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文檔簡介
主講劉瓊武科大信息學院janetliuqiong@163.com
第7章半導體器件7.2PN結及其單向導電特性7.3半導體二極管7.4穩(wěn)壓二極管7.1半導體的導電特性7.5雙極型晶體管第7章半導體器件要點P型和N型半導體特點:多子,少子,參入幾價元素2.PN結單向導電性:如何導通及截止3.二極管的符號;死區(qū)電壓與導通壓降區(qū)別;多個二極管導通原則4.穩(wěn)壓管的符號;穩(wěn)壓管正反向導通區(qū)別5.三極管的分類及極間電位;電流放大公式;三極管輸出特性的三個分區(qū)及PN結狀態(tài)7.1半導體的導電特性半導體:導電能力介于導體和絕緣體之間的材料常見半導體材料有硅、鍺、硒及金屬的氧化物和硫化物等。半導體材料多以晶體的形式存在。半導體材料的特性:純凈半導體的導電能力很差;溫度升高——導電能力增強(如鈷、錳、鎳的氧化物做成的熱敏電阻);光照增強——導電能力增強(如鎘、鉛等硫化物做成的光敏電阻);摻入少量雜質——導電能力增強。7.1.1
本征半導體完全純凈、具有晶體結構的半導體最常用的半導體為硅(Si)和鍺(Ge)。它們的共同特征是四價元素,每個原子最外層電子數(shù)為4。++SiGe共價鍵7.1.1
本征半導體在本征半導體的晶體結構中,每個原子與相鄰的四個原子結合。每個原子的一個外層價電子與另一原子的一個價電子組成一個電子對,電子對由相鄰兩原子共有,構成共價鍵結構。共價鍵價電子共價鍵價電子自由電子和空穴同時產生7.1.1
本征半導體激發(fā)自由電子溫增和光照外加電壓電子電流離開剩空穴原子帶正電吸引相鄰原子價電子填補空穴好像空穴在運動(正電荷)外加電壓空穴電流與金屬導電的區(qū)別多硅原子自由電子硅原子半導體中的自由電子和空穴都能參與導電——半導體具有兩種載流子。共價鍵價電子7.1.1
本征半導體本征半導體中的自由電子和空穴總是成對出現(xiàn),同時又不斷進行復合。在一定溫度下,載流子的產生與復合會達到動態(tài)平衡,即載流子濃度與溫度有關。溫度愈高,載流子數(shù)目就愈多,導電性能就愈好——溫度對半導體器件性能影響很大7.1.2
雜質半導體在常溫下,本征半導體的兩種載流子數(shù)量還是極少的,其導電能力相當?shù)?。如果在半導體晶體中摻入微量雜質元素,將得到摻雜半導體,而摻雜半導體的導電能力將大大提高。由于摻入雜質元素的不同,摻雜半導體可分為兩大類——N型半導體和P型半導體1.
N型半導體當在硅或鍺的晶體中摻入微量磷(或其它五價元素)時,磷原子與周圍四個硅原子形成共價鍵后,磷原子的外層電子數(shù)將是9,比穩(wěn)定結構多一個價電子。P+SiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSi多余電子1.
N型半導體摻入磷雜質的硅半導體晶體中,自由電子的數(shù)目大量增加。自由電子導電是這種半導體的導電方式,稱之為電子半導體或N型半導體。在N型半導體中電子是多數(shù)載流子、空穴是少數(shù)載流子。室溫情況下,本征硅中載流子有1.51010個/cm3,當磷摻雜量在10–6量級時,電子載流子數(shù)目將增加幾十萬倍。當在硅或鍺的晶體中摻入微量硼(或其它三價元素)時,硼原子與周圍的四個硅原子形成共價鍵后,硼原子的外層電子數(shù)將是7,比穩(wěn)定結構少一個價電子。B+SiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSi空穴2.
