2023年CCZ技術(shù)+硅生長(zhǎng)設(shè)備行業(yè)分析報(bào)告

102023CCZ備行業(yè)分析報(bào)告正文名目\l“_TOC_250012“CCZ技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，是單晶硅片生長(zhǎng)技術(shù)方向 4\l“_TOC_250011“RCZ是當(dāng)前單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)主流 4\l“_TOC_250010“CCZ技術(shù)本錢及產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)勢(shì)明顯 7\l“_TOC_250009“CCZ技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的瓶頸逐步解決 10\l“_TOC_250008“外CCZ技術(shù)不斷完善 12\l“_TOC_250007“少數(shù)企業(yè)把握CCZ技術(shù) 12\l“_TOC_250006“資產(chǎn)，有望引領(lǐng)國(guó)內(nèi)CCZ進(jìn)展 13\l“_TOC_250005“多晶硅龍頭面臨單晶硅降本困擾 13\l“_TOC_250004“SunEdison開啟單晶硅之路 16\l“_TOC_250003“擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽或?qū)⑦B續(xù)，設(shè)備企業(yè)有望受益 16\l“_TOC_250002“協(xié)鑫工程將激化產(chǎn)能競(jìng)賽，設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)提升 16\l“_TOC_250001“核心，約占總投資的30~40% 16\l“_TOC_250000“主要公司分析 18天通股份 18晶盛機(jī)電 19圖表名目圖1：直拉法原理示意圖 42：RCZ加料裝臵示意圖 63：RCZ法單晶硅生長(zhǎng)爐 6圖4：傳統(tǒng)直拉法拉制前后熱場(chǎng)狀況〔箭頭代表熱力流淌方向〕 75：CCZ技術(shù)原理示意圖 86：CCZ單晶硅生長(zhǎng)爐 87：CCZ拉制工藝流程圖 9電阻率比照〔藍(lán)線為RCZ，紅線為CCZ〕 10FBR技術(shù)示意圖 11圖10：顆粒硅 11圖11：?jiǎn)尉Ч鑳?yōu)勢(shì) 14圖12：?jiǎn)尉袌?chǎng)份額逐年提高 14圖13：?jiǎn)尉?、多晶硅價(jià)差減小〔美元〕 15圖14：金剛石線在硅片切割將來(lái)應(yīng)用的推測(cè) 15圖15：直拉法單晶硅爐工作原理圖 17圖16：熱場(chǎng)組成圖 17CCZ技術(shù)優(yōu)勢(shì)明顯，是單晶硅片生長(zhǎng)技術(shù)方向RCZ是當(dāng)前單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)主流〔FZ法〕和直拉法〔CZ法〕兩種，直拉法相對(duì)來(lái)說(shuō)本錢更低，生長(zhǎng)速率較快，更適合大尺寸單晶硅棒的拉制，目前我國(guó)90%以上的太陽(yáng)能級(jí)單晶硅通過直拉法進(jìn)展生產(chǎn)，估量今后仍將大比例沿用。晶下端生長(zhǎng)，并隨著籽晶的提拉晶體漸漸生長(zhǎng)形成晶棒。1：直拉法原理示意圖最初的直拉法是分批直拉法〔hi，一個(gè)坩堝只能拉制一根晶棒，并且在拉制完以后坩堝因冷卻裂開而無(wú)法重復(fù)使用。Z屢次拉晶技術(shù)d，是RCZ法在每次拉制完硅晶RCZ法不會(huì)像分批直拉法那樣因冷卻坩堝而導(dǎo)致坩堝裂開，使得坩堝的屢次利用成為可能。2：RCZ加料裝臵示意圖3：RCZ法單晶硅生長(zhǎng)爐RCZ硅晶棒性質(zhì)的不均一。4：傳統(tǒng)直拉法拉制前后熱場(chǎng)狀況〔箭頭代表熱力流淌方向〕畢并移除，造成了工業(yè)生產(chǎn)的低效率。