電力設(shè)備與新能源行業(yè)：從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)透析光伏晶硅高效電池發(fā)展

CINDASECURITIESwuhao@請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://ww從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)透析光伏晶硅高效電池發(fā)展光伏電池片技術(shù)進(jìn)步的核心是增效降本。太陽(yáng)能電池基礎(chǔ)工作原理是半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)，當(dāng)物體受到光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。在光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中不可避免的會(huì)發(fā)生效率損失，主要包括光學(xué)損失、電學(xué)損失及電阻損失，電池技術(shù)不斷進(jìn)步和探索的重要目標(biāo)之一就在于降低此類物理化學(xué)損失。為此，發(fā)展高效電池技術(shù)的一系列關(guān)鍵工藝包括拋光、制絨、擴(kuò)散、鈍化、介質(zhì)開(kāi)膜和金屬化技術(shù)等應(yīng)運(yùn)而生。降本增效是光伏電池技術(shù)發(fā)展永恒的主旋律，近幾十年產(chǎn)業(yè)不斷探索更高效更具性價(jià)比的電池技術(shù)，光伏電池歷經(jīng)多次迭代，如今由P型PERC時(shí)代逐步邁向由發(fā)展高效電池可提升光伏組件實(shí)際功率，進(jìn)而攤薄光伏系統(tǒng)成本。高效組件轉(zhuǎn)換效率更高、溫度系數(shù)更低且雙面發(fā)電效率能力更加出色，與同等規(guī)格的常規(guī)組件相比，實(shí)際輸出功率提升明顯。組件功率的提升可以攤薄光伏電站的衰減上均具備優(yōu)勢(shì)，增益光伏電站全生命周期發(fā)電量，降低光伏電池全生命周期度電成本。根據(jù)我們的敏感性分析測(cè)算，當(dāng)首年衰減每降低0.2%，次年衰減N型電池技術(shù)發(fā)展迅速，產(chǎn)業(yè)化浪潮已至。電池片技術(shù)快速進(jìn)步，手段如0BB、銀包銅、無(wú)銦/低銦靶材技術(shù)正在逐步導(dǎo)入，未來(lái)放量可期。BC電池正面無(wú)遮擋，最大可能性降低正面光學(xué)損失，造型美觀，特別適合于分布快速發(fā)展期，降本增效潛力突出。投產(chǎn)產(chǎn)能與節(jié)奏位居行業(yè)前列的企業(yè)，推薦晶科能源、天合光能、晶澳科技、通威股份；建議關(guān)注隆基綠能、愛(ài)旭股份。另一方面，建議關(guān)注受益于新型電池技術(shù)，具備量利向上邏輯的核心輔材及設(shè)備企業(yè)，推薦聚和材料、捷佳偉請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:// 5 6 6 7 7 8 9 9 請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露htt 6 6 7 8 9 請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://www目前光伏晶硅制造產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)技術(shù)突破集中在電池片環(huán)節(jié)，本篇報(bào)告從光伏電池片的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)原理出發(fā)分析了限制光伏電池片轉(zhuǎn)換效率提升的核心原因，并回顧了目前主流技術(shù)路線及發(fā)展?jié)摿^大的技術(shù)路線的發(fā)展歷史，從提升轉(zhuǎn)換效率的角度，詳解了主流技術(shù)路線的關(guān)鍵工藝。報(bào)告從模擬測(cè)算的角度，詳細(xì)分析了提升轉(zhuǎn)換效率對(duì)下游光伏電站業(yè)主方帶來(lái)的實(shí)際收益，同時(shí)重點(diǎn)介紹了目前行業(yè)正在快速發(fā)展并產(chǎn)業(yè)化的新型技術(shù)路線發(fā)展情況。