比：三者均適合低頻領(lǐng)域，開關(guān)頻率不高，其中二極管最常見，晶閘管適合100-3000V高壓場景，三極管適合10-700V中高壓場景類型 可控性 驅(qū)動(dòng)形式 工作電壓及頻率 特點(diǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域二極管 不可控型 電流驅(qū)動(dòng) / 電壓電流較小，只能單向?qū)щ?電子設(shè)備、工業(yè)--------------P--+--------------P--+5Vb基極--------c集電極飽和電流Ic +3V----------P+1V -b基極--N截止-N

半控型全控型

電壓驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)

2-70，≤2kz

體積小、耐壓高，但必需額外設(shè)置關(guān)斷電路耐壓較高，且導(dǎo)通電阻低，能夠放大電流信號，但存在拖尾電流，限制開關(guān)速度較慢

工業(yè)、UPS、電焊機(jī)、變頻器放大器電路，驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、電動(dòng)機(jī)數(shù)據(jù)來源：基業(yè)常青，英飛凌官網(wǎng)，Yole，數(shù)據(jù)來源：基業(yè)常青，英飛凌官網(wǎng)，Yole，CSDN，長城證券研究院整理PAGE8DDDDD漏極Vgsth＞Vgs≥0時(shí)+------------------+++++++++++++++++++P+N-N+D漏極Vgsth＞Vgs≥0時(shí)+DDDDD漏極Vgsth＞Vgs≥0時(shí)+------------------+++++++++++++++++++P+N-N+D漏極Vgsth＞Vgs≥0時(shí)+N------------------+D漏極N-P+P--Vgs≥Vgsth時(shí)+NP?目前主流功率器件為MOSFET和IGBT，MOSFET開關(guān)頻率高，更適用于高頻中高壓領(lǐng)域（100-1000KHz,20-1200V），IGBT耐壓很高，更適用于高壓中低頻領(lǐng)域（＜100KHz,600-6500V）。N++++ G柵極--N+++++--P+++-S源極(1)關(guān)斷狀態(tài)G柵極N+N型-溝道-NN+溝道-Vgs≥Vgsth時(shí)- +---N++++ G柵極--N+++++--P+++-S源極(1)關(guān)斷狀態(tài)G柵極N+N型-溝道-NN+溝道-Vgs≥Vgsth時(shí)- +--- G柵極極--S源G柵極導(dǎo)通電流(2)導(dǎo)通狀態(tài)NN-D漏極+--- G柵極-S源極--N---+G導(dǎo)通電流BJT + MOSFET BJT + MOSFET 圖：MOF圖：MOFE工作原理示意圖：柵極加正電壓，形成型溝道導(dǎo)通圖：IGT工作原理示意圖：MOSETBJT串聯(lián)，導(dǎo)通原理相同，但耐壓更高(1)關(guān)斷狀態(tài)G柵極-S源極+++N++++N+++ G柵-- -- 極P(2)導(dǎo)通狀態(tài)-圖：M圖：MOFE的應(yīng)用場景：器件開關(guān)頻率很高，以高頻中高壓領(lǐng)域?yàn)橹鲌D：IGT的應(yīng)用場景：器件耐壓很高，以高壓中低頻領(lǐng)域?yàn)橹黝l率范圍（100-1000KHz）頻率范圍（＜100KHz）20-100V110-500V500-800V800-1000V1000V以上＜600V600-1350V1400-2500V2500-6500V手機(jī)LCD顯示器車燈風(fēng)力發(fā)電高壓變頻器內(nèi)燃機(jī)點(diǎn)火器新能源汽車UPS電源軌道牽引數(shù)碼相機(jī)UPS電源地鐵、城軌電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能電網(wǎng)數(shù)碼相機(jī)電熱水器電源電焊機(jī)發(fā)電設(shè)備（消費(fèi)電子領(lǐng)域） 白色家電太陽能電池、風(fēng)電大型工業(yè)裝備電動(dòng)自行車背投電視電極控制變頻器-電焊機(jī)、工業(yè)變頻器--中低壓MOSFET（＜500V）高壓MOSFET（＞500V）-太陽能電池、風(fēng)電--超低壓IGBT低壓IGBT中壓IGBT高壓IGBT數(shù)據(jù)來源：Yole，各公司官網(wǎng)，數(shù)據(jù)來源：Yole，各公司官網(wǎng)，ET創(chuàng)芯網(wǎng)論壇，長城證券研究院整理PAGE9功率器件結(jié)構(gòu)端演進(jìn)：器件結(jié)構(gòu)迭代性能升級，工藝復(fù)雜度提升MOSFET超級結(jié)IGBT非穿通→場截止”和“平面柵→溝槽柵”的演變，這些優(yōu)化都在不斷提升器件耐壓、降低損耗和導(dǎo)通電阻。二極管晶體管雙 GTO 二極管晶體管極型 BJT IGBT管IGBT

IGCT SiC二極管 SiCBJTGen.2Gen.5Gen.2

Gen.7MOSFETMax.600VMOSFETSJMOSFET場效應(yīng)管SJMOSFET

Max.

SiCJFETSiCMOSFETSiCJFET

Max.7000V1970 1990

2010

GaNHeMT

2017

2020MOSFET面世時(shí)間MOSFET

1970s

1980s 1990s 2000s

耐壓芯片面積、導(dǎo)通電阻減小元胞結(jié)構(gòu)簡圖

電場 電場 電場強(qiáng)度 強(qiáng)度 強(qiáng)度

電場強(qiáng)度 高中壓

器件耐壓、工作頻率提高峰值電場Gen1.

Gen3.

均勻電場演 （1）平面型MOSFET （2）溝槽型MOSFET （3）超級結(jié)MOSFET （4）屏蔽柵MOSFET進(jìn)

低壓

Gen2.溝槽型MOSFET

Gen4.屏蔽柵MOSFET耐壓范圍

100-0050

12-250V；低壓（高頻） 500-900V；高壓（高頻

30-300V；中低壓（高頻）

低頻 高

工作頻率1988199019921997200120032018工藝尺寸減小面世時(shí)間 Gen11988199019921997200120032018工藝尺寸減小面世時(shí)間 Gen1平面柵穿通型Gen2精細(xì)平面柵穿通Gen3溝槽柵穿通型Gen4平面柵非穿通Gen5平面柵場截止Gen6溝槽柵場截止Gen7微溝槽柵場截止第五代平面柵FS第六代溝槽柵FS第七代FSN-基圖形精細(xì)化消除JFET效應(yīng)區(qū)熔襯底降低厚度背注緩沖區(qū)厚度減薄背注緩沖區(qū)厚度減薄元胞結(jié)構(gòu)IGBT場截止IGBT（FS）基N-結(jié)非穿通基N-結(jié)

厚 簡圖降低導(dǎo)壓降提高開 度

N+緩沖區(qū)

