電子行業(yè)深度研究報告-國產(chǎn)化是主線汽車電子持續(xù)景氣

電子行業(yè)深度研究報告：國產(chǎn)化是主線，汽車電子持續(xù)景氣1、半導(dǎo)體：堅定看好設(shè)備材料國產(chǎn)化趨勢，功率、模擬等景氣持續(xù)1.1、國產(chǎn)化趨勢不改，堅定看好設(shè)備材料板塊供需偏緊有望持續(xù)，晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)和資本開支依然積極。自

2020

年下半年開始，由

于

5G、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等需求強(qiáng)勁，而晶圓供給端增長相對不明顯，因此芯片

出現(xiàn)較為普遍的缺貨漲價現(xiàn)象，行業(yè)持續(xù)高景氣。WSTS、SEMI等機(jī)構(gòu)也都紛紛

預(yù)測，在

2020

年的高基數(shù)基礎(chǔ)上，全球半導(dǎo)體市場、半導(dǎo)體設(shè)備市場和半導(dǎo)體材

料市場規(guī)模在未來兩三年仍將持續(xù)上漲。而近期手機(jī)、消費(fèi)電子等需求出現(xiàn)放緩跡象，部分芯片緊缺漲價情況有所緩解，

但

HPC、汽車相關(guān)等需求整體上依然較為旺盛且持續(xù)性強(qiáng)，為驅(qū)動行業(yè)增長的多

年大趨勢，同時經(jīng)過此輪缺貨后，諸多下游廠商都開始傾向于建立更高的庫存水

位，因此臺積電等晶圓廠龍頭依然保持較為積極的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃和資本開支計劃。臺積電在最新

Q3

業(yè)績說明會中表明，預(yù)計

2021、2022

全年臺積電仍將處于產(chǎn)能

緊張狀態(tài)，并給出

2021

年資本開支指引為

300

億美元，同時其還宣布日本建廠擴(kuò)

產(chǎn)計劃，該計劃在此前宣布的三年

1000

億美元計劃之外，是增量開支，并稱不排

除在歐洲建廠擴(kuò)產(chǎn)的計劃。此外英特爾等廠商也都給出積極的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃和資本開

支計劃。受益于行業(yè)資本開支高漲，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望持續(xù)創(chuàng)新高。據(jù)

SEMI在

2021

年

7

月的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模在

2020

年達(dá)到

711

億美元創(chuàng)下

歷史新高，并預(yù)計

2021

年將加速增長

34%達(dá)

953

億美元、2022

年將持續(xù)增長突

破千億美元。類似地，在晶圓廠飽滿的產(chǎn)能以及積極的擴(kuò)產(chǎn)與資本開支下，全球半導(dǎo)體材料市

場規(guī)模也有望持續(xù)增長，SEMI預(yù)計

2021

年全球半導(dǎo)體材料市場規(guī)模將增長

6%，

達(dá)到

587

億美元。國內(nèi)晶圓廠/存儲廠進(jìn)入資本開支高峰期，為國產(chǎn)設(shè)備廠商提供巨大市場空間。國

內(nèi)的中芯國際、長江存儲、長鑫存儲、華虹集團(tuán)等晶圓廠/存儲廠在技術(shù)工藝上實

現(xiàn)突破后，正進(jìn)入加速擴(kuò)產(chǎn)期，對應(yīng)資本開支也進(jìn)入爆發(fā)期，為設(shè)備廠商帶來了

巨大的訂單機(jī)會。以

中芯國際為例，加上

2021

年

9

月公告的臨港擴(kuò)產(chǎn)項目后，北京、天津、上海三地

成熟制程擴(kuò)產(chǎn)的預(yù)計投資便達(dá)到

188

億美元，考慮到先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)等投資后更是

有望突破

200

億美元。長江存儲、長鑫存儲也都處于加速擴(kuò)產(chǎn)期，未來三年累計

資本開支也都各自有望突破

200

億美元。同時，當(dāng)前環(huán)境下國內(nèi)客戶紛紛加速推進(jìn)國產(chǎn)化進(jìn)程，設(shè)備廠商迎來良好的發(fā)展

機(jī)遇。在當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦的大背景下，國內(nèi)晶圓廠對于核心供應(yīng)鏈自主可控的

需求日益增強(qiáng)，國內(nèi)設(shè)備、材料廠商迎來千載難逢的好機(jī)會，國產(chǎn)化速度將進(jìn)一

步提速，以長江存儲為例，國產(chǎn)設(shè)備在各個環(huán)節(jié)的比例在逐漸提升，未來隨著資

本開支進(jìn)一步加大，國產(chǎn)化比例有望進(jìn)一步提升，相關(guān)細(xì)分領(lǐng)域的龍頭公司訂單

及業(yè)績有望持續(xù)加速。此外，在

2021

年

ICworld大會上，中芯國際相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)也表示，目標(biāo)到

2025

年要

快速擴(kuò)產(chǎn)

