陶瓷電容與鉭質(zhì)電容及電解電容簡介

陶瓷電容與鉭質(zhì)電容及電解電容簡介1第1頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月一.電容概述1.電容結(jié)構(gòu)自1746年荷蘭科學(xué)家發(fā)現(xiàn)電容以來，經(jīng)過不斷的發(fā)展，電容種類已經(jīng)非常豐富，但其基本結(jié)構(gòu)仍然保持不變，如下圖所示：電容用于存儲電荷，它只能允許交流電經(jīng)過，直流電被阻擋。在電路中，通常用于調(diào)諧、濾波、極間耦合等方面，是主要元件之一。2第2頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2.容值、電壓、電量關(guān)係當(dāng)對電容進(jìn)行充電時，兩個電極分別聚集了等量的正負(fù)電荷，從而在兩極之間產(chǎn)生一個電壓，電壓與電量的關(guān)係可以用如下公式表示：Q=CVV表示電容兩極之間的電壓Q表示電容兩極閒的電荷，單位是庫侖，1庫侖=6×1019個電荷。C是電容的容值，是一個常數(shù)。3第3頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月3.電容的分類與符號按電容量可否調(diào)整分為：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器固定電容可變電容微調(diào)電容電解電容按所用介質(zhì)不同分為：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。按電容有無極性分為：無極性電容和有極性電容兩大類

4第4頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容器的單位是法拉(F),常用單位還有微法(μF)、納法(nF)和皮法(pF),換算:1F=106μF=109nF=1012pF4.電容器的單位與標(biāo)示電容器的標(biāo)識方法有三種：直標(biāo)法：直接標(biāo)注在表面，如果數(shù)字是整數(shù)，則單位是pF;數(shù)字帶小數(shù)點(diǎn)，單位是μF。文字符號法：用文字與數(shù)字混合標(biāo)注，若字母在中央，則充當(dāng)小數(shù)點(diǎn)。色標(biāo)法：與電阻相同，讀取方向由電容體引腳。5第5頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容器的參數(shù)標(biāo)稱容量：在外殼上標(biāo)明的，由國家規(guī)定的電容器電容量的標(biāo)準(zhǔn)值。允許誤差范圍：實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的允許最大偏差范圍，分三級I-±5%,II-±10%,III-±20%。額定工作電壓：在允許的環(huán)境溫度范圍內(nèi)，能夠長期施加在電容器上的最大電壓有效值稱為額定電壓（一般為直流電壓）。溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。絕緣電阻：指兩個電極間絕緣介質(zhì)的電阻，越大越好。損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。等效串聯(lián)阻抗:對非理想電容,其內(nèi)部電極與端電極之間存在的電阻值.6第6頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月1.定義:片式多層瓷介電容器(MLCC)---簡稱片式電容器,是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。二、片式多層瓷介電容器(MLCC)7第7頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2.1尺寸根據(jù)EIA分法有13種通用的SIZE：英制：01005,0201,0402,0603,0805,1206,1210,1805,1808,1812,1825,2220,2225公制：0402,0603,1005,1608,2012,3216,3225,4512,4520,4532,4564,5650,56642.2外形8第8頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。而多層片式陶瓷電容器它是一個多層疊合的結(jié)構(gòu)，是由多個簡單平行板電容器的并聯(lián)體。3.結(jié)構(gòu)9第9頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月內(nèi)部構(gòu)造10第10頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電極材質(zhì)11第11頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月陶瓷是一個絕緣體，而作為電容器介質(zhì)用的陶瓷除了具有絕緣特性外，還有一個很重要的特性：就是極化。即它在外加電場的作用下，正負(fù)電荷會偏離原有的位置，從而表現(xiàn)出正負(fù)兩個極性。絕緣體的極化特性我們一般用介電常數(shù)ε來表示，即介質(zhì)的K值。4.陶瓷介質(zhì)的特性下面例舉不同材料的介電常數(shù)：真空：1.0空氣：1.004紙：4~6玻璃：3.7~19三氧化二鋁（Al2O3）：9鈦酸鋇（BaTiO3）：1500結(jié)構(gòu)陶瓷：10~2000012第12頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月5.瓷介的分類陶瓷是一種質(zhì)硬、性脆的無機(jī)燒結(jié)體，一般分為兩大類：功能陶瓷和結(jié)構(gòu)陶瓷。用來制造片式多層瓷介電容（MLCC）的陶瓷是一種結(jié)構(gòu)陶瓷，是電子陶瓷，也叫電容器瓷。1)照EIA三級分類,有五種通用的介質(zhì),COG(NPO),X7R,X5R,Z5U,Y5VⅠ類電容器瓷(COG)，它是順電材料Ⅱ類電容器瓷(X7R、X5R、)，它是鉄電物質(zhì)材料Ⅲ類電容器瓷（Y5V、Z5U），它是鉄電物質(zhì)材料

