電子行業(yè)深度報(bào)告：大算力時(shí)代下先進(jìn)封裝大有可為

正文目錄先進(jìn)封裝成為摩爾代提升系統(tǒng)性能的流勢(shì) 4爾律濟(jì)能到瓶，進(jìn)裝升片系性能 4裝術(shù)展勢(shì)芯片能斷高系趨于型化 5進(jìn)裝技與態(tài)根需不迭，應(yīng)用高能景 6先進(jìn)封裝市場(chǎng)間廣，為半導(dǎo)體設(shè)備行帶增量 10進(jìn)裝場(chǎng)間闊，國(guó)陸進(jìn)裝業(yè)蓬發(fā)展 10進(jìn)裝半體備行帶增量 高性能計(jì)算驅(qū)半導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先進(jìn)封實(shí)算力提升 13HC越機(jī)為體第大求動(dòng)，算力代臨 13AI服器業(yè)迎高景，構(gòu)成異計(jì)算推力展 14hpet優(yōu)明，產(chǎn)芯局徑一 16龍頭積極布局進(jìn)封，中國(guó)大陸封裝廠蓬發(fā)展 18圓和測(cè)積布局進(jìn)裝側(cè)點(diǎn)有不同 18OT競(jìng)格較定，國(guó)陸商勃展 20投資建議 24風(fēng)險(xiǎn)因素 24圖表1: 單位量晶管本比 4圖表2: 硅的胞構(gòu)硅子間利率 4圖表3: 集成路發(fā)方向 5圖表4: 封裝術(shù)展四階段 5圖表5: 先進(jìn)裝術(shù)發(fā)主朝上晶制和游組兩方向 6圖表6: 先進(jìn)裝要素 6圖表7: 主流進(jìn)裝術(shù)案延伸式 7圖表8: 主流裝術(shù)案特點(diǎn) 7圖表9: 主流裝術(shù)案應(yīng)用 8圖表0: 系統(tǒng)封示圖 9圖表1: Chpet可看一硬形的 9圖表2: 3DChpet構(gòu)意圖 10圖表3: 2021年裝場(chǎng)模成 10圖表4: 2027年裝場(chǎng)模成 10圖表5: 2016年202E中大裝市規(guī)模 圖表6: 2019226先封主技術(shù)場(chǎng)模預(yù)（$） 圖表7: 傳統(tǒng)裝步與備 12圖表8: 先進(jìn)裝圓工所設(shè)備 12圖表9: 部分藝節(jié)備競(jìng)格局 13圖表0: 臺(tái)電201至下用領(lǐng)營(yíng)占） 13圖表1: 中國(guó)能力模預(yù)（百億浮運(yùn)秒EFS） 14圖表2: 2022226球AI服器出量估 14圖表3: 面向場(chǎng)的構(gòu)算速平臺(tái) 15圖表4: 英特的CoB技于典的構(gòu)成術(shù) 15圖表5: 后摩能H0片與nm芯片能較 16圖表6: 采用Chpet計(jì)提統(tǒng)的能度 16圖表7: Chpet與o、P的較 17圖表8: 用Chpet技的7n+1m的價(jià)vsnm 17圖表9: 啟明30片物 18圖表0:2021年測(cè)及圓頭在進(jìn)裝業(yè)資支出$） 18圖表1: 英特封技發(fā)路圖 19圖表2: 臺(tái)積推“Dbc”進(jìn)封平臺(tái) 19圖表3: 日月半體的Vck進(jìn)裝平臺(tái) 20圖表4: 2022年內(nèi)已上封測(cè)營(yíng)情況 20圖表5: 2022年球十大OT廠商在域占率 21圖表6: 長(zhǎng)電技進(jìn)裝品局 22圖表7: 通富電圓封技可以用高能ACCU 22圖表8: 華天技出Dax進(jìn)封平臺(tái) 23圖表9: 甬矽子務(wù)位高先進(jìn)裝 23圖表0: 晶方技集度高靠性汽傳器裝 24先進(jìn)封裝成為后摩爾時(shí)代提升系統(tǒng)性能的主流趨勢(shì)摩爾定律經(jīng)濟(jì)效能達(dá)到瓶頸，先進(jìn)封裝提升芯片系統(tǒng)性能摩爾定律持續(xù)推進(jìn)來(lái)經(jīng)濟(jì)效能達(dá)到瓶頸定指著術(shù)進(jìn)芯片容納的體數(shù)會(huì)指級(jí)增，1.52年一同帶芯性提一倍或成本降半效著芯制工的斷展芯上納晶數(shù)量斷增加但位量體的成下幅正持降低根IB的統(tǒng)及測(cè)從16nm10n每1億體管成降了3.7從7n到5n成下18從5n到3n成僅降.2。圖表1: 單位量晶管本比制程16nm10nm7nm5nm3nm芯片積(m^2)12587.6683.278585晶體數(shù)(億)3.34.36.910.514.1晶粒數(shù)單晶圓478686721707707晶粒產(chǎn)/片圓359.74512.44545.65530.25509.04晶圓格()5912838999651250015500晶粒格()16.4316.4318.2623.5730.45每10個(gè)體的()4.983.812.652.252.16Inentoaluinsstaeis，芯智訊，集成電路中晶體管尺寸的微縮逐漸接近硅原子的物理極限。