SMART技術(shù)檢測(cè)磁盤故障參數(shù)

SMART一般狀況下，用戶只要觀看當(dāng)前值、最差值和臨界值的關(guān)系，并留意狀態(tài)提示信息即可大致了解硬盤的安康狀況。下面簡(jiǎn)潔介紹各參數(shù)的含義，以紅色標(biāo)出的工程是壽命關(guān)鍵項(xiàng)，藍(lán)色為固態(tài)硬盤〔SSD〕特有的工程。在基于閃存的固態(tài)硬盤中，存儲(chǔ)單元分為兩類： SLC〔SingleLayerCell，單層單元〕和 MLC〔Multi-LevelCell，多層單元〕。SLC本錢高、容量小、但讀寫速度快，牢靠性高，擦寫次數(shù)可高達(dá)100000次，比MLC高10倍。而MLC雖容量大、本錢低，但其性能大幅落后于SLC。為了保證MLC的壽命，把握芯片還要有智能磨損平衡技術(shù)算法，使每個(gè)存儲(chǔ)單元的寫入次數(shù)可以平均分?jǐn)?，以到達(dá)100萬(wàn)小時(shí)的平均無(wú)故障時(shí)間。因此固態(tài)硬盤有很多SMART參數(shù)是機(jī)械硬盤所沒有的，如存儲(chǔ)單元的擦寫次數(shù)、備用塊統(tǒng)計(jì)等等，這些增項(xiàng)大都由廠家自定義，有些尚無(wú)具體的解釋，有些解釋也未必準(zhǔn)確，此處也只是僅供參考。下面凡未注明廠商的固態(tài)硬盤特有的項(xiàng)均為SandForce主控芯片特有的，其它廠商各自單獨(dú)注明。01〔001〕底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率RawReadErrorRate數(shù)據(jù)為0或任意值，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。底層數(shù)據(jù)讀取錯(cuò)誤率是磁頭從磁盤外表讀取數(shù)據(jù)時(shí)消滅的錯(cuò)誤，對(duì)某些硬盤來(lái)說，大于0的數(shù)據(jù)說明磁盤外表或者讀寫磁頭發(fā)生問題，如介質(zhì)損傷、磁頭污染、磁頭共振等等。不過對(duì)希捷硬盤來(lái)說，很多硬盤的這一項(xiàng)會(huì)有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，主要是看當(dāng)前值下降的程度。在固態(tài)硬盤中，此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值包含了可校正的錯(cuò)誤與不行校正的RAISE〔UECC＋URAISE〕。注：RAISE〔RedundantArrayofIndependentSiliconElements〕意為獨(dú)立硅元素冗余陣列，是固態(tài)硬盤特有的一種冗余恢RAID陣列的數(shù)據(jù)安全性。02〔002〕磁盤讀寫通量性能ThroughputPerformance此參數(shù)表示硬盤的讀寫通量性能，數(shù)據(jù)值越大越好。當(dāng)前值假設(shè)偏低或趨近臨界值，表示硬盤存在嚴(yán)峻的問題，但現(xiàn)在的硬盤通常顯示數(shù)據(jù)值為0或根本不顯示此項(xiàng)，一般在進(jìn)展了人工脫機(jī)SMART測(cè)試后才會(huì)有數(shù)據(jù)量。03〔003〕主軸起旋時(shí)間SpinUpTime主軸起旋時(shí)間就是主軸電機(jī)從啟動(dòng)至到達(dá)額定轉(zhuǎn)速所用的時(shí)間，數(shù)據(jù)值直接顯示時(shí)間，單位為毫秒或者秒，因此數(shù)據(jù)值越小越好。不過對(duì)于正常硬盤來(lái)說，這一項(xiàng)僅僅是一個(gè)參考值，硬盤每次的啟動(dòng)時(shí)間都不一樣，某次啟動(dòng)的稍慢些也不表示就有問題。硬盤的主軸電機(jī)從啟動(dòng)至到達(dá)額定轉(zhuǎn)速大致需要4秒～15秒左右，過長(zhǎng)的啟動(dòng)時(shí)間說明電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或者軸承機(jī)構(gòu)有問題。旦這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些型號(hào)的硬盤上總是為0，這就要看當(dāng)前值和最差值來(lái)推斷了。對(duì)于固態(tài)硬盤來(lái)說，全部的數(shù)據(jù)都是保存在半導(dǎo)體集成電路中，沒有主軸電機(jī)，所以這項(xiàng)沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當(dāng)前值固定為100。04〔004〕Start/StopCount這一參數(shù)的數(shù)據(jù)是累計(jì)值，表示硬盤主軸電機(jī)啟動(dòng)/停頓的次數(shù)，硬盤通常只有幾次，以后會(huì)漸漸增加。系統(tǒng)的某些功能如空閑時(shí)關(guān)閉硬盤等會(huì)使硬盤啟動(dòng)/停頓的次數(shù)大為增加，在排解定時(shí)功能的影響下，過高的啟動(dòng)/停頓次數(shù)〔遠(yuǎn)大于通電次數(shù)0C〕示意硬盤電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)電路可能有問題。