N-基

基N- N-基 N-基基NN型場截止

N-基構(gòu)（NPT）

NPT

關(guān)特性提高穿電壓 減小

襯底 襯底 襯底

襯底 N型場截止演 功率損耗（絕對值）10074513933功率損耗（絕對值）100745139332925斷態(tài)電壓（伏）60060012003300450065007000通態(tài)飽和壓降（伏）3.02.82.00.8（PT）

第一代平面柵PT

第二代（精細(xì)）平面柵PT

第三代溝槽柵PT平面柵結(jié)構(gòu) 溝槽柵結(jié)

表面柵結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來源：英飛凌官網(wǎng)，21ic電子網(wǎng)，與非網(wǎng)，長城證券研究院整理數(shù)據(jù)來源：英飛凌官網(wǎng)，21ic電子網(wǎng)，與非網(wǎng)，長城證券研究院整理PAGE10件產(chǎn)品端演進(jìn)：功能集成模塊化，更適用高壓大電流場景?相比單管的功率分立器件，集成度更高的功率模塊和功率IC能夠?qū)崿F(xiàn)高可靠、高集成、高效率的性能，在高壓大電流場景和消費(fèi)電子場景應(yīng)用廣泛。?功率模塊由多個(gè)分立的功率單管按特定功能串、并聯(lián)組成。相比單管，功率模塊能簡化外部連接電路，更適合高壓和大電流場景，可靠性更高。比如同一制造商的同系列產(chǎn)品，IGBT模塊的最高電壓一般會(huì)比IGBT功率IC通常由(PMIC)。IC圖：圖：IPM功率模塊的應(yīng)用案例：經(jīng)過二極管整流、PFC模塊、直流母線電容、逆變器模塊，最終實(shí)現(xiàn)用于電機(jī)可變頻率、可變電壓的交流電IPM IPM交流電源

PFC校正傳感PFC校正

逆器 直流母線電容傳感直流母線電容

可變頻率電機(jī)固定電壓驅(qū)動(dòng)斷器 控制固定電壓驅(qū)動(dòng)

控制可變電壓斷續(xù)器驅(qū)動(dòng)啟動(dòng)可變電壓V+-V+-VV+-V+-V+-V+-V+--數(shù)據(jù)來源：Yole，英飛凌，意法半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)來源：Yole，英飛凌，意法半導(dǎo)體，OFweek，長城證券研究院整理PAGE11功率器件材料端演進(jìn):性能突破硅限，SiC、GaN成未來功率新趨勢Si、GaN）0-300V區(qū)間內(nèi)SiC區(qū)間則是GaN。SiC器件相對于Si10倍的耐壓，1/10SiC二極管、SiCMOSFET以及SiC模塊SiCMOSFETSiC特別是需要高壓、高能量密度應(yīng)用場景，如充電樁、車載充電機(jī)及汽車電驅(qū)等。GaN器件相對于器件的優(yōu)勢來自：Si10不如SiC。目前GaNGaN晶體管圖：半導(dǎo)體材料特性對比：相比S圖：半導(dǎo)體材料特性對比：相比S，SC更耐高溫高壓，GN開關(guān)頻率高圖：功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍：SiC器件高壓場景，GaN器件高頻場景更耐高溫：x3熔點(diǎn)10^3℃

能量電網(wǎng)10MW

風(fēng)電 軌道交

光伏 船舶電生產(chǎn)、5更易冷卻：x3 43熱導(dǎo)率21

更高運(yùn)行溫度：x3禁帶寬度eV

1MW100kW

可關(guān)斷型晶閘管（GTO）IGBT模塊晶閘

SiC模塊

運(yùn)輸電動(dòng)汽車工業(yè)0更高開關(guān)頻率：x10 電子飽和漂移速度

更低損耗：x1/10更高耐壓：x10

1kW

管IGBTBJT

MOSFET

SiCMOSFETGaNMOSFET

空調(diào)不間斷電源(UPS）10^7cm/s

擊穿電場MV/m

100W冰箱硅 碳化硅 氮化鎵

10Hz 1kHz

工作頻率PAGE12PAGE12二、公司橫向?qū)Ρ龋焊饔星?，時(shí)代、斯達(dá)、BYD產(chǎn)品優(yōu)勢凸顯產(chǎn)品線布局：聞泰科技、華潤微布局最全（覆蓋80%），士蘭微其次（覆蓋73%）；整體第三代半導(dǎo)體器件布局趨向全面，其中九成以上的公司布局SiC賽道。最新技術(shù)及產(chǎn)能：IGBT：斯達(dá)、時(shí)代、BYD半導(dǎo)、士蘭微對標(biāo)國際英飛凌最新Gen.7；SiC：時(shí)代、斯達(dá)、BYD車規(guī)級SiC模塊技術(shù)領(lǐng)先；GaN：聞泰科技、三安光電、華潤微領(lǐng)先8英寸硅基GaN器件技術(shù)。產(chǎn)品議價(jià)能力：時(shí)代、BYD、斯達(dá)IGBT模塊產(chǎn)品議價(jià)能力強(qiáng)，均價(jià)高于百元量級；泰科天潤（SiC）、聞泰科技（GaN）、斯達(dá)半導(dǎo)（SiCMOSFET）第三代半導(dǎo)體價(jià)格優(yōu)勢凸顯。實(shí)際經(jīng)營管理情況：聞泰科技市占地位最高，營收達(dá)138億元；(2)東微半導(dǎo)人均創(chuàng)收1043萬元，管理效率最高；(3)聞泰科技研發(fā)支出最高，高達(dá)37億元； (4)圣邦微PMIC盈利能力最強(qiáng)，毛利率高達(dá)53%；(5)聞泰科技、蘇州固锝運(yùn)營能力最強(qiáng)，存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)僅45天、48天。數(shù)據(jù)來源：iFind數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理指向?qū)Ρ嚷勌┛萍?華潤微 士蘭微 斯達(dá)半導(dǎo) 新潔能 BYD半導(dǎo) 時(shí)代電氣 東微半導(dǎo)市占地位

運(yùn)營能力

產(chǎn)品線布局10090807050403020100

最新技術(shù)

