2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試參考題庫（含答案）

2023年通信電子計(jì)算機(jī)技能考試-平板顯示技術(shù)考試參考題庫（含答案）（圖片大小可任意調(diào)節(jié)）第I卷一.全考點(diǎn)試題庫(共20題)1.簡述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。

正確答案:O2灰化是在4層CVD之后阻擋層i/sSiNx膜的上面進(jìn)行氧氣O2等離子體處理，把表面具有親水性的i/sSiN薄膜變成疏水性的SiOx薄膜，增強(qiáng)與光刻膠的附著性。2.簡述MVA技術(shù)的顯示原理。

正確答案:不加電壓下，液晶分子在液晶屏內(nèi)并不是全部垂直基板排列。在垂直取向的作用下，一部分垂直基板排列，一部分垂直于凸起物排列，在交界處液晶分子會(huì)偏向某一個(gè)角度；上下偏振片光軸垂直，從一個(gè)偏振片通過的偏振光，穿過液晶層，到另一個(gè)偏振片后與光軸垂直，不透光呈黑態(tài)。

當(dāng)加電壓后，n型液晶分子在電場下要垂直電場排列，但由于垂直取向的作用，使得液晶分子在液晶屏內(nèi)傾斜排列，并趨向于水平。光可以通過各層，由于雙折射產(chǎn)生干涉，透光呈白態(tài)。在視覺觀察下，MVA技術(shù)上下基板交錯(cuò)的三角棱狀的凸起物，共同作用下兩個(gè)疇的液晶分子排列更加整齊有序，利用這種不同指向的液晶分子長軸方向來實(shí)現(xiàn)光學(xué)補(bǔ)償。3.簡述微腔結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)。

正確答案:1）提高色純度；

2）實(shí)現(xiàn)光譜窄化，提高發(fā)光強(qiáng)。4.簡述COG工藝的連接原理。

正確答案:COG工藝中驅(qū)動(dòng)IC粘貼到液晶屏外引線很小的面積上，輸出端與液晶屏的外引線電極直接相連，輸入端與電極焊盤（Pad）左端連接，并用黑膠將驅(qū)動(dòng)IC封住固化。柔性線路板（FPC）的左端與連接電極焊盤的右端。印刷電路板PCB與FPC的右端通過熱壓連接在一起。5.簡述小分子OLED與高分子PLED的優(yōu)缺點(diǎn)。

正確答案:高分子PLED具有制備簡單、成本低廉以及聚合物薄膜能夠彎曲等特點(diǎn)，壽命已可達(dá)幾萬小時(shí)。但高分子聚合物的純度不易提高，在亮度和彩色方面不及小分子OLED。小分子OLED工藝較成熟，良率高，率先走在新一代顯示的前列。6.簡述干法刻蝕的物理作用和化學(xué)作用。

正確答案:物理作用的刻蝕類似于濺射成膜的原理，利用惰性氣體的輝光放電產(chǎn)生帶正電的離子，在電場作用下加速吸引到下電極上面的基板上，轟擊刻蝕薄膜的表面，將薄膜原子轟擊出來的過程。常用的惰性氣體有氦氣（He）、氬氣（Ar）等。作用過程完全利用物理上能量的轉(zhuǎn)移進(jìn)行的，具有很強(qiáng)的刻蝕方向性，可以獲得高的各向異性刻蝕斷面，線寬控制非常好。

化學(xué)作用的刻蝕是一種純粹的化學(xué)反應(yīng)，利用各種源如射頻、微波等，將氣體電離產(chǎn)生化學(xué)活性極強(qiáng)的原子團(tuán)、分子團(tuán)等，擴(kuò)散到刻蝕薄膜的表面與薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生產(chǎn)易揮發(fā)的反應(yīng)生成物，由真空泵抽離真空反應(yīng)室。由于只有化學(xué)反應(yīng)發(fā)生稱之為化學(xué)反應(yīng)刻蝕，類似于濕法刻蝕。只是反應(yīng)物和生成物都是氣態(tài)的，且由反應(yīng)物的等離子體決定刻蝕速率。7.簡述三種彩色電視制式的特點(diǎn)和差異。

