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基于摻雜ZnO憶阻器的制備及光電調(diào)控特性研究基于摻雜ZnO憶阻器的制備及光電調(diào)控特性研究

摘要:本研究旨在研究基于摻雜ZnO的憶阻器的制備方法以及其光電調(diào)控特性。首先,我們利用溶膠-凝膠法制備了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品,并通過X射線衍射(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)對樣品的晶體結(jié)構(gòu)和形貌進行了表征。然后,利用四探針測量系統(tǒng)分別測量了純ZnO和Sb摻雜的ZnO在室溫下的電阻特性,結(jié)果表明摻雜后的ZnO樣品具有明顯的憶阻特性。接著,我們使用光電參數(shù)測試系統(tǒng)研究了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品的光電調(diào)控特性。實驗結(jié)果顯示,適當(dāng)?shù)墓庹湛梢杂行У馗淖冞@些樣品的電阻,并且Sb摻雜的ZnO樣品光電響應(yīng)更為顯著。最后,我們通過探討光照強度、光照時間和摻雜濃度等因素對ZnO憶阻器光電特性的影響,為其在光電調(diào)控器件的應(yīng)用提供了理論依據(jù)。

關(guān)鍵詞:摻雜ZnO;憶阻器;制備方法;光電調(diào)控特性

1.引言

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,電子器件越來越小型化和高性能化的趨勢愈發(fā)明顯。在這樣的背景下,憶阻器作為一種新興的電子器件,在存儲器件和模擬器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。憶阻器是一種能夠在電阻值上保持記憶的電子器件,其具備了非易失性、可擦寫以及多狀態(tài)調(diào)控等特點,因而被廣泛研究和應(yīng)用。

2.實驗方法

2.1ZnO樣品的制備

在本實驗中,我們采用了溶膠-凝膠法來制備純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品。首先,將適量的Zn(NO3)2溶解在三乙醇胺溶液中,加熱攪拌后形成透明溶液。然后,向其中加入適量的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和乙二醇,繼續(xù)攪拌。接下來,將該溶液倒入培養(yǎng)皿中,在自然條件下靜置24小時。最后,將培養(yǎng)皿放入爐中,并在600攝氏度下熱處理4小時,得到純ZnO樣品。對于Sb摻雜的ZnO樣品,只需將適量的Sb(NO3)3摻入Zn(NO3)2溶液中,并按照相同的制備步驟得到Sb摻雜的ZnO樣品。

2.2樣品的表征

通過X射線衍射(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)對純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品進行表征。XRD圖譜顯示樣品的晶體結(jié)構(gòu),TEM圖像則反映了樣品的形貌和尺寸分布。

3.結(jié)果和討論

3.1電阻特性結(jié)果

通過四探針測量系統(tǒng)測量了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品在室溫下的電阻特性。實驗結(jié)果顯示,純ZnO樣品呈現(xiàn)出線性的電阻特性,而Sb摻雜的ZnO樣品則表現(xiàn)出明顯的憶阻特性。在電壓范圍為-2V至2V的情況下,Sb摻雜的ZnO樣品的電阻由高到低變化,并在改變電壓極性后保持在低電阻狀態(tài)。這種憶阻特性的變化可以歸因于Sb摻雜引入的電荷分布不均勻造成的。

3.2光電調(diào)控特性結(jié)果

利用光電參數(shù)測試系統(tǒng)研究了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品的光電調(diào)控特性。實驗中,我們使用了不同光照強度和光照時間。結(jié)果顯示,適當(dāng)?shù)墓庹湛梢燥@著改變樣品的電阻值。尤其是在Sb摻雜的ZnO樣品中,光照使電阻發(fā)生明顯的變化,其光電響應(yīng)更為顯著。這一現(xiàn)象可以解釋為光照引起的電子載流子激發(fā)和重新組合過程改變了樣品的電阻特性。

4.結(jié)論

本研究通過溶膠-凝膠法成功制備了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品,并研究了其電阻特性和光電調(diào)控特性。結(jié)果表明,Sb摻雜的ZnO樣品具有明顯的憶阻特性,并且在光照下具有更好的光電響應(yīng)。這些發(fā)現(xiàn)為基于摻雜ZnO憶阻器的光電調(diào)控器件的應(yīng)用提供了理論基礎(chǔ),并為進一步的研究提供了指導(dǎo)本研究通過實驗研究了純ZnO和Sb摻雜的ZnO樣品的電阻特性和光電調(diào)控特性。實驗結(jié)果表明,純ZnO樣品呈現(xiàn)出線性的電阻特性,而Sb摻雜的ZnO樣品表現(xiàn)出明顯的憶阻特性。在電壓范圍為-2V至2V的情況下,Sb摻雜的ZnO樣品的電阻由高到低變化,并在改變電壓極性后保持在低電阻狀態(tài)。光電參數(shù)測試結(jié)果顯示,光照可以顯著改變樣品的電阻值,尤其是在Sb摻雜的ZnO樣品中,光照使電阻發(fā)生明顯的變化,其光電響應(yīng)更為顯著。這些結(jié)果揭示了Sb摻雜引入的電荷分布不均勻?qū)е聵悠窇涀?/p>

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