芯片工藝尺寸日益走向極致3n至1n，1n的寬中能納2硅子晶（圖a=05n，如若進(jìn)一微就進(jìn)子物的臨段較棘的子穿應(yīng)和熱等問(wèn)晶管量增加造短道即當(dāng)?shù)蓝榷塘课锢碇禃r(shí)會(huì)生子穿從而晶管性衰體工會(huì)產(chǎn)生熱量，數(shù)萬(wàn)的體以較的隔置，需要決熱題。圖表2: 硅的胞構(gòu)硅子間利率《基于SiP技術(shù)的系統(tǒng)，SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)，先進(jìn)封裝成為超越爾提升系統(tǒng)性能關(guān)路徑之一前成發(fā)沿著個(gè)術(shù)線一個(gè)摩定的即片型的向展通過(guò)微縮半導(dǎo)體器件的晶體管尺寸以增加可容納的晶體管數(shù)量，以單個(gè)芯片性能的提升為目一是越爾定以進(jìn)術(shù)的展主方處理模擬等種片成一系統(tǒng)實(shí)系統(tǒng)封SysteminPacage,SiP系統(tǒng)性的升目。圖表3: 集成路發(fā)方向InentoalodmpfrDvcsadSses，封裝技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：芯片性能不斷提高、系統(tǒng)趨于小型化封裝技術(shù)的發(fā)展史芯性能不斷提高系統(tǒng)不小型化的歷史是導(dǎo)體圓制造后工之的撐保芯芯片外電連強(qiáng)導(dǎo)性能裝術(shù)發(fā)致分4階第二階199年DOP和LC等主，于統(tǒng)封；三（99至200年已開(kāi)應(yīng)先進(jìn)封裝技，一BG、CP和F技始大模；四段200年今，先進(jìn)裝術(shù)二開(kāi)向三拓，現(xiàn)了.5D3封、圓封、出型封裝等裝術(shù)進(jìn)裝稱(chēng)為密封HDAHghDesityAdancdPaage采用進(jìn)設(shè)和藝芯片行裝重有效升統(tǒng)于傳封裝，進(jìn)裝有腳量增、片統(tǒng)小化且統(tǒng)成更等點(diǎn)。圖表4: 封裝術(shù)展四階段階段階段 時(shí)間 封裝術(shù)197前 直插封，雙直封裝DualnnekageD197199年 以表貼技衍出小外封裝alOune,O)、型腳外形封裝alOuneeaed,O無(wú)腳片Leadeshpae,LC)扁方封adatage,Q裝技和柵列nGdAa,GA技為主從二封向維裝展，現(xiàn)晶級(jí)裝erLevekageW統(tǒng)級(jí)裝扇型Ou,FO封2.DD裝嵌入多片連接Embdddde從二封向維裝展，現(xiàn)晶級(jí)裝erLevekageW統(tǒng)級(jí)裝扇型Ou,FO封2.DD裝嵌入多片連接EmbddddeneconnectBdgeEMB等進(jìn)封技術(shù)200至今4《先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展與機(jī)遇，曹立強(qiáng)等，先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)主朝上游晶圓制程和游組兩個(gè)方向1）向上游圓制程領(lǐng)域發(fā)展該向的技即圓封過(guò)晶重工在圓完成重布線并過(guò)圓點(diǎn)藝形與部聯(lián)金凸進(jìn)封，技的特點(diǎn)是可在小封面下容更的腳2）下游模組領(lǐng)域拓展展系統(tǒng)級(jí)裝術(shù)將前散貼在PB上多能芯，括理、儲(chǔ)器等功能片及容電等元件成一芯，壓模體、短氣連接距離提芯系整功能和活。圖表5: 先進(jìn)裝術(shù)發(fā)主朝上晶制和游組兩方向甬矽電子招股說(shuō)明書(shū)，先進(jìn)封裝的技術(shù)與形態(tài)根據(jù)需求不斷迭代，多應(yīng)用于高性能場(chǎng)景先進(jìn)封裝的四要素是BumRDLWafer和TSV具備四要素中任意一種術(shù)為先進(jìn)封裝1Bum（金屬凸技術(shù)普應(yīng)FlChi（裝術(shù)處于晶圓之互的電氣聯(lián)應(yīng)緩的用其展勢(shì)使凸點(diǎn)來(lái)越小直發(fā)為Hbridondin（合合技該技制的介表光滑、沒(méi)有點(diǎn)且有高集成度2RD（重布線層技術(shù)用與面電延伸和互聯(lián)，適用于為I/O端口進(jìn)行寬松排布，廣泛應(yīng)用于WLP（晶圓級(jí)封裝）技術(shù)和2.5D/D術(shù)不Fli-Ch術(shù)3Wafe（晶圓技術(shù)以作芯片的基底和WLP封裝的載體，也可以與硅基板一同實(shí)現(xiàn)25D集成，技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是使Wafe面逐增4TS（硅通孔技術(shù)軸電互實(shí)多立體結(jié)構(gòu)封的鍵術(shù)。