P型半導體摻硼半導體中,空穴數(shù)目遠大于自由電子數(shù)目??昭槎鄶?shù)載流子,自由電子是少數(shù)載流子,這種半導體稱為空穴型半導體或P型半導體。一般情況下,摻雜半導體中多數(shù)載流子的數(shù)量可達到少數(shù)載流子的1010倍或更多,電子載流子數(shù)目將增加幾十萬倍。不論是N型還是P型半導體,都只有一種多數(shù)載流子。然而整個半導體晶體仍是電中性的。2.
P型半導體因為載流子帶正電或負電,原子則相反帶負電或帶正電,整個晶體不帶電。?
1.在雜質半導體中多子的數(shù)量與
(a.摻雜濃度、b.溫度)有關。
2.在雜質半導體中少子的數(shù)量與(a.摻雜濃度、b.溫度)有關。
3.當溫度升高時,少子的數(shù)量(a.減少、b.不變、c.增多)。abc
4.在外加電壓的作用下,P型半導體中的電流主要是
,N型半導體中的電流主要是。(a.電子電流、b.空穴電流)ba練習7.2
PN結及其單向導電性不論是P型半導體還是N型半導體,都只能看做是一般的導電材料,不具有半導體器件的任何特點。半導體器件的核心是PN結,是采取一定的工藝措施在一塊半導體晶片的兩側分別制成P型半導體和N型半導體,在兩種半導體的交界面上形成PN結。各種各樣的半導體器件都是以PN結為核心而制成的,正確認識PN結是了解和運用各種半導體器件的關鍵所在。7.想2.丹1奧PN結的導形成PN空間電荷區(qū)多數(shù)位載流陪子將堂進行擴散桿運動;耗盡混了載杏流子杜的交炮界處意留下桂不可賊移動貪的離起子形拋成空間翠電荷德區(qū);(內電因場)也稱耗盡仗層一塊激晶片隨的兩闊邊分彼別為P型半灑導體決和N型半麥導體內電主場阻礙蘋了多罵子的五繼續(xù)看擴散液,推竭動少象子的串漂移池運動股,最辭終達途到動態(tài)逃平衡,空宿間電笛荷區(qū)庭寬度誕一定。P區(qū)空穴予多自由朵電子差少N區(qū)自由漫電子珠多空穴還少內電槐場空間電荷區(qū)P區(qū)N區(qū)載流散子的齒運動郵有兩假種形紗式:擴散由于源載流猜子濃克度梯嘆度引脆起的培載流娃子從役高濃彩度區(qū)擠向低砌濃度嚼區(qū)的滲運動國。漂移載流蹲子受缺電場大作用狹沿電吼場力評方向退的運欄動。耗盡肢層中洗載流煌子的樓擴散變和漂緒移運控動最培后達趁到一瓶種動硬態(tài)平咸衡,尾這樣庫的耗盡糾層就是PN結PN結內電場段的方灰向由N區(qū)指家向P區(qū)。7.豈2.胃1脆PN結的戴形成7.抱2.昂2讓PN結的單向謀導電銹性PN結未先加電壓憐時,秩載流杏子的瘦擴散潮和漂煎移運怖動處娛于動做態(tài)平恒衡,除空間妖電荷期區(qū)的品寬度掀基本焰穩(wěn)定茂。1)加正向聲電壓將電絨源的”+卸”接P區(qū)、”-轉”接N區(qū)。擴散醋增強PN內電場方向外電場方向I變窄++-下面漂討論處加有叛外部撞電壓蚊時的PN結特性紛。外電禽場作驚用P區(qū)空點穴進糧入PN苦→NN區(qū)電吧子進滴入PN凡→PPN結內愚正負渾離子錢被抵備消PN結變窄電荷絨易過好電阻礙低內電虛場弱漂移胖變弱多子伐形成航正向獻電流截(包辯括方樹向一鉤致的步空穴魂電流腫和電的子電娃流)外電委源不須斷提網供電羅荷維紋持電探流。2)加反向識電壓將外電源俱的正能端接N區(qū)、阻負端獄接P區(qū)。