請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://www一、光伏電池工藝技術(shù)原理及發(fā)展歷史太陽(yáng)能電池工作原理的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)，當(dāng)物體受到光照時(shí)，物體內(nèi)的電荷分布狀態(tài)發(fā)生變化而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)和電流的一種效應(yīng)。晶體硅太陽(yáng)能電池本質(zhì)上就是一個(gè)大照下生產(chǎn)的光生載流子（電子-空穴對(duì)）進(jìn)行分離，分別被正面和背面的金屬電極收集。根發(fā)中心影響電池性能的參數(shù)主要有開(kāi)路電壓、短路電流、填充因子等。根據(jù)丁健寧等《高效晶體請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://wwVM為最佳工作電壓，RM為最佳負(fù)載電阻，PM為最大輸出功率。P率損失的主要原因有：2）能量大于電池吸收層禁帶寬度的光子被吸收，產(chǎn)生的電子-空穴分別被激發(fā)到導(dǎo)帶和價(jià)4）半導(dǎo)體材料與光生載流子運(yùn)輸過(guò)程金屬電極接觸的非歐姆接觸引起電壓降損；足以提供足夠的能量來(lái)產(chǎn)生自由載流子。這部分光子占比大約30%，電池?zé)o法利用。而短請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://w光學(xué)損失的另一方面還來(lái)自晶體硅太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)和工藝。首先，對(duì)于晶體硅而言，硅間接帶隙半導(dǎo)體材料，光吸收系數(shù)相對(duì)較低。長(zhǎng)波長(zhǎng)光入射進(jìn)硅片不能被充分吸收，導(dǎo)致大載流子的復(fù)合概率。復(fù)合陷阱濃度越高，陷阱能級(jí)越靠近禁帶的中央陷阱的俘獲截面積就越大，載流子的運(yùn)動(dòng)速度越快,被陷阱俘獲的數(shù)量就會(huì)越多，從而陷阱輔助復(fù)合的速率越大,載流子壽命越短。硅片體內(nèi)由于存在摻雜、雜質(zhì)、缺陷等因素,光生少數(shù)載流子在硅片內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí),很容易被復(fù)合掉。另外，半導(dǎo)體材料表面高濃度的缺陷，稱之為表面態(tài)。電子和空穴會(huì)通過(guò)表面這些缺陷復(fù)合,稱為表面復(fù)合或者界面復(fù)合。復(fù)合損失主要有輻射復(fù)合、俄歇復(fù)合的主要方式，但對(duì)于間接帶隙的硅來(lái)說(shuō)，輻射復(fù)合需要聲子的參與，所以其輻射復(fù)合俄歇復(fù)合：當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)，復(fù)合產(chǎn)生的能量會(huì)傳遞給另外一個(gè)電子或空穴，使其獲格中,這就是所謂的俄歇復(fù)合。俄歇復(fù)合速率與載流子的濃度有關(guān)，是高摻雜濃度區(qū)域（發(fā)穴通過(guò)禁帶中的陷阱能級(jí)進(jìn)行復(fù)合，導(dǎo)帶中的電子可通過(guò)這些復(fù)合中心躍遷至價(jià)帶，這就請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://ww焊接帶電阻組成。串聯(lián)電阻的高低與電池的填充因子有強(qiáng)相關(guān)性,當(dāng)串聯(lián)電阻過(guò)高時(shí)，電池由于發(fā)射極中的電子能夠通過(guò)表面態(tài)與基區(qū)甚至是背面電極的空穴進(jìn)行復(fù)合，產(chǎn)生電流通道，導(dǎo)致電池的局部漏電。不恰當(dāng)?shù)墓に囈矔?huì)導(dǎo)致并聯(lián)電阻的形成，包括邊緣漏電、邊緣在電池片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，常會(huì)用到拋光、制絨、擴(kuò)散、鈍化、介質(zhì)開(kāi)膜和金屬化技術(shù)等工藝來(lái)降低光伏電池片的光學(xué)、電學(xué)、電阻損能電池工藝中，硅片從頭到尾需經(jīng)過(guò)多道不同的清洗工藝。切割硅錠形成的硅片，其損傷面。