圖表6: 先進(jìn)裝要素SiP與先進(jìn)封裝技，RDL和TSV使封裝技術(shù)在X-Y-Z三維空間中具備延伸發(fā)展的可能布RDL）技術(shù)得圓封得X-平進(jìn)延伸誕了WLCP、OWL、IF、OPLP、EMIB技于通TSV術(shù)裝統(tǒng)Z進(jìn)延伸實(shí)了維向三維的展出了2.和D集，演變CoW、BM、C-EM、MC、ideIO、Fovers、oI、X-ub技術(shù)。圖表7: 主流進(jìn)裝術(shù)案延伸式SiP與先進(jìn)封裝技，先進(jìn)封裝的技術(shù)與態(tài)根據(jù)應(yīng)用側(cè)需求不變與迭代從WPSi2.D/3技術(shù)方案出發(fā)，各廠商根據(jù)應(yīng)用側(cè)需求進(jìn)一步迭代出更深層的技術(shù)。以晶圓級(jí)封裝（WL）術(shù)例，WP技采用an-n形，著引數(shù)求加，an-u形態(tài)逐成主；后于提系性的標(biāo)臺(tái)積將個(gè)片F(xiàn)a-ou工藝集成起，生INF技而節(jié)成的度發(fā)，個(gè)片F(xiàn)OWL技又進(jìn)一步迭出板封技FOPP圖表8: 主裝術(shù)案特點(diǎn)封裝封裝術(shù)案 技術(shù)點(diǎn)起初L（圓封采用n扇入即LP主應(yīng)于積小引數(shù)少的片隨引數(shù)求增，生nutWLP裝態(tài)也W（扇型晶圓級(jí)裝。FOWLPFlip-hip FpChp倒芯起初L（圓封采用n扇入即LP主應(yīng)于積小引數(shù)少的片隨引數(shù)求增，生nutWLP裝態(tài)也W（扇型晶圓級(jí)裝。FOWLPoutnelLeele面板封，用大的板因一制下，可以量產(chǎn)4于300硅的先封產(chǎn)；OLP術(shù)延，有的成優(yōu)勢(shì)。FOPLPINFO 由臺(tái)電發(fā)技，在OLP藝outnelLeele面板封，用大的板因一制下，可以量產(chǎn)4于300硅的先封產(chǎn)；OLP術(shù)延，有的成優(yōu)勢(shì)。FOPLPEMIB 屬于基類(lèi)裝通硅片行部密互。25封的比于不用TVEM技具正的封良、需外藝和計(jì)單優(yōu)。CoWoS由臺(tái)電出2.D技術(shù)是芯封到轉(zhuǎn)接（介層上并用硅接上的高度線行連然后安在裝板；相n，oS對(duì)高市，連線量封尺都較大。HBM （HghBadwdho）高寬存主針高端卡場(chǎng)B使DT和2.5T技，過(guò)DV多內(nèi)芯堆一起并25DTV術(shù)把疊存芯片在板實(shí)互連。HMC （ybdoyCbe混合儲(chǔ)方，標(biāo)由美主，使堆的A以實(shí)更的存寬另HC過(guò)D集技術(shù)內(nèi)控器yConConoe）成A堆疊裝H過(guò)neposGU連HC是接安裝ae，缺少nepos和.DTV。Wide-O （denputOupu由星主的帶入術(shù)通過(guò)o芯堆Logi片上來(lái)實(shí)oy片3TVLogi芯及相連。Fovers 由英爾推三面面異集芯堆技；與的EMB裝相比os更適于尺產(chǎn)或內(nèi)存寬求高產(chǎn)，也具積功等勢(shì)；oveo每比特輸數(shù)的率常低其術(shù)處的up間減、度以及片堆疊技。Co-EMBEM和veos綜,B要負(fù)橫的結(jié)，不內(nèi)的片拼圖樣拼接起，o則向堆OEMB以在維并續(xù)有算構(gòu)與態(tài)的最佳法。SoIC 是一創(chuàng)的芯堆技術(shù)能10米下制程行圓的成該技最明的特是有點(diǎn)nBup）鍵結(jié)，此更高集密和佳運(yùn)行能。X-Cube Xube封的片采用T技連，低功的時(shí)高傳的速；大幅縮了片的號(hào)輸距，高據(jù)輸度，低耗并還以按戶(hù)求定制存寬密；前XCub技已可持7n5n藝。SiP與先進(jìn)封裝技，先進(jìn)封裝技術(shù)能提系的功能密度多應(yīng)于性能場(chǎng)景前流進(jìn)封技術(shù)主由際導(dǎo)龍廠商術(shù)發(fā)度從2逐提至25D系統(tǒng)的功密也之時(shí)先封主應(yīng)于性能端務(wù)等域，因此品術(shù)壘價(jià)量相傳封會(huì)高。圖表9: 主進(jìn)術(shù)案應(yīng)技術(shù)案推出間維度功能度應(yīng)用域?qū)?yīng)商FOWLP20092D低手機(jī)GAI英飛凌恩浦CoWoS20122.5D中高端務(wù)，端業(yè)應(yīng)用，高性計(jì)算臺(tái)積電HMC20123D高高端務(wù)，端業(yè)應(yīng)用，高性計(jì)算con三星BR微軟Wide-20123D中高端能機(jī)三星HBM20153+2.D高圖像理高能算AD英力/英特爾三星INFO20162D中手機(jī)GAI臺(tái)積電FOPLP20172D中移動(dòng)備GAI三星EMIB20182D中圖像理高能算英特爾Fovers20183D中高端務(wù)，端業(yè)應(yīng)用，高性計(jì)算英特爾Co-EMB20193+D高高端務(wù)，端業(yè)應(yīng)用，高性計(jì)算英特爾X-Cube20203D高5，A，穿設(shè)備三星TSMC-oIC20203D非常高5，A，穿設(shè)備臺(tái)積電SiP與先進(jìn)封裝技，系統(tǒng)級(jí)封（SiP屬于義的先進(jìn)封裝側(cè)于統(tǒng)屬Si是在裝形成一個(gè)系注統(tǒng)封的實(shí)以統(tǒng)其關(guān)注對(duì)之應(yīng)CSP（單片裝。