GB/T 22319.6-2023石英晶體元件參數(shù)的測量第6部分：激勵電平相關性(DLD)的測量

ICS31140

CCSL.21

中華人民共和國國家標準

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

石英晶體元件參數(shù)的測量

第6部分激勵電平相關性DLD的測量

:()

Measurementofquartzcrystalunitparameters—

Part6MeasurementofdriveleveldeendenceDLD

:p()

IEC60444-62021IDT

(:,)

2023-09-07發(fā)布2024-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

效應

4DLD…………………1

頻率和電阻的可逆變化

4.1……………1

頻率和電阻的不可逆變化

4.2…………1

效應的原因

4.3DLD……………………2

測量的激勵電平

5DLD……………………2

試驗方法

6…………………3

方法快速標準測量方法

6.1A()………………………3

方法多電平基準測量方法

6.2B()……………………4

附錄規(guī)范性石英晶體元件的激勵電平和機械位移之間的關系

A()…………………6

附錄規(guī)范性方法使用振蕩器法測量

B()C:DLD……………………8

參考文獻

……………………12

圖電阻R或R隨激勵電平相關性變化的最大允許電阻比

11213………3

圖振蕩器中的晶體元件的接入

B.1………………………8

圖晶體元件損耗電阻隨耗散功率的變化關系

B.2………8

圖石英晶體元件R的特性

B.3r…………9

圖電路系統(tǒng)方框圖

B.4…………………10

圖在掃描激勵電平范圍內(nèi)建立的R

B.5-osc……………10

圖在本附錄試驗中將R作為試驗限值時石英晶體元件的激勵電平特性

B.6-osc=70Ω…………10

圖方法測量電路原理圖

B.7C…………11

Ⅰ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是石英晶體元件參數(shù)的測量的第部分已發(fā)布了以下部分

GB/T22319《》6。GB/T22319:

第部分激勵電平相關性的測量

———6:(DLD);

第部分石英晶體元件活性跳變的測量

———7:;

第部分表面貼裝石英晶體元件用測量夾具

———8:;

第部分石英晶體元件寄生諧振的測量

———9:;

第部分采用自動網(wǎng)絡分析技術和誤差校正確定負載諧振頻率和有效負載電容的標準

———11:

方法

。

本文件等同采用石英晶體元件參數(shù)的測量第部分激勵電平相關性

IEC60444-6:2021《6:(DLD)

的測量

》。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國頻率控制和選擇用壓電器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC182)。

本文件起草單位鄭州原創(chuàng)電子科技有限公司北京晨晶電子有限公司武漢海創(chuàng)電子股份有限

:、、

公司

。

本文件主要起草人王國軍宮桂英毛晶

:、、。

Ⅲ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

引言

激勵電平用晶體元件兩端的功率或電壓或者流過晶體元件的電流表征它是通過壓電效應驅(qū)動諧

,,

振子產(chǎn)生機械振蕩在這個過程中加速度功轉換為動能和彈性能功耗轉換為熱后者的轉換是由于

。,,。

石英諧振子的內(nèi)部和外部摩擦所造成的

。

摩擦損耗與振動質(zhì)點的速度有關當振蕩不再是線性的或當石英諧振子內(nèi)部或其表面及連接點的

,,

速度拉伸或應變位移或加速度達到臨界時摩擦損耗將增加見附錄因而引起電阻和頻率的變

、、,(A)。

化并且由于這些參數(shù)與溫度有關從而引起電阻和頻率的進一步變化

,,。

高激勵電平如切晶體在或以上時可以在所有晶體元件上觀察到這些變化

(AT1mW1mA),。

并且它們還會導致頻率和電阻的不可逆變化激勵電平繼續(xù)增加可能會損壞諧振子

。。

除了上述效應外某些晶體元件在低激勵電平如切晶體在或以下時也可觀察

,(AT1μW50μA)