這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值是依據(jù)某種公式計(jì)算的結(jié)果，例如對(duì)希捷某硬盤來(lái)說臨界值為20，當(dāng)前值是通過公式“100－〔啟停計(jì)數(shù)/1024〕”計(jì)算得出的。假設(shè)硬盤的啟停計(jì)數(shù)為0，當(dāng)前值為100－(0/1024)＝100，隨著啟停次數(shù)的增加，該值不斷下降，當(dāng)啟停次數(shù)到達(dá) 81920次時(shí)，當(dāng)前值為100－(81920/1024)＝20，已到達(dá)臨界值，表示從啟停次數(shù)來(lái)看，該硬盤已達(dá)設(shè)計(jì)壽命，固然這只是個(gè)壽命參考值，并不具有確定的指標(biāo)性。這一項(xiàng)對(duì)于固態(tài)硬盤同樣沒有意義，數(shù)據(jù)固定為0，當(dāng)前值固定為100。05〔005〕重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)ReallocatedSectorsCount/退役塊RetiredBlockCount數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。當(dāng)硬盤的某扇區(qū)持續(xù)消滅讀/寫/校驗(yàn)錯(cuò)誤時(shí)，硬盤固件程序會(huì)將這個(gè)扇區(qū)的物理地址參與缺陷表(G-list)，將該地址重定向到預(yù)先保存的備用扇區(qū)并將其中的數(shù)據(jù)一并轉(zhuǎn)移，這就稱為重映射。執(zhí)行重映射操作后的硬盤在Windows常規(guī)檢測(cè)中是無(wú)法覺察不良扇區(qū)的，因其地址已被指向備用扇區(qū)，這等于屏蔽了不良扇區(qū)。這項(xiàng)參數(shù)的數(shù)據(jù)值直接表示已經(jīng)被重映射扇區(qū)的數(shù)量，當(dāng)前值則隨著數(shù)據(jù)值的增加而持續(xù)下降。當(dāng)覺察此項(xiàng)的數(shù)據(jù)值不為零時(shí)，要親熱留意其進(jìn)展趨勢(shì)，假設(shè)能長(zhǎng)期保持穩(wěn)定，則硬盤還可以正常運(yùn)行；假設(shè)數(shù)據(jù)值不斷上升，說明不良扇區(qū)不斷增加，硬盤已處于不穩(wěn)定狀態(tài)，應(yīng)當(dāng)考慮更換了。假設(shè)當(dāng)前值接近或已到達(dá)臨界值〔此時(shí)的數(shù)據(jù)值并不愿定很大，由于不同硬盤保存的備用扇區(qū)數(shù)并不一樣〕，表示缺陷表已滿或備用扇區(qū)已用完，已經(jīng)失去了重映射功能，再消滅不良扇區(qū)就會(huì)顯現(xiàn)出來(lái)并直接導(dǎo)致數(shù)據(jù)喪失。這一項(xiàng)不僅是硬盤的壽命關(guān)鍵參數(shù)，而且重映射扇區(qū)的數(shù)量也直接影響硬盤的性能，例如某些硬盤會(huì)消滅數(shù)據(jù)量很大，但當(dāng)前值下降不明顯的狀況，這種硬盤盡管還可正常運(yùn)行，但也不宜連續(xù)使用。由于備用扇區(qū)都是位于磁盤尾部〔靠近盤片軸心處〕，大量的使用備用扇區(qū)會(huì)使尋道時(shí)間增加，硬盤性能明顯下降。這個(gè)參數(shù)在機(jī)械硬盤上是格外敏感的，而對(duì)于固態(tài)硬盤來(lái)說同樣具有重要意義。閃存的壽命是正態(tài)分布的，例如說MLC能寫入一萬(wàn)次以上，實(shí)際上說的是寫入一萬(wàn)次之前不會(huì)發(fā)生“批量損壞”，但某些單元可能寫入幾十次就損壞了。換言之，機(jī)械硬盤的盤片不會(huì)因讀寫而損壞，消滅不良扇區(qū)大多與工藝質(zhì)量相關(guān)，而閃存的讀寫次數(shù)則是有限的，因而損壞是正常的。所以固態(tài)硬盤在制造時(shí)也保存了確定的空間，當(dāng)某個(gè)存儲(chǔ)單元消滅問題后即把損壞的局部隔離，用好的局部來(lái)頂替。這一替換方法和機(jī)械硬盤的扇區(qū)重映射是一個(gè)道理，只不過機(jī)械硬盤正常時(shí)極少有重映射操作，而對(duì)于固態(tài)硬盤是常常性的。在固態(tài)硬盤中這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)會(huì)隨著使用而不斷增長(zhǎng)，只要增長(zhǎng)的速度保持穩(wěn)定就可以。通常狀況下，數(shù)據(jù)值＝100－〔100×被替換塊/必需塊總數(shù)〕，因此也可以估算出硬盤的剩余壽命。Intel固態(tài)硬盤型號(hào)的第十二個(gè)字母表示了兩種規(guī)格，該字母為1表示第一代的50納米技術(shù)的SSD，為2表示其次代的34納米技術(shù)的SSD，如SSDSA2M160G2GN就表示是34nm的SSD。所以參數(shù)的查看也有兩種狀況：50nm的SSD〔一代〕要看當(dāng)前值。