材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西南科技大學(xué)

材料科學(xué)基礎(chǔ)智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下西南科技大學(xué)西南科技大學(xué)

第一章測(cè)試

選用材料應(yīng)該遵循（

）原則。

A:工藝性能B:環(huán)境協(xié)調(diào)性C:經(jīng)濟(jì)性D:使用性能

答案:工藝性能;環(huán)境協(xié)調(diào)性;經(jīng)濟(jì)性;使用性能

耐火材料是指耐火度不低于（

）℃的無機(jī)非金屬材料。

A:1800B:1580C:1300D:1000

答案:1580

材料按其化學(xué)作用（或基本組成）分為：

A:復(fù)合材料B:無機(jī)非金屬材料C:金屬材料D:高分子材料（聚合物）

答案:復(fù)合材料;無機(jī)非金屬材料;金屬材料;高分子材料（聚合物）

傳統(tǒng)的無機(jī)非金屬材料主要是指由ＳｉＯ２

及其硅酸鹽化合物為主要成分制成的材料，包括：

A:耐火材料B:水泥C:玻璃D:陶瓷

答案:耐火材料;水泥;玻璃;陶瓷

第二章測(cè)試

如果等大球體在空間形成密排六方結(jié)構(gòu)，則按如下方式（

）的層序堆積。

A:AABAAB??????B:ABBABB??????C:ABAB??????D:ABCABC??????

答案:ABAB??????

在一個(gè)面心立方晶胞中，共存在（

）。

A:8個(gè)四面體空隙，4個(gè)八面體空隙B:8個(gè)四面體空隙，8個(gè)八面體空隙C:4個(gè)四面體空隙，8個(gè)八面體空隙D:4個(gè)四面體空隙，4個(gè)八面體空隙

答案:8個(gè)四面體空隙，4個(gè)八面體空隙

在一個(gè)密排六方晶胞中，晶胞的質(zhì)點(diǎn)數(shù)為（

）。

A:6B:2C:8D:4

答案:6

當(dāng)6個(gè)等大的球體作面心立方堆積時(shí)，每個(gè)球周圍形成的四面體空隙個(gè)數(shù)為(

)。

A:18B:2C:6D:12

答案:2

離子晶體的配位數(shù)決定主要取決于正、負(fù)離子半徑比，當(dāng)配位多面體為八面體時(shí)，正負(fù)離子的半徑比（

）。

A:正負(fù)離子半徑比應(yīng)處于0.414~0.732范圍B:正負(fù)離子半徑比應(yīng)處于0.225~0.414范圍C:正負(fù)離子半徑比應(yīng)處于0.732~1.0范圍D:正負(fù)離子半徑比應(yīng)處于0.155~0.225范圍

答案:正負(fù)離子半徑比應(yīng)處于0.414~0.732范圍

在某MX離子晶體中，若其中的陰離子易被極化，則下列說法正確的是：（

）。

A:陰陽離子間距增大、配位數(shù)增加。B:陰陽離子間距增大、配位數(shù)降低。C:陰陽離子間距降低、配位數(shù)降低。D:陰陽離子間距降低、配位數(shù)增加。

答案:陰陽離子間距降低、配位數(shù)降低。

極化導(dǎo)致離子晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，往往是鍵性由（

）過渡。

A:離子鍵向共價(jià)鍵B:離子鍵向金屬鍵C:共價(jià)鍵向離子鍵D:金屬鍵向共價(jià)鍵

答案:離子鍵向共價(jià)鍵

鈣鈦礦（CaTiO3）結(jié)構(gòu)中，Ca:Ti:O的配位數(shù)是（

）。

A:12：6：8B:

6：4：4C:12：6：6D:8：6：6

答案:12：6：6

葉蠟石Al2[Si4O10](OH)2和滑石Mg3[Si4O10](OH)2同屬于（復(fù)網(wǎng)）層狀結(jié)構(gòu)，它們的區(qū)別在于（

）。

A:結(jié)構(gòu)中的四面體空隙被不同正離子（Al3+和Mg2+）所占據(jù)B:兩者屬同質(zhì)多晶C:結(jié)構(gòu)中的八面體空隙被不同正離子（Al3+和Mg2+）所占據(jù)D:兩者互為多形結(jié)構(gòu)