外電鄰場與棵內電撥場方打向相圓同,職空間砌電荷稍區(qū)變巧寬。跳擴散扛運動演變弱駁,漂是移運既動增聯(lián)強,裙參與背漂移桃運動斯的載廳流子軍是少兵子,峰反向祖電流絞極小況。PN內電場方向外電場方向+I~0變寬少子喝是由真熱激發(fā)父產生撓的,嚴即溫帖度愈固高少敘子的顛數(shù)量伴愈多童,故舒溫度到對反墾向電凈流的導影響叼很大健。PN結具爐有單朋向導已電性浴,即粒正向蹦(P+增N-)導燭通、衣反向謠截止7.夸2.裁2榮PN結的單向典導電廟性7.介3半導臥體二武極管7.磨3.酬1結構熱與分蹈類將PN結加叢上電趣極引溝線及亮外殼限,就睛構成謝了半揮導體黑二極頁管。PN結是魔二極遠管的同核心艱。根爹據所祖用材次料不店同,恩二極鍛管有尼硅二綿極管視和鍺鋸二極屠管兩秘種。金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼(
a
)點接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結金銻合金底座陰極引線(
b
)面接觸型陰極陽極
符號D既然二極拐管是由PN結構梁成的移,它送自然崇具有們著單盾向導首電性姿。某粱種硅兩二極宇管的耕電流-電壓敗關系(伏安求特性)可見傅圖示老:由電喉壓零絞點分爺為正向從區(qū)和反向香區(qū)正向畢:由死渣區(qū)電特壓分脹為死區(qū)和導通擱區(qū)U(V)0.400.8-50-25I(mA)204060
(A)40200-塵0.切5v梨:正壓砌低→外電予場<內電壟場→正向碗電流≈0>0角.5煉v:正壓紗高→外電膨場>內電間場→內電怨場大狼大削拌弱→正向餃電流巖大→導通文壓降顧:7.盟3.蛾2伏安騾特性死區(qū)導通張區(qū)死區(qū)電壓(S雜i-任0.勸5V煩Ge而-0監(jiān).1孫V)Si0.徹6~0.巡壽7VGe0.域2~0.兩3V截止哪區(qū):負壓蜻小→漂移汗強(少子)→很小改反向葉電流→反向嘉飽和晨電流U(V)0.400.8-50-25I(mA)204060
(A)4020反向:由擊染穿電談壓分孩為截止拉區(qū)和擊穿逢區(qū)7.報3.些2伏安筋特性擊穿姿區(qū):負壓比大→二極圾管失姐去單辮向導命電性→擊穿→反向拋擊穿孟電流→不可孕逆擊穿農原因鏈:碰浩撞和螞非碰侍撞碰撞:強電差場中糟載流慶子獲旋大能爪量碰割撞晶硬格→價電倍子彈導出,饑產生詢電子即空穴述對→即新蒜的載藝流子窮再碰剪撞晶題格→雪崩丹反應鑒,反董向電混流越溝來越阿大→反向霧擊穿非碰牙撞:強電圓場直夜接將烈共價狠鍵中扇價電里子拉沉出,染產生答電子偉空穴喝對,形立成較豬大反搏向電退流二極呀管的擦特性源不僅仗可用差伏安孕曲線綱表示隔,也傘可用弟一些棉數(shù)據華進行緩說明矛這些華數(shù)據溫就是窄二極忙管的賠參數(shù)稿。二錢極管照的主建要參伍數(shù)有揉:1.最大懼整流膏電流IOM二極股管長怠時間吼使用兇所允丸許通鄭過的想最大蛛正向忙平均齊電流五。2.反向信工作舅峰值滾電壓URW敲M保證她二極寺管不杯被擊姑穿而救給出警的反無向峰兇值電荷壓,匙為反嶼向擊肉穿電大壓的1/剪2至2/凳3。3.反向攀峰值河電流IRM二極爛管加邪反向衛(wèi)峰值血電壓陵時的揭反向轎電流祝值。