正確答案:8.簡述液晶相的分類。

正確答案:細(xì)長棒狀液晶根據(jù)液晶相分為：向列相、近晶相、膽甾相。9.試畫出9次光刻的多晶硅薄膜晶體管的等效電路圖。

正確答案:10.簡述激光轉(zhuǎn)移技術(shù)的工藝流程。

正確答案:1）在載膜基板上先鍍一層Mo膜做吸光層。

2）在顯示基板上制作了驅(qū)動(dòng)電路的有源矩陣陣列后，最外面曝露的像素電極ITO同時(shí)為OLED的陽極。上面先制作像素隔離層。再連續(xù)蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層等有機(jī)功能層。

3）把載膜基板和顯示基板放入真空室，用夾具固定住。

4）抽真空，在真空室內(nèi)用對位裝置將兩塊基板對準(zhǔn)，貼合。貼合后將真空室放大氣。

5）將基板移到大氣中的激光系統(tǒng)下，放在掃描平臺上。用激光系統(tǒng)上的對位裝置將激光頭與顯示基板上的像素精確對位。然后激光頭向y方向移動(dòng)，掃描平臺向x方向掃描。

6）激光照射，吸光層吸收熱量，導(dǎo)致發(fā)光層真空升華到顯示基板的像素位置，實(shí)現(xiàn)激光轉(zhuǎn)移。

7）一種顏色的發(fā)光層轉(zhuǎn)移完成后，取下夾具，移開載膜基板，重復(fù)上面的過程。把紅、綠、藍(lán)三基色發(fā)光層分三次采用激光轉(zhuǎn)移的方法分別轉(zhuǎn)移到顯示基板上。

8）三色發(fā)光層轉(zhuǎn)移完成后，夾具取下，載膜基板移開后，最后在顯示基板上蒸鍍電子傳輸層和陰極。11.哪種模塊工藝更適合制作精細(xì)線路？為什么？

正確答案:COF工藝更適合制作精細(xì)線路。COF工藝與傳統(tǒng)的窄帶驅(qū)動(dòng)IC自動(dòng)邦定的TAB工藝非常相似。由于TAB工藝要制作懸空引線，在目前線間距非常細(xì)、高引線密度的情況下，這種極細(xì)的懸空引線由于強(qiáng)度不夠很容易變形甚至折斷。COF工藝沒有這方面的問題，可以將線寬及間距做到非常精細(xì)，可以做到35μm的線距。12.試分析4次光刻中第2次光刻的工藝方案。

正確答案:在4次光刻中，第二次光刻有源島和第三次光刻的源漏電極合為一次光刻，為4次光刻的第二次光刻，光刻次數(shù)減少，但工藝難度大大增大。

第二次光刻的工藝流程概括為：連續(xù)沉積薄膜→涂膠→多段式調(diào)整掩膜版曝光→顯影→濕法刻蝕→干法刻蝕及灰化→再濕刻和再干法刻蝕。13.簡述彩膜的工藝流程。

正確答案:黑矩陣光刻→彩色層（R、G、B）分別光刻→形成保護(hù)層→形成ITO共用電極→檢查。14.分析n溝道2T1C驅(qū)動(dòng)電路的缺點(diǎn)？并解釋為什么a-Si：HTFT驅(qū)動(dòng)OLED會(huì)有困難？

正確答案:n溝道2T1C驅(qū)動(dòng)電路中，T2管的柵源電壓VGS由信號電壓和OLED電壓決定。該電路有兩個(gè)缺點(diǎn)：

1）一部分信號電壓施加到了OLED上，而不是全部施加到驅(qū)動(dòng)TFT的柵極上。要獲得同p溝道相同的像素電流，需要更高的信號電壓；

2）驅(qū)動(dòng)TFT的柵源電壓要受到OLED性質(zhì)的影響，可能會(huì)隨著制造工藝中OLED器件的不同而變化，也可能隨著OLED工作時(shí)間而變化。

a.Si：HTFT是n溝道的薄膜晶體管，不能制作出p溝道的TFT，要驅(qū)動(dòng)OLED有一定的困難。而LPTSTFT可以制作成p溝道或者n溝道TFT，驅(qū)動(dòng)OLED比較容易。底發(fā)射型OLED是傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，對OLED制備工藝的難度要求較低，OLED的性能好。15.目前為什么大多研究單位將平面型陰極型FED作為研究重點(diǎn)？

