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文檔簡介

第第頁如何用直流掃描分析法DCsweep驗證晶體管特性在上篇《活學活用LTs（pi）ce進行（電路設(shè)計）—簡單五步繪制正確電路圖》中，我們分享了只用簡單五步繪制電路圖的方法，展示了如何通過讀取JIG電路來輕松（模擬）一個（開關(guān)穩(wěn)壓器）。本文將介紹如何使用預(yù)先準備好的模擬文件進行（DC）sweep直流掃描分析。

打開用于直流掃描分析的文件

此處以Educational文件夾為例，使用該文件夾內(nèi)預(yù)先準備好的模擬文件進行處理。單擊（電腦）上“我的文檔”，依次順序點擊“LTspiceXVII”、“examples”，再到“Educational”。在Educational文件夾內(nèi)打開名為“curvetrace.asc”的文件，可以得到如下圖(圖1)所示的雙極（晶體管）2N222的電路圖。以下我們將使用這個文件來進行DCsweep直流掃描分析，DCsweep是通過改變器件的直流值來模擬其特性。

圖1（電阻）值變化時的電壓值

直流掃描分析設(shè)置步驟

如上圖(圖1)所示，左邊紅色下劃線①為集電極與發(fā)射極電壓V1的設(shè)置，這意味著V1將從0V至15V范圍內(nèi)以10mv步長進行掃描。右鍵單擊文本以打開“編輯模擬”命令，選擇1^st^Source以檢查V1的配置，如下圖(圖2)紅框部分所示。

上圖(圖1)所示中的藍色下劃線②則為流經(jīng)基極的（電流）I1的設(shè)置，這意味著I1將以20uA至100uA的20uA步長變化。通過在Edit（Sim）ulationCommand中選擇2^nd^Source可以檢查I1的配置，如下圖(圖2)藍框部分所示。

圖2DCSweep的配置

檢查晶體管2N222I-V曲線

執(zhí)行RUN后將得到如下圖(圖3)所示的I-V曲線圖。使用這個文件稍作修改，還可以檢查別的晶體管的I-V特性。此外，也可以將（電流源）I1更改為電壓源以檢查FET的I-V特性。

圖3晶體管的I-V特性

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