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文檔簡(jiǎn)介

1主要內(nèi)容

微電子技術(shù)簡(jiǎn)介半導(dǎo)體物理和器件物理基礎(chǔ)大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)集成電路制造工藝集成電路設(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的CAD系統(tǒng)幾類重要的特種微電子器件微機(jī)電系統(tǒng)微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律和趨勢(shì)

23.1半導(dǎo)體集成電路概述3.2雙極集成電路基礎(chǔ)3.3MOS集成電路基礎(chǔ)

33.1半導(dǎo)體集成電路概述

集成電路(IntergratedCircuit,IC)電路中的有源元件(二極管、晶體管等)、無源元件(電阻和電容等)以及它們之間的互連引線等一起制作在半導(dǎo)體襯底上,形成一塊獨(dú)立的不可分的整體電路,IC的各個(gè)引出端(又稱管腳)就是該電路的輸入、輸出、電源和地等的接線端。有源元件:需能(電)源的器件叫有源器件,。有源器件一般用來信號(hào)放大、變換等,IC、模塊等都是有源器件。無源元件:無需能(電)源的器件就是無源器件。無源器件用來進(jìn)行信號(hào)傳輸,或者通過方向性進(jìn)行“信號(hào)放大”。容、阻、感都是無源器件,45集成電路的性能指標(biāo):集成度速度、功耗特征尺寸可靠性功耗延遲積:又稱電路的優(yōu)值,電路的延遲時(shí)間與功耗相乘,該值越小,IC的速度越快或功耗越低,性能也好。特征尺寸:IC中半導(dǎo)體器件的最小尺度,如MOSFET的最小溝道長(zhǎng)度或雙極晶體管中的最小基區(qū)寬度,這是衡量IC加工和設(shè)計(jì)水平的重要參數(shù),特征尺寸越小,加工精度越高,可能達(dá)到的集成度也越大,性能越好。6集成電路制造過程中的成品率:Y=硅片上好的芯片數(shù)硅片上總的芯片數(shù)100%成品率的檢測(cè),決定工藝的穩(wěn)定性,成品率對(duì)集成電路廠家很重要成品率是芯片面積和缺陷密度的函數(shù):(1)Seed模型,A芯片面積,D缺陷密度,該模型通常適用于面積較大的芯片和成品率低于30%的情況。(2)Murphy模型,面積較小的芯片和成品率高于30%7芯片(Chip)指沒有封裝的單個(gè)集成電路硅片(Wafer)包含成千上百個(gè)芯片的大圓硅片8集成電路的制造過程:設(shè)計(jì)工藝加工測(cè)試封裝定義電路的輸入輸出(電路指標(biāo)、性能)原理電路設(shè)計(jì)電路模擬(SPICE)布局(Layout)考慮寄生因素后的再模擬原型電路制備測(cè)試、評(píng)測(cè)產(chǎn)品工藝問題定義問題不符合不符合集成電路發(fā)展的原動(dòng)力:不斷提高的性能/價(jià)格比9集成電路的關(guān)鍵技術(shù):光刻技術(shù)(DUV)縮小尺寸:0.25~0.18mm,增大硅片:8英寸~12英寸亞0.1mm:一系列的挑戰(zhàn),亞50nm:關(guān)鍵問題尚未解決新的光刻技術(shù):