為了提升制備出絨面的均勻性或者控制絨面尺寸的大小，需要在堿制絨過(guò)程中使用堿請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://方式在硅襯底表面制備一層均勻的摻雜層形成的。擴(kuò)散摻雜濃度分布一般呈余誤差分布和高斯分布，即硅片表面的摻雜濃度較高，隨著深度增加，濃度逐漸降低。由于擴(kuò)散后的硅片表面雜質(zhì)濃度很高，俄歇復(fù)合比較嚴(yán)重，為了有效降低復(fù)合，開(kāi)發(fā)了兩種優(yōu)化的晶體硅發(fā)射極，一種是淺摻的均勻發(fā)射極(homogenousemitter,HE),另一種是選擇性發(fā)射極氫化氮化硅（SiNx:H）薄膜。p型晶硅電池正面除了可采用氮化硅鈍化外，二氧化硅（SiO2）由于能很好地鈍化硅片表面懸掛鍵，降低表面缺陷態(tài)密度，也已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://鋁和晶硅表面生成的氧化硅界面的交界處存在著高密度的負(fù)電荷，實(shí)現(xiàn)了場(chǎng)鈍化。同時(shí)氧化鋁的化學(xué)鈍化效果也非常好，通過(guò)飽和硅表面懸掛鍵（缺陷復(fù)合中心降低了界面態(tài)密度。氧化鋁鈍化膜制備技術(shù)要主要包括原子層沉積（ALD）和等離子氣相沉積（PECVD）。 介質(zhì)開(kāi)膜：利用背面整面鈍化可以降低背表面復(fù)合好的電接觸。開(kāi)膜的圖形對(duì)背面局部接觸影響很大。鈍化膜的開(kāi)膜方法主要有激光開(kāi)膜、腐蝕液開(kāi)膜以及腐蝕漿料開(kāi)膜等。激光開(kāi)膜技術(shù)由于其較低的運(yùn)營(yíng)成本，已經(jīng)在量產(chǎn)上大規(guī)模使用。激光作用在鈍化膜或硅襯底上，可以使鈍化膜或硅吸收能量而發(fā)生蒸發(fā)或崩裂。激光主要采用皮秒（ps）和納秒（ns）激光，皮秒激光對(duì)硅的損傷較小，可直接作用在鈍化膜上開(kāi)膜；納秒激光對(duì)硅片損傷較大，但成本相對(duì)皮秒激光低。但是隨著漿料技術(shù)的發(fā)展，納秒激光對(duì)電池表面的損傷會(huì)大大降低，對(duì)影響電池的效率較小。金屬化技術(shù)：絲網(wǎng)印刷技術(shù)（screenprinting，SP）是目前晶體硅電池的主流金屬化技術(shù)。證足夠的拉力，但又不能破壞或燒穿背面鈍化膜。Ag漿料的發(fā)展方向依然是持續(xù)降低Ag-Si的接觸電阻和提高柵線的高寬比。同時(shí)為了滿足高方阻發(fā)射極越來(lái)金屬化工藝，除了絲網(wǎng)印刷法外，還有如激光轉(zhuǎn)印、移印、噴墨、電鍍、噴霧等方法。激請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://崇主要是因?yàn)橹恍柙谄胀ㄈX背場(chǎng)（AI-BSF)電池生產(chǎn)線基礎(chǔ)上增加背面鈍化膜沉積和介質(zhì)與其他高效電池和組件技術(shù)的兼容性，以及進(jìn)一步提升效率的潛力。通過(guò)與多主柵、選擇濃度對(duì)太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率的影響較大,較高濃度的摻雜可以改善硅片和電極之間的歐姆接請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://觸，降低電池的串聯(lián)電阻。但是在高濃度摻雜的情況下，電池的頂層摻雜濃度過(guò)高，造成俄歇復(fù)合嚴(yán)重，少子壽命也會(huì)大大降低，使得發(fā)射極區(qū)所吸收的短波長(zhǎng)效率降低，降低短路電流。同時(shí)重?fù)诫s表面濃度高，造成了表面復(fù)合提高，降低了開(kāi)路電壓，進(jìn)而影響了電池的轉(zhuǎn)換效率。為了解決均勻高濃度發(fā)射極對(duì)電池效率的限制，研究人員提出了選擇性發(fā)射極（SE)，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位及其附近進(jìn)行高濃度摻雜深擴(kuò)散,而在電極以外的區(qū)域進(jìn)行低濃度摻雜淺擴(kuò)散。圖10：常規(guī)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)圖（a）和選擇性發(fā)射極太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)圖(Al-BSF)結(jié)構(gòu)。