議價(jià)能力研發(fā)支出 管理效率13盈利能力1414維度一：產(chǎn)品線多樣化布局，究竟孰強(qiáng)孰弱？15數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，公司公告，長城證券研究院整理15數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，公司公告，長城證券研究院整理：聞泰、華潤微品類最全，切入布局三代半73%作為全球領(lǐng)先的分立功率半導(dǎo)體IDM、MOSFETPowerMOS全球排名第二、功率分立器件全球第六，體量優(yōu)勢最大。IGBT、賽道。在SiC12（92%）有SiCBYD等7家（58%）SiCMOSFETGaN方面，已圖：各公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線布局對比：器件從低門檻領(lǐng)域逐漸突破，但各公司目標(biāo)市場呈現(xiàn)差異化，其中聞泰、華潤微覆蓋產(chǎn)品類型最全，士蘭微其次有聞泰科技、華潤微、士蘭微、三安光電等6家（占比達(dá)50%）公司切入GaNFET產(chǎn)品線。圖：各公司功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線布局對比：器件從低門檻領(lǐng)域逐漸突破，但各公司目標(biāo)市場呈現(xiàn)差異化，其中聞泰、華潤微覆蓋產(chǎn)品類型最全，士蘭微其次分類細(xì)分聞泰科技華潤微士蘭微捷捷微電新潔能三安光電BYD蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)二極管?????????三極管?????整流橋??????晶閘管??MOSFET平面型??????溝槽型???????屏蔽柵???????超級結(jié)???????IGBT單管?????????模組????????IPM??????SiC二極管???????MOSFET???????GaN二極管?FET??????PAGE16PAGE16維度二：IGBT/SiC/GaN最新進(jìn)展，技術(shù)各有千秋PAGE17數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，公司公告，長城證券研究院整理PAGE17數(shù)據(jù)來源：公司官網(wǎng)，公司公告，長城證券研究院整理國內(nèi)IGBT最新進(jìn)展：BYD、時(shí)代、斯達(dá)紛紛趕追英飛凌Gen.7?在IGBT領(lǐng)域，國內(nèi)目前具備領(lǐng)先技術(shù)實(shí)力、能實(shí)現(xiàn)對標(biāo)英飛凌最新第七代IGBT的IDM公司主要有BYD半導(dǎo)體、時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、士蘭微。在IGBTIGBT到6500VIGBT；BYD半導(dǎo)600-1200V電壓，電壓車規(guī)級IGBT模塊也已大批量出貨；士蘭微在家電領(lǐng)域?yàn)橹鞯腎PM模塊市場占據(jù)明顯優(yōu)勢，目前已切入車載領(lǐng)域。圖：國內(nèi)圖：國內(nèi)IGBT廠商各維度對比分析：從應(yīng)用領(lǐng)域來看，國產(chǎn)IGBT在家電、工控及新能源領(lǐng)域已有所突破，當(dāng)前階段各公司IGBT布局進(jìn)入車載領(lǐng)域運(yùn)營模式IGBT電壓覆蓋范圍IGBT主要應(yīng)用領(lǐng)域最新技術(shù)對標(biāo)英飛凌代際IGBT產(chǎn)品最新進(jìn)展軌交車載光伏風(fēng)電工控家電東微半導(dǎo)Fabless600-1350V???TGBT?第一代650VTGBT芯片的電流密度為400A/cm2，達(dá)到國際主流第七代IGBT技術(shù)水平。BYD半導(dǎo)體IDM600-1200V????第七代?目前公司基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)代電氣IDM750-6500V?????第七代?750V車規(guī)級逆導(dǎo)IGBT芯片處于樣件試驗(yàn)階段斯達(dá)半導(dǎo)Fabless→IDM100-3300V?????第七代基于第六代IGBT技術(shù)的1200VIGBT芯片在12寸產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)基于第七代IGBT技術(shù)的車規(guī)級650V/750VIGBT芯片研發(fā)成功，預(yù)計(jì)于2022年開始批量供貨士蘭微IDM600-1350V???第七代?車載IGBT已在部分客戶處批量供貨宏微科技Fabless650-1700V????第七代?預(yù)計(jì)2022年750V車規(guī)級IGBT開始起量華微電子IDM360-1350V??第六代?于2021年3月推出系列IGBT，功率為600V，用于工控、電焊機(jī)、UPS、PFC等新潔能Fabless600-1350V???第五代?21H1新增10余款I(lǐng)GBT模塊產(chǎn)品；PIM模塊已送樣?1700VIGBT產(chǎn)品以及車載IGBT產(chǎn)品處于研發(fā)中華潤微IDM600-1350V??第四代溝槽FS-IGBT1200V40A產(chǎn)品通過工業(yè)級考核并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)揚(yáng)杰科技IDM650-1200V?第四代?基于8英寸平臺(tái)的Trench1200VIGBT芯片完成了系列化的開發(fā)工作聞泰科技IDM/?/?目前車規(guī)級IGBT系列產(chǎn)品流片已經(jīng)完成，正處測試驗(yàn)證階段國內(nèi)SiC器件最新進(jìn)展：BYD、時(shí)代、斯達(dá)SiC模塊應(yīng)用新能源車圖：國內(nèi)廠商SiC最新進(jìn)展對比：從應(yīng)用領(lǐng)域來看，斯達(dá)、BYD、時(shí)代在新能源車領(lǐng)域已有SiC模塊應(yīng)用，其中時(shí)代電氣擁有覆蓋全電壓等級的SiC芯片產(chǎn)品國內(nèi)廠商產(chǎn)品類型參數(shù)范圍SiC產(chǎn)品具體進(jìn)展已上市聞泰科技SiC二極管/?碳化硅二極管產(chǎn)品已經(jīng)出樣。華潤微SiC二極管650V/4-32A；1200V/2-40A?2020年，推出650V和1200V工業(yè)級SiCSBD產(chǎn)品系列，實(shí)現(xiàn)國內(nèi)首條商用量產(chǎn)的6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線；?2021年，自主研發(fā)平面型1200VSiCMOSFET進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段，靜態(tài)技術(shù)參數(shù)性能對標(biāo)國際一線品牌；推出第二代650V/1200VSiCJBS產(chǎn)品。SiCMOSFET1200V/36A士蘭微SiCMOSFET/?2021H1，SiC功率器件的中試線實(shí)現(xiàn)通線；2021年，完成車規(guī)級SiC-MOSFET器件的研發(fā)，廈門建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2022Q3實(shí)現(xiàn)通線。揚(yáng)杰科技SiC二極管650V/6-30A；1200V/10-40A?2022H1，成功開發(fā)650V2A-40A、1200V2A-40ASiCSBD產(chǎn)品，完成批量出貨；?2022H1，SiCMOSFET產(chǎn)品中，SiC1200V80mohm系列產(chǎn)品，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；?預(yù)計(jì)1200V40mohm的產(chǎn)品將于22Q4推出。SiCMOSFET1200V/39A捷捷微電SiC二極管650V/4-60A；1200V/10-40A與中科院聯(lián)合攻堅(jiān)車規(guī)級SiCMOSFET的研發(fā)中，擬搭建800V-1200V車規(guī)級SiCMOSFET平臺(tái)通過AEC-Q101可靠性認(rèn)證且規(guī)模量產(chǎn)。斯達(dá)半導(dǎo)SiCMOSFET100V/10A；1200V/50-450A；1700V/300A?SiC模塊：機(jī)車牽引輔助供電系統(tǒng)、新能源汽車行業(yè)控制器、光伏行業(yè)已有推廣應(yīng)用；新能源汽車領(lǐng)域，新增多個(gè)使用全SiCMOSFET模塊的800V系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)。新潔能SiCMOSFET/1200V新能源汽車用SiCMOS平臺(tái)開發(fā)：1200VSiCMOSFET首次流片驗(yàn)證完成，產(chǎn)品部分性能達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平，尚處于驗(yàn)證評估階段。三安光電SiC二極管650V/2-100A；1200V/2-100A?2021年，SiC二極管在2021年新開拓送樣客戶超500家，出貨客戶超200家，超60種產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段；?在PFC電源、光伏逆變器、車載充電機(jī)、家電領(lǐng)域、充電樁及UPS等各細(xì)分應(yīng)用市場標(biāo)桿客戶實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定供貨。SiCMOSFET750V；1200V；1700VBYD半導(dǎo)SiCMOSFET1200V/33A；1200V/700-840A(模塊)?完成1,200V碳化硅（SiC）MOSFET工藝技術(shù)開發(fā)；SiC單管主要應(yīng)用于新能源汽車的充電系統(tǒng)和DC-DC領(lǐng)域；SiC三相全橋模塊在新能源汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體企業(yè)，已實(shí)現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型的規(guī)?；瘧?yīng)用。時(shí)代電氣SiC二極管1200-3300V/10-47A?擁有全套特色先進(jìn)SiC工藝技術(shù)的4英寸及6英寸兼容的專業(yè)SiC芯片制造平臺(tái)；SiCMOSFET1200-3300V/32-60A；1200-3300V/500-1600A(模塊)擁有全電壓等級（750V-3300V）MOSFET及芯片產(chǎn)品，應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域。東微半導(dǎo)SiC二極管650V/80-90A?完成650VSiC產(chǎn)品工藝與器件設(shè)計(jì)。國內(nèi)外SiC產(chǎn)能進(jìn)展：國內(nèi)產(chǎn)能追趕6英寸，國際邁向8英寸布局?在SiC產(chǎn)能方面，襯底和外延方面國內(nèi)公司產(chǎn)能以4英寸為主，向6英寸過渡，而國際上已實(shí)現(xiàn)6英寸商用化，各龍頭公司紛紛開啟8英寸布局，國內(nèi)產(chǎn)能仍落后一定差距。SC（）（廠商布局英寸SC英寸Si芯片產(chǎn)線廠商所處產(chǎn)業(yè)鏈位置現(xiàn)有產(chǎn)能情況產(chǎn)能計(jì)劃國內(nèi)廠商天科合達(dá)單晶襯底2-4英寸碳化硅晶片產(chǎn)能達(dá)5833片/月；4-8英寸SiC襯底產(chǎn)能約5833片/月碳化硅襯底項(xiàng)目預(yù)計(jì)可年產(chǎn)6英寸碳化硅襯底12萬片，其中6英寸導(dǎo)電型SiC晶片約8.2萬片，6英寸半絕緣型SiC晶片約3.8萬片天岳先進(jìn)單晶襯底SiC襯底產(chǎn)能約5583片/月碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目預(yù)計(jì)2022年三季度實(shí)現(xiàn)一期項(xiàng)目投產(chǎn)，并計(jì)劃于2026年實(shí)現(xiàn)全面達(dá)產(chǎn)，對應(yīng)6英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)能為30萬片/年；河北同光單晶襯底4-6英寸碳化硅單晶襯底產(chǎn)能8333片/月計(jì)劃建設(shè)年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預(yù)計(jì)2025年末實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)營。