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文檔簡介
Mail:Tel:18120.1P PPoP P PO為信號輸出功率,PD為直流功率,管耗為PC,PO相
1.1.21.1.21.1.3
集電極最大耗散功率Pcm=(TjM-集電結(jié)與周圍環(huán)境的熱阻RthR(th)jc加散熱器后的總熱阻RthR(th)jcR(th)cs加散熱器后的總熱阻RthR(th)jcR(th)cs
(Double-diffusedMOSFET),它可承受的電流高
IGBT在高摻雜區(qū)與金屬漏極之間插入一層高摻雜的區(qū),它與作為MS管襯底的+區(qū)之間夾著區(qū),它們形成兩個結(jié),構(gòu)成P型晶體三極管,這個晶體三極管與MO管共同組成組合管。iC=ICQ+ic=ICQ+v=VCEQ+vce=VCEQ-VcmVcm≈V≈V/2,Icm=Vcm/RL≈VCEQ/P12VidtV 2 CC CCCQ
P i2RdtI2R
I2RVIV
C CQL21cm CEQCQ2cmP ivdtVIVC2 C CEQCQ2cm在上述表示式中,PL和C均由直流和交流兩部分合成。以IQD2最大o=cIm/2=ICQ2=/4,相應(yīng)的最大集電極效率CmaxPo/PD1/4
條直線EF:vCEVCC直流負(fù)載線與靜態(tài)電流iB=IBQiC=ICQ的交點即為靜LR'=n2RLv交流負(fù)載方程v
R'L
iC=ICQ+IcmsinωtvCE=VCEQ-Vcmsinωt,vCEVCEQ iCICQ Vcm=vCEVCEQR'LiCICQ =(?)I2×R′= 2/R Vi CC 0 i / Vi CC L
直流功率:P=1 02CC0iC0
vCEVCEQICQRL
集電極管耗:P=1 =P-L即為-1/R'。L
C2vCEiCdtVCCICQ2Vcm 0 1V0c0 cmPD2VCC 當(dāng)PD一定時,要使輸出信號功率最大,要使QVcmVcc-VCE(sat)IcmICQ- Pomax=1/2 ηcmax
iCmax=2ICQ<ICMPCmax=PD<PCM
圖()為變壓器耦合電路,它由輸入變壓器TrTrNPN功率管TT輸入變壓器Tri分成兩個幅值相等、極性相反的激勵電壓,分別加到兩管基射極間,實現(xiàn)兩管輪流導(dǎo)通。輸出變壓器TriC和iC中的平均分量,并利用初級繞組的中心抽頭將iC和iC中的基波分量在L中疊加,輸出正弦波。右圖TT是完全一致的互補(bǔ)功TNP型管,T為PN型管,輸出端接公共負(fù)載集電極正負(fù)電源供電。=TTi=i
正半周期,T截止
C1的電流i 2導(dǎo)通,E2=C2。通過負(fù)載 PL=(?)VcmIcm=(?)Vcm2/ 電源電壓利用系數(shù):VcmL 0≤ωt≤ P12VCCL π≤ωt≤2
1VccL L 2 0≤ωt ?正負(fù)直流電源供電的總直流功率 2 2 π =-Isinωtπ≤ωt≤2 ?PDPD1PD22VCCcm cmVCC π vCE1=VCC- ? -V ?1時 C
= – =I
PC1=PC2=(PDPL)/2=(2ξ/ξ2
vL=Vcmsinωt= PC=PC1+PC2=(4ξ/ξ2)P當(dāng)ξ=2/≈0.636時,PC最大PCmax4PLmax 1.2.31.2.3反之,ξ接近于1時,雖然PD大,但由于C高。PD中大部分轉(zhuǎn)化為Po,結(jié)果PC也較小。vCEmax≈2VCC<iCmax=ILm≈VCC/RL<PCmax/2=0.2PLmax
V=2VIn(I/IVBE3=≈VTIn(IR/IS)CC可以充當(dāng)V/2T3為激勵級,甲類工作,(R1R2),
