脈沖激光沉積GaN薄膜研究的任務(wù)書

脈沖激光沉積GaN薄膜研究的任務(wù)書任務(wù)書1.課題背景及目的氮化鎵（GaN）是一種很有前景的材料，具有廣泛的應(yīng)用前景，例如硅基光電子學(xué)、高亮度LED和其他光電子學(xué)應(yīng)用。由于GaN的高硬度和化學(xué)性質(zhì)，傳統(tǒng)的熱沉積和物理氣相沉積技術(shù)在沉積GaN薄膜時(shí)遇到了困難。相比之下，脈沖激光沉積技術(shù)能夠克服這些問題，而且在制備GaN薄膜時(shí)具有更好的控制性能。因此，本研究旨在通過脈沖激光沉積技術(shù)制備高質(zhì)量的GaN薄膜，并研究其特性。2.研究?jī)?nèi)容和任務(wù)（1）掌握脈沖激光沉積技術(shù)原理及特點(diǎn)。（2）利用脈沖激光沉積技術(shù)制備GaN薄膜，并優(yōu)化工藝條件。（3）對(duì)制備的GaN薄膜進(jìn)行表征和評(píng)估，包括使用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、光譜學(xué)等技術(shù)進(jìn)行分析。（4）對(duì)制備的GaN薄膜進(jìn)行光電特性測(cè)試，并比較其與傳統(tǒng)沉積方法制備的GaN薄膜的相似性和差異。（5）結(jié)合已有文獻(xiàn)及理論模型，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析解釋，深入探究脈沖激光沉積技術(shù)制備GaN薄膜的機(jī)理。3.要求（1）完整了解脈沖激光沉積技術(shù)原理及特點(diǎn)，并能夠熟練掌握其操作規(guī)程。（2）制備出高質(zhì)量的GaN薄膜，并能夠使用各種表征和評(píng)估手段進(jìn)行分析。（3）理解光電特性測(cè)試方法，能夠進(jìn)行測(cè)試并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理和分析。（4）通過文獻(xiàn)查閱和理論模型，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析解釋，并得出科學(xué)的結(jié)論。4.計(jì)劃進(jìn)度研究時(shí)間為一年，具體計(jì)劃進(jìn)度如下：第1-2個(gè)月：了解脈沖激光沉積技術(shù)原理及特點(diǎn)，制定實(shí)驗(yàn)計(jì)劃。第3-6個(gè)月：進(jìn)行脈沖激光沉積GaN薄膜的實(shí)驗(yàn)，并優(yōu)化工藝條件。第7-8個(gè)月：使用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、光譜學(xué)等技術(shù)進(jìn)行GaN薄膜的表征和評(píng)估。第9-10個(gè)月：進(jìn)行GaN薄膜的光電特性測(cè)試，并比較其與傳統(tǒng)沉積方法制備的GaN薄膜的相似性和差異。第11-12個(gè)月：通過文獻(xiàn)查閱和理論模型，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析解釋，并得出結(jié)論。5.預(yù)期成果（1）獲得高質(zhì)量的GaN薄膜，并確立其制備優(yōu)化工藝條件。（2）得出脈沖激光沉積技術(shù)制備GaN薄膜的特性分析結(jié)果，并與傳統(tǒng)沉積方法制備的GaN薄膜進(jìn)行對(duì)比。（3）發(fā)表一篇學(xué)術(shù)論文，向?qū)W術(shù)界介紹本研究的理論、實(shí)驗(yàn)和結(jié)果。（4）形成一份完整的研究報(bào)告，向企業(yè)或相關(guān)領(lǐng)域的研究機(jī)構(gòu)介紹本研究的理論、實(shí)驗(yàn)和結(jié)果。6.參考文獻(xiàn)（1）WangT,LiH,JiangM,etal.PulsedlaserdepositionofGaNonsiliconnitridesubstrates[J].JournalofAppliedPhysics,2000,87(7):3362-3365.（2）GuoW,ShenZ,ZhangZ,etal.PropertiesofGaNlayergrownonSi(111)substratebypulsedlaserdeposition[J].AppliedSurfaceScience,2004(238):102-107.（3）CavallaroA,CorsoCD,ToniniR,etal.MicrostructuralcharacterisationofGaNfilmsgrownonSisubstratesbypulsedlaserdeposition[J].AppliedSurfaceScience,2005(241):428-431.（4）YangQ,HuH,LiL,etal.Pulsedlaserdepositionandopticalpropertieso