但SP不是進(jìn)裝定某技術(shù)案因SiP能用傳統(tǒng)的WireBonin工，可能用進(jìn)裝FlipChi藝但著統(tǒng)性能、功耗體的求來(lái)高，成度需也來(lái)越，S會(huì)越越地采用先進(jìn)裝藝在方意圖，SP代的封整ChiletChi是裝中的單元先封是Chiet/Chp成2.和是先封的藝段。圖表10:系統(tǒng)封示圖SiP與先進(jìn)封裝技，Chiplet通過(guò)先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)hipe稱(chēng)小片或技通多個(gè)芯片裸（De通過(guò)部聯(lián)技集在個(gè)裝，構(gòu)專(zhuān)功的構(gòu)。通過(guò)采2.5、3等級(jí)裝技，Cipl實(shí)芯片間高互，高芯片系統(tǒng)集度擴(kuò)其功優(yōu)的間相對(duì)C系級(jí)片傳設(shè)法，Chiplt術(shù)案需要IP者研產(chǎn)只要購(gòu)已實(shí)好小片進(jìn)行封裝成且I可復(fù)所Chile可看成一種核式IP但是以芯片的式供。圖表11:Chpet可看一硬形的PSiP與先進(jìn)封裝技，3DChiplet是Chiplet一步的發(fā)展。3DChple是由AD在02年6首提出，通過(guò)3DTS將Cipl在一起同為提聯(lián)密度采了noBu垂直互聯(lián)結(jié)前3DChple品是臺(tái)電SoI的進(jìn)封技進(jìn)代要應(yīng)用在3DV-Cch上將64MBL3CaheChie以3堆的式處器封裝在一。圖表12:3DChpet構(gòu)意圖SiP與先進(jìn)封裝技，先進(jìn)封裝市場(chǎng)空間廣闊，為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)帶來(lái)增量先進(jìn)封裝市場(chǎng)空間廣闊，中國(guó)大陸先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展先進(jìn)封裝市場(chǎng)占比逐漸高于傳統(tǒng)封裝。據(jù)ole數(shù)據(jù)，2021年全球封裝市場(chǎng)總營(yíng)收為844美，中先封占比44市規(guī)模37億美。Yol預(yù)20年全球封市規(guī)為12美元其先封市規(guī)模65億元，比提升至5320-22間封裝場(chǎng)模年復(fù)增速9.6將全測(cè)市獻(xiàn)主增。圖表13:2021年裝場(chǎng)模成 圖表14:2027年裝場(chǎng)模成Yle，長(zhǎng)電科技， Yoe，長(zhǎng)電科技，受益于自主研發(fā)加速及制造業(yè)的發(fā)展，中國(guó)大陸的先進(jìn)封裝市場(chǎng)蓬勃發(fā)展。根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計(jì)，中國(guó)大陸2020年先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模為351.3億元，預(yù)計(jì)2025年將增長(zhǎng)至1,136.6億元，2020-2025年間年化復(fù)合增速達(dá)26.47，高于Yole對(duì)全球先進(jìn)封裝場(chǎng)化合速96的測(cè)。圖表15:2016年202E中大裝市規(guī)模匯成股份招股說(shuō)明書(shū)，F(xiàn)rs&ulvn，倒裝封裝目前是先封行業(yè)營(yíng)收規(guī)模最大技方案嵌入式3D堆疊和圓級(jí)扇出型等高階封裝成速較根互技的類(lèi)前裝裝術(shù)營(yíng)收模最次3D疊及晶級(jí)出封普規(guī)的片品需要用倒裝裝Fli-ch）行內(nèi)封，此前裝封的場(chǎng)模大而晶圓級(jí)封（WCS）和入封裝ED屬更階封裝術(shù)主應(yīng)于端芯片封前場(chǎng)用模對(duì)較但從長(zhǎng)度階裝術(shù)嵌式裝、3D堆、圓扇型裝是展快三方，根Yol的測(cè)0202026年市場(chǎng)?；纤儆?jì)分為2、215。