這個(gè)值初始是100，當(dāng)消滅替換塊的時(shí)候這個(gè)值并不會(huì)馬上變化，始終到已替換四個(gè)塊時(shí)這個(gè)值變?yōu)?，之后每增加四個(gè)塊當(dāng)前值就＋1。也就是100對(duì)應(yīng)0～3個(gè)塊，14～728～1134nm的SSD〔二代〕直接查看數(shù)據(jù)值，數(shù)據(jù)值直接表示有多少個(gè)被替換的塊。06〔006〕讀取通道余量ReadChannelMargin這一項(xiàng)功能不明，現(xiàn)在的硬盤也不顯示這一項(xiàng)。07〔007〕SeekErrorRate數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。這一項(xiàng)表示磁頭尋道時(shí)的錯(cuò)誤率，有眾多因素可導(dǎo)致尋道錯(cuò)誤率上升，如磁頭組件的機(jī)械系統(tǒng)、伺服電路有局部問題，盤片外表介質(zhì)不良，硬盤溫度過高等等。通常此項(xiàng)的數(shù)據(jù)應(yīng)為0，但對(duì)希捷硬盤來(lái)說，即使是硬盤，這一項(xiàng)也可能有很大的數(shù)據(jù)量，這不代表有任何問題，還是要看當(dāng)前值是否下降。08〔008〕SeekTimePerformance此項(xiàng)表示硬盤尋道操作的平均性能〔尋道速度〕，通常與前一項(xiàng)〔尋道錯(cuò)誤率〕相關(guān)聯(lián)。當(dāng)前值持續(xù)下降標(biāo)志著磁頭組件、尋道電機(jī)或伺服電路消滅問題，但現(xiàn)在很多硬盤并不顯示這一項(xiàng)。09〔009〕Power-OnTimeCount(POH)這個(gè)參數(shù)的含義一目了然，表示硬盤通電的時(shí)間，數(shù)據(jù)值直接累計(jì)了設(shè)備通電的時(shí)長(zhǎng)，硬盤固然應(yīng)當(dāng)接近0，但不同硬盤的計(jì)數(shù)單位有所不同，有以小時(shí)計(jì)數(shù)的，也有以分、秒甚至30秒為單位的，這由磁盤制造商來(lái)定義。這一參數(shù)的臨界值通常為0，當(dāng)前值隨著硬盤通電時(shí)間增加會(huì)漸漸下降，接近臨界值說明硬盤已接近估量的設(shè)計(jì)壽命，固然這并不說明硬盤將消滅故障或馬上報(bào)廢。參考磁盤制造商給出的該型號(hào)硬盤的MTBF〔平均無(wú)故障時(shí)間〕值，可以大致估量剩余壽命或故障概率。對(duì)于固態(tài)硬盤，要留意“設(shè)備優(yōu)先電源治理功能〔deviceinitiatedpowermanagement，DIPM〕”會(huì)影響這個(gè)統(tǒng)計(jì)：假設(shè)啟用了DIPM，持續(xù)通電計(jì)數(shù)里就不包括睡眠時(shí)間；假設(shè)關(guān)閉了DIPM功能，那么活動(dòng)、空閑和睡眠三種狀態(tài)的時(shí)間都會(huì)被統(tǒng)計(jì)在內(nèi)。0A〔010〕主軸起旋重試次數(shù)SpinupRetryCount0，當(dāng)前值應(yīng)大于臨界值。主軸起旋重試次數(shù)的數(shù)據(jù)值就是主軸電機(jī)嘗試重啟動(dòng)的計(jì)數(shù)，即主軸電機(jī)啟動(dòng)后在規(guī)定的時(shí)間里未能成功到達(dá)額定轉(zhuǎn)速而嘗試再次啟動(dòng)的次數(shù)。數(shù)據(jù)量的增加表示電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或是機(jī)械子系統(tǒng)消滅問題，整機(jī)供電缺乏也會(huì)導(dǎo)致這一問題。0B〔011〕磁頭校準(zhǔn)重試計(jì)數(shù)CalibrationRetryCount0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于與臨界值。硬盤在溫度發(fā)生變化時(shí)，機(jī)械部件〔特別是盤片〕會(huì)因熱脹冷縮消滅形變，因此需要執(zhí)行磁頭校準(zhǔn)操作消退誤差，有的硬盤還內(nèi)置了磁頭定時(shí)校準(zhǔn)功能。這一項(xiàng)記錄了需要再次校準(zhǔn)〔通常因上次校準(zhǔn)失敗〕的次數(shù)。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量增加，表示電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路或是機(jī)械子系統(tǒng)消滅問題，但有些型號(hào)的硬盤也有確定的數(shù)據(jù)量，并不表示有問題，還要看當(dāng)前值和最差值。0C〔012〕PowerCycleCount通電周期計(jì)數(shù)的數(shù)據(jù)值表示了硬盤通電/斷電的次數(shù)，即電源開關(guān)次數(shù)的累計(jì)，硬盤通常只有幾次。這一項(xiàng)與啟停計(jì)數(shù)〔04〕是有區(qū)分的，一般來(lái)說，硬盤通電/斷電意味著計(jì)算機(jī)的開機(jī)與關(guān)機(jī)，所以經(jīng)受一次開關(guān)機(jī)數(shù)據(jù)才會(huì)加1；而啟停計(jì)數(shù)〔04〕表示硬盤主軸電機(jī)的啟動(dòng)/停頓〔硬盤在運(yùn)行時(shí)可能屢次啟停，如系統(tǒng)進(jìn)入休眠或被設(shè)置為空閑多少時(shí)間而關(guān)閉〕。