露笑科技單晶襯底6英寸SiC襯底預(yù)計(jì)2022年底能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能5000片/月預(yù)計(jì)在2023年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片導(dǎo)電型SiC襯底、5萬片外延片的產(chǎn)能規(guī)劃瀚天天成外延片6英寸SiC外延片一期產(chǎn)能5000片/月。二期項(xiàng)目于2022年3月31日順利竣工，產(chǎn)能達(dá)16666片/月碳化硅產(chǎn)業(yè)園三期項(xiàng)目將于今年年內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)，三期項(xiàng)目產(chǎn)能規(guī)模將達(dá)140萬片。東莞天域外延片3英寸、4英寸SiC外延晶片產(chǎn)能超1666片/月2022年3月，“國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目計(jì)劃年產(chǎn)2萬片6英寸碳化硅外延片斯達(dá)半導(dǎo)器件/模塊/SiC研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)36萬片6英寸SiC功率芯片的生產(chǎn)能力；擬投2.2947億元建設(shè)車規(guī)級全SIC功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心，年產(chǎn)8萬顆泰科天潤IDM4英寸SiC晶圓線產(chǎn)能666片月；一期6英寸SiC晶圓已通線，產(chǎn)能5000片/月2021年，6英寸碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線進(jìn)入量產(chǎn)，一期產(chǎn)能預(yù)計(jì)為6萬片/年華潤微IDM6英寸SiC晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能約為1000片/月/時(shí)代電氣IDM4英寸SiC芯片線833片/月SiC芯片產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，建設(shè)工期為24個(gè)月，預(yù)計(jì)建成后將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年1萬片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線2.5萬片/年。三安光電IDM6英寸SiC晶圓產(chǎn)能6,000片/月湖南三安一期項(xiàng)目完成建設(shè)并順利投產(chǎn)，目前6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能達(dá)30000片/月士蘭微IDM已實(shí)現(xiàn)SiC功率器件中試線通線士蘭明鎵擬建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，建設(shè)周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能國外廠商WolfspeedIDM預(yù)計(jì)2022年SiC襯底產(chǎn)能折合6英寸達(dá)到7.1萬片/月紐約的全球第一座8英寸SiC晶圓廠預(yù)計(jì)在2022年第三季度量產(chǎn)。Ⅱ-ⅥIDMSiC襯底產(chǎn)能折合6英寸達(dá)到16666片/月，計(jì)劃5年內(nèi)6英寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張5-10倍，8英寸襯底2024年量產(chǎn)。RohmIDM預(yù)計(jì)2025年擴(kuò)產(chǎn)SiC襯底產(chǎn)能至30-40萬片預(yù)計(jì)2023年量產(chǎn)8英寸，計(jì)劃到2025年投資850億日元，使產(chǎn)能提升16倍。國內(nèi)GaN器件最新進(jìn)展：聞泰、三安、華潤微硅基GaN技術(shù)量產(chǎn)在GaNGaN650V等級的34.5-60AGaN器件650V34.5-60A已通過AECQGaNFET可覆蓋650V、900V650V5-20A區(qū)間。圖：國內(nèi)廠商圖：國內(nèi)廠商GaN最新進(jìn)展對比：從進(jìn)展來看，聞泰科技、三安光電、華潤微均已有產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)階段，其他公司產(chǎn)品當(dāng)前處于研發(fā)、驗(yàn)證階段中國內(nèi)廠商產(chǎn)品類型參數(shù)范圍GaN產(chǎn)品具體進(jìn)展已上市聞泰科技GaNFET650V/34.5-60A?已推出硅基氮化鎵功率器件(GaNFET)，已通過AECQ認(rèn)證測試并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴完成了GaN在電動(dòng)車逆變器、電控、電源等方案的設(shè)計(jì)工作。華潤微GaNFET650V/8-37A；900V/23A?自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵D-mode器件樣品靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國外對標(biāo)水平，完成三批量1000小時(shí)可靠性考核，進(jìn)入轉(zhuǎn)量產(chǎn)階段；?自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件性能達(dá)標(biāo)，器件封裝開發(fā)完成。士蘭微GaN器件/?硅基GaN化合物功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)取得較大進(jìn)展，已有工程樣品供內(nèi)部評價(jià)。捷捷微電GaN器件/?完成高穩(wěn)定大電流Si基GaN增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，以及高耐壓大電流、低開啟Si基GaN功率二極管的研究；?設(shè)計(jì)開發(fā)額定電壓100V~600V的大電流Si基GaN電力電子器件全套研制流程。新潔能GaNHEMT/?650VE-ModeGaNHEMT首次流片驗(yàn)證完成，產(chǎn)品部分性能達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平，尚處于驗(yàn)證評估中。三安光電GaN器件650V/5-20A?完成約60家客戶工程送樣及系統(tǒng)驗(yàn)證，24家進(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)品性能優(yōu)越。國內(nèi)外GaN產(chǎn)能進(jìn)展：國內(nèi)布局8英寸外延片，國際GaN襯底量產(chǎn)在GaN8GaN1000片/GaN6英寸GaN圖：國內(nèi)外GaN廠商產(chǎn)能對比分析：從國內(nèi)來看，三安光電、華潤微等國產(chǎn)廠商集中在8英寸硅基氮化鎵外延片上有產(chǎn)能突破，國際上已開始量產(chǎn)GaN襯底。圖：國內(nèi)外GaN廠商產(chǎn)能對比分析：從國內(nèi)來看，三安光電、華潤微等國產(chǎn)廠商集中在8英寸硅基氮化鎵外延片上有產(chǎn)能突破，國際上已開始量產(chǎn)GaN襯底。廠商所處產(chǎn)業(yè)鏈位置現(xiàn)有產(chǎn)能情況產(chǎn)能計(jì)劃國內(nèi)廠商賽微電子IDM8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)能達(dá)到833片/月“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目”規(guī)劃最終形成總體產(chǎn)能60,000片/年，一期產(chǎn)能30,000片/年聞泰科技IDM/英國8英寸硅基氮化鎵器件生產(chǎn)線即將生產(chǎn)士蘭微IDM已打通一條6英寸硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月，12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式開工。在廈門規(guī)劃建設(shè)一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件（第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片）生產(chǎn)線蘇州能訊IDM4英寸GaN晶圓產(chǎn)能為2083片/月計(jì)劃2022年建設(shè)第二工廠規(guī)劃為8寸氮化鎵工廠，兼容GaN-on-SiC與GaN-on-Si華潤微IDM擁有8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線華潤微規(guī)劃建設(shè)的化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目,判斷生產(chǎn)線主要是GaN工藝。該項(xiàng)目將分兩期實(shí)施,其中一期項(xiàng)目投資20億元,二期投資30億元英諾賽科IDM8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線產(chǎn)能達(dá)到10000片/月8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將擴(kuò)張至每月70000片以上三安光電IDM硅基氮化鎵產(chǎn)能1000片/月湖南三安一期項(xiàng)目產(chǎn)能還在持續(xù)釋放中江蘇能華IDM已有6英寸硅基GaN功率器件生產(chǎn)線和8英寸GaN外延生產(chǎn)線預(yù)計(jì)二廠建成投產(chǎn)后，氮化鎵月產(chǎn)能達(dá)3萬片國外廠商住友電氣IDM2022年開始量產(chǎn)4英寸功率半導(dǎo)體用單晶襯底。從2022-2023年在日本擴(kuò)展全新的生產(chǎn)設(shè)備，2024年前后將在日本全面擴(kuò)展4英寸襯底所需的生產(chǎn)體系，產(chǎn)能未定；已成功制作6英寸GaN襯底，并加快量產(chǎn)技術(shù)的建立三菱IDM量產(chǎn)4英寸襯底，2022年4月開始供應(yīng)4英寸GaN單晶襯底正在開發(fā)6英寸的GaN產(chǎn)品PAGE22PAGE22維度三：各產(chǎn)品價(jià)格對比，議價(jià)能力或見分曉（注：圖表中平均單價(jià)均來源于2021年度公司年報(bào)數(shù)據(jù)測算）PAGE23（注：圖表中平均單價(jià)均來源于2021年度公司年報(bào)數(shù)據(jù)測算）PAGE23數(shù)據(jù)來源：各公司年報(bào)，長城證券研究院整理功率龍頭公司器件單價(jià)對比：時(shí)代、BYD、斯達(dá)IGBT定價(jià)領(lǐng)先BYDIGBTBYDIGBT模塊MOSFET都在個(gè)位數(shù)水平。這一方面主要來源于模塊產(chǎn)品與單管產(chǎn)品價(jià)格的差異，另一方面也來源于IGBT的高附加值。從IGBTIGBT從IGBTIGBTBYD半導(dǎo)IGBT400+IGBT100+元。從MOSFET2.84元/MOSFET平均IGBT模塊單價(jià)測算（元/模塊）IGBT時(shí)代電氣IGBT模塊