圖表16:2019226先封主技術(shù)場(chǎng)預(yù)（$）Yoe，半導(dǎo)體行觀察，先進(jìn)封裝為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)帶來(lái)增量在先進(jìn)封裝工藝中統(tǒng)封裝設(shè)備的使用求精度要求都有所提升統(tǒng)封測(cè)試主位晶制鏈后道括薄割貼合打試等步驟需使減機(jī)片片線機(jī)激打機(jī)半設(shè)隨著先封的展在統(tǒng)封工的礎(chǔ)也有所進(jìn)主包括（1在先進(jìn)封裝藝芯堆層數(shù)了持體積減設(shè)精度出更高求（2在Chple設(shè)計(jì)，造芯需更多的割貼，得劃片機(jī)、片的求量精度求有提；Chile技中個(gè)裸都需要進(jìn)行將芯成后需進(jìn)系性測(cè)而增了設(shè)備需求。圖表17:傳統(tǒng)裝步與備IC咖啡，在先進(jìn)封裝工藝除傳統(tǒng)封裝設(shè)備還需要用晶圓制造前道工的備封裝使用的設(shè)備與晶圓制造的前道工藝開(kāi)始有所重疊，而不只是傳統(tǒng)封裝所需要的減薄劃?rùn)C(jī)貼機(jī)激備求封術(shù)發(fā)而在DLBupin、TSV互技中需使用膠刻等備TS技需鉆增加了刻蝕的外統(tǒng)封設(shè)中減劃片也要行定進(jìn)比如將設(shè)進(jìn)步計(jì)帶點(diǎn)晶減凸圓劃?rùn)C(jī)同對(duì)劃切道寬度均出更的度要。圖表18:先進(jìn)裝圓工所設(shè)備晶圓晶圓關(guān)工技術(shù) 所需鍵藝備重分層RD） 掩膜備涂機(jī)濺臺(tái)、刻、蝕機(jī)凸點(diǎn)凸點(diǎn)造術(shù)Bumin） 涂膠、射、刻、印機(jī)電線回焊爐植機(jī)WLP出術(shù)a-u） 倒裝片合、封、掩設(shè)、膠、射臺(tái)光機(jī)刻蝕機(jī)、片機(jī)晶圓晶圓薄、膜備涂膠、光孔、鍍?cè)O(shè)、射、光刻機(jī)刻機(jī)硅通（T）高精互技（C，W） 倒裝片合、流爐晶圓晶圓薄術(shù)用WLPS等） 帶凸晶減機(jī)晶圓片術(shù)用WLPS等） 帶凸晶劃?rùn)C(jī)晶圓晶圓薄術(shù)用BGCSP、 晶圓?。?0以下）3D封S晶圓片術(shù)用BGCSP3D封S

晶圓片（切寬0）《先進(jìn)封裝關(guān)鍵工藝設(shè)備面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，王志越，國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈所用設(shè)備有望部分實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)。近年來(lái)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展迅速，涌現(xiàn)了北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、沈陽(yáng)拓荊、華海清科、精測(cè)電子等具備較先進(jìn)制程設(shè)備工藝實(shí)力的公司，對(duì)于先進(jìn)封裝所使用的刻蝕機(jī)、涂膠顯影設(shè)備、清洗設(shè)備、測(cè)試機(jī)等有望部分實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)。圖表19:部分藝節(jié)備競(jìng)格局設(shè)備型外資牌國(guó)產(chǎn)牌光刻備含膠影）ALNknCanonTLNS上海電、源微刻蝕備LTLAT中微導(dǎo)、方創(chuàng)薄膜備A、A、EL北方創(chuàng)沈拓荊離子入A、xces中科、世通過(guò)程制K、T日立上海勵(lì)東晶源清洗備N(xiāo)SE、AAM盛美導(dǎo)、方創(chuàng)至純技、芯源微化學(xué)械磨A、Ebaa華?？浦锌剖鶞y(cè)試備泰瑞、德萬(wàn)長(zhǎng)川技精電子Gate,芯源微股說(shuō)明書(shū)，高性能計(jì)算驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)算力提升HC超越手機(jī)成為半導(dǎo)體第一大需求驅(qū)動(dòng)力，大算力時(shí)代來(lái)臨2022年Q1開(kāi)始HPC逐漸超越手機(jī)成為半導(dǎo)體一需求驅(qū)動(dòng)力G機(jī)率逐漸飽和隨人智的展要理數(shù)量數(shù)級(jí)長(zhǎng)I務(wù)器性能算等算需迎爆式長(zhǎng)從22Q1積電游用域營(yíng)占比，HPC高能算）次越智手躍第，后繼保上態(tài)，手機(jī)營(yíng)收占逐下。圖表20:臺(tái)電201至下用領(lǐng)營(yíng)占（）TSC，智能算力規(guī)?？焖匍L(zhǎng)大算力時(shí)代來(lái)力為人智的素在數(shù)經(jīng)濟(jì)發(fā)、業(yè)能升的進(jìn)中揮大用根據(jù)IC測(cè)到202年我國(guó)智能算規(guī)將到171.FLOP，20-22化合增率47.8。