13第13頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月6.瓷介代號陶瓷介質(zhì)的代號是按其陶瓷材料的溫度特性來命名的。目前國際上通用美國EIA標(biāo)準(zhǔn)的叫法，用字母來表示。常用的幾種陶瓷材料的含義如下：Y5V：溫度特性Y代表－25℃；5代表＋85℃；溫度系數(shù)V代表－80％～＋30％Z5U：溫度特性Z代表＋10℃；5代表＋85℃；溫度系數(shù)U代表－56％～＋22％X5R:

溫度特性X代表-55°C;

5代表+85℃溫度係數(shù)R代表±15％X7R：溫度特性X代表－55℃；7代表＋125℃溫度系數(shù)R代表±15％NPO：溫度系數(shù)是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）14第14頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7.電氣特性電容量:電容量的大小表示電容器貯存電荷的能力。7-1.電容量（C）15第15頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月MLCC介質(zhì)厚度和層數(shù)的發(fā)展16第16頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月MLCC介質(zhì)常數(shù)k與溫度穩(wěn)定性1.介質(zhì)常數(shù)k越高,MLCC體極效率越高;但介質(zhì)常數(shù)k增加時,溫度穩(wěn)定性変差;2.如下所示為COG,Z5U,X7R,Y5V介質(zhì)的MLCC介質(zhì)常數(shù)與溫度,容值與溫度的曲綫圖：17第17頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月由圖可知,EIAΙ類順電材料介質(zhì)COG(NPO),它的介質(zhì)常數(shù)k幾乎不隨溫度變動,EIAΙΙ類鉄電材料介質(zhì)X7R的介質(zhì)常數(shù)變動不大,

EIAΙΙΙ類鉄電材料介質(zhì)Z5U,Y5V,溫度越高,介質(zhì)常數(shù)K變小.18第18頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月影響電介常數(shù)k的因素電介質(zhì)有4種基本的極化結(jié)構(gòu)：電子,原子,偶極或方向性,空間電荷EIA?類電介質(zhì)是電子或原子支配的極化結(jié)構(gòu);它可以獲的優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性和低的k值(5~80),很低的損耗.EIA??/???類是偶極或方向性支配的極化結(jié)構(gòu);它可以獲的最高介電常數(shù)k.例如:BaTiO3有高的k值,適合x7r電介質(zhì).19第19頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月MLCC制造流程20第20頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月影響電容量的因素:片式電容器的電容量除了由它本身的設(shè)計(jì)與材料特性所決定外，在很大程度下同它的測試條件、溫度、電壓和頻率有很大的關(guān)系。