到頻率和電阻的變化這種情況下若環(huán)路增益不足起振很困難在晶體濾波器中傳輸衰耗和抖動

。,,。,

將會發(fā)生變化

。

此外規(guī)定的振動模式與其他模式如諧振子本身裝架和填充氣體之間的耦合也與激勵電平

,(、)

有關

。

由于這些模式的溫度響應不同在窄溫范圍內(nèi)耦合會造成規(guī)定模式的頻率和電阻變化這種變化

,,。

隨激勵電平的增加而增加但本文件未更多地考慮此效應

。。

石英晶體元件參數(shù)的測量旨在確立石英晶體元件參數(shù)的標準測量方法擬由以下部

GB/T22319《》,

分構成

。

第部分用型網(wǎng)絡零相位法測量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法目的在

———1:π。

于規(guī)定測量石英晶體元件諧振頻率和諧振電阻的基本方法及適用的測量網(wǎng)絡

。

第部分測量石英晶體元件動態(tài)電容的相位偏置法目的在于規(guī)定測量石英晶體元件動態(tài)

———2:。

電容的方法

。

第部分頻率達石英晶體元件負載諧振頻率和負載諧振電阻R的測量方法及其

———4:30MHzL

他導出參數(shù)的計算目的在于規(guī)定用加載物理負載電容測量石英晶體元件負載諧振頻率等參

。

數(shù)的方法

。

第部分采用自動網(wǎng)絡分析技術和誤差校正確定等效電參數(shù)的方法目的在于規(guī)定采用網(wǎng)

———5:。

絡分析技術并用線性等效電路確定石英晶體元件參數(shù)的測量方法

。

第部分激勵電平相關性的測量目的在于規(guī)定用型網(wǎng)絡或振蕩器法測量石英晶

———6:(DLD)。π

體元件的方法

DLD。

第部分石英晶體元件活性跳變的測量目的在于規(guī)定在溫度范圍內(nèi)石英晶體元件活性跳

———7:。

變的測量方法

。

第部分表面貼裝石英晶體元件用測量夾具目的在于規(guī)定精確測量無引線表面貼裝石英

———8:。

晶體元件諧振頻率電阻和等效電路參數(shù)用的測量夾具

、。

第部分石英晶體元件寄生諧振的測量目的在于規(guī)定用自動網(wǎng)絡分析技術和用電阻法測

———9:。

量石英晶體元件寄生無用諧振的方法

()。

第部分采用自動網(wǎng)絡分析技術和誤差校正確定負載諧振頻率和有效負載電容的標準方

———11:

法目的在于規(guī)定不加載物理負載電容測量石英晶體元件負載諧振頻率及標稱頻率時有效負

。

載電容的方法

。

Ⅳ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

石英晶體元件參數(shù)的測量

第6部分激勵電平相關性DLD的測量

:()

1范圍

本文件適用于石英晶體元件激勵電平相關性的測量本文件規(guī)定兩種試驗方法和和

(DLD)。(AC)

一種基準測量方法方法方法以的型網(wǎng)絡為基礎適用于本文件所覆蓋的整個

(B)。AIEC60444-5π,

頻率范圍基準測量方法依據(jù)或的型網(wǎng)絡或反射法為基礎適用于本文

。BIEC60444-5IEC60444-8π,

件所覆蓋的整個頻率范圍方法是振蕩器法適用于固定條件下大批量基頻石英晶體元件的測量

。C,。

注本文件規(guī)定的測量方法不僅適用于切型也適用于其他晶體切型和振動模式如雙轉角切型和振動模式

:AT,,

和音叉晶體元件通過使用高阻抗測試夾具

(IT,SC)()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

石英晶體元件參數(shù)的測量第部分采用自動網(wǎng)絡分析技術和誤差校正確定等效

IEC60444-55:

電參數(shù)的方法

(Measurementofquartzcrystalunitparameters—Part5:Methodsforthedetermination

ofequivalentelectri