悲該值泡愈大格說明蔬二極爬管的呈性能國愈差環(huán),硅總管的澇此參旋數(shù)值濕為微換安級艙以下似。7.慎3.醒3主要做參數(shù)4.最高川工作盜頻率fM二極朽管能魯承受耽的外補施電是壓的秤最高覽頻率竟。若館超過沾則失軍去單雙向導聲電性拌。PN結兩漁側的楚空間鑼電荷哲與電類容極裕板充乒電時少所儲拴存的墊電荷肺類似門,稱底為結訂電容1.二極效管加承正向共電壓苦(正虎向偏托置,雅陽極園接正崇、陰偶極接唯負河)時及,善二極蔑管處等于正屑向導殿通狀鬼態(tài),賠二極慢管正觀向電李阻較姑小,押正向陰電流酸較大丑。2.二極己管加召反向悠電壓壓(反窩向偏懇置,術陽極泥接負貿、陰靠極接攤正僚)時射,正二極闖管處倚于反驢向截庭止狀開態(tài),互二極倦管反計向電看阻較責大,沾反向凡電流尼很小瘋。3.外加撞電壓普大于湖反向遼擊穿大電壓疼二極孔管被病擊穿乎,失荷去單比向導岔電性陜。4.二極軟管的奇反向肥電流零受溫及度的薦影響夏,溫株度愈慕高反準向電濱流愈宗大。二極專管的單嬸向導陵電性膏總結定性全分析種:判濫斷二舞極管威的工深作狀倒態(tài)導通繭截止否則,正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V分析擇方法貌:將二郊極管繁斷開霜,分舒析二癥極管圍兩端俗電位的高糖低或項所加爺電壓UD的正般負。若V陽>V陰或UD為正(正向有偏置),二燈極管年導通若V陽<V陰或UD為負(反向系偏置),二拒極管增截止若二螺極管阻是理方想的鹿,正向畜導通態(tài)時正義向管禮壓降獵為零芝,快反向距截止傻時二差極管崖相當差于斷廈開。7.川3.鍋4二極殲管的推應用陰極陽極
符號D電路螞如圖胸,求嘴:UABV陽=-6態(tài)VV陰=-12列VV陽>V陰二極歌管導椒通若忽概略管晶壓降迫,二退極管高可看祥作短戀路,UAB=-6V否則肝,UAB低于于-6V一個手管壓聯(lián)降,正為-6.翠3V或掌-6.慶7V例1:取B點作顧參考造點,邪斷開濾二極掩管,殊分析前二極括管陽喝極和騎陰極褲的電綱位。在這穗里,絮二極瓜管起紫鉗位沃作用弄。D6V12V3kBAUAB+–7.遍3.餃4二極蘆管的淹應用+-如圖由RC構成果微分卡電路顆,當押輸入性電壓ui為矩落形波扁時,狼試畫關出輸個出電宿壓uo的波形伯。(設uc0=0錫)uRtouotouitoU7.測3.冷4二極夠管的維應用應用晴:整碌流、徐檢波墾、限拜幅、棚元件般保護刷、開損關元駱件a、檢波+-+-+-CRDRLuiuRuo充電+-反向玩不通=0=0+--+-+<0-+UR=Ui-UCUR=UC放電正向捐導通二極踢管使uo只留使下負疼尖脈名沖,麗起限營幅作估用7.吵3.辮4二極陜管的刷應用b、鉗位屠、隔殃離AB+3V0VR-12VYDADB如圖蹦鍺管每,VA=+嬌3V,VB=0兄VR接負磁電源-1翼2V,求VY多個絡二極礙管導網通原叼則:①設所掙有管伸不通垮,所木有R短路吹,計染算各攏管上咽正向繪電壓怨,誰辭高誰蜜導通席。②導通誘管有漂壓降協(xié),剩揀下各扎管重德新計票算電舞壓。大于揚死區(qū)懲電壓首導通際,否仁則截會止。解:①UDA=3學-(-1下2)=1畜5VUDB=0仗-(-1醫(yī)2)=1棗2VDA優(yōu)先絡導通專,導通什壓降全設為0.翻3VVY=3山-0蘆.3禽=2第.7瘡V+-+-②UDB=0猴-2廟.7但=-軌2.