EUVSCAPEL(BellLab.的E-Beam)X-ray集成電路發(fā)展的特點(diǎn):性能提高、價(jià)格降低主要途徑:縮小器件的特征尺寸增大硅片面積10集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì):獨(dú)立的設(shè)計(jì)公司(DesignHouse)獨(dú)立的制造廠家(標(biāo)準(zhǔn)的Foundary)集成電路類型:數(shù)字集成電路、模擬集成電路數(shù)字集成電路基本單元:開關(guān)管、反相器、組合邏輯門模擬集成電路基本單元:放大器、電流源、電流鏡、轉(zhuǎn)換器等111947年,肖克萊(Shockley)點(diǎn)接觸雙極型晶體管1950年,結(jié)型晶體管出現(xiàn)1952年,G.W.A.Dummer提出“固體功能塊”設(shè)想1958年,C.Kilby提出硅制作電阻、電容和晶體管,實(shí)現(xiàn)內(nèi)部平面連接,制出了由硅PN結(jié)電容、硅電阻器和硅晶體管組成的全硅材料的相移振蕩器。1959年,采用反向PN結(jié)隔離的全平面工藝硅半導(dǎo)體集成電路。1961年,RTL系列的數(shù)字集成電路問世,隨后,DTL/TTL/ECL/MOS集成電路出現(xiàn),IC飛速發(fā)展,成本下降。122010年0.09-0.07μm的64GDRAM產(chǎn)品投入生產(chǎn)。1968年試制的MOS存儲(chǔ)器和1971年試制成功的微處理器標(biāo)志著IC技術(shù)已進(jìn)入大規(guī)模集成的時(shí)代。1978年,64K動(dòng)態(tài)RAM(DRAM),使單一芯片的集成度超過了10萬個(gè)晶體管,IC技術(shù)進(jìn)入超大規(guī)模時(shí)代。1985年,225萬個(gè)晶體管的1MbDRAM進(jìn)入單片集成100萬個(gè)晶體管的時(shí)代。目前,0.25μmCMOS工藝技術(shù)為主流的微電子技術(shù)已進(jìn)入大生產(chǎn),可制作256Mb和600MHz的微處理器芯片,集成數(shù)在108-109量級(jí)。133.2雙極集成電路基礎(chǔ)有源元件:雙極晶體管(電子和空穴兩種載流子)無源元件:電阻、電容、電感等優(yōu)點(diǎn):雙極IC具有速度快、穩(wěn)定性好、負(fù)載能力強(qiáng)等特點(diǎn),可制作數(shù)字IC,又可制作模擬和微波IC,隨著多晶硅發(fā)射極雙極晶體管,GeSi/Si異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)等新型器件的發(fā)展,雙極集成電路的速度已達(dá)到上百GHz(1G=109)143.1半導(dǎo)體集成電路概述3.2雙極集成電路基礎(chǔ)3.3MOS集成電路基礎(chǔ)

153.2.1集成電路中的雙極晶體管3.2.2雙極數(shù)字集成電路3.3.3雙極模擬集成電路

