碳化硅生產(chǎn)工藝

v1.0可編輯可修改碳化硅的生產(chǎn)工藝和投資估算Si50C50%以質(zhì)量計(jì)：SiC%，相對(duì)分子質(zhì)量為。碳化硅有兩種晶形：β-碳化硅類似閃鋅礦構(gòu)造的等軸晶系；α-碳化硅則為晶體排列致密的六方晶系。β2100℃轉(zhuǎn)變?yōu)棣?碳化硅。αcm3、βcm3，莫氏硬度，線膨脹系數(shù)為~×10-6/℃，熱導(dǎo)率(20℃)(m·K)，電阻率(50℃)50Ω·cm，1000℃2Ω·cm，輻射力氣~。碳化硅的合成方法(一)用二氧化硅和碳〔煤〕合成碳化硅工業(yè)上合成碳化硅多以石英砂、石油焦〔無煙煤〕為主要原料，在電爐內(nèi)溫度在2023~2500℃下，通過以下反響式合成：SiO+3C SiC+2CO2原料性能及要求各種原料的性能：石英砂，SiO>99%，無煙煤的揮發(fā)分<5%。2合成電爐大型碳化硅冶煉爐的爐子功率一般為10000kW，1kgSiC6~7kW·h26~36h24h。合成工藝配料計(jì)算：式中，CSiO為二氧化硅含量，M=。碳的參與量允許過量5%。爐內(nèi)配料的重23。1爐體內(nèi)各部位裝料的配比工程 上部 中部 下部C/SiO ～ ～ ～21食鹽%食鹽%8～108～106～9木屑/L1803601804。2配料/%SiCSiC配料/%SiCSiC硅質(zhì)材料32～56～59食鹽2～60～8炭質(zhì)材料18～4534～44非晶材料5～10木屑2～63～11未反響料25～35SiC>80%，SiO+Si<10%，固定碳<5%，雜質(zhì)<%。2100t0~50kg30~50L3%~4%。求：SiC<25%，SiO+Si>35%，C20%，其他<%。2參與食鹽的目的是為了排解原料的鐵、鋁等雜質(zhì)，加人木屑是便于排解生成的一氧化碳。生產(chǎn)操作：承受混料機(jī)混料，把握水分為2%~3%，混合后料容重為~cm3。二分之一)，在其上面鋪一層非晶形料，然后連續(xù)加配料至爐芯水平。爐芯放在配料制成的底盤上，中間略凸起以適應(yīng)在爐役過程中消滅的塌陷。爐芯上部鋪放混好的配料，同時(shí)也放非晶質(zhì)料或生產(chǎn)未反響料，爐子裝好后形成中間高、兩邊〔與爐墻平。爐子裝好后即可通電合成，以電流電壓強(qiáng)度來把握反響過程。當(dāng)爐溫升到1500℃時(shí)，開頭生成β-SiC，從2100℃開頭轉(zhuǎn)化成α-SiC，2400℃全部轉(zhuǎn)化成α-SiC。合成時(shí)間為2v1.0可編輯可修改26~36h，冷卻24h后可以澆水冷卻，出爐后分層、分級(jí)揀選。裂開后用硫酸酸洗，除掉合成料中的鐵、鋁、鈣、鎂等雜質(zhì)。工業(yè)用碳化硅的合成工藝流程，如圖1所示。1(四)合成碳化硅的理化性能合成碳化硅的化學(xué)成分3(一)合成碳化硅的國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T2480—19815。3碳化硅的國家標(biāo)準(zhǔn)〔GB/T2480—1981〕化學(xué)成分/%化學(xué)成分/%粒度范圍SiC〔不少于〕游離碳〔不多于〕FeO〔不多于〕231280黑碳化硅1001802402802080100180240280綠碳化硅W63至W20W14至W10W7W5(2)密度：以46號(hào)粒度為代表號(hào)綠碳化硅不小于cm3；黑碳化硅不小于cm3。(3)粒度組成：應(yīng)符合GB/T2477—1981《磨料粒度及其組成》的規(guī)定；(4)鐵合金粒允許含量為零；(5)磁性物允許含量：不大于%。相組成α-SiCβ-SiC。其總量為92%~%，其中還有少量的α-SiCIα-SiC物理性能(1)真密度在~g/cm32050℃。(2)碳化硅試樣的線膨脹系數(shù)和電阻率見表6，7。4SiC加熱溫度/℃加熱溫度/℃80012001600202324004線膨脹系數(shù)/℃線膨脹系數(shù)/℃-1×10-6×10-6×10-6×10-6×10-65SiC加熱溫度/℃602207201060電阻率/Ω·cm105102＜102500℃時(shí)，λ=(m·K)，在875℃時(shí)入二(m·K)。碳化硅在1400℃與氧氣開頭反響。在900~1300℃開頭氧化、分別出SiO2CO(四)制備碳化硅的投資預(yù)算總投資約11