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一種利用非揮發(fā)性元件修調(diào)規(guī)格的集成電路的制作方法引言集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分,具有規(guī)格統(tǒng)一、體積小、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于生產(chǎn)中的批次差異等原因,同一型號(hào)集成電路的電氣性能差異較大,導(dǎo)致成品質(zhì)量不穩(wěn)定。因此,尋找一種能夠修調(diào)制程規(guī)格參數(shù)的方法,能夠有效提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性,對(duì)于集成電路的制造來說是非常有價(jià)值的。非揮發(fā)性元件的介紹要實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路的規(guī)格修調(diào),需要使用一種非揮發(fā)性元件進(jìn)行操作。非揮發(fā)性元件,簡(jiǎn)稱NVM,是一種能夠永久保存信息的電子元件。常用的NVM元件包括EEPROM、Flash、MRAM、FeRAM等。其中,EEPROM和Flash是最為常見的NVM元件。EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)是一種通過電子注入和釋放控制來實(shí)現(xiàn)只讀存儲(chǔ)器寫入的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。EEPROM具有可多次擦寫的特點(diǎn),每次擦寫操作需要發(fā)送特定的控制命令,操作相對(duì)較慢。Flash與EEPROM類似,也是一種能夠擦寫的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,但Flash的擦寫速度比EEPROM快,而且可擦寫的擦除單元較大。Flash基本上是以頁為單位執(zhí)行其擦除和寫入操作。利用NVM元件修調(diào)集成電路規(guī)格利用NVM元件來修調(diào)集成電路規(guī)格的基本思路是,將制程規(guī)格的參數(shù)嵌入到NVM元件中,再通過NVM元件來修調(diào)集成電路的規(guī)格。具體實(shí)現(xiàn)的方法如下:步驟一:制作電氣特性位測(cè)試芯片制作一塊電氣特性位測(cè)試芯片,主要測(cè)試所設(shè)計(jì)的電路在制程規(guī)格的擾動(dòng)下,引起電路電氣特性的變化程度。測(cè)試芯片按照電氣特性位分組,不同位之間具有良好的分離性。步驟二:確定電路的特性關(guān)鍵因素選取一些特定的電氣特性位作為規(guī)格參數(shù)。選取規(guī)格參數(shù)的原則是:在電路的總波動(dòng)值中,該位比較突出,如果在該位的測(cè)試結(jié)果不符合規(guī)格,則整個(gè)電路特性都會(huì)受到影響,該位就是電路的特性關(guān)鍵因素。通過統(tǒng)計(jì)軟件對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析,確定電路的特性關(guān)鍵因素。步驟三:嵌入特性關(guān)鍵參數(shù)到NVM元件中將電路特性關(guān)鍵因素嵌入到NVM元件中,并將NVM元件寫入電路的封裝。使用燒入器將NVM元件燒錄到電路封裝中。步驟四:生產(chǎn)集成電路通過在生產(chǎn)線中進(jìn)行特定的加工所需工藝流程,使用相應(yīng)的掩膜制作出符合規(guī)格的芯片。然后使用測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行測(cè)試,通過電路的反饋測(cè)試結(jié)果和被測(cè)電路模擬出的結(jié)果的比對(duì),確定芯片的電氣規(guī)格。步驟五:利用NVM元件修調(diào)規(guī)格如果生產(chǎn)出來的芯片的電氣性能不符合規(guī)格要求,可以通過NVM元件進(jìn)行修調(diào),具體流程如下:1.在測(cè)試平臺(tái)上進(jìn)行測(cè)試,找到規(guī)格參數(shù)不符合的芯片。2.通過觀察不符合規(guī)格的測(cè)試結(jié)果與規(guī)格參數(shù)的關(guān)系,判斷需要進(jìn)行修調(diào)的位數(shù),并獲得需要調(diào)整的數(shù)值范圍。3.通過NVM元件修改對(duì)應(yīng)規(guī)格位,調(diào)整目標(biāo)參數(shù),使其符合規(guī)格范圍。4.將修改后的NVM信息重新寫入不符合規(guī)格的芯片。步驟六:進(jìn)行產(chǎn)品測(cè)試通過對(duì)芯片在不同環(huán)境下的測(cè)試,確保生產(chǎn)出來的集成電路性能達(dá)到規(guī)格要求。結(jié)論本文介紹了一種利用非揮發(fā)性元件修調(diào)規(guī)格的集成電路的制作方法。通過將特定的電氣特性位作為規(guī)格參數(shù),將其嵌入到NVM元件中,再通過NVM元件來修調(diào)集成
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