所以大多狀況下這個(gè)通電/斷電的次數(shù)會(huì)小于啟停計(jì)數(shù)〔04〕的次數(shù)。通常，硬盤設(shè)計(jì)的通電次數(shù)都很高，如至少5000次，因此這一計(jì)數(shù)只是壽命參考值，本身不具指標(biāo)性。0D〔013〕SoftReadErrorRate軟件讀取錯(cuò)誤率也稱為可校正的讀取誤碼率，就是報(bào)告給操作系統(tǒng)的未經(jīng)校正的讀取錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值越低越好，過高則可能示意盤片磁介質(zhì)有問題。AA〔170〕壞塊增長(zhǎng)計(jì)數(shù)GrownFailingBlockCount〔Micron鎂光〕讀寫失敗的塊增長(zhǎng)的總數(shù)。AB〔171〕ProgramFailBlockCountFlashAC〔172〕EraseFailBlockCount擦寫失敗塊的數(shù)量。AD〔173〕磨損平衡操作次數(shù)〔平均擦寫次數(shù)〕/WearLevelingCount〔Micron〕全部好塊的平均擦寫次數(shù)。Flash芯片有寫入次數(shù)限制，當(dāng)使用FAT文件系統(tǒng)時(shí)，需要頻繁地更文件安排表。假設(shè)閃存的某些區(qū)域讀寫過于頻繁，就會(huì)比其它區(qū)域磨損的更快，這將明顯縮短整個(gè)硬盤的壽命〔即便其它區(qū)域的擦寫次數(shù)還遠(yuǎn)小于最大限制〕。所以，假設(shè)讓整個(gè)區(qū)域具有均勻的寫入量，就可明顯延長(zhǎng)芯片壽命，這稱為磨損均衡措施。AE〔174〕意外失電計(jì)數(shù)UnexpectedPowerLossCount硬盤自啟用后發(fā)生意外斷電大事的次數(shù)。B1〔177〕磨損范圍比照值WearRangeDelta磨損最重的塊與磨損最輕的塊的磨損百分比之差。B4〔180〕未用的備用塊計(jì)數(shù) UnusedReservedBlockCountTotal〔惠普〕固態(tài)硬盤會(huì)保存一些容量來(lái)預(yù)備替換損壞的存儲(chǔ)單元，所以可用的預(yù)留空間數(shù)格外重要。這個(gè)參數(shù)的當(dāng)前值表示的是尚未使用的預(yù)留的存儲(chǔ)單元數(shù)量。B5〔181〕ProgramFailCount4〔AB〕參數(shù)相像。B5〔181〕4KBNon-4kAlignedAccess〔Micron鎂光〕B6〔182〕擦寫失敗計(jì)數(shù)EraseFailCount用4個(gè)字節(jié)顯示硬盤自啟用后塊擦寫失敗的次數(shù)，與〔AC〕參數(shù)相像。B7〔183〕SATADownshiftErrorCount這一項(xiàng)表示了SATA接口速率錯(cuò)誤下降的次數(shù)。通常硬盤與主板之SATA傳輸級(jí)別降級(jí)運(yùn)行。B8〔184〕I/O錯(cuò)誤檢測(cè)與校正I/OErrorDetectionandCorrection〔IOEDC〕“I/O錯(cuò)誤檢測(cè)與校正”是惠普公司專有的SMARTIV技術(shù)的一局部，與其他制造商的I/O錯(cuò)誤檢測(cè)和校正架構(gòu)一樣，它記錄了數(shù)據(jù)通RAM傳輸?shù)街鳈C(jī)時(shí)的奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤數(shù)量。B8〔184〕點(diǎn)到點(diǎn)錯(cuò)誤檢測(cè)計(jì)數(shù)EndtoEndErrorDetectionCountIntel其次代的34nm固態(tài)硬盤有點(diǎn)到點(diǎn)錯(cuò)誤檢測(cè)計(jì)數(shù)這一項(xiàng)。固態(tài)硬盤里有一個(gè)LBA〔logicalblockaddressing〕一項(xiàng)顯示了SSD內(nèi)部規(guī)律塊地址與真實(shí)物理地址間映射的出錯(cuò)次數(shù)。B8〔184〕原始?jí)膲K數(shù)InitBadBlockCount〔Indilinx芯片〕硬盤出廠時(shí)已有的壞塊數(shù)量。B9〔185〕磁頭穩(wěn)定性HeadStability〔西部數(shù)據(jù)〕意義不明。BA〔186〕nducedOp-VibrationDetection〔西部數(shù)據(jù)〕意義不明。BB〔187〕ReportedUncorrectableErrors〔希捷〕報(bào)告給操作系統(tǒng)的無(wú)法通過硬件ECC校正的錯(cuò)誤。假設(shè)數(shù)據(jù)值不為零，就應(yīng)當(dāng)備份硬盤上的數(shù)據(jù)了。報(bào)告給操作系統(tǒng)的在全部存取命令中消滅的無(wú)法校正的 RAISE〔URAISE〕錯(cuò)誤。BC〔188〕CommandTimeout由于硬盤超時(shí)導(dǎo)致操作終止的次數(shù)。