第八章存儲器概述與ROM課件

8.半導體存儲器8.1只讀存儲器8.2隨機存取存儲器8.3存儲器容量的擴展8.半導體存儲器8.1只讀存儲器8.2隨機存取存儲器81教學基本要求：掌握半導體存儲器字、位、存儲容量等基本概念。掌握RAM、ROM的典型應用。了解存儲器的存儲單元的組成及工作原理。教學基本要求：掌握半導體存儲器字、位、存儲容量等基本概念。2概述半導體存貯器是能存放大量二值信息的半導體器件。存儲器的主要性能指標存取速度存儲容量概述半導體存貯器是能存放大量二值信息的半導體3存儲器RAM(Random-AccessMemory)ROM(Read-OnlyMemory)RAM(隨機存取存儲器):在運行狀態(tài)可以隨時進行讀或寫操作。存儲的數據必須有電源供應才能保存,一旦掉電,數據全部丟失。ROM(只讀存儲器)：在正常工作狀態(tài)只能讀出信息。斷電后信息不會丟失，常用于存放固定信息（如程序、常數等）。固定ROM可編程ROMOTPROMEPROME2PROMSRAM(StaticRAM)：靜態(tài)RAMDRAM(DynamicRAM)：動態(tài)RAMMROMFlashMemory存儲器RAM(Random-AccessMem4幾個基本概念：存儲容量（M)：存儲二值信息的總量。字數：字的總量。字長（位數）：表示一個信息多位二進制碼稱為一個字，字的位數稱為字長。存儲容量（M)＝字數×位數地址：每個字的編號。字數=2n（n為存儲器外部地址線的線數）幾個基本概念：存儲容量（M)：存儲二值信息的總量。字數：字的5

只讀存儲器，工作時內容只能讀出，不能隨時寫入，所以稱為只讀存儲器。(Read-OnlyMemory)ROM的分類按寫入情況劃分

固定ROM可編程ROM按存貯單元中器件劃分

二極管ROM三極管ROMMOS管ROM一、ROM的定義與基本結構OTPROMEPROME2PROMMROMFlashMemory只讀存儲器，工作時內容只能讀出，不能隨時寫入，所以6存儲矩陣地址譯碼器地址輸入1ROM的定義與基本結構數據輸出控制信號輸入輸出控制電路地址譯碼器存儲矩陣輸出控制電路地址譯碼器地址輸入1ROM的定義與基本結構數據輸出控制信71）ROM（二極管PROM）結構示意圖存儲矩陣位線字線輸出控制電路M=44地址譯碼器1）ROM（二極管PROM）結構示意圖存儲位線字線輸出控制電8字線與位線的交點都是一個存儲單元。交點處有二極管相當存1，無二極管相當存0當OE=1時輸出為高阻狀態(tài)000101111101111010001101地址A1A0D3D2D1D0內容當OE=0時字線與位線的交點都是一個當OE=1時輸出為高阻狀態(tài)000109字線存儲矩陣位線字線與位線的交點都是一個存儲單元。交點處有MOS管相當存0，無MOS管相當存1。2兩維譯碼該存儲器的容量=?字線存儲位線字線與位線的交點都是一個存儲單元。2兩維譯103可編程ROM（1）OTPROM（2）EPROM（3）EEPROM（4）FLASH-ROM3可編程ROM（1）OTPROM（2）EPROM（111.作函數運算表電路【例1】試用ROM構成能實現函數y=x2的運算表電路，x的取值范圍為0～15的正整數。三．ROM的應用【解】（1）分析要求、設定變量自變量x的取值范圍為0～15的正整數，對應的4位二進制正整數，用B=B3B2B1B0表示。根據y=x2的運算關系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二進制數Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。（2）列真值表—函數運算表1.作函數運算表電路三．ROM的應用【解】（1）分析要求、12第八章存儲器概述與ROM課件13Y7=m12+m13+m14+m15（3）寫標準與或表達式Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y3=m3+m5+m11+m13Y1=0Y2=m2+m6+m10+m14(4)畫ROM存儲矩陣結點連接圖為做圖方便，我們將ROM矩陣中的二極管用節(jié)點表示。Y0=m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15Y7=m12+m13+m14+m15（3）寫標準與或表達式Y14第八章存儲器概述與ROM課件15【解】（1）寫出各函數的標準與或表達式：按A、B、C、D順序排列變量，將Y1、Y2、Y4擴展成為四變量邏