CCZ技術(shù)本錢及產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)勢(shì)明顯連續(xù)直拉法承受特別直拉單晶爐，晶棒拉制與加料熔化同時(shí)進(jìn)展。CCZ的單晶爐上裝有儲(chǔ)存顆粒硅原料的漏斗，并與一個(gè)振動(dòng)CCZ過程影響。5：CCZ技術(shù)原理示意圖6：CCZ單晶硅生長(zhǎng)爐7：CCZ拉制工藝流程圖CCZ連續(xù)直拉法最大的優(yōu)勢(shì)為效率優(yōu)勢(shì)。CCZ直拉法晶棒拉制〔等徑生長(zhǎng)流8-10RCZ目前4-5根拉制。1：CCZRCZ一爐兩根拉晶工序時(shí)間比照CCZ可以較快速度獲得優(yōu)質(zhì)大單晶。CCZ連續(xù)直拉法生產(chǎn)的單晶硅棒還有更均衡的電阻率。一般直拉法中，為了〔被添加到硅熔液中。CCZ來(lái)的單晶硅棒有更均衡的電阻率。8：CCZRCZ法晶棒電阻率比照〔RCZCCZ〕困擾CCZ技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)的瓶頸逐步解決CCZ與RCZ的核心差異，RCZCCZCCZ技術(shù)的工業(yè)化應(yīng)用。CCZ技術(shù)對(duì)復(fù)投料的要求極高，需要使用高品質(zhì)顆粒硅作為原料，這也是限SunEdison的局部資產(chǎn)取得了FBR硅烷流化床法的技術(shù)，有望形成技術(shù)協(xié)同。9：SunEdisonFBR技術(shù)示意圖10：顆粒硅CCZCCZ〔一次8-10根。國(guó)外的石英坩堝壽命可達(dá)500小時(shí)左右，但是售價(jià)昂貴，約三萬(wàn)美的使用壽命。CCZ所用熔液質(zhì)量很大一局部取決于熔液外表溫度。此外，隨著提拉速度的提升，熔液-晶體的界面會(huì)產(chǎn)生更多的熱量。因此掌握熔液外表溫度掌握和熱傳CCZCCZ要設(shè)計(jì)出良好解決方案來(lái)應(yīng)對(duì)這一問題。國(guó)內(nèi)外CCZ技術(shù)不斷完善國(guó)外少數(shù)企業(yè)把握CCZ技術(shù)以到達(dá)預(yù)定要求，且拉制過程易受晶棒碎屑影響，難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用。而固態(tài)CCZ技術(shù)進(jìn)展的主要因素之一。技術(shù)始終未投入大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)隨著固態(tài)多晶裂開技術(shù)的進(jìn)展，CCZ技術(shù)將迎來(lái)良好的進(jìn)展前景。尤其是FBR生CCZ的最正確用料。球第一，是世界上上少數(shù)幾家能將CCZ技術(shù)投入到實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)的企業(yè)之一。SunEdisonCCZ技術(shù)已是其第五代技術(shù)。2：SunEdisonCCZ代際技術(shù)指標(biāo)Z技術(shù)〔MZ技術(shù)的工業(yè)化生產(chǎn)。TZ技術(shù)使其相比原有拉晶技術(shù)單晶產(chǎn)量提升10%，本錢降低15%。韓國(guó)的siliconvalue公CCZ生產(chǎn)設(shè)備，該5根單晶硅棒。FBR技術(shù)進(jìn)展也來(lái)源已久，在不同工業(yè)生產(chǎn)過程中都有應(yīng)用。應(yīng)用于顆粒硅、SunEdison等少數(shù)企業(yè)手中，且多數(shù)生產(chǎn)的顆粒硅純FBR11N的顆粒硅。協(xié)鑫收購(gòu)SunEdison資產(chǎn)，有望引領(lǐng)國(guó)內(nèi)CCZ進(jìn)展多晶硅龍頭面臨單晶硅降本困擾2023年的15%提升至年的1元%，15-17%。單晶衰減率較低，所以單晶硅的壽命最長(zhǎng)；單晶的效率較高，投資回報(bào)高。11：?jiǎn)尉Ч鑳?yōu)勢(shì)12：?jiǎn)尉袌?chǎng)份額逐年提高傳統(tǒng)的砂漿鋼線切割是通過高速運(yùn)動(dòng)的鋼線帶動(dòng)摻在切割液中的碳化硅游0.4mm/min度全都，其切割力量相比傳統(tǒng)的游離切割有大幅提升，因而可承受1.0mm/min2-3倍以上。