163.短2.虜1集成鍬電路匆中的桐雙極解晶體鳥管制備音要求:器件貌制作崇在同神一硅臥片上矛,要做求器吹件相居互間合電絕嚴(yán)緣而彎成為身各自趟相互石獨(dú)立勉的器洞件,捏再用客金屬結(jié)導(dǎo)電嶺薄膜垮將他蛛們按賽電路旺要求到相互再鏈接嫩起來月。隔離羽區(qū)隔離慨方法咸:反向PN結(jié)隔惱離全介逢質(zhì)溝提槽隔撿離等平衫面PN結(jié)-介質(zhì)男混合去隔離場(chǎng)氧荷隔離17PN結(jié)隔展離的刻平面NP工N雙極鍛晶體恐管的額剖面隸圖P襯底N+隱埋闖層N-外延理層P型層N+層1819使用司目的?。悍判沾缶掦w管/開關(guān)萄晶體剪管放大炮管工葡作電替壓20勁V,BV程ce巨o=憲25膚V,BV輕cb工o=兔50姨V開關(guān)謠管工貫作電牌壓5V20兩種迎晶體晶管均扔制作蝦在高掉電阻炮率的高硅外佛延層抵上。輕摻炭雜外漸延層滿目的:提高郊收集廈結(jié)的顯反向懷擊穿吸電壓哨;獲艘得易恩于控清制的應(yīng)高性兔能收挽集區(qū)施;高摻晃雜埋愛層:提潤(rùn)高收您集極碰的導(dǎo)師電性要能,巨降低掌收集河極串狐聯(lián)電劉阻;21放大狹管擊完穿電碎壓較浮高:外椅延層廣厚度丟和電濃阻率食較大傷,其帽芯片膜面積爸較大序。223.僻2.雄1集成育電路竄中的升雙極巾晶體沫管3.話2.牙2雙極出數(shù)字忠集成繳電路3.樂3.躁3雙極芳模擬英集成爽電路23在數(shù)零字集沿成電孟路中件,完穴成各捉種邏衫輯運(yùn)尖算和售變換悠的電允路稱倒為邏艇輯電扛路,連組成比邏輯信電路襯的基繭本單戰(zhàn)元是僵門電瘋路和仗觸發(fā)預(yù)器電賽路。根據(jù)武基本兩單元蘿電路仆工作秩特點(diǎn)偵的不鵝同,損大致因可分些為:(1)飽痕和型請(qǐng)邏輯攤集成嗎電路電阻腐耦合員型—電阻-晶體列管邏全輯(RT加L)二極徹管耦桿合—二極俯管-晶體字管邏設(shè)輯(DT劣L)高閾屢值邏本輯(HT牲L)晶體腦管耦疊合—晶體從管-晶體荷管邏減輯(TT傅L)合并倡晶體濟(jì)管—集成怪注入絮邏輯輩(I2L)(2)抗麗飽和習(xí)型邏賭輯集掩成電摘路肖特腎基二挨極管義鉗位尤(TT般L)發(fā)射幼極功粉能邏秧輯(EF忘L)(3)非彩飽和能型邏焦輯集黎成電文路電流裕型邏莊輯(CM古L)即衡發(fā)射幸極耦悔合邏胡輯EC贊L互補(bǔ)努晶體靜管邏真輯CT猶L非閾蹦值邏掛輯NT廁L多元跟邏輯DY鏈L24補(bǔ)充怒:邏做輯代唯數(shù)的喂三種伴基本敬運(yùn)算三種飯基本勢(shì)運(yùn)算鑒是:射與、弊或、動(dòng)非(敘反)路。1.與運(yùn)蹦算可用漫開關(guān)沙圖來玩說明蜓:ABY該圖稍代表甩的邏睜輯關(guān)移系是嘆:決碰定事誓件的萍全部暈條件充都滿佳足時(shí)億,事耽件才氏發(fā)生——這就置是與邏輯京關(guān)系柴。用1表示壓開關(guān)烈接通很,1表示率燈亮蕩,可千得如豬下真值趣表:在函定數(shù)式靜中,識(shí)用.表示懷與運(yùn)扣算,若記做Y=老A.B或Y=怨AB邏輯兵符號(hào)艘:&ABYABY只有搏輸入啊全為1時(shí),蜂輸出斥才為1它們從都有踩集成熊門電喂路與劉之對(duì)提應(yīng)。ABY000010100111252.或運(yùn)吳算ABY該圖倆代表碗的邏鍛輯關(guān)霧系是窗:決權(quán)定事摧件的瞧全部否條件禁至少驕有一厚個(gè)滿礙足時(shí)檔,事婦件就胃發(fā)生——這就愉是或邏輯易關(guān)系認(rèn)。輸入每有一慶個(gè)為1時(shí),耽輸出抱就為1在函沖數(shù)式穿中,蓮用+表示斷或運(yùn)緣瑞算,私記做Y=凳A+B邏輯差符號(hào)遭:ABY1ABY+真值奴表ABY000011101111263.非門ARY該圖棋代表榮的邏劍輯關(guān)覺系是夜:決帥定事脖件的筋條件頂滿足尋時(shí),倡事件搬不發(fā)頃生——這就康是非邏輯閱關(guān)系盯。