這種背面鈍化結(jié)構(gòu)可以降低背表面的復(fù)合速率，提升背表面反射,從而提高電池正面增加光吸收可通過(guò)構(gòu)建高效的陷光結(jié)構(gòu)、優(yōu)化減反膜系、降低柵線遮光來(lái)實(shí)現(xiàn)，目的是為了使更多的光能進(jìn)入硅片內(nèi)部，從而產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)。而增加背面結(jié)構(gòu)的構(gòu)造主要是為了增加長(zhǎng)波段光在電池內(nèi)部的光學(xué)路徑以實(shí)現(xiàn)對(duì)光的二次利用。PERC也有其缺點(diǎn):①背面的金屬與半導(dǎo)體硅材料接觸處仍然存在復(fù)合，對(duì)電池效率造成損請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)，為硅片的背面提供了良好的界面鈍化。該鈍化結(jié)構(gòu)可以使電子隧穿進(jìn)入摻雜多晶硅層，同時(shí)阻擋空穴，降低了金屬接觸復(fù)合電流，而進(jìn)入摻雜多晶硅層的電子資料來(lái)源：晶科能源官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心包括以下幾點(diǎn):①背面全鈍化,徹底避免了背面金屬電極與硅基體材料的直接接觸,大大降低了背面復(fù)合速率，提升了開(kāi)路電壓和短路電流；②背面載流子直接匯集到電極、背面全接觸區(qū)域，避免局部接觸而造成的橫向傳導(dǎo)電阻，降低串聯(lián)電阻，改善填充因子；③背面鈍良好的鈍化接觸既要有好的界面鈍化效果，又要能實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，為此隧穿接觸層材料的選擇極為苛刻:①隧穿接觸層的材料本身需具有良好的界面懸掛鍵鈍化效果，如果能有電荷注入，形成電荷場(chǎng)鈍化效果的話會(huì)更佳,若在材料制備過(guò)程中還能有氫注入,也是非常有益的;②材料需要具有良好的隧穿效果，可以協(xié)助完成多數(shù)載流子在吸收層和摻雜層間的快速輸運(yùn)。作為隧穿接觸層的材料,再通過(guò)沉積一層高濃度摻雜的多晶硅薄膜形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)。請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://溫度系數(shù)、弱光表現(xiàn)、首年衰減率等方面優(yōu)于PERC，從而可>TOPCon電池具有更優(yōu)秀的溫度系數(shù)：根據(jù)晶科能源，P型組件的溫度系數(shù)為-資料來(lái)源：晶科能源官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心>雙面率提升：根據(jù)晶科能源，相較于傳統(tǒng)PERC組件70%的雙面率，晶科N型TOPCon組件優(yōu)化雙面率至85%。根據(jù)理論公式計(jì)算，在請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://資料來(lái)源：晶科能源官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心序號(hào)發(fā)電量預(yù)測(cè)結(jié)果定量對(duì)比(MWh)度電成本(＄/kWh)資料來(lái)源：晶科能源公眾號(hào)，信達(dá)證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://合導(dǎo)致載流子損失，而且載流子選擇性接觸產(chǎn)生不對(duì)稱的勢(shì)壘,可以收集多數(shù)載流子，阻擋少數(shù)載流子。HJT太陽(yáng)能電池技術(shù)一般涉及兩種或更多種不同的材料。根據(jù)丁健寧等《高效晶體硅太陽(yáng)請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://功函數(shù)，因而在吸收層表面產(chǎn)生電勢(shì)差,從而實(shí)現(xiàn)載流子收集,這種薄膜通常稱為電子和空穴薄的緩沖層，用于表面鈍化。和消光系數(shù)等電學(xué)和光學(xué)參數(shù)不同，因而為半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性。