答案:結(jié)構(gòu)中的八面體空隙被不同正離子（Al3+和Mg2+）所占據(jù)

根據(jù)硅酸鹽結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，下面哪種說法正確的是（

）。

A:Si4+之間都不能直接成鍵B:每個(gè)氧離子最多和兩個(gè)硅氧四面體連接C:結(jié)構(gòu)中Si4+和Al3+可以相互取代D:除島狀結(jié)構(gòu)外，硅氧四面體之間均用橋氧連接

答案:Si4+之間都不能直接成鍵;每個(gè)氧離子最多和兩個(gè)硅氧四面體連接;除島狀結(jié)構(gòu)外，硅氧四面體之間均用橋氧連接

第三章測(cè)試

點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（

）。

A:A+BB:肖特基缺陷C:雜質(zhì)缺陷D:弗侖克爾缺陷

答案:A+B

下列有關(guān)熱缺陷的說法正確的是（

）。

A:肖特基缺陷是質(zhì)點(diǎn)離開正常格點(diǎn)后進(jìn)入到晶格間隙位置B:肖特基缺陷是空位和間隙質(zhì)點(diǎn)成對(duì)出現(xiàn)C:弗倫克爾缺陷是空位和間隙質(zhì)點(diǎn)成對(duì)出現(xiàn)D:弗倫克爾缺陷是質(zhì)點(diǎn)由表面位置遷移到新表面位置

答案:弗倫克爾缺陷是空位和間隙質(zhì)點(diǎn)成對(duì)出現(xiàn)

滑移方向與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為(

)，其符號(hào)表示為(

)。

A:螺位錯(cuò)；

B:刃位錯(cuò)；⊥C:混合位錯(cuò)；⊥D:螺位錯(cuò)；

答案:刃位錯(cuò)；⊥

熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成肖特基缺陷時(shí)，（

）。

A:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成比例出現(xiàn)B:間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)C:自由電子和電子空穴同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)D:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成比例出現(xiàn)

答案:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成比例出現(xiàn)

非化學(xué)計(jì)量氧化物中的缺陷濃度可受（

）的影響。

A:溫度B:氣氛C:壓力D:A+B+C

答案:A+B+C

CaF2弗倫克爾缺陷的生成能為2.8ev，在1600℃時(shí)，熱缺陷濃度為（

）。（波爾茲曼常數(shù)k=1.3810-23;

1ev=1.60210-19J）

A:

1.7×10-4

B:

1.5×10-8C:1.8×10-6

D:2.0×10-2

答案:

1.7×10-4

晶界的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與相鄰晶粒的取向差有關(guān)，當(dāng)取向差θ（

）時(shí)，稱為大角度晶界。

A:小于50oB:大于50oC:大于10oD:小于10o

答案:大于10o

NiO-MgO之間（

）。已知RNi2+=0.069nm；RMg2+=0.072nm。

A:可能形成連續(xù)固熔體B:能形成化合物C:不能形成固熔體D:可能形成有限固熔體

答案:可能形成連續(xù)固熔體

NiO-MgO、CaO-Al2O3、MgO-Al2O3和PbO-ZrO2四個(gè)系統(tǒng)中，可能生成連續(xù)固溶體的系統(tǒng)是（）。

A:

PbO-ZrO2B:

CaO-Al2O3C:NiO-MgOD:MgO-Al2O3

答案:NiO-MgO

第四章測(cè)試

對(duì)于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于（

）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。

A:較低B:A或CC:較高D:相同

答案:較高

由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移，稱為（

）。

A:表面弛豫B:表面收縮C:表面滑移D:表面擴(kuò)張

答案:表面弛豫

重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（

），垂直方向的層間距與體內(nèi)（

）。

A:不同；不同B:相同；相同C:不同；相同D:相同；不同

答案:不同；相同

固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（

）液體的表面能。

A:小于等于B:小于C:等于D:大于

答案:大于

只要液體對(duì)固體的粘附功（

）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。

A:等于B:小于C:大于D:小于等于

答案:大于

當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角θ＜90°時(shí)，即在潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（

）。

A:更難B:更易C:A或BD:不變

答案:更易

當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角θ＞90°時(shí)，即在不潤(rùn)濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤(rùn)濕（