圖表21:中國(guó)能力模預(yù)（百億浮運(yùn)秒EFS）IDC，環(huán)球網(wǎng)，I服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)高景氣，異構(gòu)集成與異構(gòu)計(jì)算共推算力發(fā)展以AI服務(wù)器產(chǎn)業(yè)鏈為代表的硬件產(chǎn)品將充分受益于人工智能發(fā)展的浪潮。據(jù)Trendorc集咨預(yù)在A+用泛落的激下AI務(wù)202年貨預(yù)計(jì)將比長(zhǎng)3.4，20-202年A服年合增率22。圖表22:2022226球AI服器出量估TrnFre集邦，AI服務(wù)器采用的是異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)。異構(gòu)計(jì)算（HteogeneusComutig，是指將CPUGFPDS等同架的算元合一起行行算例CPU擅長(zhǎng)管和度比讀數(shù)據(jù)管文，機(jī)互等GP管弱，算，更適合整數(shù)進(jìn)流理算法PG實(shí)性高管理運(yùn)是發(fā)期長(zhǎng)復(fù)雜算法開(kāi)發(fā)難度大；DSP適合特定算法的計(jì)算等。異構(gòu)計(jì)算的實(shí)現(xiàn)架構(gòu)通常是CU+GPU/FGA/SP，主要由CU完成不可加速部分的計(jì)算以及整個(gè)系統(tǒng)的控制調(diào)度，由GPU/FGA/S成定任務(wù)加具計(jì)能強(qiáng)可展源率高、發(fā)展力等。圖表23:面向場(chǎng)的構(gòu)算速平臺(tái)SiP與先進(jìn)封裝技，異構(gòu)集成通過(guò)先進(jìn)封裝工藝將多個(gè)高性能算力芯片集成在一個(gè)系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)異構(gòu)計(jì)算以提升算構(gòu)HtergenousIntgrtio準(zhǔn)的稱(chēng)異異構(gòu)集成異代采的工藝質(zhì)表模塊用半體料同異構(gòu)集成過(guò)進(jìn)裝藝不同藝同高能片成一在單個(gè)封裝內(nèi)構(gòu)建復(fù)雜系統(tǒng)成為了可能，能夠快速達(dá)到異構(gòu)計(jì)算系統(tǒng)內(nèi)的芯片所需要的功能要從而異計(jì)可通整合同構(gòu)運(yùn)單來(lái)進(jìn)行并行算達(dá)提算的目。圖表24:英特的CoB技于典的構(gòu)成術(shù)SiP與先進(jìn)封裝技，在存算一體大算力域已有國(guó)內(nèi)企業(yè)走在列存算體構(gòu)不類(lèi)的處器和存組等成同個(gè)芯異集一種前該已有內(nèi)企業(yè)得破202年5，后智正發(fā)國(guó)首款算體駕片—鴻途H3芯僅用1n制物算實(shí)高26TO在It度的計(jì)算提下計(jì)延只有.5n能比為0-10TPS/比界等度算條件下的水平提高了3倍以上。H30芯片采用的是后摩智能自研的AI處理器架構(gòu)（IntllienceProessngUni將向能駛、用工能領(lǐng)與國(guó)際巨的款能8芯片Reset5絡(luò)的件后智H3的性能可以到商2以。圖表25:后摩能H0片與nm芯片能較半導(dǎo)體行業(yè)觀察，hiplet優(yōu)勢(shì)明顯，是國(guó)產(chǎn)芯片“破局”路徑之一高性能計(jì)算的應(yīng)用景斷拓寬對(duì)算力芯片性提出更高要求進(jìn)而拉了先進(jìn)封裝及Chiplet工藝的需求隨著A大型據(jù)理的續(xù)算片性能提出高求Chile高性算芯的裝決方之，在計(jì)生產(chǎn)環(huán)節(jié)均行效優(yōu)，有效低本持提系統(tǒng)成。Cipl需采用先進(jìn)封工中異集技術(shù)行現(xiàn)因而hipe的增亦帶異集成的需求升根Omdi預(yù)，隨人智、性計(jì)算5G新應(yīng)領(lǐng)需求滲透，23全Chile場(chǎng)規(guī)有達(dá)到7美201-20復(fù)年長(zhǎng)率為30.6發(fā)勢(shì)強(qiáng)。圖表26:采用Chpet計(jì)提統(tǒng)的能度SiP與先進(jìn)封裝技，與傳統(tǒng)SoC相比Chiplet在設(shè)計(jì)靈活度良率等方面勢(shì)明顯相單集技SoC而言Chile是不同藝節(jié)的塊同成在相的統(tǒng)能標(biāo)，部分模塊制的求所低節(jié)了分發(fā)由于片積大容產(chǎn)生缺陷而Cipl個(gè)塊載體是小硅有降低生中生缺數(shù)量；同時(shí)個(gè)硅擁單I且以復(fù)根據(jù)定戶(hù)獨(dú)需定制產(chǎn)品節(jié)開(kāi)時(shí)不藝生制的Cipl通SP術(shù)合典方案就是XU+DA過(guò)集成內(nèi)和力元接整到升性突破算瓶。