真值溫表在函依數(shù)式妙中,笨用_表示膜非運(yùn)渣算,賤記做Y=A邏輯斃符號(hào)伶:A1YAY國(guó)外教符號(hào)涼:ABYABYAY與門非門ABYABYAY與門非門或門AY0110274.一些子常用圈的復(fù)藍(lán)合邏燦輯運(yùn)拋算用兩憲個(gè)以情上基衰本運(yùn)嗽算構(gòu)概成的湖邏輯命運(yùn)算腸。包絮括與非蟲、或態(tài)非、與或枝非、舉異或司和同魂或運(yùn)算曠。和車三個(gè)士基本襖運(yùn)算評(píng)一樣輕,它慚們都牲有集耽成門拐電路沸與之亦對(duì)應(yīng)歸。100011010110010101101100ABABA+BABAB真值鏟表:(除與負(fù)或非渠運(yùn)算件外)邏輯辣符號(hào)彼:&=1=ABYABYABYABYYBAYBAYBAYBA國(guó)外京符號(hào)誓:互為非邏輯慢關(guān)系28與或占非邏渠輯ABCDY

00001000110010100110010010101101101011101000110011101011011011000110101110011110函數(shù)渾式形燭如:

Y=AB+CD&ABCDY邏輯咐符號(hào)感:A與B等于1,或胳者C與D等于1,Y等于0。真值燃表:異或奔的邏帖輯式拘:同或怨的邏扯輯式澇:Y=AB+ABY=AB+AB29電阻-晶體勢(shì)管邏雄輯(R按TL樹)或非鳴門只要族有一順個(gè)輸題入信漆號(hào)為接高電諸平,墊輸出跪?yàn)榈图殡娖綕?。其輸谷出低辦電平裕約為Vo練l=殼0.坦2V級(jí)聯(lián)斃使用秧時(shí)輸美出高饑電平Vo載h=緞1V特點(diǎn)忍:電路盟的速范度較須慢,營(yíng)負(fù)載殿能力朋和抗孤干擾狗能力坊較差治。30二極相管-晶體忠管邏覺輯(D庫TL圖)與非糕門只要格有一春個(gè)輸太入信字號(hào)為搶高電步平,碰輸出蠶為高膊電平孔。當(dāng)所來有輸碑入都膊是高舊電平系是,更輸出覆為低堡電平壇。特點(diǎn)鋼:提高芹了負(fù)少載能元力和微抗干阻擾能獲力,的但電墓路的驢速度恩慢。31晶體咐管-晶體炸管邏矛輯(T稍TL釋)-澇--速度俊和延匯遲功扮耗提博高發(fā)射鳥極耦磁合邏葵輯(E兄CL查)-勉--耕-器件腳只工慎作在漠截止蠻區(qū)和才線性緊區(qū),屑不進(jìn)掘入飽燒和區(qū)型,是頭非飽藝和型花邏輯爺電路幻玉。速爆度快諒、邏柜輯功酷能強(qiáng)喂、抗噴輻射縣性能乓好,西但功肅耗大腥。集成姜注入功邏輯(I2L)宅--駝--集成廟密度硬高、垮功耗紡低、頂功耗龍延遲嘆積小短、成賠本低興,可嘴制作壯高性認(rèn)能、毒低成歇本的剖數(shù)字/模擬寸兼容增集成惕電路野。32高速穿、低劃功耗啟和高疲集成哲密度(門/m廚m2)是數(shù)督字集答成電即路所葛追求紙的三兇個(gè)主哀要目半標(biāo)333.柳2.叮1集成哲電路壇中的劑雙極素晶體炕管3.肆2.滋2雙極些數(shù)字抹集成連電路3.嘗3.馬3雙極塵模擬蠢集成勻電路34雙極聰模擬施集成夜電路一般單分為領(lǐng):線性蝴電路疾(輸詳入與緞?shì)敵鲎喑示€護(hù)性關(guān)秒系)攔:運(yùn)志算放歉大器事、直瓣流放膊大器潤(rùn)、音碌頻放名大器路、中嶺頻放愿大器緩、寬淺帶放鎖大器寬、功俯率放坑大器福、穩(wěn)慣壓器予等。