181.66

416.04

967.01MOSFETMOSFET晶 捷捷微閘管 聞泰科、 蘇州固二極 揚(yáng)杰科管等

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1,000各類功率器件平均單價(jià)測算（元/顆）2.840.67 1.630.671.630.310.240.140.130.070.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0（注：圖表中各品類器件單價(jià)均來源于零售商安富利數(shù)據(jù)） PAGE24（注：圖表中各品類器件單價(jià)均來源于零售商安富利數(shù)據(jù)） PAGE24數(shù)據(jù)來源：元器件分銷商網(wǎng)站，長城證券研究院整理功率龍頭公司單管價(jià)格橫向?qū)Ρ龋菏刻m微全品類價(jià)格優(yōu)勢凸顯?相比于年報(bào)測算價(jià)格，經(jīng)銷商對于消費(fèi)者的定價(jià)普遍在更高水平，這主要來源于終端銷售的溢價(jià)。其中，IGBT單管均價(jià)與年報(bào)測算價(jià)格呈現(xiàn)出近1:12的倍數(shù)關(guān)系，主要由單管與模塊單管數(shù)量上帶來的價(jià)格差異所致。?整體來看，同樣呈現(xiàn)出器件越高端，價(jià)格越高的趨勢。同時(shí)，士蘭微在功率分立器件全品類的價(jià)格優(yōu)勢凸顯。細(xì)分各品類中，在各類二極管和三極管方面，士蘭微均價(jià)最高；在MOSFET方面，東微半導(dǎo)均價(jià)最高，華潤微、士蘭微位居二、三名，在IGBT方面，斯達(dá)半導(dǎo)單管均價(jià)最高，其次是華潤微、士蘭微。其中，士蘭微覆蓋超結(jié)MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOSFET等分立器件的技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品性能達(dá)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，在分立器件的全品類里均能占據(jù)一定的定價(jià)優(yōu)勢。各類二極管平均單價(jià)（元/顆） MOSFET平均單價(jià)（元/顆）華微電子捷捷微電安世華微電子安