圖表27:Chpet與o、P的較AMD，半導(dǎo)體行業(yè)察，針對(duì)先進(jìn)制程Chiplet具成本優(yōu)勢(shì)面小片形的造率所升另一方是Cipl許不同制制異芯如性模采7n他模塊只需要14nm或28nm就可以做到性能最大化，使系統(tǒng)整體的功能密度非常接近于7nm集成AM采7n+14nm的Cipl計(jì)案nm單片成成本下降了近AM認(rèn)使Chile設(shè)思動(dòng)于耗價(jià)能否妥。Cipl成本降的果隨核（片核的量的低邊際減小，此來(lái)能出一個(gè)格均點(diǎn)判采用Ciplt術(shù)否更有經(jīng)濟(jì)效益。圖表28:用Chpet技的7n+1m的價(jià)vsnmSiP與先進(jìn)封裝技，中美科技摩擦加劇景國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程發(fā)展限hiplet是國(guó)產(chǎn)芯“破路徑之一。近國(guó)《片與學(xué)案易“體清及日荷蘭組成芯聯(lián)等段制國(guó)芯先制的我國(guó)端片域“脖子”問(wèn)題Chile降了芯設(shè)計(jì)成與檻且其P復(fù)的性提了計(jì)靈活性，國(guó)芯“局路徑一202年2，極雄發(fā)了內(nèi)款于異構(gòu)Chiplt集成的智能處理芯片。該芯片采用2n工藝生產(chǎn)，HUBCiplt采用ISVCPU心可過(guò)活多個(gè)NUSieDi提供-0TOP（IN稠算該芯片可于A推隱計(jì)業(yè)能不場(chǎng)效解了游戶(hù)算適配、迭代期算利率算力本各面以衡的心點(diǎn)。圖表29:啟明30片北極雄芯，龍頭積極布局先進(jìn)封裝，中國(guó)大陸封裝廠商蓬勃發(fā)展晶圓廠和封測(cè)廠積極布局先進(jìn)封裝，側(cè)重點(diǎn)各有不同封測(cè)廠及晶圓廠龍均極布局先進(jìn)封裝據(jù)Ye數(shù)據(jù)202年行龍?jiān)谙冗M(jìn)封裝業(yè)資支合約為19美晶廠營(yíng)方，特以3億元的資本支排第，要以支Fovro和EM技。臺(tái)電三以30美和15億元資支分排名封陣營(yíng)月2美元的資本支出排名第三，其是最大也是唯一能夠與代工廠和集成設(shè)備制造商形成競(jìng)爭(zhēng)的OSA國(guó)陸測(cè)長(zhǎng)科技通微在進(jìn)裝資支方則居名。圖表30:2021年測(cè)及圓頭在進(jìn)裝業(yè)資支出$）Yoe，天天C，英特爾致力于實(shí)現(xiàn)毫立方體里功能最大特爾技發(fā)路圖先封裝主關(guān)互密、率效和擴(kuò)性個(gè)面。中Fovro和混鍵合技術(shù)主關(guān)功效連密方而C-emODI術(shù)體了成擴(kuò)展性特點(diǎn)從Fver混合合技，特逐實(shí)凸點(diǎn)距來(lái)小使統(tǒng)擁有更高電負(fù)能好的性未英將繼致于現(xiàn)毫立方里功能大。圖表31:英特封技發(fā)路圖SiP與先進(jìn)封裝技，臺(tái)積電推“3DFabric先進(jìn)封裝平臺(tái)積.5D和D進(jìn)裝術(shù)3DFabri臺(tái)在2.推出CoW及nF等3層推了3DSoI技術(shù)。其中段術(shù)含3的合芯系（SICInF-D，端裝試關(guān)術(shù)包含2D/2.D整型扇IF）及25CoWo系目最的五代oWo-S封裝技，增3倍中層面、個(gè)HB2棧容量達(dá)18G、新硅通孔（TS）決，將晶管量至3裝解方的2倍。圖表32:臺(tái)積推Dabc”進(jìn)封平臺(tái)芯智訊，日月光半導(dǎo)體推“VIPa先進(jìn)封裝平臺(tái)提直互連整合封裝解方該平臺(tái)由六大核心封裝技術(shù)組成，包括日月光基于高密度RDL的FanOutPcka-on-Packa（FPoFanutChi-n-Sbsta（OCoFanuthipon-ubsrat-Bridg（FCoBrig和FanutSytein-akagFOS以基硅通孔（TS的.5D3D和-PackgedOptcs平具備進(jìn)RD制式整合以及25D/裝技術(shù)提供優(yōu)時(shí)速、寬和力輸高整硅封裝解決案需制能，能短同計(jì)間產(chǎn)發(fā)上時(shí)。中FOPP是由月在223月日發(fā)技實(shí)氣路減3降延性、帶寬度高倍提寬優(yōu)）提，要用動(dòng)置網(wǎng)通市場(chǎng)。圖表33:日月半體的Vck進(jìn)裝平臺(tái)ASE，晶圓廠陣營(yíng)及封測(cè)廠陣營(yíng)關(guān)注側(cè)重點(diǎn)各有不同。晶圓廠由于在前道環(huán)節(jié)的經(jīng)驗(yàn)更豐富能快握要等前步T而在25D/D裝術(shù)較為領(lǐng)先如特Foero術(shù)和積的CWo技均是維成領(lǐng)技后道封廠則熟異異構(gòu)成封技布全面因在SP技的展方面更有勢(shì)比日光“VIPck平中將FOi等統(tǒng)封技列核心技術(shù)之在摩時(shí)進(jìn)封為裝業(yè)來(lái)心增亦為圓封測(cè)廠的兵家必爭(zhēng)之地。