捷7VDB反向呀截止鹽。DA起鉗闊位作醉用,晚把VY鉗住兔在2.踩7VDB起隔歸離作貍用,摧隔離加輸入B和輸固出Y類比嗓例7.哨3.活1ui>勇5V,二極都管導極通,絕可看白作短辜路uo=爭E=刮5Vui<抓5V,二極冊管截薦止,飾可看誘作開餃路uo=ui二極在管是視理想肌的,篇試畫史出輸出那電壓uo波形豈。5V例7.防3.巧2ui10V參考橋點D5VRuoui++––7.禽3.茅4二極御管的竄應用已知扣:電源蓋電動應勢E=惱5V二極河管陰個極電委位為5答Vc、限幅二極彼管使uo輸出驢不超釘過5V,起幅限幅絕作用7.服4穩(wěn)壓志二極萄管7.肯4.苦1伏安咸特性穩(wěn)壓目管是閉一種根特殊倍的面控接觸螺型二堤極管砍。它坊在電權路中硬常用蓬作穩(wěn)遭定電便壓的董作用孔,故子稱為穩(wěn)壓隆管。穩(wěn)壓氣管的脈圖形羨符號男:U(V)0.400.8-8-4I(mA)204010-20-1030-12反向正向穩(wěn)壓態(tài)管的跡伏安默特性迫曲線刷與普油通二另極管誰類似古,只柴是反油向曲計線更淺陡一近些。7.口4.筆1伏安穩(wěn)特性U(V)0.400.8-8-4I(mA)204010-20-1030-12反向正向穩(wěn)壓境管工聯(lián)作于反向秘擊穿糕區(qū),常西見電賺路如堂下。UiRUoRL在電午路中估穩(wěn)壓蘇管是反向撕聯(lián)接的。當Ui大于紋穩(wěn)壓錄管的無擊穿怪電壓落時,跌穩(wěn)壓周管被船擊穿壁(可尾逆)景,電登流將蜜增大浮,電堂阻R兩端廣的電鋪壓增帳大,搜在一董定的以電流具范圍脊內穩(wěn)乖壓管揚兩端填的電粉壓基訴本不脫變,豪輸出喬電壓Uo等于Uz。1、穩(wěn)揚定電御壓Uz指穩(wěn)壓收管正戴常工謎作時扎的端蔥電壓。同一萍型號繼穩(wěn)壓亦管UZ也不村一定戶相等蔬。2、穩(wěn)乞定電竄流IZ正常勵工作眉的參將考電劍流值。每種選型號左穩(wěn)壓拌管都擾規(guī)定設有一達個最大矩穩(wěn)定辭電流IZM,超站過它交,易慢發(fā)生弄熱擊犧穿(限不可駁逆)稼,穩(wěn)駁壓管糖損毀,IZ<IZM。U(V)0I(mA)反向正向UZIZ7.冤4.睜1主要濃參數(shù)3、電廊壓溫誦度系乎數(shù)U說明系穩(wěn)壓巡壽值受封溫度鞠影響鋤的參糠數(shù)。如:者穩(wěn)壓扛管2C架W1斷8的電懼壓溫隨度系祥數(shù)為0.蹈09猶5%籮/C假如疑在20C時的穩(wěn)壓嚇值為11戶V,當溫須度升亦高到50C時的廢穩(wěn)壓桌值將蕩為特別卻說明爺:穩(wěn)壓朱管的電壓惹溫度插系數(shù)有正久負之暗別。因此孔選用6V左右任的穩(wěn)呆壓管定,具咽有較謎好的旨溫度球穩(wěn)定羨性。7.些4.賄1主要支參數(shù)4、動松態(tài)電嗓阻rZ穩(wěn)壓稱管子緒端電脫壓和記通過激其電掉流的穩(wěn)變化角量之負比。穩(wěn)壓謝管的眨反向就伏安海特性乎曲線昏越陡過,則猴動態(tài)怖電阻素越小叢,穩(wěn)模壓效植果越榆好。U(V)0I(mA)反向正向UZIZIZmIZUZ5、最耀大允推許耗屠散功陰耗PZM保證害穩(wěn)壓線管不廣發(fā)生渠熱擊芝穿的黃最大召功率疊損耗灣。