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5三極管平均單價(jià)（元/顆）

3.0

華潤微士蘭微華微士蘭微士蘭微華微電子

0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0IGBT單管平均單價(jià)（元/顆）0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 5.0 10.0 15.0PAGE25數(shù)據(jù)來源：元器件分銷商網(wǎng)站，長城證券研究院整理（注：圖表中各品類器件單價(jià)均來源于零售商數(shù)據(jù)）PAGE25數(shù)據(jù)來源：元器件分銷商網(wǎng)站，長城證券研究院整理（注：圖表中各品類器件單價(jià)均來源于零售商數(shù)據(jù)）各公司三代半器件價(jià)格對比：斯達(dá)、聞泰、泰科天潤布局優(yōu)勢凸顯SiCMOSFETSiCSiCMOSFETSiC極管和SiCMOSFET。?國內(nèi)廠商泰科天潤、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技布局第三代半導(dǎo)體，表現(xiàn)出比硅基器件高一個(gè)量級的價(jià)格端優(yōu)勢。在SiC二極管方面，國內(nèi)廠商泰科天潤均價(jià)達(dá)到11元/顆，高于普通硅基二極管均價(jià)；在SiCMOSFET模塊方面，斯達(dá)半導(dǎo)均價(jià)達(dá)到3775元/模塊，明顯高于硅基IGBT模塊均價(jià)；在GaN晶體管方面，聞泰科技旗下的安世半導(dǎo)體單管均價(jià)達(dá)到117元/顆，明顯高于硅基IGBT單管價(jià)格。?國內(nèi)產(chǎn)品相比于國際龍頭廠商單價(jià)更低，主要可能來源于國產(chǎn)替代的成本價(jià)格優(yōu)勢及國際競品的性能優(yōu)勢。安森美泰科天潤

11.39

SiC二極管平均單價(jià)（元/顆）

65.820 10 20 30 40 50 60 70 80羅姆英飛凌斯達(dá)半導(dǎo)

SiCMOSFET模塊平均單價(jià)（元/模塊）4786.623775.51

8549.790 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 6,000 7,000 8,000 9,000 10,000英飛凌安世半導(dǎo)體

GaN晶體管平均單價(jià)（元/顆）117.55

141.610 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200PAGE26PAGE26維度四&五：公司經(jīng)營情況之市占地位&管理效率數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理（注：圖表中均為2021年度數(shù)據(jù)）PAGE27各公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)對比：聞泰科技市占地位最高，東微人均產(chǎn)值最高13810261通訊等領(lǐng)域企業(yè)均建立了深度的合作關(guān)系，在2021年安世躋身全球第六大功率半導(dǎo)體公司，相比2020年上升三位，并穩(wěn)居國內(nèi)功率半導(dǎo)體公司第一名位置。1043487人Fabless，相比IDM，功率半導(dǎo)體營收（億元）功率半導(dǎo)體營收（億元）150100500 138.03 101.58 61.06 40.12 22.38 17.48 15.95 150100500138.03101.5861.0640.1222.3817.4815.9515.3314.94 13.5113.0110.687.82聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電斯達(dá)半導(dǎo)三安光電 新潔能 BYD半導(dǎo)蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)0

166.6

員工人數(shù)（人） 人均產(chǎn)值（萬元/人67.5 486.5102.9 104.6 102.9 260.9 100.2 165.5

76.6 142.1 195.5

1042.8

1,5001,0005000聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電斯達(dá)半導(dǎo)三安光電 新潔能 BYD半導(dǎo)蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)PAGE28PAGE28維度六&七：公司經(jīng)營情況之研發(fā)支出&盈利能力數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理（注：圖表中均為2021年度數(shù)據(jù)）PAGE29各公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)對比：聞泰研發(fā)投入最高，圣邦微盈利能力最強(qiáng)37其中，2021年8.37億元FET)已通過AECQ；SiCMOSFET及SBD芯片產(chǎn)品，應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)傳動(dòng)等多個(gè)領(lǐng)域，在研發(fā)支出上也有較高投入。?從功率半導(dǎo)體板塊毛利率來看，大多數(shù)公司的毛利率在35%-40%區(qū)間。其中，盈利能力最強(qiáng)的是圣邦微，毛利率高達(dá)53%，主要原因在于公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以PMIC等高附加值產(chǎn)品為主。而捷捷微電以47%的毛利率緊隨其37.0037.0050研發(fā)支出（億元）50研發(fā)支出（億元）2511.462511.4617.85聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電斯達(dá)半導(dǎo)三安光電 新潔能 BYD半導(dǎo)蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)60%40%20%0%

39% 35% 36%

功率半導(dǎo)體板塊毛利率（%）00.411.032.710.801.101.323.7800.411.032.710.801.101.323.782.426.287.1337% 34% 39%

23%

29%聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電斯達(dá)半導(dǎo)三安光電 新潔能 BYD半導(dǎo)蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)PAGE30PAGE30維度八：公司經(jīng)營情況之運(yùn)營能力數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理PAGE數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理PAGE31（注：圖表中均為2019-2021年度平均數(shù)據(jù)）各公司財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)對比：聞泰科技、蘇州固锝運(yùn)營能力最強(qiáng)(45天)(48天)低。橫向比較中，三安光電的庫存變現(xiàn)需要時(shí)間最長，存貨減值風(fēng)險(xiǎn)較高。(20天和新潔能（33天。占比94.97%）MOSSJ-MOS等MOSFETMOSFET、SGTMOSFET產(chǎn)品平臺(tái)的本土企業(yè)，行業(yè)地位高，對上下游更有話語權(quán)。200180160

平均存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)（天） 平均應(yīng)收賬款周轉(zhuǎn)天數(shù)（天）189155

