一種利用非揮發(fā)性元件修調(diào)規(guī)格的集成電路的制作方法

一種利用非揮發(fā)性元件修調(diào)規(guī)格的集成電路的制作方法引言集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分，具有規(guī)格統(tǒng)一、體積小、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于生產(chǎn)中的批次差異等原因，同一型號集成電路的電氣性能差異較大，導(dǎo)致成品質(zhì)量不穩(wěn)定。因此，尋找一種能夠修調(diào)制程規(guī)格參數(shù)的方法，能夠有效提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，對于集成電路的制造來說是非常有價(jià)值的。非揮發(fā)性元件的介紹要實(shí)現(xiàn)對集成電路的規(guī)格修調(diào)，需要使用一種非揮發(fā)性元件進(jìn)行操作。非揮發(fā)性元件，簡稱NVM，是一種能夠永久保存信息的電子元件。常用的NVM元件包括EEPROM、Flash、MRAM、FeRAM等。其中，EEPROM和Flash是最為常見的NVM元件。EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory）是一種通過電子注入和釋放控制來實(shí)現(xiàn)只讀存儲器寫入的非揮發(fā)性存儲器。EEPROM具有可多次擦寫的特點(diǎn)，每次擦寫操作需要發(fā)送特定的控制命令，操作相對較慢。Flash與EEPROM類似，也是一種能夠擦寫的非揮發(fā)性存儲器，但Flash的擦寫速度比EEPROM快，而且可擦寫的擦除單元較大。Flash基本上是以頁為單位執(zhí)行其擦除和寫入操作。利用NVM元件修調(diào)集成電路規(guī)格利用NVM元件來修調(diào)集成電路規(guī)格的基本思路是，將制程規(guī)格的參數(shù)嵌入到NVM元件中，再通過NVM元件來修調(diào)集成電路的規(guī)格。具體實(shí)現(xiàn)的方法如下：步驟一：制作電氣特性位測試芯片制作一塊電氣特性位測試芯片，主要測試所設(shè)計(jì)的電路在制程規(guī)格的擾動(dòng)下，引起電路電氣特性的變化程度。測試芯片按照電氣特性位分組，不同位之間具有良好的分離性。步驟二：確定電路的特性關(guān)鍵因素選取一些特定的電氣特性位作為規(guī)格參數(shù)。選取規(guī)格參數(shù)的原則是：在電路的總波動(dòng)值中，該位比較突出，如果在該位的測試結(jié)果不符合規(guī)格，則整個(gè)電路特性都會受到影響，該位就是電路的特性關(guān)鍵因素。通過統(tǒng)計(jì)軟件對測試結(jié)果進(jìn)行分析，確定電路的特性關(guān)鍵因素。步驟三：嵌入特性關(guān)鍵參數(shù)到NVM元件中將電路特性關(guān)鍵因素嵌入到NVM元件中，并將NVM元件寫入電路的封裝。使用燒入器將NVM元件燒錄到電路封裝中。步驟四：生產(chǎn)集成電路通過在生產(chǎn)線中進(jìn)行特定的加工所需工藝流程，使用相應(yīng)的掩膜制作出符合規(guī)格的芯片。然后使用測試平臺進(jìn)行測試，通過電路的反饋測試結(jié)果和被測電路模擬出的結(jié)果的比對，確定芯片的電氣規(guī)格。步驟五：利用NVM元件修調(diào)規(guī)格如果生產(chǎn)出來的芯片的電氣性能不符合規(guī)格要求，可以通過NVM元件進(jìn)行修調(diào)，具體流程如下：1.在測試平臺上進(jìn)行測試，找到規(guī)格參數(shù)不符合的芯片。2.通過觀察不符合規(guī)格的測試結(jié)果與規(guī)格參數(shù)的關(guān)系，判斷需要進(jìn)行修調(diào)的位數(shù)，并獲得需要調(diào)整的數(shù)值范圍。3.通過NVM元件修改對應(yīng)規(guī)格位，調(diào)整目標(biāo)參數(shù)，使其符合規(guī)格范圍。4.將修改后的NVM信息重新寫入不符合規(guī)格的芯片。步驟六：進(jìn)行產(chǎn)品測試通過對芯片在不同環(huán)境下的測試，確保生產(chǎn)出來的集成電路性能達(dá)到規(guī)格要求。結(jié)論本文介紹了一種利用非揮發(fā)性元件修調(diào)規(guī)格的集成電路的制作方法。通過將特定的電氣特性位作為規(guī)格參數(shù)，將其嵌入到NVM元件中，再通過NVM元件來修調(diào)集成