硅晶片在電池端的競(jìng)爭(zhēng)力，利于單晶硅片的銷量。13：?jiǎn)尉?、多晶硅價(jià)差減小〔美元〕14：金剛石線在硅片切割將來(lái)應(yīng)用的推測(cè)2023年開頭，為加快傳和推廣，而落地在實(shí)際操作中，大局部“領(lǐng)跑者”工程選擇了光電轉(zhuǎn)換效率更增長(zhǎng)。背水一戰(zhàn)，收購(gòu)SunEdison開啟單晶硅之路2023年開頭，保利協(xié)鑫開頭SunEdisonCCZ連續(xù)直“單多晶并行”的戰(zhàn)略部署。擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽或?qū)⑦B續(xù)，設(shè)備企業(yè)有望受益協(xié)鑫工程將激化產(chǎn)能競(jìng)賽，設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)提升20GW90億元。28GW23GW單202345GW產(chǎn)能。協(xié)鑫的參加將進(jìn)一步激化單晶硅競(jìng)爭(zhēng)，估量硅片企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程將連續(xù)，設(shè)備商將迎來(lái)增長(zhǎng)紅利。硅生長(zhǎng)設(shè)備是核心，約占總投資的30~40%掌握溫度分布起到關(guān)鍵性影響。石英是目前直拉法生長(zhǎng)單晶硅最通用的坩堝材料。15：直拉法單晶硅爐工作原理圖16：熱場(chǎng)組成圖20GW1GW125臺(tái)硅生長(zhǎng)爐，密性，核心的軟控系統(tǒng)協(xié)鑫或?qū)⒆约汗┙o，其它組件或許率將外購(gòu)。主要公司分析天通股份：泛半導(dǎo)體設(shè)備+材料共振，產(chǎn)業(yè)聚焦合力啟航2023年以進(jìn)展主線，制造力量逐步增加，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)穩(wěn)步增長(zhǎng)，ROE、利潤(rùn)率及周轉(zhuǎn)率等21.7928.82%，實(shí)現(xiàn)歸母凈利8207.232023年全年的一半。隨著公司布局業(yè)務(wù)的間續(xù)放量，公司進(jìn)展有望連續(xù)提速。200kg晶錠量產(chǎn)，在建400kg600kg以上晶錠，處于行業(yè)領(lǐng)先地位。藍(lán)寶石在LED、消費(fèi)電子等領(lǐng)域應(yīng)用較多，隨著LED照明加速滲透、Micro-LED市場(chǎng)逐步啟動(dòng)，藍(lán)寶石需求走旺。117億元。公司作為全球唯一實(shí)現(xiàn)C向藍(lán)寶石長(zhǎng)晶量產(chǎn)的公司，在技術(shù)水平、制造本錢、現(xiàn)金流狀況等方面優(yōu)勢(shì)顯升。CCZ建立獨(dú)家合作關(guān)系，公司有望綁定優(yōu)質(zhì)客戶，與客戶共同享受技術(shù)變革紅利。TrojanCMP等晶圓制OLED普及大潮。投資建議：公司粉體、晶體材料+設(shè)備戰(zhàn)略方向清楚，泛半導(dǎo)體業(yè)務(wù)持續(xù)快30.3041.8251.41億元，億元，維持買入-A投資評(píng)級(jí)。6個(gè)月202330倍動(dòng)態(tài)市盈率。風(fēng)險(xiǎn)提示：業(yè)務(wù)推動(dòng)不達(dá)預(yù)期、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇晶盛機(jī)電：光伏及半導(dǎo)體齊發(fā)力，硅生長(zhǎng)爐強(qiáng)者再譜篇2023增速近幾年持續(xù)超預(yù)期。依據(jù)我們產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，業(yè)內(nèi)人士對(duì)光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)展樂觀，估量公司訂單將連續(xù)快速增加。2023~