模擬電子電路基礎(chǔ)-電子科技大學

低頻信號發(fā)生器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路~~~~~ElectriccircuitofaradioreceiverantennaL10.445HC4C22200PFC30.1U1SBL-113,42,5,678Q1OscillatorR2R1R3R4R5R6R7R8R9R10R11R12C5C6C7C8C9C10C11C12C13C14C15C16C17C18++++___12VdcL31mHL222.7H4710K10K220100K100K1M15K15K10K4710C191091055320.11.0

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F0.00330.10.00220.470.1AudioOutput7MHztoU1.pin8U2BU2AU3Audiopoweramp5673218423654板布局如圖所示:正弦波發(fā)生器方波發(fā)生器微(積)分電路全加器遲滯比較器電源及電阻網(wǎng)絡(luò)集成電路的分類與外形集成電路的分類1、按功能模擬集成電路數(shù)字集成電路2、按集成度小規(guī)模中規(guī)模大規(guī)模超大規(guī)模3、按工藝半導(dǎo)體~薄膜~厚膜~

本課程研究的主要對象－－低頻模擬信號的放大電路（故本課程又叫低頻電路）

信號數(shù)據(jù)可用于表示任何信息，如符號、文字、語音、圖像等，從表現(xiàn)形式上可歸結(jié)為兩類：模擬信號和數(shù)字信號。

模擬信號指幅度的取值是連續(xù)的（幅值可由無限個數(shù)值表示）。時間上連續(xù)的模擬信號連續(xù)變化的圖像（電視、傳真）信號等，如圖（a）所示。數(shù)字信號指幅度的取值是離散的，幅值表示被限制在有限個數(shù)值之內(nèi)。二進制碼(0,1)就是一種數(shù)字信號。模擬信號放大“放大”的含義其本質(zhì)是電源能量在被放大的信號控制下向負載的輸出；一是能將微弱的電信號增強到人們所需要的數(shù)值（即放大電信號），以便于人們測量和使用；（一般情況）二是要求放大后的信號波形與放大前的波形的形狀相同或基本相同，即信號不能失真（如音響系統(tǒng)）。

放大是最基本的模擬信號處理功能，它是通過放大電路實現(xiàn)的，大多數(shù)模擬電子系統(tǒng)中都應(yīng)用了不同類型的放大電路。模擬信號放大

放大電路的一般符號如圖所示，us為信號源電壓，Rs為信號源內(nèi)阻，ui和ii分別為輸入電壓和輸入電流，RL為負載電阻，uo和io分別為輸出電壓和輸出電流。在實際應(yīng)用中，根據(jù)放大電路輸入信號的條件和對輸出信號的要求，放大電路可分為四種類型。1.如果只需考慮電路的輸出電壓Vo和輸入電壓Vi的關(guān)系，則可表達為：Vo=AvVi式中Av為電路的電壓增益。這種只考慮電壓增益的電路稱為電壓放大電路。2.同樣，若只考慮圖中放大電路的輸出電流Io和輸入電流Ii的關(guān)系，則可表達為：Io=AiIi式中Ai為電流增益，這種電路稱為電流放大電路。放大電路可分為四種類型3.當需要把電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號，則可利用所謂互阻放大電路，其表達式為：Vo=ArIi

式中Ii為放大電路的輸入電流，Vo為輸出電壓，Ar為互阻增益，其量綱為歐。4.把電壓信號轉(zhuǎn)換為與之相應(yīng)變化的電流輸出的關(guān)系可表達為：Io=AgVi式中Ag稱為放大電路的互導(dǎo)增益，它具有導(dǎo)納量綱S。相應(yīng)地，這種放大電路得名為互導(dǎo)放大電路。放大電路可分為四種類型符號說明：(請同學們注意)純直流信號：參量和下標均大寫，VBE,IB;純交流信號：參量和下標均小寫，vbe,ib;交直流信號：參量小寫和下標大寫，vBE,iB;……