由導(dǎo)電類型相反的兩種半導(dǎo)體材料形成的異質(zhì)結(jié)稱為反型異質(zhì)結(jié)，而由導(dǎo)電類型相同的兩種半5）光照穩(wěn)定性好：非晶硅薄膜的一大問(wèn)題是由Staebler-Wronski效請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http://非晶硅層和摻雜非晶硅層的沉積。沉積本征a-Si:H鈍化層，通常通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）或熱絲化學(xué)氣相沉積（HWCVD）。PECVD技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜的氣態(tài)物質(zhì)膜材料生長(zhǎng)的一種制備技術(shù)；熱絲化學(xué)氣相沉積（HWCVD）是利用高溫?zé)峤z催化作用使慢快大小好好發(fā)展階段性差，只通過(guò)金屬柵線從發(fā)射極收集電流是不夠的，因此通常需要沉積導(dǎo)電透明氧化物性。目前常用的沉積方法有濺射法(包括磁控濺射、離子束離子束蒸發(fā)等)。濺射法的工藝穩(wěn)定性更好，制備薄膜的質(zhì)量積TCO薄膜的方法主要有兩種：RPD（異質(zhì)結(jié)電池實(shí)現(xiàn)低成本量產(chǎn)的關(guān)鍵在于設(shè)備國(guó)產(chǎn)化、提高良率和產(chǎn)能以及降低硅片、低溫用考慮對(duì)電池光學(xué)方面的影響，設(shè)計(jì)時(shí)可以更加專注于電池電性能的提高，根據(jù)丁健寧等長(zhǎng)度要大于器件厚度，且電荷的表面復(fù)合速率要非常低，所以IBC電池通常需要采用載流請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:3）si02或si0x/siNx疊層鈍化減反膜與n+層結(jié)合。在高壽命n型硅片襯底的前表面采用si02或si0x/siNx疊層鈍化減反膜與n+層結(jié)合，形成前表面場(chǎng)，并制備金字塔狀絨面來(lái)增強(qiáng)光的吸收。應(yīng)，兩個(gè)摻雜區(qū)中間一般還存在一個(gè)間隙，其中發(fā)射極用來(lái)收集空穴載流子，背表面場(chǎng)用來(lái)捕獲電子；5）與鈍化接觸技術(shù)相結(jié)合。背面采用si02、Al02、siNx等鈍化層或疊層，并通過(guò)在鈍化層資料來(lái)源：《叉指背接觸硅太陽(yáng)電池》（張偉康等信達(dá)證券研發(fā)中心2）更高的開(kāi)路電壓：正面不需要考慮電池的接觸電阻問(wèn)題，可以最優(yōu)化地設(shè)計(jì)前表面場(chǎng)和3）提升填充因子：正負(fù)電極全部在背面，可以采用較寬的金屬柵線來(lái)降低串聯(lián)電阻，從而3）背面柵線金屬化設(shè)計(jì)：IBC電池的柵線都在背面，可以更加靈活地設(shè)計(jì)柵線，采用柵線寬度加寬或者高度增加的方式，降低串聯(lián)電阻。金屬接觸區(qū)的復(fù)合通常都較大，所以需要成本難受控制，對(duì)硅片少子壽命要求高，未來(lái)還需要解決系列問(wèn)題，包括制備流程長(zhǎng)，成請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:二、高效電池片降本增效優(yōu)勢(shì)明顯基準(zhǔn)基準(zhǔn)資料來(lái)源：CPIA，晶科能源，信達(dá)證券研發(fā)中心測(cè)算請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:資料來(lái)源：CPIA，信達(dá)證券研發(fā)中心/W）資料來(lái)源：CPIA，信達(dá)證券研發(fā)中心測(cè)算高效組件擁有更好的衰減系數(shù)，在首年衰減和次年衰減上均具備優(yōu)勢(shì)，增益光伏電站全生命周期發(fā)電量，降低光伏電池全生命周期度電成本。假設(shè)常規(guī)組件首年衰減為2%，次年及以后為0.45%。通過(guò)敏感性分析，當(dāng)首年衰減每降低0.2%資料來(lái)源：隆基綠能，信達(dá)證券研發(fā)中心測(cè)算請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:在快速進(jìn)步階段，在電池技術(shù)正面臨新的技術(shù)拐點(diǎn)的背景下，包括TOPCON、HJT、IBC為隨著時(shí)間的推移和技術(shù)的逐漸成熟，N型電池有望實(shí)現(xiàn)更高的量產(chǎn)電池效率，成為新一代主流電池技術(shù)。