通常數(shù)據(jù)值應(yīng)為0，假設(shè)遠(yuǎn)大于零，最有可能消滅的是電源供電問題或者數(shù)據(jù)線氧化致使接觸不良，也可能是硬盤消滅嚴(yán)峻問題。BD〔189〕HighFlyWrites磁頭飛行高度監(jiān)視裝置可以提高讀寫的牢靠性，這一裝置時(shí)刻監(jiān)測(cè)磁頭的飛行高度是否在正常范圍來(lái)保證牢靠的寫入數(shù)據(jù)。假設(shè)磁頭的飛行高度消滅偏差，寫入操作就會(huì)停頓，然后嘗試重寫入或者換一個(gè)位置寫入。這種持續(xù)的監(jiān)測(cè)過程提高了寫入數(shù)據(jù)的牢靠性，同時(shí)也降低了讀取錯(cuò)誤率。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值就統(tǒng)計(jì)了寫入時(shí)磁頭飛行高度消滅偏差的次數(shù)。BD〔189〕FactoryBadBlockCount〔Micron鎂光芯片〕BE〔190〕AirflowTemperature這一項(xiàng)表示的是硬盤內(nèi)部盤片外表的氣流溫度。在希捷公司的某些硬盤中，當(dāng)前值=〔100－當(dāng)前溫度〕，因此氣流溫度越高，當(dāng)前值就越低，最差值則是當(dāng)前值曾經(jīng)到達(dá)過的最低點(diǎn)，臨界值由制造商定義的最高允許溫度來(lái)確定，而數(shù)據(jù)值不具實(shí)際意義。很多硬盤也沒有這一項(xiàng)參數(shù)。BF〔191〕G-senseerrorrate這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到機(jī)械沖擊導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。C0〔192〕Power-OffRetractCount當(dāng)計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)或意外斷電時(shí)，硬盤的磁頭都要返回?？繀^(qū)，不能停留在盤片的數(shù)據(jù)區(qū)里。正常關(guān)機(jī)時(shí)電源會(huì)給硬盤一個(gè)通知，即StandbyImmediate，就是說主機(jī)要求將緩存數(shù)據(jù)寫入硬盤，然后就預(yù)備關(guān)機(jī)斷電了〔休眠、待機(jī)也是如此〕；意外斷電則表示硬盤在未收到關(guān)機(jī)通知時(shí)就失電，此時(shí)磁頭會(huì)自動(dòng)復(fù)位，快速離開盤片。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了磁頭返回的次數(shù)。但要留意這個(gè)參數(shù)對(duì)某些硬盤來(lái)說僅記錄意外斷電時(shí)磁頭的返回動(dòng)作；而某些硬盤記錄了全部〔包括休眠、待機(jī)，但不包括關(guān)機(jī)時(shí)〕的磁頭返回動(dòng)作；還有些硬盤這一項(xiàng)沒有記錄。因此這一參數(shù)的數(shù)據(jù)值在某些硬盤上持續(xù)為 0或稍大于0，但在另外的硬盤上則會(huì)大于通電周期計(jì)數(shù)〔0C〕或啟停計(jì)數(shù)〔04〕的數(shù)據(jù)。在一些型節(jié)能硬盤中，這一參數(shù)的數(shù)據(jù)量還與硬盤的節(jié)能設(shè)計(jì)相關(guān)，可能會(huì)遠(yuǎn)大于通電周期計(jì)數(shù)〔0C〕或啟停計(jì)數(shù)〔04〕的數(shù)據(jù)，但又遠(yuǎn)小于磁頭加載/卸載計(jì)數(shù)〔C1〕的數(shù)據(jù)量。對(duì)于固態(tài)硬盤來(lái)說，雖然沒有磁頭的加載/卸載操作，但這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量仍然代表了擔(dān)憂全關(guān)機(jī)，即發(fā)生意外斷電的次數(shù)。C1〔193〕磁頭加載/卸載計(jì)數(shù)Load/UnloadCycleCount對(duì)于過去的硬盤來(lái)說，盤片停頓旋轉(zhuǎn)時(shí)磁頭臂?？坑诒P片中心軸處的?？繀^(qū)，磁頭與盤片接觸，只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)到確定轉(zhuǎn)速時(shí)，磁頭才開頭漂移于盤片之上并開頭向外側(cè)移動(dòng)至數(shù)據(jù)區(qū)。這使得磁頭在硬盤啟停時(shí)都與盤片發(fā)生摩擦，雖然盤片的?？繀^(qū)不存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但無(wú)疑啟停一個(gè)循環(huán)，就使磁頭經(jīng)受兩次磨損。所以對(duì)以前的硬盤來(lái)說，磁頭起降〔加載/卸載〕次數(shù)是一項(xiàng)重要的壽命關(guān)鍵參數(shù)。而在現(xiàn)代硬盤中，尋常磁頭臂是?？坑诒P片之外的一個(gè)特地設(shè)計(jì)的停靠架上，遠(yuǎn)離盤片。