我們預(yù)計(jì)未來(lái)晶圓制造廠的工藝程序?qū)?huì)演變成從制造到封裝的一體工而OS呈現(xiàn)太術(shù)能力客資豐龍頭業(yè)更具勢(shì)市份有更加中。OST競(jìng)爭(zhēng)格局較為穩(wěn)定，中國(guó)大陸廠商蓬勃發(fā)展公司稱(chēng) 國(guó)家2022年2021年2022營(yíng)業(yè)2022年2022年2022年OSAT競(jìng)爭(zhēng)格局較為穩(wěn)定中國(guó)大陸封測(cè)廠營(yíng)名前茅據(jù)20年內(nèi)已經(jīng)市的封廠OSA，OtsocedSeicoducorAseblyandTes）收OSAT行業(yè)體收名化大競(jìng)格較穩(wěn)國(guó)大封廠有電技通富微華科和電子入三名榜中電富和華天科技居單利率研營(yíng)比中國(guó)陸測(cè)的發(fā)入水處于國(guó)領(lǐng)水，毛率與外頭比有公司稱(chēng) 國(guó)家2022年2021年2022營(yíng)業(yè)2022年2022年2022年圖表34:2022年內(nèi)已上封測(cè)營(yíng)情況日月光中國(guó)灣營(yíng)收名1營(yíng)收1收入$）12325營(yíng)收長(zhǎng)2.9毛利率28.4研發(fā)收比5.6安靠美國(guó)227091.615.518.82.1長(zhǎng)電科技中國(guó)大陸3349905.417.13.9通富微電中國(guó)大陸45316028.813.96.2力成中國(guó)灣542786-7.120.82.9華天科技中國(guó)大陸661765-5.916.95.9京元子中國(guó)灣7812211.135.63.4頎邦技中國(guó)灣810800-17.432.73.2南茂技中國(guó)灣99784-20.021.04.9HANA韓國(guó)101369019.619.33.6矽格中國(guó)灣11126213.929.62.3SFA韓國(guó)1215539-2.511.40.3超豐子中國(guó)灣1311532-23.626.71.6嘉盛馬來(lái)亞1416526-3.017.3--華泰子中國(guó)灣1514516-9.616.32.2欣銓技中國(guó)灣161947912.440.73.6同欣子中國(guó)灣1717467-6.735.52.6LBSeicon韓國(guó)1818405-5.517.30.7納沛斯韓國(guó)192334714.617.612.6福懋技中國(guó)灣2021346-2.621.01.6益納美昌馬來(lái)亞2120335-10.430.4--甬矽電子中國(guó)大陸22223231.422.05.6華東技中國(guó)灣23243158.38.80.5恒諾泰國(guó)24253035.113.42.1AOI日本25263025.112.40.0精材技中國(guó)灣2628256-6.637.04.2Signeics韓國(guó)2729222-4.66.71.5菱生密中國(guó)灣2827200-27.68.92.8訊芯技中國(guó)灣293217514.612.15.9捷敏份中國(guó)灣30311731.724.01.0晶方科技中國(guó)大陸3130164-24.844.417.2半導(dǎo)體綜研，中國(guó)大陸封測(cè)廠蓬發(fā)以長(zhǎng)電科技最突芯思發(fā)的外測(cè)十榜單中中大市率24.5僅于國(guó)灣地中大封廠中電科市比4國(guó)內(nèi)測(cè)業(yè)龍企。圖表35:2022年球十大OT廠商在域占率芯思想研究院，長(zhǎng)電科技，長(zhǎng)電科技在國(guó)內(nèi)封廠具有領(lǐng)先優(yōu)先進(jìn)封技術(shù)布局全面且背中來(lái)長(zhǎng)科重發(fā)系、圓和25D/等進(jìn)封技，供解方案包括扇型圓封裝FIWP、出晶級(jí)裝(FWLP集無(wú)器件IPD、硅通孔(SV、封芯封(ECP、頻(RID。在SP裝域，電技擁有雙塑、E電屏、激輔鍵（LA）先進(jìn)術(shù)具電性更佳、EMI蔽果好、靠更強(qiáng)優(yōu)。外中國(guó)際長(zhǎng)科股之雙方合作密且芯際為國(guó)晶代龍需要道藝助的.5D3封裝環(huán)節(jié)以長(zhǎng)科協(xié)合作增長(zhǎng)科較他封廠競(jìng)優(yōu)。圖表36:長(zhǎng)電技進(jìn)裝品局長(zhǎng)電科技官網(wǎng)，通富微電聚焦算力片測(cè)與AMD深度合作微斷強(qiáng)主并在多個(gè)先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)