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Assignment2Considera180nmtechnology.ComputethevalueofVDSATfortheNMOSandPMOSdeviceassumingVGS=1.8V,VTn=0.5V,VTp=-0.5V,L=200nm.Solution：、針對(duì)于NMOS，由可知道，值很大，且對(duì)于短溝道器件（勾道長(zhǎng)度=0.2um），速度飽和因子明顯小于1，相比于長(zhǎng)溝道器件往往工作于飽和區(qū)，所以由公式可知：，其中，當(dāng)處于速度飽和時(shí)，所以。、同理針對(duì)于PMOS，，同（1），，得到。ComputetheNMOSandPMOSsaturationcurrentspermicronofwidthfora130nmtechnologyandtheratioofIDSATN/IDSATP.Assumeachannellengthof100nm,tox=22?,VTn=0.4V,VTp=-0.4V,VGS=1.2V.Useνsat=8*106cm/s.Solution：根據(jù)公式，，合并得到：，同時(shí)，所以：所以最后：。Computetheoverlapcapacitance,Col,fora130nmtechnologywithtPOLY/tOX=100andalateraldiffusionof10nm.Solution：將，帶入到邊緣擴(kuò)散電容公式：，如果：，則，所以整個(gè)覆蓋電容為：.Computethechannelcapacitanceinthecutoff,resistive,andsaturationregionsrequiredforaPMOSdevicewithtox=22?andW=400nm,L=100nm.Solution：，所以總電容是：，所以在各個(gè)區(qū)中計(jì)算如下：截止區(qū)中：；線性區(qū)中：；飽和區(qū)中：；Computethejunctioncapacitancefora130nmtechnology.(a)FindΦ0andCjoforann+pjunctionwithND=1020cm-3andNA=3*1017cm-3.(b)W=400nm,L=100nm,xj=50nm,andthediffusionextensionLSis300nm.FindCdiffinunitoffFforVD=0VandVD=-1.2V.AssumeCj=C’jsw.Solution：

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