非線歉性電副路:互對(duì)數(shù)傅放大煌器、索電壓飲比較王器、柏調(diào)制阻或解穴調(diào)器愛、各輸類信斯號(hào)發(fā)會(huì)生器縣。接口昨電路功:如A/餓D轉(zhuǎn)換泡器、D/宅A轉(zhuǎn)換廊器、遭電平遍位移翻電路賓等353.支1半導(dǎo)哄體集路成電警路概膽述3.馬2雙極飽集成戒電路聾基礎(chǔ)3.社3谷M寸OS集成烘電路灰基礎(chǔ)363.瞇3MO蠶S集成蛛電路族基礎(chǔ)以MO判S場(chǎng)效瞞應(yīng)晶炎體管估為主紋要元獵件構(gòu)陣成的搭集成鹽電路搏。CM磁OS具有勇功耗芹低、獨(dú)速度除快、駱噪聲的容限兆大、筐可適槐應(yīng)較軋寬的棵環(huán)境版溫度節(jié)和電諒源電慨壓、序易集秒成、鬧可等罰比例活縮小拒等一好系列爭(zhēng)優(yōu)點(diǎn)攤,CM銳OS技術(shù)擠的市擁場(chǎng)占射有率連超過95揚(yáng)%。3.皇3.后1集成鏈電路梢中的MO嫁SF警ET3.丘3.零2柏MO紋S數(shù)字誦集成濱電路3.研3.襪3墾CM帽O(jiān)S集成棟電路373.機(jī)3.漏1集成卻電路應(yīng)中的MO原SF爸ETMO爆SF消ET按溝矩道導(dǎo)滅電遇類型漫:PM浙OS尺/N名MO保S/顆CM紛OS按柵圍極材曾料分傅類:誰鋁柵形和硅描柵38CM隆OS由PM島OS那FE勻T和NM沈OS書FE溜T串聯(lián)陶起來的一充種電掠路形悠式。為了邀在同術(shù)一硅黨襯底蔬上同慎時(shí)制租作出P溝和N溝MO康SF篩ET,必狡須在品同一壇硅襯床底上估分別肝形成N型和P型區(qū)票域,覺并在N型區(qū)鮮域上者制作PM賞OS藥FE巴T,在P型區(qū)傾域上決制作NM名OS饑FE兇T。39基本耳電路駱結(jié)構(gòu)邪:CM將OS403.播3.透1集成腔電路沉中的MO梨SF允ET3.巷3.匠2給MO鉆S數(shù)字秧集成沈電路3.悠3.登3用CM朵OS集成聚電路41MO比S開關(guān)智與反喬相器其是MO賞S數(shù)字殖集成抹電路掃的基踏本單貝元,鎖數(shù)字?jǐn)‰娐繁芍械尼t(yī)任何教復(fù)雜恩邏輯朽功能局均可僚分解貪為“顏與”碌“或階”“絲式非”此操作蜜。1.展MO飲S開關(guān)MO葬SF粘ET處于圈大信偶號(hào)工痰作時(shí)類,有令導(dǎo)通逐和截春止兩牲種狀必態(tài),食因此哀可作鴉為電稱子開娃關(guān)。上拉氏開關(guān)下拉桂開關(guān)傳輸歪門42I為輸車入端范,接羨驅(qū)動(dòng)杯信號(hào)O為輸孝出端津,接冰容性誼負(fù)載G為控嗚制端庫,接姥控制袋信號(hào)當(dāng)控籍制端譽(yù)加上邪一個(gè)紋足夠跑高的經(jīng)固定調(diào)電壓汽,在番穩(wěn)定墨情況胡下,勁直流超輸出昂電壓Vo與直帶流輸謝入電稠壓VI的關(guān)源系為MO甘S直流槐傳輸待特性Vo會(huì)=V攏I非飽壺和區(qū)宜工作VI≥VG幣-V憐T溝道箱夾斷432.反相迅器輸出塌信號(hào)占與輸撓入信瞇號(hào)反技相,幼能執(zhí)稠行邏僻輯“婦非”古功能陜。可塑分為本靜態(tài)赤反相洋器和軟動(dòng)態(tài)遣反相委器。驅(qū)動(dòng)刊元件知:增緞強(qiáng)型MO濤SF失ET觀,以便撲極間染直接硬耦合擾。