166144140120100

86

93848484

122

96

9311593

95

97

918060 40200

69

43

7720

77

6833

7848

46聞泰科技 華潤微 士蘭微 揚(yáng)杰科技 圣邦微 捷捷微電斯達(dá)半導(dǎo)三安光電 新潔能 BYD半導(dǎo)蘇州固锝時(shí)代電氣東微半導(dǎo)PAGE32PAGE32圣邦微斯達(dá)半導(dǎo)時(shí)代電氣BYD半導(dǎo)功率IC功率模塊SiC圣邦微斯達(dá)半導(dǎo)時(shí)代電氣BYD半導(dǎo)功率IC功率模塊SiCBYDSiC二極管IGBT賽道和第三代半導(dǎo)體賽道“龍頭低估”&“小而美”?持續(xù)看好半導(dǎo)體國產(chǎn)替代趨勢，重點(diǎn)關(guān)注IGBT及SiC&GaN布局的相關(guān)公司。氮化鎵器件碳化硅器件IGBTBYDMOSFETBJT捷捷微電揚(yáng)杰科技?隨著車規(guī)級IGBT氮化鎵器件碳化硅器件IGBTBYDMOSFETBJT捷捷微電揚(yáng)杰科技硅基器件二極管硅基器件二極管晶閘管GaNHEMTGaNHEMT功率模塊及ICPAGE33數(shù)據(jù)來源：PAGE33數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院整理邦微功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏252015公司是一家專注于高性能、高品質(zhì)模擬集成電路芯片設(shè)計(jì)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司產(chǎn)品涵蓋信號鏈和電源管理兩大領(lǐng)域。營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）22.3835凈利潤（億元）43.9745公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件制造、集成電路封裝測試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。營業(yè)總收入(億元）“電源管理+，推動(dòng)業(yè)績高增長2017 2018 2019 2020 2021 2022Q15.327.751050“電源管理+，推動(dòng)業(yè)績高增長2017 2018 2019 2020 2021 2022Q15.327.75105011.975.727.92主要產(chǎn)品：運(yùn)算放大器LDODC/DC應(yīng)用領(lǐng)域：消費(fèi)電子通信工控醫(yī)療設(shè)備物聯(lián)網(wǎng)14.70155-5 2017 2018 2019 2020 2021 2022Q120.0718.522526.1714.18主要產(chǎn)品：功率二極管整流橋SGTMOSSiCSBD應(yīng)用領(lǐng)域：消費(fèi)電子安防工控汽車電子半導(dǎo)體功率器件分立器件芯片半導(dǎo)體硅片其他業(yè)務(wù)6月6日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告：公司將以2.5億元收購中電科四十八所持有的楚微半導(dǎo)40股權(quán)。若此次交易實(shí)施，將成為楚微半導(dǎo)第一大股東增加1條月產(chǎn)38寸硅基芯片生產(chǎn)線和1條月產(chǎn)0.56寸SiC預(yù)計(jì)2024年底前建成504540353025201510502017 2018 20202021電源管理產(chǎn)品信號鏈產(chǎn)品技術(shù)服務(wù)公司發(fā)布2022年半年度報(bào)告：2022H1公司實(shí)25現(xiàn)營業(yè)收入16.51億元同比增長80.39%；實(shí)20現(xiàn)歸母凈利潤5.40億元同比增長107.30%；實(shí)15現(xiàn)扣非凈利潤5.31億元同比增長135.48%。102022H1公司實(shí)現(xiàn)毛利5率59.78，同比增長8.56pct；實(shí)現(xiàn)凈利率02017 20192020 202132.35%，同比增長4.25pct。，，。 ，。功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半導(dǎo)體功率器件分立器件芯片半導(dǎo)體硅片其他業(yè)務(wù)504540353025201510502017 2018 2019 2020 20212017 2018 2019 2020 2021對于第三代半導(dǎo)體方面，公司順利開發(fā)1200V新能源汽車用SiCMOS平臺(tái)，完成首次流片驗(yàn)證。公司擬募集資金布局SiC/GaN功率器件及封測、功率驅(qū)動(dòng)IC及智能功率模塊(IPM)、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)。 1614121086420功率器件-MOSFET 芯片-MOSFET 其他業(yè)務(wù)2017 2018 2019 2020 2021 2022Q104.2155.047.7310公司為國內(nèi)MOSFET產(chǎn)品系列最全的Fabless企業(yè)之一，MOSFET和IGBT覆蓋電壓12-1700V，覆蓋電流0.1-450A。營業(yè)總收入(億元） 凈利潤億元）20157.169.5514.98主要產(chǎn)品：MOSFETIGBT消費(fèi)電子汽車電子物聯(lián)網(wǎng)光伏4月30日公司通過董事會(huì)決議公告，擬通過子公司士蘭集昕投資建設(shè)“年產(chǎn)36萬片12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”。該項(xiàng)目總投資為39億元，資金來源為企業(yè)自籌，建設(shè)周期為3年；擴(kuò)建后，疊加士蘭集科12英寸線6萬片/月的產(chǎn)能，公司12英寸線總產(chǎn)能將達(dá)9萬片/月。20212020201920182017 8070605040302010012英寸產(chǎn)線新規(guī)劃，助力產(chǎn)能釋放器件集成電路發(fā)光二極管其他主營業(yè)務(wù)其他業(yè)務(wù)-202017 2018 2019 2020 2021 2022Q120027.4240營業(yè)總收入(億元） 凈利潤億元）80 71.9460公司經(jīng)營范圍包括：電子元器件、電子零部件及其他電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造、銷售；機(jī)電產(chǎn)品進(jìn)出口。20.0130.2631.1142.81功率器件功率模塊MEMS光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：白色家電工業(yè)控制光伏士蘭微：加速發(fā)展的功率IDM領(lǐng)先廠商新潔能：進(jìn)擊的MOSFET領(lǐng)先設(shè)計(jì)廠商士蘭微：加速發(fā)展的功率IDM領(lǐng)先廠商新潔能：進(jìn)擊的MOSFET領(lǐng)先設(shè)計(jì)廠商布局第三代半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半導(dǎo)體功率器件分立器件芯片半導(dǎo)體硅片其他業(yè)務(wù)504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021電源管產(chǎn)品 信號鏈品 技術(shù)服務(wù)25201510502017 2018 2019 2020 公司目前擁有6英寸晶圓制造產(chǎn)能約為23萬片/月，8英寸晶圓制造產(chǎn)能約為13萬片/月。由公司全資子公司華微控股與大基金二期及重慶西永共同發(fā)起設(shè)立的潤西微電子（重慶）有限公司，在重慶投資建設(shè)12晶圓廠項(xiàng)目，有望在22年年底貢獻(xiàn)產(chǎn)能。202120202019201820171009080706050403020100制造與務(wù) 產(chǎn)品與案 其他業(yè)務(wù)華潤微：全產(chǎn)業(yè)鏈一體化的IDM功率領(lǐng)跑者12寸產(chǎn)能加擴(kuò)大IDM優(yōu)勢2021 2022Q1202020192018201725.1462.7158.7669.77806040200-20凈利潤（億元）92.49100公司是中國領(lǐng)先的擁有全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域。營業(yè)總收入(億元）57.43主要產(chǎn)品：功率半導(dǎo)體智能傳感器應(yīng)用領(lǐng)域：消費(fèi)電子汽車電子工業(yè)控制新能源聞泰科技：持續(xù)增長的車規(guī)級芯片龍頭聯(lián)手安世，布局ODM+半導(dǎo)體雙輪驅(qū)動(dòng)202120202019201820170塊，2020導(dǎo)體領(lǐng)域，2021年7月，完成收購英國Newport晶圓廠，主要用于生產(chǎn)IGBT、中高壓模擬和碳化硅。600500400300200100房地產(chǎn)開發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)品其他業(yè)務(wù)通信其他主營業(yè)務(wù)2017 2018 2019 2020 2021 2022Q1173.35169.16415.78517.07 527.290公司具備從半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試，到應(yīng)用終端產(chǎn)品研發(fā)制造于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。