只有當(dāng)盤片旋轉(zhuǎn)到達(dá)額定轉(zhuǎn)速后，磁頭臂才開頭向內(nèi)〔盤片軸心〕轉(zhuǎn)動(dòng)使磁頭移至盤片區(qū)域〔加載〕，磁頭臂向外轉(zhuǎn)動(dòng)返回至?？考芗葱遁d。這樣就徹底杜絕了硬盤啟停時(shí)磁頭與盤片接觸的現(xiàn)象，西部數(shù)據(jù)公司將其稱為“斜坡加載技術(shù)”。由于磁頭在加載/卸載過程中始終不與盤片接觸，不存在磁頭的磨損，使得這一參數(shù)的重要性已經(jīng)大大下降。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值就是磁頭執(zhí)行加載/卸載操作的累計(jì)次數(shù)。從原理上講，這個(gè)加載/卸載次數(shù)應(yīng)當(dāng)與硬盤的啟停次數(shù)相當(dāng)，但對(duì)于筆記本內(nèi)置硬盤以及臺(tái)式機(jī)型節(jié)能硬盤來(lái)說，這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)量會(huì)很大。這是由于磁頭臂組件設(shè)計(jì)有一個(gè)固定的返回力矩，保證在意外斷電時(shí)磁頭能靠彈簧力自動(dòng)離開盤片半徑范圍，快速返回?？考堋Ｋ砸層脖P運(yùn)行時(shí)磁頭保持在盤片的半徑之內(nèi)，就要使磁頭臂驅(qū)動(dòng)電機(jī)〔尋道電機(jī)〕持續(xù)通以電流。而讓磁頭臂在硬盤空閑幾分鐘后就馬上執(zhí)行卸載動(dòng)作，返回到停靠架上，既有利于節(jié)能，又降低了硬盤受外力沖擊導(dǎo)致磁頭與盤片接觸的概率。雖然再次加載會(huì)增加一點(diǎn)尋道時(shí)間，但到底弊大于利，所以在這類硬盤中磁頭的加載/卸載次數(shù)會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于通電周期計(jì)數(shù)〔0C〕或啟停計(jì)數(shù)〔04〕的數(shù)據(jù)量。不過這種加載/卸載方式已經(jīng)沒有了磁頭與盤片的接觸，所以設(shè)計(jì)值也已大大增加，通常筆記本內(nèi)置硬盤的磁頭加載/卸載額定值在30～60萬(wàn)次，而臺(tái)式機(jī)型節(jié)能硬盤的磁頭加載/卸載設(shè)計(jì)值可達(dá)一百萬(wàn)次。C2〔194〕Temperature溫度的數(shù)據(jù)值直接表示了硬盤內(nèi)部的當(dāng)前溫度。硬盤運(yùn)行時(shí)最好不要超過45℃，溫度過高雖不會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)喪失，但引起的機(jī)械變形會(huì)導(dǎo)致尋道與讀寫錯(cuò)誤率上升，降低硬盤性能。硬盤的最高允許運(yùn)行溫60℃。不同廠家對(duì)溫度參數(shù)的當(dāng)前值、最差值和臨界值有不同的表示方法：希捷公司某些硬盤的當(dāng)前值就是實(shí)際溫度〔攝氏〕值，最差值則是曾經(jīng)到達(dá)過的最高溫度，臨界值不具意義；而西部數(shù)據(jù)公司一些硬盤的最差值是溫度上升到某值后的時(shí)間函數(shù)，每次升溫后的持續(xù)時(shí)間都將導(dǎo)致最差值漸漸下降，當(dāng)前值則與當(dāng)前溫度成反比，即當(dāng)前溫度越高，當(dāng)前值越低，隨實(shí)際溫度波動(dòng)。C3〔195〕ECCHardwareECCRecoveredECC〔ErrorCorrectingCode〕的意思是“錯(cuò)誤檢查和訂正”，這個(gè)技術(shù)能夠容許錯(cuò)誤，并可以將錯(cuò)誤更正，使讀寫操作得以持續(xù)進(jìn)行，不致因錯(cuò)誤而中斷。這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值記錄了磁頭在盤片上讀寫時(shí)通過ECC技術(shù)校正錯(cuò)誤的次數(shù)，不過很多硬盤有其制造商特定的數(shù)據(jù)構(gòu)造，因此數(shù)據(jù)量的大小并不能直接說明問題。C3〔195〕實(shí)時(shí)無(wú)法校正錯(cuò)誤計(jì)數(shù)OntheflyECCUncorrectableErrorCount這一參數(shù)記錄了無(wú)法校正〔UECC〕的錯(cuò)誤數(shù)量。C3〔195〕編程錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù)ProgramFailureblockCount〔Indilinx〕C4〔196〕重映射大事計(jì)數(shù)ReallocetionEventsCount0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值記錄了將重映射扇區(qū)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到備用扇區(qū)的嘗試次數(shù)，是重映射操作的累計(jì)值，成功的轉(zhuǎn)移和不成功的轉(zhuǎn)移都會(huì)被計(jì)數(shù)。因此這一參數(shù)與重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)〔05〕相像，都是反映硬盤已經(jīng)存在不良扇區(qū)。