其值牧為穩(wěn)供定電妄壓和揚允許晨的最拿大電盈流乘膝積7.迷4.練1主要混參數(shù)如圖凱,通觀過穩(wěn)啦壓管截的電捕流IZ等于威多少貍?解:UR=1慶8-詢10訊=8翠VIZ=IR=8疼/1綱.6寇=5幻玉mA侵<1斗8m呢A因IZ=1元8m標A伐I1=5則0-恩18事=3搜2m菌AR1=?R1=UZ/I1=1距0/曠32土=0帳.3扇12示5k還?+18VIZR=1.6k?Uz=10VIZM=18mA+DZ-IR例7.朵4.亞1由于IZ<IZM,所盲以限尊流電雜阻R阻值怕合適若R阻值卻縮小研十倍科,IZ=?IZ=IR=8有/0同.1守6=賊50犯mA跑>1族8m繡A此時蘿需對豪穩(wěn)壓龍管并嚷聯(lián)R1=?7.捧5雙極祖型晶體饞管7.遼5.爆1基本跡結構半導隱體三霉極管(晶體鄰管)是最偽重要癥的一皇種半清導體踢器件府。廣扔泛應各用于理各種休電子殃電路烘中。晶體翻管最幻玉常見娛的結歸構有平面娃型和合金儉型兩種省。平催面型家都是坐硅管進、合所金型焦主要演是鍺燭管。它們田都具折有NP忙N或PN知P的三層滑兩結的結煎構,羽因而泥又有NP頭N和PN暖P兩類精晶體部管。其三層分別俱稱為發(fā)射扣區(qū)、茄基區(qū)親和集婚電區(qū),并引狐出發(fā)射羨極(E誕)、基極(B忙)和集宗電極(C庫)三個豪電極谷。三舉層之氣間的亞兩個PN結分別累稱為發(fā)射宮結和惠集電告結。N型硅P型N型二氧化硅保護膜CBE平面型結構N型鍺銦球銦球P型P型CEB合金型結構NNP集電結發(fā)射結集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)CBENPP集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)集電結發(fā)射結CBEBECBEC7.迅5.尿1基本巴結構可以互換嗎?雜質臺多尺寸慨大不行+++----+1、發(fā)射踩區(qū)向始基區(qū)瓣擴散呼電子內部尾載流蜂子運狡動規(guī)此律發(fā)射括結處諒于正程向偏蔽置,榆摻雜渡濃度怠較高沙的發(fā)歇射區(qū)戶向基觸區(qū)進題行多爆子擴捷散。放大詳作用珍的內僅部條醉件:基區(qū)掘很薄漫且摻馳雜濃赤度很館低。2、電子摸在基兄區(qū)的屠擴散綿和復茅合基區(qū)苗厚度盒很小劇,電馬子在朋基區(qū)蒼繼續(xù)懷向集慚電結激擴散踏。(阻但有場少部靠分與構空穴錘復合經而形敢成IBE戚IB)7.財5.萄2電流典放大叉作用BECNNPEBRBECIEIBEICEICIBICBO要使暢晶體今管起澡放大疼作用橡,發(fā)射硬結必已須正旺向偏糞置、克集電扶結畝必須即反向湊偏置——具有錦放大圍作用膨的外濱部條榆件。3、集電定區(qū)收鉤集擴瓣散電儲子集電上結為羞反向痕偏置盼使內電咬場增強泳,對淹從基洲區(qū)擴杰散進別入集霞電結朵的電張子進紫行加炭速,垮收集負電子樸到集沙電區(qū)列,形各成集尺電極戚電流(ICE壇IC)。由電流掃分配醒關系蔥示意編圖可捐知發(fā)犬射區(qū)任向基拘區(qū)注乏入的繭電子警電流IE將分埋成兩絹部分ICE和IBE,它們畜的比判值為它表鍛示晶揀體管悲的電榮流放梨大能陶力,珠稱為滿電流變放大攜系數(shù)7.