2023年大學(xué)試題(計(jì)算機(jī)科學(xué))-計(jì)算機(jī)組成原理考試歷年高頻考題附答案

2023年大學(xué)試題(計(jì)算機(jī)科學(xué))-計(jì)算機(jī)組成原理考試歷年高頻考題附答案（圖片大小可自由調(diào)整）答案解析附后第1卷一.參考題庫(kù)(共10題)1.已知采用頁(yè)式虛擬存儲(chǔ)器，某程序中一條指令的虛地址是：000001111111100000。該程序的頁(yè)表起始地址是0011，頁(yè)面大1K，頁(yè)表中有關(guān)單元最末四位（實(shí)頁(yè)號(hào)）見下表：虛頁(yè)號(hào)裝入位實(shí)頁(yè)號(hào) 請(qǐng)指出指令地址（虛地址）變換后的主存實(shí)地址。2.設(shè)數(shù)據(jù)總線上接有A、B、C、D四個(gè)寄存器，要求選用合適的74系列芯片，完成下列邏輯設(shè)計(jì)： 設(shè)計(jì)一個(gè)電路，實(shí)現(xiàn)下列操作： T0時(shí)刻完成D→總線； T1時(shí)刻完成總線→A； T2時(shí)刻完成A→總線； T3時(shí)刻完成總線→B。4.控制器有哪些基本功能？它可分為哪幾類？分類的依據(jù)是什么？若采用間接尋址，則可尋址的最大存儲(chǔ)空間為多少？如果采用變址尋址呢？6.已知某DRAM芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)為128×128，存取周期為1us。試分析： （1）若采用集中式刷新方式，刷新時(shí)間間隔為1ms，則讀寫時(shí)間和刷新時(shí)間分為多少個(gè)周期？死區(qū)占多少時(shí)間？ （2）若采用分散式刷新方式，則相鄰兩行之間的刷新間隔是多少？7.假設(shè)int占4個(gè)字節(jié)，grid從存儲(chǔ)器地址0開始，高速緩存開始時(shí)是空的，唯一的存儲(chǔ)器訪問是對(duì)數(shù)組grid的元素的訪問，變量i、j、total_x和total_y存放在寄存器中。試確定下列代碼的高速緩存的讀總數(shù)和不命中率分別是多少？（）A、256，25%B、256，50%C、512，25%D、512，50%8.用原碼的不恢復(fù)余數(shù)法求X/Y=？，X=-0.1011，Y=+0.1110。寫出具體運(yùn)算過程，分別給出求出的商和余數(shù)。9.鍵盤屬于什么設(shè)備？它有哪些類型？如何消除鍵開關(guān)的抖動(dòng)？簡(jiǎn)述非編碼鍵盤查詢鍵位置碼的過程。10.某磁盤存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分，共有4個(gè)記錄盤面，每毫米5道，每道記錄信息12288字節(jié)，最小磁道直徑為230mm，共有275道，求：平均等待時(shí)間為多少？第1卷參考答案一.參考題庫(kù)1.正確答案:頁(yè)面大小1K?，頁(yè)內(nèi)地址10位，根據(jù)頁(yè)表，可以得出主存實(shí)地址為1100111100000。2.正確答案: 三態(tài)門1受T0＋T1控制，以確保T0時(shí)刻D→總線，以及T1時(shí)刻總線→接收門1→A。三態(tài)門2受T2＋T3控制，以確保T2時(shí)刻A→總線，以及T3時(shí)刻總線→接收門2→B。T0、T1、T2、T3波形圖如圖所示。 3.正確答案: 結(jié)果的符號(hào)是10（最高位的1自然丟失），所以溢出，且負(fù)溢出。4.正確答案: 控制器的基本功能有： （1）從主存中取出一條指令，并指出下一條指令在主存中的位置。 （3）指揮并控制CPU、主存和輸入輸出設(shè)備之間的數(shù)據(jù)流動(dòng)。 分類的依據(jù)在于控制器的核心———微操作信號(hào)發(fā)生器（控制單元CU）的實(shí)現(xiàn)方法不同。5.正確答案: 間接尋址可尋址的最大存儲(chǔ)空間為：232。變址尋址可尋址的最大存儲(chǔ)空間為：232。7.正確答案:C8.正確答案: 符號(hào)位=1⊕0=1，所以X/Y=-0.1100（商）余數(shù)0.1000*2-49.正確答案: 鍵盤是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)不可缺少的輸入設(shè)備。鍵盤可分為兩大類型：編碼鍵盤和非編碼鍵盤。非編碼鍵盤用較為簡(jiǎn)單的硬件和專門的鍵盤掃描程序來(lái)識(shí)別按鍵的位置。消除鍵開關(guān)抖動(dòng)的方法分硬件和軟件兩種。硬件的方法是增設(shè)去抖電路；軟件的方法是在鍵盤程序中加入延時(shí)子程序