半導(dǎo)體物理名詞解釋總結(jié)

有效質(zhì)量：粒子在晶體中運(yùn)動(dòng)時(shí)具有的等效質(zhì)量，它概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用。其物理意義：1.有效質(zhì)量的大小仍然是慣性大小的量度；2.有效質(zhì)量反映了電子在晶格與外場(chǎng)之間能量和動(dòng)量的傳遞，因此可正可負(fù)。能帶：晶體中，電子的能量是不連續(xù)的，在某些能量區(qū)間能級(jí)分布是準(zhǔn)連續(xù)的，在某些區(qū)間沒有能及分布。這些區(qū)間在能級(jí)圖中表現(xiàn)為帶狀，稱之為能帶?？昭ǎ杭傧氲牧Ｗ?，與價(jià)帶頂部的空狀態(tài)相關(guān)的帶正電“粒子”?？昭ǎ涸陔娮訏昝搩r(jià)鍵的束縛成為自由電子，其價(jià)鍵中所留下來的空位。空穴：定義價(jià)帶中空著的狀態(tài)看成是帶正電荷的粒子，稱為空穴。替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子取代晶格原子而位于晶格點(diǎn)處。間隙式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子位于晶格原子的間隙位置。點(diǎn)缺陷：是最簡(jiǎn)單的晶體缺陷，它是在結(jié)點(diǎn)上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)正常排列的一種缺陷。包括：間隙原子和空位是成對(duì)出現(xiàn)的弗倉克耳缺陷和只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子的肖特基缺陷。?施主能級(jí)：通過施主摻雜在半導(dǎo)體的禁帶中形成缺陷能級(jí)，被子施主雜質(zhì)束縛的電子能量狀態(tài)稱為施主能級(jí)。施主能級(jí)：離化能很小，在常溫下就能電離而向?qū)峁╇娮樱陨沓蔀閹д姷碾婋x施主，通常稱這些雜質(zhì)能級(jí)為施主能級(jí)。受主雜質(zhì)：能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，并形成負(fù)電中心的雜質(zhì)。受主雜質(zhì)：III族雜質(zhì)在硅、鍺中能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴，并形成負(fù)點(diǎn)中心，所以稱它們?yōu)槭苤麟s質(zhì)或p型雜質(zhì)。受主能級(jí)：通過受主摻雜在半導(dǎo)體的禁帶中形成缺陷能級(jí)。正常情況下，此能級(jí)為空穴所占據(jù)，這個(gè)被受主雜質(zhì)束縛的空穴的能量狀態(tài)稱為受主能級(jí)。n型半導(dǎo)體：以電子為主要載流子的半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體：以空穴為主要載流子的半導(dǎo)體。多數(shù)載流子：指的是半導(dǎo)體中的電子流。n型半導(dǎo)體中的電子和p型半導(dǎo)體中的空穴稱之為多數(shù)載流子。少數(shù)載流子：指的是半導(dǎo)體中的電子流。n型半導(dǎo)體中的空穴和p型半導(dǎo)體中的電子稱之為少數(shù)載流子。（半導(dǎo)體材料中有電子和空穴兩種載流子。在N型半導(dǎo)體中，電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。）簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：電子或空穴的濃度大于有效狀態(tài)密度，費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶中（n型）或價(jià)帶中（P型）的半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體：半導(dǎo)體重?fù)诫s時(shí)，其費(fèi)米能級(jí)有可能進(jìn)入到導(dǎo)帶或價(jià)帶中，此時(shí)載流子分布必須用費(fèi)米分布描述，稱之為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。簡(jiǎn)并半導(dǎo)體有如下性質(zhì)：1.雜質(zhì)不能充分電離；2.雜質(zhì)能級(jí)擴(kuò)展為雜質(zhì)能帶。如果雜質(zhì)能帶與導(dǎo)帶或價(jià)帶相連，則禁帶寬度將減小。載流子的漂移速度：載流子的漂移運(yùn)動(dòng)是指沿著外加電場(chǎng)的方向、疊加在熱運(yùn)動(dòng)之上的一種附加運(yùn)動(dòng)，該附加運(yùn)動(dòng)的速度分量平均值就是漂移速度。