需5.季2電流肝放大仔作用少子去運動未形成反向經截止悔電流BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIB在晶體沸管中呆,不上僅IC比IB大很濟多;盡當IB有微句小變禍化時獲還會肉引起IC的較他大變郵化。根據霉晶體斤管放促大的煉外部餐條件怕,發(fā)射品結必則須正較向偏涼置,電位P高N低,殘集電邪結必創(chuàng)須反授向偏紐奉置,籠電位P低N高。則對于NP濾N型晶邊體管且對于PN訊P型晶抖體管且7.包5.雁2電流恒放大駝作用BEC+++-BEC---+發(fā)射悟結集電盜結NP頌N集電結結發(fā)射長結PN渴P某放嘆大電閣路中尾,測艘得一紡晶體棵管3個電奶極的診對地蕉電位聽分別夾為VX=-遭6V,VY=-甚3.選4V、VZ=-堂3.笑2V,試壓判斷浙該晶貝體管仆是NP參N型還餓是PN饅P型,禾鍺管慮還是潤硅管撿,并銀確定逮三個鋸電極做。2.判斷蟻鍺管施還是嗽硅管分:另兩勤個電想位分舊別與紀基極虹相減愿,結沸果為0.膽6~洪0.汽7V為硅難管,刪結果航為0.景2~仆0.鏟3V為鍺喜管;沿產生峰壓降捉的為溫發(fā)射僅結。例長習題7.蓄8.嘴3-瞎7解:4.剩下睡管腳擇為集疫電極蔥。3.確定刻類型麻:發(fā)射辜結除博基極哀外的刑另一免端為炎發(fā)射讓極;貿基極搜電位獨高于獻發(fā)射勺極電邀位,崇則基哀極為P,發(fā)兼射極蔬為N,晶觸體管萌為NP脊N型,昂否則銷為PN在P型。VY-VZ=-填3.畢4-(-3譽.2)=-贏0.級2V,鍺稀管;YZ為發(fā)林射結捎。VY=-碎3.諷4V攔<VZ=-陰3.篩2V,Y為N,Z為P,晶敗體管腐為PN輛P型。確定冠基極匙:三個臨電位哭比較其大小聽,無理論NP拌N型還湖是PN緒P型,艙中間晉電位謝為基撤極。BEC---N+PYVX=-淚6V妹<VY=-強3.續(xù)4V磁<VZ=-詢3.楚2V,Y為基映極。ZXP7.第5.兵3特性亭曲線最常用提的是擠共發(fā)腸射極睬接法陪的輸入森特性搶曲線和輸出追特性答曲線原,實驗刃測繪面是得餡到特撫性曲漸線的信方法揚之一宜。特梅性曲汪線的測量炸電路見右旁圖。AVmAVECRBIBUCEUBEICEB用晶刪體管鼻特性售圖示摸儀也是可直緣瑞接測譽量及亂顯示紀晶體癢管的內各個特性腿曲線違。晶體鞭管的疏特性炕曲線摘是表鈴示一拜只晶絨體管將各電歲極電繳壓與杰電流翅之間陣關系饑的曲萍線。頓是應下用晶腸體管駛和分案析放苦大電丸路的分重要惑依據掛。1.輸入捏特性撐曲線輸入獄特性擠曲線當UCE為常乳數(shù)時緒的IB與UBE之間汪的關倦系曲孩線。00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V3D棵G6的輸森入特短性曲基線對硅牌管來盾說,宅當UCE1緒V時,拆集電地結已帥處于風反向質偏置游,發(fā)濫射結燒正向釋偏置衡所形田成電我流的茶絕大耽部分揉將形哄成集流電極混電流隙,UCE1拼V后,腐輸入駕特性制曲線巴基本調重合藏,只楚畫一況條。但IB與UBE的關栗系依擱然與PN結的恥正向類似誦。(當UCE更小牧,IB才會扇明顯缺增加)硅管雄的死區(qū)喂電壓刺為0.衡5V,鍺管的死區(qū)服電壓曲不超榴過0.軍1V。放大叨狀態(tài)遍硅NP炕N管UBE=0鋸.6~0.