1.3集成功率放大 1.3.1LM3801~6管為輸入級,其中,1、3和2、4管接成共集合差分放大電路。5、6為鏡象電流源,作為有源負(fù)載,3為發(fā)射極反饋電阻。差放中3管的靜態(tài)電流CQ3(IEQ3)通過10管和R1設(shè)定,4管的靜態(tài)電流CQ4(EQ4)由輸出靜態(tài)電位OQ通過反饋電阻2設(shè)定。1.3.21.3.21.3.3MOS在集成運放輸出端接入1~4管組成的互補(bǔ)推挽功率放大器。5、6管為電流自舉電路,當(dāng)3(或4)管電流3(或4)增大到3(或4)上的壓降導(dǎo)致5(或6)管導(dǎo)通時,L上便附1.3.4Avf11R2/R1 Avf2R4/1(2V 1VPom4(om)4P4
右圖為PA04集MOS功率放大器的輸出級互補(bǔ)推挽電路。T14,T15和D6,,D7為T8,T9R9則為過流取樣電路。.5集成ClassDClassD類功放采用了脈寬調(diào)制技術(shù)PWM(PulseWidth 2 PPV2/(2R)為每一個功率放大器在RL
和T2、T3交錯導(dǎo)通,使橋式ClassD功放的輸出功率提高4倍,因此該輸出結(jié)構(gòu)在大功率ClassD功放中經(jīng)常采用。 1.41.41.4.2
.3用傳輸線變壓器構(gòu)成的魔T
(3)當(dāng)發(fā)生異常情況造成ia≠ib,va≠vbvvd/2,vdidRdvcicRcic
i=ia-id,i=id=?(ia+ib),i=?(ia-ib)ic=2i=ia-ib(1)當(dāng)ia=ib=Imsinωt、va=vb=VmsinωtPd=(2Vm)Im/2=Pa+Pb,C端無功率輸出
va=v+vc=?idRd+2iRc,vb=v-vc=?idRd-RL
vd
ivRd4 R
Rd4Rc R d d 當(dāng)ia=-ib=Imsinωt,va=-vb ivRd4RcvaRd4Rc R R d d RvavbvcLc ic/Lc 1.5整流電 1.5.1
半波整流電路工作原理:輸入交流電壓為正時,導(dǎo)通,給充電,當(dāng)上升到點時,實際加到上電壓()零,截止,放電,下降到,又大于,()為正,導(dǎo)通,再次向充電;在增長過程中,充電電荷減少,泄放電荷增加,當(dāng)達(dá)到平衡時,在均值上下做等幅波動。O即為輸出整流電壓。由兩個半波整流電路周期內(nèi),CL經(jīng)歷兩次充放電過程。通過RLCL路的電流由兩個半波整流電路周期內(nèi),CL經(jīng)歷兩次充放電過程。通過RLCL路的電流io在每個輸入性電流脈沖,疊加在VO
的輸出整流電壓為vO1+vO2,為半
1.5.21.5.21.5.3iA=iE1=iC1+iB1=iC1+
iK=
=
+
iA=a1iA+a2ik+Ii 2i 2 1(aa 1.6穩(wěn)壓電
1.6.11.6.1VREFVz2V(on)
VzR R1
R2Vz(R12R2RI
IR
V I1) Rln(I
2
.2低壓差線性穩(wěn)壓電路T16和T17為調(diào)整管T15,D2和R11R12流保護(hù)電路。T14為過熱保護(hù)管。而T12,T13,D1,R4~R7和
。。 4Iq=Ii-為了最大化電流效率,低靜態(tài)電流是必須的。雙極型晶體管做調(diào)
PSRRVo,ripple/Vi,ripple@精確性綜合考慮了電壓調(diào)整率負(fù)載調(diào)整率,基準(zhǔn)電壓漂移f,比較放大器漂移a,外部取樣電阻誤差和溫度系數(shù)。它定義為V2V2V2V
mp
R1 A kR A kR VVoVo
1R
1Ag mp 1 1VRAfvVR
Vo2
(11) V=Vton I i1(VV) i1(V) ii 11i (VV1iL L ii T
VOVI
I1 虛線框
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