高電壓技術(shù)第一章第六-七節(jié)習(xí)題_第1頁(yè)
高電壓技術(shù)第一章第六-七節(jié)習(xí)題_第2頁(yè)
高電壓技術(shù)第一章第六-七節(jié)習(xí)題_第3頁(yè)
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1-7氣體介質(zhì)在沖擊電壓下的擊穿有何特點(diǎn)?其沖擊電氣強(qiáng)度通常用哪些方式來(lái)表示?在持續(xù)作用電壓下,每個(gè)氣隙的擊穿電壓均為一確定的數(shù)值,通常都以這一擊穿電壓來(lái)表征該氣隙的擊穿電壓或電氣強(qiáng)度。但氣隙在沖擊電壓作用下的擊穿就復(fù)雜多了,沖擊電壓下的氣隙擊穿電壓不是一個(gè)確定的數(shù)值,亦即在沖擊電壓作用下,氣隙的擊穿電壓不確定,在同一沖擊電壓下,氣隙有可能擊穿也有可能不被擊穿。表示方法:50%沖擊擊穿電壓:即采用擊穿百分比為50%時(shí)的電壓來(lái)表征氣隙的沖擊擊穿特性;伏秒特性:表示該氣隙的沖擊擊穿電壓與放電時(shí)間的關(guān)系。1-8試述50%沖擊擊穿電壓和50%伏秒特性兩個(gè)術(shù)語(yǔ)中的“50%”所指的意義有何不同?這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)之間有無(wú)關(guān)系?50%沖擊擊穿電壓是指對(duì)氣隙施加10次電壓有4~6次擊穿,即擊穿概率為50%50%伏秒特性是指以放電時(shí)間為橫坐標(biāo),縱坐標(biāo)為電壓形成的曲線圖,50%概率放電時(shí)間的含義是在伏秒特性曲線的上下包絡(luò)線間選擇某一時(shí)間數(shù)值,使在每個(gè)電壓下的多次擊穿中放電時(shí)間小于該數(shù)值的恰占一半。兩個(gè)術(shù)語(yǔ)應(yīng)用于不同的場(chǎng)合:U50%是不考慮放電時(shí)延情況下表征間隙沖擊擊穿特性,而50%伏秒特性是考慮時(shí)延情況下的表征。1-9設(shè)某一“球一球”氣隙和某一“棒一板”氣隙的靜態(tài)擊穿電壓均為,它們的伏秒特性分別如習(xí)圖-2中的曲線a與b所示。試回答:(1)它們的伏秒特性有何差別?為什么有這樣的差別?(2)圖中“棒一板”氣隙的伏秒特性處于“球一球”氣隙之上,這是否說(shuō)明“棒一板”氣隙的絕緣強(qiáng)度優(yōu)于“球一球”氣隙?為什么?baUs)習(xí)圖-2題1-9圖它們的伏秒特性的差別是:球-球“氣隙的伏秒特性較平坦,而“棒-板”氣隙的伏秒特性較陡。這是因?yàn)椤扒?球”氣隙的電場(chǎng)分布為稍不均勻電場(chǎng),平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)較高,放電發(fā)展較快,放電時(shí)延較短;而“棒-板”氣隙的電場(chǎng)分布為極不均勻電場(chǎng),平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)較低,放電形成時(shí)延受電壓影響大,放電時(shí)延較長(zhǎng)且分散性也大,所以其伏秒特性曲線在放點(diǎn)時(shí)間還相當(dāng)大時(shí),便隨時(shí)間減少而明顯上翹,比較陡。(2)由伏秒特性曲線可知,曲線a總是低于曲線b,說(shuō)明在同一時(shí)間電壓作用下,總是“球-球”氣隙先擊穿,“棒-板”氣隙的絕緣強(qiáng)度優(yōu)于“球-球”氣隙。但對(duì)于同樣長(zhǎng)度的同類(lèi)介質(zhì)氣隙,則“球-球”氣隙的絕緣強(qiáng)度要優(yōu)于“棒-板”氣隙。1-10試分別用湯遜理論和流注理論說(shuō)明空氣如何在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下一步步由電介質(zhì)變成導(dǎo)體。湯遜放電理論:受外界因素的作用,在氣體間隙中存在自由電子,這些自由電子在電場(chǎng)中被加速,并在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷與氣體原子或分子發(fā)生碰撞;當(dāng)電子獲得電場(chǎng)提供的足夠動(dòng)能時(shí),就會(huì)使氣體原子產(chǎn)生碰撞電離,形成新的自由電子和正離子。這些新產(chǎn)生的電子和原有電子又從電場(chǎng)中得能量,并繼續(xù)碰撞其它氣體原子,又可能激發(fā)出新的自由電子。這樣,自由電子數(shù)將會(huì)成指數(shù)倍地增長(zhǎng),形成電子雪崩。由于電子的質(zhì)量比離子小得多,因此,電子移動(dòng)的速度比離子快許多,形成的電子崩的頭部不斷向前擴(kuò)展,最終形成自持性氣體放電。流注理論:在外施電場(chǎng)作用下,電子崩由陰極向陽(yáng)極發(fā)展,由于氣體原子(或分子)的激勵(lì)、電離、復(fù)合等過(guò)程產(chǎn)生光電離,在電子崩附近由光電子引起新的子電子崩,電子崩接近陽(yáng)極時(shí),電離最強(qiáng),光輻射也強(qiáng)。光電子產(chǎn)生的子電子崩匯集到由陽(yáng)極生長(zhǎng)的放電通道,并幫助它的發(fā)展,形成由陽(yáng)極向陰極前進(jìn)的流注(正流注),流注的速度比碰撞電離快。同時(shí),光輻

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