）。

A:不變B:A或BC:更難D:更易

答案:更難

吸附膜使固體表面張力（

）。

A:A或BB:減小C:不變D:增大

答案:減小

為提高液體在固體表面的潤(rùn)濕性，可對(duì)固體進(jìn)行表面改性使（

）。

A:γSV增大、γSL減小B:γSV增大、γSL增大C:γSV減小、γSL增大D:γSV減小、γSL減小

答案:γSV增大、γSL減小

第五章測(cè)試

硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（

）因素的影響。

A:溫度B:組成C:時(shí)間

D:A+B+C

答案:A+B+C

當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（

），粘度（

）。

A:不變；降低B:增加；不變C:增加；降低D:降低；增加

答案:增加；降低

當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（

），粘度（

）。

A:不變；降低B:降低；增加C:增加；降低D:增加；不變

答案:增加；降低

由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（

）的過程。

A:不可逆與漸變B:可逆與漸變C:可逆與突變D:不可逆與突變

答案:可逆與漸變

當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（

）。

A:連續(xù)性B:B或CC:不變性D:突變性

答案:連續(xù)性

橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（

），膨脹系數(shù)（

）。

A:增大；不變B:不變；降低C:增大；降低D:降低；增大

答案:增大；降低

Na2O·Al2O3·2SiO2熔體的橋氧數(shù)為（

）。

A:2.5

B:2

C:3.5D:1

答案:3.5

Na2O·Al2O3·SiO2熔體的非橋氧數(shù)（

）Na2O·Al2O3·SiO2熔體的非橋氧數(shù)。

A:大于B:小于C:等于D:不能確定

答案:大于

第六章測(cè)試

淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是（

）。

A:準(zhǔn)確度高B:A+BC:適用于相變速度慢的系統(tǒng)D:適用于相變速度快的系統(tǒng)

答案:A+B

可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，晶轉(zhuǎn)變溫度（

）兩種晶型的熔點(diǎn)。

A:A或B

B:等于C:低于D:高于

答案:低于

在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（

）的蒸汽壓。

A:A或BB:與介穩(wěn)相相等

C:最高D:最低

答案:最低

二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（

）。

A:5B:3C:4D:2

答案:2

二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。

A:0B:1C:3D:2

答案:1

根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（

）。

A:成正比B:成反比C:相等D:A或C

答案:成反比

根據(jù)背向規(guī)則，在三元系統(tǒng)相圖濃度三角形中的一混合物M，從M中不斷析出某一頂點(diǎn)的成分，則剩余兩種物質(zhì)的成分也不斷改變，過程中剩余兩種物質(zhì)的相對(duì)含量(

)。

A:B或CB:增加C:不變D:減小

答案:不變

根據(jù)連線規(guī)則，將界線(或延長(zhǎng)線)與相應(yīng)的連線相交，其交點(diǎn)是該界線上的溫度（

）。

A:最低點(diǎn)

B:零點(diǎn)C:不變點(diǎn)

D:最高點(diǎn)

答案:最高點(diǎn)

切線規(guī)則用于判斷三元相圖上界線的性質(zhì)，將界線上的某一點(diǎn)所作的切線與相應(yīng)的組成的連線相交，如交點(diǎn)在連線上，則表示界線上該處具有（

）性質(zhì)。

A:相交B:熔化C:轉(zhuǎn)熔D:共熔

答案:共熔

根據(jù)相律，低共熔點(diǎn)出自由度F為多少？()

A:0B:3C:2D:1

答案:0

第七章測(cè)試

菲克（Fick）第一定律中，符號(hào)為（

）。

A:矢量符號(hào)，表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相同B:矢量符號(hào)，表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相反C:數(shù)學(xué)符號(hào)，表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相反D:數(shù)學(xué)符號(hào)，表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相同

答案:矢量符號(hào)，表示擴(kuò)散方向與濃度梯度方向相反

穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時(shí)間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（

）。

A:隨時(shí)間而變化B:不隨時(shí)間而變化C:隨位置而變化D:

A或B

答案:不隨時(shí)間而變化

不穩(wěn)定擴(kuò)散（不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨（

）。

A:只隨時(shí)間而變化B:隨時(shí)間和位置而變化C:不隨時(shí)間和位置而變化D:只隨位置而變化

答案:隨時(shí)間和位置而變化

菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（

）。

A:前三者都不是B:無關(guān)C:相同D:相反

答案:相反

由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢(shì)能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（