40-50

萬片/月新產(chǎn)能，將大幅提升對于設(shè)備、材料、零部件的需求，同

時公司重點(diǎn)扶持戰(zhàn)略供應(yīng)商，包括國內(nèi)設(shè)備、材料、零部件等領(lǐng)域的國產(chǎn)廠商，

將批量采購支持戰(zhàn)略供應(yīng)商。設(shè)備環(huán)節(jié)，大幅度提升平均每種設(shè)備數(shù)量，從

4

臺/

種提升至

30

臺/種；零部件環(huán)節(jié)，也大幅提升電控部件、光學(xué)部件、石英部件、

陶瓷部件、金屬部件等領(lǐng)域的自主可控能力。因此，隨著國內(nèi)主要晶圓廠存儲廠進(jìn)入擴(kuò)產(chǎn)高峰期并加速推進(jìn)國產(chǎn)替代進(jìn)程，國

內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備材料廠商面臨著巨大的成長機(jī)會。以設(shè)備為例，我們通過估測國內(nèi)

主要晶圓廠/存儲廠的資本開支及設(shè)備國產(chǎn)化比例的情況，對未來三年國產(chǎn)半導(dǎo)體

設(shè)備國產(chǎn)化空間進(jìn)行了測算，判斷未來三年國產(chǎn)設(shè)備廠商面臨的訂單機(jī)會將持續(xù)

快速增加，各領(lǐng)域的細(xì)分龍頭在下游客戶持續(xù)實現(xiàn)工序和份額突破，將深度受益

于此輪國內(nèi)晶圓廠/存儲廠的擴(kuò)產(chǎn)高峰及國產(chǎn)替代加速。設(shè)備環(huán)節(jié)半導(dǎo)體設(shè)備方面，雖然全球市場

AMAT、TEL、LamResearch等海外龍頭基本主

導(dǎo)了各個細(xì)分行業(yè)格局，但國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商也在各個細(xì)分環(huán)節(jié)積極布局，并

在多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，尤其是北方華創(chuàng)、盛美股份、芯源微、華峰測控（機(jī)械組

覆蓋）等細(xì)分優(yōu)質(zhì)龍頭，技術(shù)能力和產(chǎn)品范圍持續(xù)拓寬，在成熟制程可實現(xiàn)國產(chǎn)

替代的比例逐漸提高，預(yù)計將深度受益于國產(chǎn)化加速推進(jìn)。材料環(huán)節(jié)半導(dǎo)體材料方面，其細(xì)分種類眾多，整體上各個細(xì)分行業(yè)都以海外廠商為主導(dǎo)。

以硅片為例，全球市場主要由信越化學(xué)、SUMCO等少數(shù)廠商主導(dǎo)，國內(nèi)廠商在

大尺寸硅片尤其是12英寸仍有巨大進(jìn)步空間；再比如光刻膠環(huán)節(jié)，基本是由JSR、

東京應(yīng)化、信越化學(xué)等廠商占據(jù)多數(shù)份額，國內(nèi)廠商替代空間廣闊。1.2、汽車芯片需求將持續(xù)，功率、模擬等景氣無憂智能化、電動化趨勢加速，汽車相關(guān)需求依然強(qiáng)勁。隨著全球各國對于“碳中和”

“碳達(dá)峰”等相關(guān)的目標(biāo)制定和政策推進(jìn)，以及新能源和自動駕駛技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

的完善成熟，汽車的電動化、智能化趨勢明顯加速，全球新能源汽車銷量也呈現(xiàn)

快速增長，且預(yù)計未來數(shù)年仍有望持續(xù)較快增長。同時新能源汽車中汽車電子占比也大幅提升，顯著拉動功率器件、模擬芯片等需

求快速增長。以功率半導(dǎo)體為例，作為電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，

主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，廣泛應(yīng)用于汽車電子、

通信、工控等領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體可分為功率器件和功率

IC，其中功率器件主要包

括二極管、MOSFET、IGBT、晶閘管等產(chǎn)品，其中

MOSFET和

IGBT也被認(rèn)為是

未來

5

年增長最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電

路的場效應(yīng)晶體管，具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)。在電路中，MOSFET可以用作放大器、電子開關(guān)等；IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，它是由

BJT和

MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，既有

MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻

抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有

BJT導(dǎo)通電壓低、

通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能

比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。作為電路中不可或缺的組成部分，MOSFET和

IGBT的應(yīng)用范圍非常廣泛。

MOSFET的應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車

電子、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。由于

IGBT具有耐高壓的特點(diǎn)，因此除了新能源汽

車和消費(fèi)電子外，在

1700V以上的高電壓領(lǐng)域，IGBT也多用于軌道交通、清潔

發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要場景。在新能源汽車中，功率器件是不可或缺的組成部分，尤其是

IGBT和

MOSFET直

接影響著電動車功率的釋放速度，能夠?qū)崿F(xiàn)直流電-交流電的轉(zhuǎn)換，對交流電機(jī)進(jìn)

行變頻控制等，基本覆蓋了

DC-DC變換、逆變器（電機(jī)驅(qū)動）、DBC（充電、逆

變）等多個新能源車核心應(yīng)用領(lǐng)域。此外，MOSFET還能夠在智能車窗、