載流子的擴(kuò)散速度：載流子的遷移率：?jiǎn)挝浑妶?chǎng)作用下，載流子獲得的平均定向運(yùn)動(dòng)速度，反映了載流子在電場(chǎng)作用下的輸運(yùn)能力，是半導(dǎo)體物理中重要的概念和參數(shù)之一。遷移率的表達(dá)式為：M=qT/m*?？梢?，有效質(zhì)量和弛豫時(shí)間（散射）是影響遷移率的因素。?載流子的電導(dǎo)率：散射概率（散射幾率）：表示單位時(shí)間內(nèi)一個(gè)載流子受到輻射的次數(shù)，其數(shù)值與散射機(jī)構(gòu)有關(guān)。其倒數(shù)為平均自由時(shí)間。遷移率：在單位場(chǎng)強(qiáng)下電子或空穴所獲得的平均漂移速度。遷移率：M，表示單位場(chǎng)強(qiáng)下電子的平均漂移速度，單位是mW/（V?s）或者cmW/（V?s）。遷移率：?jiǎn)挝浑妶?chǎng)作用下，載流子獲得的平均定向運(yùn)動(dòng)速度，反映了載流子在電場(chǎng)作用下的輸運(yùn)能力，是半導(dǎo)體物理中重要的概念和參數(shù)之一。遷移率的表達(dá)式為：M=qT/m*?？梢?，有效質(zhì)量和弛豫時(shí)間（散射）是影響遷移率的因素。熱載流子：比零電場(chǎng)下的載流子具有更高平均動(dòng)能的載流子。熱載流子：在強(qiáng)電場(chǎng)情況下，載流子從電場(chǎng)中獲得的能量很多，載流子的平均能量比熱平衡狀態(tài)時(shí)的大，因而載流子與晶格系統(tǒng)不再處于熱平衡狀態(tài)。非平衡載流子：處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子濃度也不再是n0和p0，可以比它們多出一部分。比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。費(fèi)米能級(jí)：電子占據(jù)幾率為1/2的量子態(tài)所對(duì)應(yīng)的能級(jí)。費(fèi)米能級(jí)：不一定是系統(tǒng)中的一個(gè)真正的能級(jí)，它是費(fèi)米分布函數(shù)中的一個(gè)參量，具有能量的單位，所以被稱為費(fèi)米能級(jí)。它標(biāo)志著系統(tǒng)的電子填充水平，其大小等于增加或減少一個(gè)電子系統(tǒng)自由能的變化量。費(fèi)米能級(jí)：費(fèi)米能級(jí)是絕對(duì)零度時(shí)電子的最高能級(jí)。即由費(fèi)米子組成的微觀體系中，每個(gè)費(fèi)米子都處在各自的量子能態(tài)上?，F(xiàn)在假想把所有的費(fèi)米子從這些量子態(tài)上移開。之后再把這些費(fèi)米子按照一定的規(guī)則（例如泡利原理等）填充在各個(gè)可供占據(jù)的量子能態(tài)上，并且這種填充過程中每個(gè)費(fèi)米子都占據(jù)最低的可供占據(jù)的量子態(tài)。最后一個(gè)費(fèi)米子占據(jù)著的量子態(tài)，即可粗略理解為費(fèi)米能級(jí)。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：導(dǎo)帶費(fèi)米能級(jí)和價(jià)帶費(fèi)米能級(jí)都是局部的費(fèi)米能級(jí)，成為準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)：半導(dǎo)體中的非平衡載流子，可以認(rèn)為它們都處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)（即導(dǎo)帶所有的電子和價(jià)帶所有的空穴分別處于準(zhǔn)平衡狀態(tài)）。直接復(fù)合：導(dǎo)帶中的電子越過禁帶直接躍遷到價(jià)帶，與價(jià)帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過程稱為直接復(fù)合。間接復(fù)合：導(dǎo)帶中的電子通過禁帶的復(fù)合中心能級(jí)與價(jià)帶中的空穴復(fù)合，這樣的復(fù)合過程稱為間接復(fù)合。?表面復(fù)合：在半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合過程。表面復(fù)合：在表面區(qū)域，非平衡載流子主要通過半導(dǎo)體表面的雜質(zhì)和表面特有的缺陷在禁帶中形成的復(fù)合中心能級(jí)進(jìn)行的復(fù)合。俄歇復(fù)合：載流子從高能級(jí)向低能級(jí)躍遷發(fā)生電子-空穴復(fù)合時(shí)，