放射醫(yī)學(xué)技師專業(yè)知識(shí)(CR、DR成像原理)-試卷

〔CR、DR〕1(總分：72.00，做題時(shí)間：90一、A1/A227，分?jǐn)?shù)：54.00)FPD用于DSA〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.比照度好B.區(qū)分率高C.成像速度慢D.可以動(dòng)態(tài)成像 √E.視野大解析：解析：FPD時(shí)間區(qū)分率高，所以可以用于動(dòng)態(tài)成像和DSA。2.非晶硒FPD〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.成像環(huán)節(jié)少B.吸取率高C.靈敏度高D.量子檢出效率高E.無(wú)電離輻射 解析：間接FPD〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.XB.X√C.X線一可見光一電信號(hào)一模擬圖像D.X線一電信號(hào)一熒光屏一模擬圖像解析：DR相比于CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕成像時(shí)間短B.XC.圖像質(zhì)量好D.系統(tǒng)本錢高E.以上都是 解析：多絲正比電離室探測(cè)器是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕直接探測(cè)器 √C.模擬探測(cè)器D.平板探測(cè)器E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器解析：KonicaCR1mRS200，2mRS〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.400B.200C.100√D.50E.10解析：解析：S=QR×E1／E1mRS=200×(1／1)，2mRS100。關(guān)于CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕IP由基層、熒光體層和保護(hù)層構(gòu)成√IPIPIP解析：關(guān)于平板探測(cè)器的表達(dá)，錯(cuò)誤的選項(xiàng)是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕有直接轉(zhuǎn)換型和間接轉(zhuǎn)換型B.其極限區(qū)分率比屏／片系統(tǒng)低C.其MTF比屏／片系統(tǒng)低√D.其DQEE.DQECR解析：解析：平板探測(cè)器的比照度傳遞力量在中低頻區(qū)域高于屏／片系統(tǒng)。屏／片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X線攝影的共同之處是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕圖像存儲(chǔ)成像能源 √D.成像方式E.傳輸方式解析：CRDR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.成像方式B.操作方式C.床旁攝影D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影√E.與常規(guī)X解析：應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.硒鼓檢測(cè)器C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器√D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器E.多絲正比室檢測(cè)器解析：從X線到影像按“潛影→可見光→數(shù)字影像”這一程序轉(zhuǎn)換的是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕B.成像板 √C.閃耀體+CCDD.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器E.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器解析：解析：只有光鼓勵(lì)發(fā)光熒光體轉(zhuǎn)換過(guò)程中存在潛影。FPD〔分?jǐn)?shù)：2.00〕薄膜晶體管技術(shù) √C.光電倍增管技術(shù)D.光鼓勵(lì)發(fā)光技術(shù)E.非晶硒技術(shù)TFT間接DRFPD〔分?jǐn)?shù)：2.00〕非晶硒碘化銫 √D.非晶硅E.CCD解析：解析：碘化銫為常用的間接DR閃耀體。直接平板探測(cè)器的線性度范圍是〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.1：10B.1：100C.1：1000D.1：10000√E.1：100000解析：直接FPD〔分?jǐn)?shù)：2.00〕地址編碼電路 √信號(hào)放大電路C.濾波電路E.顯示電路解析：關(guān)于CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.CRX(IP)上，而不是記錄于膠片上IP不能重復(fù)使用 √IPE.CR解析：CRX〔分?jǐn)?shù)：2.00〕使用影像板代替膠片√B.X人體X對(duì)CR將已攝影的X解析：CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕常規(guī)XB.圖像區(qū)分率、顯示力高C.降低XD.時(shí)間、空間區(qū)分力缺乏√E.實(shí)現(xiàn)X解析：直接數(shù)字化X射線攝影承受多少位的圖像數(shù)字化轉(zhuǎn)換〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.8B.14位 √C.4D.16E.以上都不是解析：CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.灰階處理B.窗位處理C.偽彩處理 √D.數(shù)字減影處理E.X解析：解析：偽彩常用于斷層圖像處理。數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.60％以上 B.50％以上C.20％以上D.30％以上E.40％以上解析：傳統(tǒng)X〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.10％～20％B.20％～30％ C.30％～40％D.40％～50％E.50％～60％解析：CRX〔分?jǐn)?shù)：2.00〕均需要XB.均為灰度圖像C.均為重疊圖像D.均為二維圖像E.均由像素組成，觀看分析一樣√解析：直接數(shù)字化X射線攝影，硒物質(zhì)直接轉(zhuǎn)換技術(shù)X射線的吸取率高于間接轉(zhuǎn)換技術(shù)〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.3～4倍 √6～85～91～2解析：CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.灰階處理B.窗位處理C.時(shí)間減影處理D.能量減影處理E.磁信號(hào)處理 解析：關(guān)于CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕影像板上的信息可永久保存√C.影像板可反復(fù)使用D.影像板代替膠片保存XE.影像板信息未讀取時(shí)呈潛影狀態(tài)IP825％左右的信息。二、A3/A42，分?jǐn)?shù)：8.00)透過(guò)被照體的X線照耀到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子一空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子一空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分別并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正X存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出掌握信號(hào)的掌握下，開關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像A／D〔分?jǐn)?shù)：4.00〕〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.屬于直接轉(zhuǎn)換屬于間接轉(zhuǎn)換 √成像效果好于IPE.需要高壓電場(chǎng)解析：〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.產(chǎn)生電荷B.存儲(chǔ)電荷C.開關(guān)√E.放大解析：CR(IP)來(lái)接收XIP程就是信息采集?！卜?jǐn)?shù)：4.00〕關(guān)于IP〔分?jǐn)?shù)：2.00〕IPXIP在XIP曝光后的成像板，由于吸取X線而發(fā)生電化學(xué)反響√IPX關(guān)于CR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕IP具有與膠片一樣的構(gòu)造√IP光鼓勵(lì)熒光體的晶體構(gòu)造“陷阱”中存儲(chǔ)吸取的X線能量IP解析：三、B11，分?jǐn)?shù)：10.00)BaFBr：Eu2+

NaS2

O 2 3

OC．NaCO2 2

D．CH

COOHE．a(chǎn)-Se〔分?jǐn)?shù)：10.00〕3能用于IP〔分?jǐn)?shù)：2.00〕√B.C.D.E.解析：〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.B.√C.D.E.解析：(3).DR〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.B.C.D.E.√解析：〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.B.C.D.√E.解析：〔分?jǐn)?shù)：2.00〕A.B.C.√D.E