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第章半導體中的基本性質(zhì)半導體的晶格結構口什么是半導體口晶體、多晶和非晶口晶體的周期性和對稱性口晶體的晶向和晶面口Si、Ge晶體的金剛石結構口化合物半導體和閃鋅礦結構半導體的晶格結構Si晶體的金剛有結構Si、Ge等元素半導體結合形成晶體時,具有金剛石結構形式,它以四面體結構為基礎構成。由兩個面心立方套構而成,位于不同面心立方中的S原子的性質(zhì)并不等價,因此,金剛石結構,由復式格子組成。半導體Si晶體的這種晶體結構與其原子結合形成晶體時的結合方式有關Il.SiCrystalSihasadiamandstructure,whichistwofacecenteredcubic(FCC)unitcellsoffsetby14diagonal,EachSiatomhas4nearestneighboringSiCrystal-Diamondlatticeunitcell半導體中的基本性質(zhì)晶體的結構通常與原子結合形成晶體時的結合方式有關,本節(jié)將討論固體結合形成晶體的結合方式和性質(zhì)221固體的結合和化學鍵22.2S原子結構和S晶體的共價鍵結合223S晶體的四面體結構半導體的結合性質(zhì)固體結合的化學鍵包括:離子鍵(TonicBonding)金屬鍵(MetallicBonding)共價鍵(Covalentbonding)范德瓦耳斯鍵(anderWaalsbonding)§22半導體的結合性質(zhì)22.1固體的結合和化學鍵共價鍵(Covalentbonding)23S晶體結合的四面體結構半導體的能帶薛定諤方程和原子的能級布洛赫定理和晶體的能帶固體的能帶和K空間金屬、半導體、絕緣體的能帶8上8EVB立emiconductorInsulator存在半滿的能帶Eg≡1eVvEg5eV電子占據(jù)能帶或是全滿或是全空第一章半導體中的基本性質(zhì)半導體中電子的狀態(tài)有效質(zhì)量近似半導體導電的能帶論解釋半導體的導電半導體的導電載流子有效質(zhì)量近似及其意義有效質(zhì)量概括了晶體勢場對電子運動的影響導體中的導電載流子半導體的導帶和電子載流Ec導體的價帶和空穴載流holeandStructure(lots半導體中的摻雜和雜質(zhì)能級雜質(zhì):在半導體晶體中引入的新的原子或離子缺陷:晶體按周期性排列的結構受到破壞L施主雜質(zhì)和施主能級●●●●●?！瘛??！?。!EcT+OKIncreasingtRoomtemperature3施主電離:施主向導帶釋放電子的過電離能ED=EC-ED程2.受主雜質(zhì)和受主能級Ec◆◆◆◆◆◆◆◆EA0o000ooT+OKIncreasingTRoomte

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