被測對象傳感器信號調(diào)理電路顯示記錄控制執(zhí)行溫度壓力流量液位等等非電量電量放大濾波線性化變換等等典型應(yīng)用--簡單測控系統(tǒng)*若配以微機、單片機或DSP等，并利用信號處理技術(shù)可設(shè)計智能系統(tǒng)。一.課程特點1）規(guī)律性2）非線性3）工程性4）模擬性基本電子電路的組成具有規(guī)律性；半導(dǎo)體器件具有非線性；即近似性，抓主要矛盾；模型化；怎么學？（How）

5）多樣性部分章節(jié)需要自學，預(yù)習并培養(yǎng)自學能力；

6）全書重點及難點：3，4，6，7，8章。怎么學？（How）二.具體要求1）抓“三基”：基本概念、基本原理、基本分析方法。

2）課堂檢查（點名、提問和隨堂練習）和作業(yè)10％（缺一次扣1分)，綜合訓練10％，計入期末總成績。

4）作業(yè)，單周星期一交。3）全院統(tǒng)考，半期考試20％，期末考試60％。（暫定）5）培養(yǎng)嚴謹?shù)墓ぷ鲬B(tài)度，弱電可能燒毀器件，強電可能有生命危險。

6）答疑，課程組統(tǒng)一安排。參考書目：1）RobertBoylestan,LouisNashelsky.ElectronicDevicesandCircuitTheory.Preantice-Hall,Inc.,1996；

2）TheodoreF.Bogart.LinearElectronics.Macmillan.PublishingCompany,1994；3）EngineeringCircuitAnalysis，WilliamH.Hayt,Jr.JackE.KemmerlyStevenM.Durbin(英文原版)電子工業(yè)出版社，2002年6月引進。5）《模擬電路基礎(chǔ)》劉光沽電子科技大學出版社2000

4）FundamentalsofElectricCircuits，CharlesK.Alexander，MatthewN.O.Sadiku，(英文原版)清華大學出版社，2000年12月引進。

6）《電子電路基礎(chǔ)》(第二版)，張鳳言，高等教育出版社，1995；7）《模擬電路基礎(chǔ)》，秦世才，天津：南開大學出版社1998；8）《低頻電子線路》，金澤滇、劉毅堅長沙：國防科技大學出版社，1998。第一章晶體二極管及其應(yīng)用§1-1半導(dǎo)體材料及特點§1-2PN結(jié)§1-3晶體二極管及應(yīng)用§1-4小結(jié)§1-1半導(dǎo)體材料及其特點半導(dǎo)體的特性本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體半導(dǎo)體特性

何謂半導(dǎo)體物體分類導(dǎo)體—

導(dǎo)電率為大于105s.cm-1，量級;絕緣體—導(dǎo)電率為10-22-10-14s.cm-1量級;—

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。半導(dǎo)體導(dǎo)電率為105s.cm-1量級，如：銀、銅、金、鋁。導(dǎo)電率10-22-10-14s.cm-1量級，如：橡膠、云母、塑料等。導(dǎo)電率為10-9-102s.cm-1量級，如：硅、鍺、砷化鎵（集成電路）等。電阻率：銀Ag1.60（10-6Ω·m）

金Au2.40（10-6Ω·m）半導(dǎo)體特性

半導(dǎo)體特性摻入雜質(zhì)則導(dǎo)電率增加幾百倍摻雜特性半導(dǎo)體器件溫度增加使導(dǎo)電率大為增加溫度特性熱敏器件光照不僅使導(dǎo)電率大為增加還可以產(chǎn)生電動勢光照特性光敏器件光電器件本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。純度：99.99999%，“7N”，它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。常用的本征半導(dǎo)體Si+14284Ge+3228184+4本征半導(dǎo)體

本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)和共價鍵+4+4+4+4+4+4+4+4+4共價鍵內(nèi)的電子稱為束縛電子價帶導(dǎo)帶掙脫原子核束縛的電子稱為自由電子價帶中留下的空位稱為空穴禁帶EG外電場E自由電子定向移動形成電子流束縛電子填補空穴的定向移動形成空穴流