C4〔196〕EraseFailureblockCount〔Indilinx芯片〕在固態(tài)硬盤中，這一參數(shù)記錄了被重映射的塊編程失敗的數(shù)量。C5〔197〕CurrentPendingSectorCount數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)表示了“不穩(wěn)定的”扇區(qū)數(shù)，即等待被映射的扇區(qū)〔也稱“被掛起的扇區(qū)”〕數(shù)量。假設(shè)不穩(wěn)定的扇區(qū)隨后被讀寫成功，該扇區(qū)就不再列入等待范圍，數(shù)據(jù)值就會(huì)下降。僅僅讀取時(shí)出錯(cuò)的扇區(qū)并不會(huì)導(dǎo)致重映射，只是被列入“等待”，或許以后讀取就沒有問題，所以只有在寫入失敗時(shí)才會(huì)發(fā)生重映射。下次對(duì)該扇區(qū)寫入時(shí)假設(shè)連續(xù)出錯(cuò)，就會(huì)產(chǎn)生一次重映射操作，此時(shí)重映射扇區(qū)計(jì)數(shù)〔05〕與重映射大事計(jì)數(shù)〔C4〕的數(shù)據(jù)值增加，此參數(shù)的數(shù)據(jù)值下降。C5〔197〕讀取錯(cuò)誤塊計(jì)數(shù)〔不行修復(fù)錯(cuò)誤〕ReadFailureblockCount〔Indilinx〕C6〔198〕脫機(jī)無(wú)法校正的扇區(qū)計(jì)數(shù) OfflineUncorrectableSectorCount數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了讀寫扇區(qū)時(shí)發(fā)生的無(wú)法校正的錯(cuò)誤總數(shù)。數(shù)據(jù)值上升說明盤片外表介質(zhì)或機(jī)械子系統(tǒng)消滅問題，有些扇區(qū)確定已經(jīng)不能讀取，假設(shè)有文件正在使用這些扇區(qū)，操作系統(tǒng)會(huì)返回讀盤錯(cuò)誤的信息。下一次寫操作時(shí)會(huì)對(duì)該扇區(qū)執(zhí)行重映射。C6〔198〕總讀取頁(yè)數(shù)TotalCountofReadSectors〔Indilinx芯片〕C7〔199〕UltraATA訪問校驗(yàn)錯(cuò)誤率UltraATACRCErrorRate這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)值累計(jì)了通過接口循環(huán)冗余校驗(yàn)〔 InterfaceCyclicRedundancyCheck，ICRC〕覺察的數(shù)據(jù)線傳輸錯(cuò)誤的次數(shù)。假設(shè)數(shù)據(jù)值不為0且持續(xù)增長(zhǎng)，表示硬盤把握器→數(shù)據(jù)線→硬盤接口消滅錯(cuò)誤，劣質(zhì)的數(shù)據(jù)線、接口接觸不良都可能導(dǎo)致此現(xiàn)象。由于這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)值不會(huì)復(fù)零，所以某些硬盤也會(huì)消滅確定的數(shù)據(jù)量，只要更換數(shù)據(jù)線后數(shù)據(jù)值不再連續(xù)增長(zhǎng)，即表示問題已得到解決。C7〔199〕TotalCountofWriteSectors〔Indilinx芯片〕C8〔200〕WriteErrorRate/Multi-ZoneErrorRate〔西部數(shù)據(jù)〕數(shù)據(jù)應(yīng)為0，當(dāng)前值應(yīng)遠(yuǎn)大于臨界值。這個(gè)參數(shù)的數(shù)據(jù)累計(jì)了向扇區(qū)寫入數(shù)據(jù)時(shí)消滅錯(cuò)誤的總數(shù)。有的硬盤也會(huì)有確定的數(shù)據(jù)量，假設(shè)數(shù)據(jù)值持續(xù)快速上升〔當(dāng)前值偏低〕，表示盤片、磁頭組件可能有問題。C8〔200〕總讀取指令數(shù)TotalCountofReadCommand〔Indilinx〕C9〔201〕OffTrackErrorRate/規(guī)律SoftReadErrorRate數(shù)據(jù)值累積了讀取時(shí)脫軌的錯(cuò)誤數(shù)量，假設(shè)數(shù)據(jù)值不為0，最好備份硬盤上的資料。C9〔201〕TACounterDetected意義不明C9〔201〕寫入指令總數(shù)TotalCountofWriteCommand〔Indilinx〕CA〔202〕DataAddressMarkerrors數(shù)據(jù)值越低越好〔或者由制造商定義〕。CA〔202〕TACounterIncreased〔意義不明〕CA〔202〕PercentageOfTheRatedLifetimeUsed〔Micron鎂光芯片〕當(dāng)前值從100開頭下降至0，表示全部塊的擦寫余量統(tǒng)計(jì)。計(jì)算方法是以MLC擦寫次數(shù)除以50，SLC1000，結(jié)果取整數(shù)，將其與100的差值作為當(dāng)前值〔MLC估量擦寫次數(shù)為5000，SLC100000〕。