27%26%25%24%23%22%21%20%資料來(lái)源：CPIA，信達(dá)證券研發(fā)中心資料來(lái)源：光伏頭條，不同技術(shù)路線的硅基電池理論極限效率（ISFH，2019信達(dá)證券研發(fā)中心.細(xì)化主柵，減少電池表面遮擋：將主柵細(xì)化可減少電池表面遮光面積，降低遮光損失，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。億/GW，與其他新技術(shù)路線相比投資成本更低，量產(chǎn)更具性價(jià)比。更具性價(jià)比的優(yōu)勢(shì)吸引請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:02022E2023E2資料來(lái)源：集邦新能源網(wǎng)微信公眾號(hào)，信達(dá)證券研發(fā)中心公司名稱資料來(lái)源：北極星太陽(yáng)能光伏網(wǎng)，弘元綠能、晶澳科技公司公告，信達(dá)證券研發(fā)中心公司作為行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)，目前公司HJT電池量產(chǎn)效率已達(dá)26%，優(yōu)質(zhì)產(chǎn)線良率可達(dá)目前HJT量產(chǎn)規(guī)模相對(duì)較小，但未來(lái)空間與增速值得期待，根據(jù)集邦新能源網(wǎng)，2023年請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:0資料來(lái)源：集邦新能源網(wǎng)微信公眾號(hào)，信達(dá)證券研發(fā)中心公司名稱規(guī)劃產(chǎn)能（GW）金剛光伏68865資料來(lái)源：光伏頭條微信公眾號(hào)，金剛光伏公司公告，國(guó)際能源網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心多渠道降低成本，未來(lái)成本下降路徑清晰。我們認(rèn)為目前HJT設(shè)備投資成本相對(duì)于請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:資料來(lái)源：SOLARZOOM，東方日升，信達(dá)證券研發(fā)中心資料來(lái)源：SOLARZOOM，東方日升，信達(dá)證券研發(fā)中心會(huì)是晶硅電池的絕對(duì)主流，包括單面與雙面電池。設(shè)，并力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)義烏15GW年產(chǎn)能電池及配套組件項(xiàng)目的建成投產(chǎn)，建資料來(lái)源：隆基綠能官網(wǎng)，信達(dá)證券研發(fā)中心證券研發(fā)中心請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:復(fù)合鈍化雙結(jié)電池的簡(jiǎn)稱。該電池采用高低結(jié)，通過(guò)優(yōu)化膜層設(shè)計(jì)與沉積工藝實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的全域鈍化效果并降低了對(duì)光的吸收；正面引入局部的低電阻接觸層進(jìn)一步提升電池效率；請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http:推薦晶科能源、天合光能、晶澳科技、通威股份；建議關(guān)注隆基綠能、愛(ài)旭股份。另一方面，建議關(guān)注受益于新型電池技術(shù)，具備量利向上邏輯的核心輔材及設(shè)備企業(yè)，推薦聚和材料、捷佳偉創(chuàng)，建議關(guān)注宇邦新材、邁為股份等。光伏需求不及預(yù)期：光伏需求若不及預(yù)期，將影響光伏電池的銷售情況，或?qū)?dǎo)致公司產(chǎn)新技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期：N型電池技術(shù)發(fā)展不及預(yù)期將影響到N型產(chǎn)能過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)：若電池產(chǎn)能投產(chǎn)過(guò)多導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩，將影響電池銷售利潤(rùn)和相關(guān)企業(yè)經(jīng)營(yíng)請(qǐng)閱讀最后一頁(yè)免責(zé)聲明及信息披露http武浩，新能