東北大學(xué)23春“冶金工程”《現(xiàn)代材料測(cè)試技術(shù)》考試高頻考點(diǎn)參考題庫(kù)帶答案

長(zhǎng)風(fēng)破浪會(huì)有時(shí)，直掛云帆濟(jì)滄海。東北大學(xué)23春“冶金工程”《現(xiàn)代材料測(cè)試技術(shù)》考試高頻考點(diǎn)參考題庫(kù)帶答案（圖片大小可自由調(diào)整）第I卷一.綜合考核(共15題)1.產(chǎn)生特征X射線的前提是原子內(nèi)層電子被打出核外，原子處于激發(fā)狀態(tài)。()A.正確B.錯(cuò)誤2.經(jīng)濾波后的X射線是相對(duì)的單色光。()A.錯(cuò)誤B.正確3.透射電鏡成像系統(tǒng)中，若使中間鏡物平面與物鏡像平面重合的操作稱為成像操作;而使中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合的操作稱為衍射操作。()A.正確B.錯(cuò)誤4.電子槍中給電子加速的稱為()。A.陽(yáng)極B.陰極C.柵極5.倒易點(diǎn)陣中的一點(diǎn)代表的是正點(diǎn)陣中的()。A.一個(gè)點(diǎn)B.一個(gè)晶面C.一組晶面6.影響電鏡中透鏡分辨本領(lǐng)主要是衍射效應(yīng)和()。A.像散B.球差C.色差7.讓透射束通過(guò)物鏡光闌而把衍射束擋掉得到圖像襯度的方法，叫做()。A.明場(chǎng)成像B.暗場(chǎng)成像C.中心暗場(chǎng)成像8.把透鏡物平面允許的軸向偏差定義為透鏡的()。A.景深B.焦深C.球差9.吸收電子的產(chǎn)額與樣品的原子序數(shù)關(guān)系是原子序數(shù)越小，吸收電子()。A.越多B.越少C.不變10.透射電鏡成像系統(tǒng)中，若使中間鏡物平面與物鏡像平面重合的操作稱為成像操作；而使中間鏡的物平面與物鏡背焦面重合的操作稱為衍射操作。()A.錯(cuò)誤B.正確11.據(jù)Ewald圖解可知，滿足衍射條件的晶面倒易點(diǎn)陣，必落在半徑為()的反射球面上。A.1/λB.2/λC.1/2λ12.激發(fā)限與吸收限是一回事,只是從不同角度看問(wèn)題。()A.錯(cuò)誤B.正確13.透射電鏡的兩種主要功能是檢測(cè)()。A.表面形貌和晶體結(jié)構(gòu)B.內(nèi)部組織和晶體結(jié)構(gòu)C.表面形貌和內(nèi)部組織14.入射電子波在樣品中振蕩的深度周期叫做()。A.衍射襯度B.消光距離C.偏離矢量15.色差是一種()。A.球差B.像差C.像散第II卷一.綜合考核(共15題)1.經(jīng)濾波后的X射線是相對(duì)的單色光。()A.正確B.錯(cuò)誤2.掃描電鏡的襯度和透射電鏡一樣取決于質(zhì)厚襯度和衍射襯度。()A.正確B.錯(cuò)誤3.樣品微區(qū)成分分析手段包括()。A.WDS、EDS和XRDB.WDS、EDS和EPMAC.TEM、WDS和XRD4.在透射電鏡中稱為襯度光闌的是()。A.聚光鏡光闌B.物鏡光闌C.選區(qū)光闌5.當(dāng)X射線管電壓低于臨界電壓時(shí)僅可以產(chǎn)生連續(xù)X射線;當(dāng)X射線管電壓超過(guò)臨界電壓就可以產(chǎn)生特征X射線和連續(xù)X射線。()A.正確B.錯(cuò)誤6.當(dāng)X射線管電壓低于臨界電壓時(shí)僅可以產(chǎn)生連續(xù)X射線;當(dāng)X射線管電壓超過(guò)臨界電壓就可以產(chǎn)生特征X射線和連續(xù)X射線。()A.正確B.錯(cuò)誤7.選擇濾波片只要根據(jù)吸收曲線選擇材料，而不需要考慮厚度。()A.正確B.錯(cuò)誤8.倒易點(diǎn)陣()。A.是晶體的真實(shí)點(diǎn)陣B.是實(shí)際晶體點(diǎn)陣經(jīng)一定轉(zhuǎn)化而得到的抽象點(diǎn)陣C.中倒易矢量[hkl]*與正空間(hkl)晶面平行D.中倒易矢量[hkl]*的模等于正空間(hkl)晶面間距的倒數(shù)9.X射線物相定性分析可以告訴我們被測(cè)材料中有哪些物相，而定量分析可以告訴我們這些物相的含量。()A.錯(cuò)誤B.正確10.僅僅反映固體樣品表面形貌信息的物理信號(hào)是()。A.背散射電子B.二次電子C.吸收電子D.透射電子11.體心立方點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光規(guī)律是當(dāng)H、k、L全為奇數(shù)或全為偶數(shù)時(shí)才出現(xiàn)反射。()A.錯(cuò)誤B.正確12.電子槍中控制電子流量和流向的是()。A.陰極B.柵極C.陽(yáng)極13.當(dāng)X射線將某物質(zhì)原子的K層電子打出后，L層電子回遷K層，多余能量將另一個(gè)L層電子打出核外，這整個(gè)過(guò)程將產(chǎn)生()。A.特征X射線B.背反射電子C.俄歇電子14.掃描電鏡二次電子像的分辨率比背散射電子像更高。()A.正確B.錯(cuò)誤15.當(dāng)X射線管電壓低于臨界電壓時(shí)僅可以產(chǎn)生連續(xù)X射線;當(dāng)X射線管電壓超過(guò)臨界電壓就可以產(chǎn)生特征X射線和連續(xù)X射線。()A.錯(cuò)誤B.正確第I卷參考答案一.綜合考核1.參考答案：A2.參考答案：B3.參考答案：A4.參考答案：A5.參考答案：C6.參考答案：B7.參考答案：A8.參考答案：A9.參考答案：A10.參考答案：B11.參考答案：A12.參考答案：B13.參考答案：B14.參考答案：B15.參考答案：B第II卷參考答案一.綜合考核1.參考答案：A2.參考答案：B3.參考答案：B4.