CA〔202〕閃存總錯(cuò)誤bit數(shù)TotalCountoferrorbitsfromflash〔Indilinx〕CB〔203〕ECCRunOutCancel錯(cuò)誤檢查和訂正〔ECC〕出錯(cuò)的頻度。CB〔203〕校正bit錯(cuò)誤的總讀取頁(yè)數(shù)TotalCountofReadSectorswithcorrectbitserror〔Indilinx〕CC〔204〕ECCSoftECCCorrectionECCCC〔204〕BadBlockFullFlag〔Indilinx芯片〕CD〔205〕ThermalAsperityRate(TAR)由超溫導(dǎo)致的錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)值應(yīng)為0。CD〔205〕最大可編程/擦除次數(shù)MaxP/ECount〔Indilinx芯片〕CE〔206〕FlyingHeight磁頭距離盤片外表的垂直距離。高度過低則增加了磁頭與盤片接觸導(dǎo)致?lián)p壞的可能性；高度偏高則增大了讀寫錯(cuò)誤率。不過準(zhǔn)確地說，硬盤中并沒有任何裝置可以直接測(cè)出磁頭的飛行高度，制造商也只是依據(jù)磁頭讀取的信號(hào)強(qiáng)度來(lái)推算磁頭飛行高度。CE〔206〕底層數(shù)據(jù)寫入出錯(cuò)率WriteErrorRateCE〔206〕最小擦寫次數(shù)EraseCountMin〔Indilinx芯片〕CF〔207〕SpinHighCurrent數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機(jī)運(yùn)行時(shí)消滅浪涌電流的次數(shù)，數(shù)據(jù)量的增加意味著軸承或電機(jī)可能有問題。CF〔207〕最大擦寫次數(shù)EraseCountMax〔Indilinx芯片〕D0〔208〕SpinBuzz數(shù)據(jù)值記錄了主軸電機(jī)反復(fù)嘗試啟動(dòng)的次數(shù)，這通常是由于電源供電缺乏引起的。D0〔208〕平均擦寫次數(shù)EraseCountAverage〔Indilinx〕D1〔209〕OfflineSeekPerformance這一項(xiàng)表示驅(qū)動(dòng)器在脫機(jī)狀態(tài)下的尋道性能，通常用于工廠內(nèi)部測(cè)試。D1〔209〕RemainingLife%〔Indilinx芯片〕D2〔210〕RampLoadValue這一項(xiàng)僅見于幾年前邁拓制造的局部硬盤。通常數(shù)據(jù)值為0，意義不明。D2〔210〕BBMErrorLog〔Indilinx芯片〕D3〔211〕VibrationDuringWrite寫入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部振動(dòng)的記錄。D3〔211〕SATA主機(jī)接口CRC寫入錯(cuò)誤計(jì)數(shù)SATAErrorCountCRC(Write)〔Indilinx〕D4〔212〕寫入時(shí)沖擊ShockDuringWrite寫入數(shù)據(jù)時(shí)受到受到外部機(jī)械沖擊的記錄。D4〔212〕SATA主機(jī)接口讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù) SATAErrorCountCountCRC(Read)〔Indilinx芯片〕DC〔220〕DiskShift硬盤中的盤片相對(duì)主軸的偏移量〔通常是受外力沖擊或溫度變化所致〕，單位未知，數(shù)據(jù)值越小越好。DD〔221〕G-senseerrorrate與〔BF〕一樣，數(shù)據(jù)值記錄了硬盤受到外部機(jī)械沖擊或振動(dòng)導(dǎo)致出錯(cuò)的頻度。DE〔222〕LoadedHours磁頭臂組件運(yùn)行的小時(shí)數(shù)，即尋道電機(jī)運(yùn)行時(shí)間累計(jì)。DF〔223〕磁頭加載/卸載重試計(jì)數(shù)Load/UnloadRetryCount這一項(xiàng)與〔C1〕項(xiàng)類似，數(shù)據(jù)值累積了磁頭嘗試重加載/卸載的次數(shù)。E0〔224〕LoadFriction磁頭工作時(shí)受到的機(jī)械部件的阻力。E1〔225〕主機(jī)寫入數(shù)據(jù)量HostWrites由于閃存的擦寫次數(shù)是有限的，所以這項(xiàng)是固態(tài)硬盤特有的統(tǒng)計(jì)。Intel的SSD是每當(dāng)向硬盤寫入了65536個(gè)扇區(qū)，這一項(xiàng)的數(shù)據(jù)就＋1。假設(shè)用HDTune等軟件查看SMART時(shí)可以自己計(jì)算，IntelSSDToolbox已經(jīng)為你算好了，直接就顯示了曾向SSD中寫入過的數(shù)據(jù)量。E2〔226〕Load‘In’-time磁頭組件運(yùn)行時(shí)間的累積數(shù)，即磁頭臂不在?？繀^(qū)的時(shí)間，與〔DE〕項(xiàng)相像。E3〔227〕TorqueAmplificationCount主軸電機(jī)