詳見“半導(dǎo)體物理”。在半導(dǎo)體物理中，通常把這種形成共價鍵的價電子所占據(jù)的能帶稱為價帶，而把價帶上面鄰近空帶（自由電子占據(jù)的能帶）稱為導(dǎo)帶。導(dǎo)帶和價帶之間為禁帶。本征半導(dǎo)體1.本征半導(dǎo)體中有兩種載流子—自由電子和空穴，它們是成對出現(xiàn)的。2.在外電場的作用下，產(chǎn)生電流—電子流和空穴流。電子流自由電子作定向運動形成的，與外電場方向相反，自由電子始終在導(dǎo)帶內(nèi)運動?？昭鲀r電子遞補空穴形成的，與外電場方向相同，始終在價帶內(nèi)運動。由此我們可以看出：本征半導(dǎo)體

本征半導(dǎo)體的載流子的濃度電子濃度ni:表示單位體積的自由電子數(shù)；空穴濃度pi:表示單位體積的空穴數(shù)。結(jié)論1.本征半導(dǎo)體中電子濃度ni=空穴濃度pi；2.載流子的濃度與T有關(guān)。

當材料一定時：載流子的濃度主要取決于溫度；溫度增加使導(dǎo)電能力激增。且溫度可人為控制。三.雜質(zhì)半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體缺點？1、自由電子濃度=空穴濃度；2、載流子少，導(dǎo)電性差，溫度穩(wěn)定性差！(1)N型半導(dǎo)體(2)P型半導(dǎo)體(3)雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性的影響雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體。摻雜后半導(dǎo)體的導(dǎo)電率大為提高；摻入的三價元素如硼B(yǎng)、Al、銦In等，形成P型半導(dǎo)體，也稱空穴型半導(dǎo)體；摻入的五價元素如磷P、砷Se等，形成N型半導(dǎo)體，也稱電子型半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體

N(Negative負）型半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5在本征半導(dǎo)體中摻入的五價元素如磷。自由電子是多子空穴是少子雜質(zhì)原子提供由熱激發(fā)形成由于五價元素很容易貢獻電子，因此將其稱為施主雜質(zhì)。施主雜質(zhì)因提供自由電子而帶正電荷成為正離子。N（Negative負）型半導(dǎo)體（電子型半導(dǎo)體）摻雜：特點：多數(shù)載流子：自由電子（主要由雜質(zhì)原子提供）少數(shù)載流子：空穴（由熱激發(fā)形成）少量摻入五價雜質(zhì)元素（如：磷，砷等）雜質(zhì)半導(dǎo)體

P（Positive正）型半導(dǎo)體+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3在本征半導(dǎo)體中摻入的三價元素如硼。自由電子是少子空穴是多子雜質(zhì)原子提供由熱激發(fā)形成因留下的空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負離子。三價雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。P（Positive正）型半導(dǎo)體（空穴型半導(dǎo)體）摻雜：少量摻入三價雜質(zhì)（如硼、鎵和銦等）特點：多子：空穴（主要由雜質(zhì)原子提供）少子：電子（由熱激發(fā)形成）雜質(zhì)半導(dǎo)體

雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

在雜質(zhì)型半導(dǎo)體中，多子濃度比本征半導(dǎo)體的濃度大得多，而少子濃度比本征半導(dǎo)體的濃度小得多，但兩者乘積保持不變，并等于ni2

。

詳見“半導(dǎo)體物理”。在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，盡管雜質(zhì)含量很少，但提供的載流子數(shù)量計算仍遠大于本征半導(dǎo)體中載流子的數(shù)量。例如：T=300k時，鍺本征半導(dǎo)ni=2.5×1013/cm3,鍺原子密度為4.4*1022/cm3,若摻入砷原子是鍺原子密度的萬分之一。則施主雜質(zhì)濃度為：