正確答案:三極管結(jié)構(gòu)中按柵極位置的不同，可分為前柵型FED、后柵型FED和平面柵型FED。前柵型FED在制造過程中容易破壞場致發(fā)射源，另外器件的均勻性難以保證。后柵型FED是將柵極埋在陰極之下，解決了前柵結(jié)構(gòu)的制作困難問題，但是該結(jié)構(gòu)失去了柵極對陽極的屏蔽作用，因此不能提高陽極電壓，否則會(huì)直接使陰極產(chǎn)生場致電子發(fā)射。前柵與后柵場致發(fā)射顯示器都需要制作絕緣層，而大面積的絕緣層制作對設(shè)備及工藝要求很高，且絕緣性能很難保證，故器件成本高，不易實(shí)現(xiàn)大面積顯示。

而平面柵型FED是將陰極與柵極做在同一個(gè)平面上，陰極與柵極中間由微小間隙隔開平行分布。采用普通的光刻工藝一次性就可以在基片上完成陰極與柵極的制作，避免了前柵與后柵結(jié)構(gòu)中絕緣層及上電極的制作，大大降低了工藝的復(fù)雜性及難度。由于制作工藝簡單，制作成本遠(yuǎn)小于前柵和后柵結(jié)構(gòu)，故平面柵型場致發(fā)射顯示板更易大面積化和實(shí)用化。16.試分析背溝道刻蝕型的5次光刻中過孔的工藝難點(diǎn)。

正確答案:1）刻蝕時(shí)間不能太長。在TFT漏極上過孔，需要刻蝕鈍化層P-SiNx約為2500?，能形成良好的接觸環(huán)，并且不能刻蝕漏極上面的頂Mo膜層。否則在ITO接觸的時(shí)候，ITO會(huì)把Al還原，所以刻蝕時(shí)間不能太長。

2）刻蝕時(shí)間又不能太短。在外引線過孔時(shí)，需要刻蝕鈍化層和絕緣層兩層SiNx，鈍化層的P-SiNx約2500?，絕緣層SiNx約3500?共6500?，為保證刻蝕干凈，刻蝕時(shí)間不能太短。因此，刻蝕條件的控制非常關(guān)鍵。17.簡述FED和CRT的區(qū)別。

正確答案:1）FED是陣列型發(fā)生源，是一個(gè)面矩陣，有數(shù)十萬個(gè)主動(dòng)發(fā)光的尖錐陰極陣列。CRT只有一個(gè)電子束，或者彩色顯示有3個(gè)電子束。

2）FED采用微尖型陣列平面電場作用下的冷陰極發(fā)射。CRT是利用電子槍的熱電子發(fā)射。

3）FED的熒光點(diǎn)到陰極的距離小于3mm，是平板顯示。CRT由于使用熱電子搶，為了是電子束獲得足夠的偏離和掃描，必須有一定距離才能打到熒光屏上，體積又大又厚又重。18.VFD工作原理及其器件構(gòu)造是怎樣的？

正確答案:19.簡述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶體管的工藝流程的難點(diǎn)與特點(diǎn)。

正確答案:5次光刻分別為源漏電極、有源島、柵極、過孔、ITO像素電極。

第一次光刻在玻璃基板上沉積一層基層薄膜，濺射源漏金屬層，光刻出源漏電極及信號線。第二次光刻用PECVD方法連續(xù)沉積介質(zhì)層、非晶硅層，利用高溫環(huán)境去氫處理，再激光晶化轉(zhuǎn)變成多晶硅薄膜。光刻出有源島圖形。第三次光刻先用PECVD方法沉積絕緣膜，相當(dāng)于第二層介質(zhì)層。再用濺射柵極金屬層，光刻出柵極及掃描線。利用柵極掩膜遮擋離子注入形成源區(qū)和漏區(qū)。

第四次光刻用PECVD方法沉積鈍化層，相當(dāng)于第三層介質(zhì)層，保護(hù)TFT。光刻形成需要的孔，讓下面金屬曝露出來及形成相應(yīng)的連接?？子袃煞N：第一種是需要連續(xù)刻蝕第三層介質(zhì)層、第二層介質(zhì)層、第一層介質(zhì)層，露出源漏金屬層；第二種是刻蝕第三層介質(zhì)層，露出柵極金屬層。

第五次光刻形成像素電極。并且用像素電極與多晶硅的源區(qū)和漏區(qū)接觸，與源漏電極相連。

存儲電容為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，由柵極金屬層和像素電極ITO，中間夾著第三介質(zhì)層構(gòu)成。20.簡述真空熒光顯示的結(jié)構(gòu)和原理。

正確答案:由玻璃基板、陰極、柵極、陽極和在陽極表面涂布