21第21頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容量與溫度的關(guān)係:溫度是影響電容器電容量的一個重要因素，我們把電容量同溫度的這種關(guān)系特性叫做電容器的溫度特性(TemperatureCoefficient)。對于較為穩(wěn)定的Ⅰ類電容器，其影響相對較小，幾乎沒有變化;對于Ⅱ類電容器，其影響相對較大。22第22頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容量與直流電壓的關(guān)系:在電路的實(shí)際應(yīng)用中，電容器兩端可能要放加一個直流電壓，我們把電容器的這種情況下的特性叫做直流偏壓特性。對于較為穩(wěn)定的Ⅰ類電容器，其影響相對較小，幾乎沒有變化;對于Ⅱ類電容器，其影響相對較大。介質(zhì)厚度越厚，產(chǎn)品的偏壓特性就越好。23第23頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容量與交流電壓的關(guān)系:Ⅰ類電容器的交流特性比較好，基本不隨施加電壓的變化而變化。但是，對于Ⅱ類電容器，其容量基本是隨所加電壓的升高而加速遞升的，特別X7R此特性比較明顯。交流特性圖24第24頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容量與工作頻率的關(guān)系:對于Ⅰ類電容器其應(yīng)用頻率的增加，它的容值不會有什么變化，但對于Ⅱ類電容器，容值下降較為明顯。電容量與頻率的關(guān)系曲線圖25第25頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月頻率響應(yīng)(串聯(lián)諧振)26第26頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月頻率響應(yīng)(并聯(lián)諧振)：27第27頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7-2.絕緣電阻(IR)體內(nèi)漏電流:在電介質(zhì)中通?；蚨嗷蛏俅嬖谡?、負(fù)離子，這些離子在電場作用下將定向遷移，形成離子電流，我們稱之為體內(nèi)漏電流。表面漏電流:在電容器的表面，也會或多或少地存在正負(fù)離子，這些離子在外電場的作用下，會發(fā)生定向遷移，形成表面漏電流。電容器的漏電流:是陶瓷介質(zhì)中體內(nèi)漏電流與芯片表面的漏電流兩部分組成。介質(zhì)的絕緣電阻:加在介質(zhì)兩端的電壓和漏電流之比稱之為介質(zhì)的絕緣電阻,即Ｒ＝Ｕ／Ｉ電容器的絕緣電阻除了同其本身所固有介質(zhì)特性相關(guān)外，同外界環(huán)境溫度、濕度等有很大的關(guān)系。溫度升高時，瓷介的自由離子增多，漏電流急劇增加，介質(zhì)絕緣電阻迅速降低。濕度對電容器電性能影響最大,會因表面吸潮使表面絕緣電阻下降。28第28頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7-3.損耗(DF)DF損亦稱損失角正切:因?yàn)殡娙萦糜诮涣麟娐分袝r會在電路中產(chǎn)生一個相位角θ，此相位角的余角δ即為損失角。DF=tanδDF(耗散因素)用來表明電容將輸入功率轉(zhuǎn)化為熱量的百分（％）29第29頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月介質(zhì)損耗同溫度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同溫度的關(guān)系曲線圖30第30頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾厚度的關(guān)系:介質(zhì)損耗同交流電壓/密爾厚度的關(guān)系曲線圖31第31頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月介質(zhì)損耗同頻率的關(guān)系介質(zhì)損耗同頻率的關(guān)系曲線圖32第32頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7-4.等效串聯(lián)電阻ESR：

ESR:ESR的損耗由介質(zhì)損耗(Rsd)和金屬損耗(Rsm)兩部分組成。即:ESR=Rsd+Rsm33第33頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月MLCC等效電路34第34頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月ESR對電路的影響35第35頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月交流領(lǐng)域下之電容器等效電路如右圖；其中串聯(lián)等效電阻(RS)，將會隨不同頻率而有所改變。各頻率點(diǎn)之等效串聯(lián)電阻(ESR)如右曲線圖所示。ESR越高，通過電流所消耗功率亦越高，元件越容易發(fā)熱。隨著疊層層數(shù)增加,容值亦增加ESR隨著並聯(lián)而下降。MLCC相同設(shè)計(jì)下，容值越高，ESR越低，RippleCurrent特性越好。36第36頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7-5.品質(zhì)因素(Q)品質(zhì)因素:Q值就是介質(zhì)損耗DF的倒數(shù)。即：Q=1/DF。一般高Q即具備低ESR的特性。在設(shè)計(jì)時，高頻下我們應(yīng)考慮ESR和Q值對電路設(shè)計(jì)的影響；低頻下應(yīng)考慮損耗(DF)對電路設(shè)計(jì)的影響。37第37頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7-6.耐電壓(DWV)電容器的耐電壓:是指電容器的陶瓷介質(zhì)在工作狀態(tài)中能夠承受的最大電壓，即擊穿電壓，也就是電容器的極限電壓電容器的標(biāo)稱電壓即電容器的工作電壓，標(biāo)稱電壓一般是相對于直流來說的。而電容器的耐電壓常規(guī)也是相對直流來說的，但有時也常用交流來表示。電容器的標(biāo)稱電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其瓷介的耐電壓。標(biāo)稱電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于芯片的耐電壓。比如，1206B102K101NT其標(biāo)稱電壓為100V，也就是其工作直流電壓要低于100V，而實(shí)際上其耐電壓直流可達(dá)1200V左右；交流可達(dá)500V左右。38第38頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月8.應(yīng)用其中高容量,低ESR,ESL的X7RMLCC電容堆,主要用于開關(guān)電源的濾波,低ESL允許在高頻濾波39第39頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月三、鉭質(zhì)電容定義:鉭電解電容是用金屬鉭作電極、氧化鉭作介質(zhì)的電容器，其示意圖如下特點(diǎn):化學(xué)穩(wěn)定性高，額定耐壓高，耐高溫性能好，機(jī)械強(qiáng)度高，體積小。