負(fù)載寇元件移:電齡阻負(fù)視載增強(qiáng)遲負(fù)載耗盡盾負(fù)載互補(bǔ)摔負(fù)載有比譜反相醬器/無比鉤反相艇器反相床器44評(píng)價(jià)MO仿S反相咐器性筐能的招主要爹指標(biāo)晉:●輸嫌出高涉電平●輸妨出低那電平●反止相器禍閾值該電壓●直秘流噪頂聲容吐限●直汽流功捕耗●瞬芹態(tài)特漆性●芯票片面示積●工桃藝難第度和批兼容壩性●穩(wěn)罩定性但和瞬跨態(tài)功顆耗等453.開關(guān)稀串/并聯(lián)踐的邏腸輯特辰性單個(gè)MO窮S開關(guān)惱及其肝串、歲并聯(lián)彩電路符的邏偽輯狀寨態(tài)由烈施加摔在開刮關(guān)管框柵上淘的控太制信界號(hào)決碗定,刺對(duì)于NM士OS開關(guān)是,其拴邏輯和狀態(tài)吊可表弦示為滔:VG具=V奪H時(shí),劃開關(guān)吼邏輯據(jù)狀態(tài)北為“ON襪”;VG秩=V鄭L時(shí),杜開關(guān)服邏輯接狀態(tài)吳為“OF腥F”;46串聯(lián)佛開關(guān)G=奏G安1●G247并聯(lián)謎開關(guān)G=夠G飾1+G2484.傳輸創(chuàng)門邏辭輯當(dāng)MO軍S開關(guān)吃導(dǎo)通順時(shí),敗信號(hào)寒可直渾接從尾一端矮傳送做到另卷一端賤,MO樂S開關(guān)詠稱為洗傳輸碑門。主要鋼內(nèi)容存儲(chǔ)亭器的赴種類存儲(chǔ)反器的然基本匆結(jié)構(gòu)隨機(jī)更存取每存儲(chǔ)蓮器掩模胃只讀緊存儲(chǔ)康器可編甜程只喬讀存王儲(chǔ)器同濟(jì)蟻大學(xué)狗電子胡科學(xué)橫與技令術(shù)系1-495.存儲(chǔ)散器存儲(chǔ)憶器:保存認(rèn)信息讀出集信息最小諒記憶吸單元疾通常黃為二危進(jìn)制休“位勒”0或1半導(dǎo)臥體存膨儲(chǔ)器債已經(jīng)姿成為誼計(jì)算劇機(jī)的嚴(yán)主要鈴存儲(chǔ)摘器件(之婆一)非半擠導(dǎo)體租存儲(chǔ)攀器:可磁盤前(硬牙盤)萌、光充盤、策磁帶你等半導(dǎo)亮體:鞏內(nèi)存館、U盤、CP蝕U中的芒緩存搶等同濟(jì)籃大學(xué)搏電子絕科學(xué)艱與技農(nóng)術(shù)系1-50同濟(jì)民大學(xué)善電子悅科學(xué)叮與技假術(shù)系1-5190認(rèn)nm代7層銅動(dòng)工藝候,0.叔8V電壓寺下達(dá)甚到2.低0G祝Hz17塞.2億只欲晶體員管,6平方朽厘米兩個(gè)葡雙線炊程安竊騰處或理器蠶核每個(gè)窯核具循有1兆字存節(jié)二娃級(jí)緩滾存和12兆字庸節(jié)三贏級(jí)緩辣存In煤te水l謝M濟(jì)on牌te本ci紀(jì)to處理鉤器半導(dǎo)呀體存疫儲(chǔ)器腸的種值類(機(jī)按功泥能)隨機(jī)洽存取概存儲(chǔ)屋器Ran癥do婚mAcc患es涂sMem瞎or仆y,RA糾M只讀塊存儲(chǔ)怎器Rea偶dOnl缸yMem辮or山y(tǒng),RO否M特點(diǎn)御:高璃密度何、大就容量計(jì)、高該速度住、低愧功耗同濟(jì)切大學(xué)絨電子翠科學(xué)盟與技刑術(shù)系1-52注:舅教材專中按幕功能擔(dān)分類僻為RA奧M、RO敲M是不臟合理微的。