史7V導通蓬壓降漿:鍺PN芹P管UBE=轉-0甲.2~-0漿.3招V(參見茫右圖)2.輸出債特性顆曲線當IB一定洪時,UCE超過林約1V以后義就將男形成IC,當UCE繼續(xù)盲增加賊時,IC的增填加將勝不再命明顯孤。這畏是晶恩體管蹦的恒盤流特復性當IB增加干時,綠相應愛的IC也增返加,硬曲線期上移葡,而傘且IC比IB增加沖得更張明顯伍。這果是晶峰體管烘的電該流放患大作去用。輸出泊特性板曲線是在IB為常知數(shù)時闖,IC與UCE之間同的關甜系曲料線。抵在不諸同的IB下,府可得燈到不塊同的踢曲線糟,即識晶體蹤蝶管的介輸出姿特性物曲線絹是一篩組曲姻線(見下狗圖)。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120(1蟲)放大硬區(qū)特性輝曲線尸近于巷水平初的區(qū)座域??≡诜懦创髤^(qū)也稱疑線性緣瑞區(qū)。唇此時井發(fā)射威結正閑向偏捎置,驕集電怖結反榮向偏巧置。(2貫)截止寨區(qū)IB=0曲線蟲以下腦的區(qū)怖域。IB=0時IC=白ICE片O。對于省硅管黃當UBE<0阻.5奏V時即溉開始巧截止裂。為洞了可扮靠截匹止常音使UBE0。即截總止時律兩個PN結都暖反向息偏置輩。通常潤將晶雹體管棵的輸旋出特忍性曲郵線分遷為三蘭個工匠作區(qū)腸:2.輸出苗特性博曲線IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大區(qū)截止區(qū)2.輸出逼特性包曲線當UCE<UBE時,哄集電貧結處塞于正展向偏賢置,予晶體眨管工劑作于秧飽和擴狀態(tài)黑。在爆飽和朋區(qū),IB的變許化對IC影響蛙較小具,失禽去放庫大作橡用。即:土飽和尚時,染晶體瓜管的幅發(fā)射喪結處援于正兆偏、但集電藝結也橫處于川正偏娃。截止放大飽和發(fā)射結反偏正偏正偏集電結反偏反偏正偏各態(tài)偏置產情況魚:(3屑)飽和努區(qū)IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120放大尼區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)晶體焦管的完特性翁不僅松可用怎特性酒曲線魔表示篇,還動可用冷一些臘數(shù)據澤進行螺說明上,即晶體恩管參兄數(shù)。它鞠是設配計電汽路和晶選用撓器件酸的依粗據。當晶體猾管接叉成共株發(fā)射惡極時竊,靜扇態(tài)(直流)時的IC與IB的比并值稱怒為共笛發(fā)射單極靜態(tài)(直流)放大斬系數(shù):當晶體盾管工仇作在態(tài)動態(tài)宰時,昨電流吉增量ΔIC與ΔIB的比異值稱浴為動態(tài)(交流)放大薪系數(shù):1.電流爛放大傳系數(shù)藝、7.乏5.賴4主要振參數(shù)說明留:1、靜來態(tài)電黑流放翁大系炸數(shù)和梁動態(tài)侄電流紡放大兔系數(shù)墊的意屬義不崗同,鑄但大桐多數(shù)車情況牧下近租似相別等。晶體辨管的細輸出毀特性森曲線藝是非反線性秀的,跑只有猾在曲拌線的臉等距縱
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