1.定義

2.外形40第40頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月3.各種類型的鉭電容結(jié)構(gòu)1)二氧化錳鉭電容(MnO2)41第41頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2)有機(jī)聚合體鉭電容(KO)42第42頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月3)鋁有機(jī)聚合體鉭電容(AO)43第43頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月鉭電容的制造流程1)制壓陰極44第44頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2)焊接陽極45第45頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月4.各類型鉭電容特性鉭電容具有低的ESR,低的漏電流,noignitionfailuremode,高的溫度穩(wěn)定性;在ESR,noignitionfailuremode方面,KO和AO具有更佳的表現(xiàn).46第46頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月4.鉭質(zhì)電容的基本電氣參數(shù)4.1Cp(Capacitance)容值一般電解電容器的電容量範(fàn)圍為其容量從0.47uF到1000uF,測試頻率為120Hz。

4.2電容值誤差Tolerance

4.3D.F(DisspationFactor)損失因素4.4UR(VoltageRating)額定電壓電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓。額定電壓壓主要有6.3V、10V、16V、63V幾種。

4.5LC(LeakageCurrent)漏電流4.6ESR(EquivalentSeriesResistance)等效串聯(lián)阻抗4.7RC(RippleCurrent)紋波/濾波電流常指微小的脈沖電流,表示其在電路中之耐沖擊性能。47第47頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月5.溫度及頻率特性鉭質(zhì)電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20℃,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化。5.1溫度對參數(shù)的影響溫度升高,Cp值及LC會增大48第48頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大49第49頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大50第50頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月5.2頻率對參數(shù)的影響頻率升高,Cp值及ESR值會減小,但DF會增大51第51頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月頻率對ESR的影響:頻率升高,ESR值減小52第52頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月頻率對損失因素的影響:頻率升高,DF值會增大53第53頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月6.貼片鉭質(zhì)電容使用注意事項(xiàng)反相電壓不允許

鉭質(zhì)電容有極性,有絲印的一方為正極,插入時要確認(rèn)極性的正確性。過壓不要提供超過額定電壓最大值的電壓，即如圖所示:脈沖電壓的峰值加上直流電壓之和不要超過電容本身的額定電壓。54第54頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月脈沖電流不要提供超過規(guī)格最大值的脈沖電流產(chǎn)品在長時間放置之后,在使用之前一定要確認(rèn)是否有反?，F(xiàn)象55第55頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月四.鋁電解電容AluminumCAP1.鋁電解電容有液態(tài)和固態(tài)兩類,固態(tài)又有OS-Con和聚合體兩類.2.液態(tài)鋁電解電容的結(jié)構(gòu)56第56頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月3.等效線路57第57頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月4.固態(tài)鋁電解電容1)OS-Con鋁電解電容結(jié)構(gòu),該類電容的電解液為固態(tài)電解液58第58頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2)鋁聚合體電解電容結(jié)構(gòu)該類電容的電解液為固態(tài)電解液(聚合體電解液).59第59頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月5.鋁電解電容的特性鋁電解電容具有高容值,高的額定電壓,較小的ESR值,較小的漏電流.固態(tài)鋁電解電容和鋁聚合體電解電容具有更小的ESR值,更佳的溫度穩(wěn)定性.60第60頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月6.電解電容的基本電氣參數(shù):5.1Cp(Capacitance)容值一般電解電容器的電容量範(fàn)圍為0.47uF-10000uF,測試頻率為120Hz。5.2(Tolerance)電容值誤差Tolerance一般電解電容器的電容值誤差範(fàn)圍為M即+/-20%5.3D.F(DisspationFactor)損失因素一般電解電容器因?yàn)閮?nèi)阻較大故D值較高,其規(guī)格視電容值高低決定,為0.1-0.24以下。5.4UR(VoltageRating)額定電壓電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。5.5LC(LeakageCurrent)漏電流在規(guī)定的環(huán)境溫度中,最大連續(xù)直流電壓下通過電容的電流。此為電解電容器之特定規(guī)格,一般以電容器本身額定電壓加壓3Min後,串接電流表測試,其漏電流量需在0.01CV(uF電容量值與額定電壓相乘積)或3uA以下(取其較大數(shù)值)。特定低漏電流量使用(Lowleakagetype)則其漏電流量需在0.002CV或0.4uA以下。61第61頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月5.6