亭例如捧有些加可讀暗可寫籠的存倍儲(chǔ)器皆不是蛙可隨你機(jī)存是取的存儲(chǔ)券單元司陣列地址射譯碼斗器讀寫拌電路時(shí)序猾控制半電路同濟(jì)雪大學(xué)嚇電子言科學(xué)算與技悔術(shù)系1-53半導(dǎo)身體存謝儲(chǔ)器殺的基鮮本結(jié)損構(gòu)半導(dǎo)梢體存床儲(chǔ)器步的基年本結(jié)豆構(gòu)同濟(jì)躍大學(xué)享電子膜科學(xué)在與技埋術(shù)系1-54Am攝pl仍if告y替sw吊in被g猾tora處il渠-t信o-升ra升il哈a涂mp鍬li量tu義deSe距l(xiāng)e私ct岡s迷ap嶼pr乒op開ri拳at脆ewo診rd時(shí)序欲控制撥電路隨機(jī)揚(yáng)存取爆存儲(chǔ)事器(R滔AM采)DR旨AM器-單Dy叮na志mi蛋c同濟(jì)牢大學(xué)妻電子書科學(xué)程與技鍛術(shù)系1-55掩模喊只讀罩存儲(chǔ)脂器(R漫OM企)非易黃失性制造法階段券就將中待存熔儲(chǔ)的庸信息甩作為老掩模臥圖形私固化可任莫意讀氣出、算不可刺改寫同濟(jì)何大學(xué)賢電子笨科學(xué)春與技振術(shù)系1-56常見敏的RO袋M基本宅存儲(chǔ)像單元溪電路同濟(jì)薯大學(xué)徒電子食科學(xué)傭與技田術(shù)系1-57WLBLWLBL1WLBLWLBLWLBL0VDDWLBLGNDDiodeROMMOSROM1MOSROM2可編倡程只伍讀存銳儲(chǔ)器PR剃OMP-P粉ro借gr妨am絞ma燃bl史e電可居編程爭(zhēng):基鹿于浮腔柵場(chǎng)亦效應(yīng)旗晶體書管控制孩柵和莊浮置要柵兩紹層?xùn)沤g結(jié)構(gòu)同濟(jì)雁大學(xué)涉電子潮科學(xué)頸與技柏術(shù)系1-58FloatinggateSourceSubstrateGateDrainn+n+_ptoxtoxDevicecross-sectionSchematicsymbolGSD同濟(jì)最大學(xué)鍋電子說科學(xué)桂與技定術(shù)系1-59Fl諒oa則ti衛(wèi)ng姑-G蚊at李e犁Tr奧an惹si店st視or惡P捕ro江gr罩am雀mi被ng0璃V-5帆V0樂VDSRe骨mo婦vi氣ng庭p由ro券gr嘗am枯mi洗ngvo益lt舒ag愁e特le丑av腰es默c徐ha周rg遇e戰(zhàn)tr順ap躁pe喝d5V-2.5V5VDSProgramm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higherVT.20V10V5V20VDSAvalancheinjection存儲(chǔ)1或0:編昆程使肢閾值音電壓論變化同濟(jì)衫大學(xué)悟電子或科學(xué)劈燕與技晉術(shù)系1-60613.剪3.抹1集成開電路熱中的MO慌SF傾ET3.蠅3.枝2賄MO逢S數(shù)字失集成品電路3.慈3.祝3遙CM繼OS集成巷電路62636465666768693.嬸4影響痰集成洪電路友性能法的因鹽素和蜂發(fā)展環(huán)趨勢(shì)有源蹈器件無源欠器件隔離閥區(qū)互連昏線鈍化逗保護(hù)小層寄生擇效應(yīng)菌:電彈容、懇有源協(xié)器件控、電昌阻、居電感703.膏4影響唱集成狡電路盡性能食的因今素和癥發(fā)展再趨勢(shì)器件揀的門訂延遲假:遷移臺(tái)率溝道喊長(zhǎng)度電路看的互鞏

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