）。

A:易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散B:易位擴(kuò)散=間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散<間隙擴(kuò)散<空位擴(kuò)散

答案:易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散

一般晶體中的擴(kuò)散為（

）。

A:A和BB:空位擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散D:間隙擴(kuò)散

答案:A和B

空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（

）的擴(kuò)散。

A:各種類型固溶體B:間隙型固溶體C:A和BD:置換型固溶體

答案:置換型固溶體

擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（

），擴(kuò)散（

）。

A:越疏松；活化能越大B:越緊密；活化能越小C:越緊密；越困難D:越疏松；越困難

答案:越緊密；越困難

不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（

）。

A:擴(kuò)散活化能大B:容易擴(kuò)散C:擴(kuò)散系數(shù)小D:難于擴(kuò)散

答案:容易擴(kuò)散

擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（

）。

A:擴(kuò)散活化能不變B:擴(kuò)散活化能越大C:擴(kuò)散系數(shù)越大D:擴(kuò)散系數(shù)越小

答案:擴(kuò)散系數(shù)越大

第八章測(cè)試

按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級(jí)相變和二級(jí)相變，一級(jí)相變是在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵不相等，因此一級(jí)相變（

）。

A:有相變潛熱，并伴隨有體積改變B:無相變潛熱，并伴隨有體積改變C:無相變潛熱，無體積改變D:有相變潛熱，無體積改變

答案:有相變潛熱，并伴隨有體積改變

二級(jí)相變是指在相變時(shí)兩相化學(xué)勢(shì)相等，其一階偏微熵也相等，而二階偏微熵不等，因此二級(jí)相變（

）。

A:無相變潛熱，有體積的不連續(xù)性B:無相變潛熱，無體積的不連續(xù)性C:有相變潛熱，無體積的不連續(xù)性D:有相變潛熱，有體積的不連續(xù)性

答案:無相變潛熱，無體積的不連續(xù)性

若某一體系進(jìn)行二級(jí)相變，則在相變溫度下，二相的（

）。

A:自由焓相等，體積不相等B:自由焓和體積均不相等C:自由焓不相等，體積相等D:自由焓和體積均相等

答案:自由焓和體積均相等

石英與鱗石英之間的轉(zhuǎn)變是（

）。

A:重建性轉(zhuǎn)變B:有序-無序轉(zhuǎn)變C:

馬氏體相變D:位移性轉(zhuǎn)變

答案:重建性轉(zhuǎn)變

對(duì)于吸熱的相變過程，要使相變過程能自發(fā)進(jìn)行，則必須（

）。

A:過飽和

B:在相平衡溫度保溫C:過熱D:過冷

答案:過熱

對(duì)于放熱的相變過程，要使相變過程能自發(fā)進(jìn)行，則必須：

A:過飽和B:在相平衡溫度保溫C:過冷D:過熱

答案:過冷

亞穩(wěn)區(qū)具有不平衡狀態(tài)，當(dāng)有外來雜質(zhì)存在時(shí)，亞穩(wěn)區(qū)將（

）。

A:

A或BB:縮小C:不變D:變大

答案:縮小

臨界晶核是能夠穩(wěn)定存在的且能成長(zhǎng)為新相的核胚，臨界晶核的半徑越大，晶核的形成（

）。

A:越容易B:越困難C:不受影響D:需要更低的能量

答案:越困難

在相同條件下，非均勻成核與均勻成核比較，非均勻成核（

）。

A:需要更大的過冷度B:均不對(duì)C:晶核大小更均勻D:晶核數(shù)目更多

答案:均不對(duì)

非均勻成核的臨界成核位壘與接觸角q有關(guān)，（

）。

A:接觸角越小，越有利于核的生成B:接觸角越大，越不利于核的生成C:接觸角越大，越有利于核的生成D:接觸角越小，越不利于核的生成

答案:接觸角越小，越有利于核的生成

第九章測(cè)試

在反應(yīng)溫度下，當(dāng)固相反應(yīng)的某一相發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變時(shí)，反應(yīng)速度是（

）。

A:加快B:不確定C:無影響D:減慢

答案:加快

固相反應(yīng)按反應(yīng)機(jī)理可分為（

）。

A:化學(xué)反應(yīng)速率控制過程B:晶體長(zhǎng)大控制過