ESR(EquivalentSeriesResistance)等效串聯(lián)阻抗對非理想電容,其內(nèi)部電極與端電極之間存在的電阻值,它表示轉(zhuǎn)化成熱能的損失量。ESR=DF/2πfc5.7

DS(DielectricStrength)耐電壓電容的選擇,其耐電壓應(yīng)大於電路所要求的電壓。注意:但對電解電容而言,高耐電壓值的電容用於低電壓電路中,額定電容量會減少。如一個5V電源電路中用50V額定電壓的電容,其電容量約減少一半。5.8

SV(SurgeVoltage)浪涌電壓給其加的一個沖擊電壓(一般為1.3倍RV,充放電1000個循環(huán))62第62頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7.溫度及頻率特性:電解電容的以上電氣參數(shù)通常規(guī)定在20℃,120Hz條件下測得,它們隨溫度及頻率的變化而變化.7.1溫度對參數(shù)的影響A.溫度升高,Cp值及LC會增大,但ESR會減小.B.溫度降低,Cp值及LC會減小,但ESR會增大.63第63頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大64第64頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對ESR的影響:溫度升高,ESR值減小65第65頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大66第66頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月溫度對損失因素的影響:溫度升高,DF值減小67第67頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月7.2頻率對參數(shù)的影響A.頻率升高,Cp值及阻抗會減小,但DF會增大.B.頻率降低,脈衝電流產(chǎn)生熱量增加將導(dǎo)致ESR增大68第68頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月8.貼片電解電容使用注意事項(xiàng)8.1

反相電壓不允許電解電容有極性,黑色絲印的一方為負(fù)極,插入時要確認(rèn)極性的正確性8.2充/放電使用標(biāo)準(zhǔn)的電解電容不適合重複充/放電使用8.3

過壓

不要提供超過規(guī)格電壓最大值的電壓8.4脈沖電流不要提供超過規(guī)格最大值的脈沖電流69第69頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月五、電容器的特性比較表70第70頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容器的性能比較表類型典型介質(zhì)吸收優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)NPO陶瓷電容器吸收＜0.1%外型尺寸小、價格便宜、穩(wěn)定性好、電容值范圍寬、

銷售商多、電感低通常電容值很低，但又無法限制到很小的數(shù)值(10nF)單片陶瓷電容器＞0.2%電感低、電容值范圍寬穩(wěn)定性差、DA性能差、電壓系數(shù)高鋁電解電容器很高電容值高、電流大、電壓高、尺寸小泄漏大、通常有極性、穩(wěn)定性差、精度低鉭電解電容器很高尺寸小、電容值大、電感適中泄漏很大、通常有極性、價格貴、穩(wěn)定性差、精度差71第71頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月MLCC與鉭質(zhì)電容的頻率特性及溫度特性比較72第72頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容器的Z值比較表73第73頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月電容器的ESR的頻率特性比較表74第74頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月去紋波能力比較（Inputpulse1MHz）75第75頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月去紋波能力比較（Inputpulse500KHz）76第76頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月6.電容的失效模式1.液態(tài)電解電容失效模式主要有:電極損壞,焊接過熱電解液蒸發(fā),漏電流變大,DF,ESR,Z變大等77第77頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月2.MLCC電容失效模式主要有:變形破裂,短路,IR值變小,漏電流,ESR,DF值變大等78第78頁，課件共92頁，創(chuàng)作于2023年2月3.鋁聚合體鉭電容失效模式主要有:短路,容值,IR變