旗下的安世半導(dǎo)體是全球知名的半導(dǎo)體IDM公司。營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）148.03主要產(chǎn)品：模擬和邏輯MOSFET/光學(xué)模組通信ODM消費(fèi)電子汽車電子工業(yè)醫(yī)療斯達(dá)半導(dǎo)：快速崛起的IGBT行業(yè)領(lǐng)軍者IGBT模塊賽道高景氣，單季度業(yè)績再創(chuàng)新高，BYD半導(dǎo)：自主品牌的車規(guī)級芯片龍頭功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤斯達(dá)半導(dǎo)：快速崛起的IGBT行業(yè)領(lǐng)軍者IGBT模塊賽道高景氣，單季度業(yè)績再創(chuàng)新高，BYD半導(dǎo)：自主品牌的車規(guī)級芯片龍頭功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半導(dǎo)體功率器件分立器件芯片半導(dǎo)體硅片其他業(yè)務(wù)504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021電源管產(chǎn)品 信號鏈品 技術(shù)服務(wù)25201510502017 2018 2019 2020 2018 2019 2020 20212020年公司在中國新能源乘用車電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制用IGBT模塊全球廠商中排名第二，市占率19%，僅次于英飛凌。此外，公司也是全球首家、國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)SiC三相全橋模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體廠商。35302520151050功率半導(dǎo)體智能傳感器光電半導(dǎo)體智能控制IC制造及服務(wù)其他業(yè)務(wù)垂直產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)2018 2019 2020 202114.4113.402015105031.66353025依托公司在車規(guī)級半導(dǎo)體研發(fā)應(yīng)用的深厚積累，公司以車規(guī)級半導(dǎo)體為核心，同步推動(dòng)工業(yè)、家電、新能源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域的半導(dǎo)體發(fā)展。營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）10.96主要產(chǎn)品：功率半導(dǎo)體智能控制汽車電子工業(yè)/家電新能源/消費(fèi)電子2020年公司在全球IGBT模塊市場排名第六，在中國企業(yè)中排名第1位。2022H1公司實(shí)現(xiàn)營收11.54億元，同比60.53歸母凈利潤3.46億元同比增長125.05%；實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤3.31億元，同比增長134.10%步增長。20212020201920182017181614121086420模塊 其他主業(yè)務(wù) 其他業(yè)務(wù)2017 2018 2019 2020 2021 2022Q104.3857.796.75109.631517.0720公司主營業(yè)務(wù)是以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計(jì)研發(fā)和生產(chǎn)，自主研發(fā)設(shè)計(jì)的IGBT芯營業(yè)總收入(億元） 凈利潤億元）5.42主要產(chǎn)品：IGBT工業(yè)控制電源新能源新能源汽車白色家電功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 功率半導(dǎo)體：21H1自主研發(fā)的V代IGBT車規(guī)模塊，已在國內(nèi)多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨器件集成電路發(fā)光二管其他業(yè)務(wù)其他主業(yè)務(wù) 主要產(chǎn)品：功率器件50 功率模塊40 MEMS30 光電器件應(yīng)用領(lǐng)域：20 白色家電10 工業(yè)控制0 新能源汽車2017 2018 2019 2020 2021H1 光伏營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）43.97453526.1725 18.52 20.0714.70 14.18155-5 2017 2018 2019 2020 2021 營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）25 22.382015 11.9710 7.92 7.755.32 5.72502017 2018 2019 2020 2021 半導(dǎo)體功率器件分立器件芯片半導(dǎo)體硅片其他業(yè)務(wù)504540353025201510502017 2018 2019 2020 2021電源管產(chǎn)品 信號鏈品 技術(shù)服務(wù)25201510502017 2018 2019 2020 軌道交電氣備 軌道工機(jī)械通信信系統(tǒng) 其他軌交通備功率半體分器件 工業(yè)變產(chǎn)品海工裝備 傳感器件新能源車電動(dòng)系產(chǎn)品 其他業(yè)務(wù)2001501005002018 2019 公司集成電路新建項(xiàng)目湖南三安SiC襯底已向多家國際大廠送樣驗(yàn)證，碳化硅MOSFET產(chǎn)品已送樣數(shù)十家客戶驗(yàn)證。砷化鎵射頻產(chǎn)能已擴(kuò)充到12,000片/月、光技術(shù)產(chǎn)能2,000片/月、湖南三安電力電子碳化硅產(chǎn)能6,000片/月、電力電子硅基氮化鎵產(chǎn)能1,000片/月。202120202019201820170材料銷售其他業(yè)務(wù)芯片、LED產(chǎn)品集成電路芯片化合物半導(dǎo)體三安光電：MiniLED/化合物半導(dǎo)體IDM龍頭集成電路產(chǎn)能擴(kuò)張2017 2018 2019 2020 2021 2022Q131.0784.5483.6483.94125.720公司主要從事全色系超高亮度LEDⅢ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）74.60主要產(chǎn)品：LED芯片半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域：顯示通信家用電器新能源車時(shí)代電氣：快速發(fā)展的車規(guī)IGBT龍頭碳化硅產(chǎn)線擴(kuò)容，引領(lǐng)新能源汽車革命。公司擁有1條寸雙極器件、1條寸IGBT以及1條4月12日，公司公告擬投資4.62億元進(jìn)行SiC芯片產(chǎn)線擴(kuò)充，SiCMOS工藝將升級為溝槽柵，產(chǎn)能由4寸1萬片擴(kuò)充至6寸2.5萬片，主要面向新能源汽車和軌交領(lǐng)域。2021202020192018100500 200150新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)產(chǎn)品其他業(yè)務(wù)傳感器件軌道交通電氣裝備通信信號系統(tǒng)功率半導(dǎo)體分立器件海工裝備2017 2018 2019 2020 2021 2022Q1025.4515010050151.21163.04 160.34156.58151.44造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。營業(yè)總收(億元） 凈利潤億元）200主要產(chǎn)品：功率半導(dǎo)體工業(yè)變流/傳感器電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域：汽車電子通訊設(shè)備消費(fèi)電子PAGE38數(shù)據(jù)來源：PAGE38數(shù)據(jù)來源：iFind，長城證券研究院，市值及PE數(shù)據(jù)值截至2022年9月28日功率半導(dǎo)體相關(guān)龍頭公司梳理涉及功率21年?duì)I收21年歸母凈利潤(元)億22年一致預(yù)期(億元)PEPEG一級分類涉及功率涉及功率21年?duì)I收21年歸母凈利潤(元)億22年一致預(yù)期(億元)PEPEG一級分類涉及功率證券代碼公司名稱市值(億元)21年?duì)I收21年歸母凈利潤(億元) 22年一致預(yù)期(億元)PEPEG證代碼 公名稱 市值(億) 21年?duì)I收21年歸母利潤(億22年一致期(億) PE PEG(億元)元)-2022-2022603290.SH斯達(dá)半導(dǎo)568.4517.073.987.6676.490.88A21288.SZBYD半導(dǎo)-31.663.95688187.SH時(shí)代電氣641.25151.2120.1822.8333.722.34688261.SH東微半導(dǎo)162.117.821.472.6561.760.79605111.SH新潔能187.3814.984.105.2635.711.28688396.SH華潤微628.8992.4922.6825.9324.141.63688261.SH東微半導(dǎo)