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文檔簡(jiǎn)介

第3課時(shí)離子晶體過渡晶體與混合型晶體

從NaCl認(rèn)識(shí)離子晶體

生活經(jīng)驗(yàn)NaCl的物理性質(zhì)

用手揉捏食鹽硬度大

烤入食

鹽熔點(diǎn)較高(801℃)

任務(wù)1氯化鈉的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)解釋

(1)晶胞中各離子的位置分布

NaCl

每個(gè)Na+周圍距離最近的Cl-有6個(gè)

每個(gè)Cl-周圍距離最近的Na+有6個(gè)配位數(shù)為6

離子鍵沒有方向性和飽和性

一個(gè)離子周圍最鄰近的異電性離子的數(shù)目,叫做離子晶體中離子的配位數(shù)

(2)NaCl表示什么含義?

CΓ:4,Na+:4;CΓ:Na+=1:1

(3)解釋NaCI的熔點(diǎn)較高、硬度較大的原因。

二、氯化鈉的結(jié)構(gòu)分析和性質(zhì)解釋

(1)晶胞中各離子的位置分布?

(2)晶體中是否存在氯化匏分子?CSCl表示什么含義?

(3)CSCl的熔點(diǎn)(645℃)較高的原因?

晶體類型NaClCsCI

晶胞

陽(yáng)離子的配位數(shù)68

陰離子的配位數(shù)68

晶胞中所含離子數(shù)CP4Na+4Cs+1Cl'1

為何NaCl的熔點(diǎn)大于CsCI?

任務(wù)2、離子晶體性質(zhì)比較

陽(yáng)離子半徑陰離子半徑

物質(zhì)熔點(diǎn)/℃沸點(diǎn)/℃

∕pm∕pm

NaF991339961704

NaCl991818011413

KF1381338581502

RbCl1521817241390

MgO7214028253600

CaO10014025722850

一般情況,陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),

離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高。

離子晶體的熔點(diǎn)是否都較高?分析下表中的數(shù)據(jù),能得出什么結(jié)論?(P88)

化合物熔點(diǎn)/七化合物熔點(diǎn)/七

CaO2613Na2SO4884

CuCl21326Ca2SiO42130

NH4NO3169.6Na3PO4340

BaSO41580CH3COOCs194

LiPF6200(分解溫度)NaNO2270

離子液體

結(jié)論:離子晶體的性質(zhì)差異較大

圖3-311-丁基-3-甲基咪嘎六氟磷酸鹽

\)

O

硫酸銅晶體結(jié)構(gòu)示意圖(箭頭表示配位鍵)

任務(wù)3過渡晶體與混合型晶體

第三周期元素的氧化物中,化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)

氧化物

Na2OMgO八卜。3SiO2P2O5SO3Cl2O7

離子鍵的離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)

62504133

百分?jǐn)?shù)/%________逐漸減小________

I

當(dāng)作離子晶體處理當(dāng)作共價(jià)晶體處理分子晶體

1、推測(cè)P2O5、So3、C∣2O7的化學(xué)鍵中離子成分百分?jǐn)?shù)的變化趨勢(shì)

2、從元素性質(zhì)視角解釋這一變化趨勢(shì)產(chǎn)生的原因

離子鍵的百分?jǐn)?shù)取決于電負(fù)性的差值,

電負(fù)性差值越大,離子鍵的百分?jǐn)?shù)越大。

鹵化物的熔點(diǎn)比較

1200思考:

1000

800(1)判斷鈉的鹵化物、硅的鹵化物晶體的

600類型,并解釋熔點(diǎn)變化的原因。

400

200(2)TiF4熔點(diǎn)高于TiCI4、TiBr4、TiI4,

0

自TiCl4至Til4熔點(diǎn)依次升高,請(qǐng)解釋原因。

-200

查閱數(shù)據(jù)

TiTiTiTi

鈦的電負(fù)性

1.541.541.541.54

鹵素的電負(fù)FClBrI

性3.983.162.962.66

第三周期元素從Si到Cl,元素電負(fù)性逐漸增大,離子鍵百

分?jǐn)?shù)逐漸減小,共價(jià)鍵不再貫穿整個(gè)晶體,而是局限在分子中,

形成了分子晶體。

在共價(jià)晶體和分子晶體之間,還存在混合型晶體:

石墨結(jié)構(gòu)中未參與雜化的P軌道

分析石墨晶體的構(gòu)成微粒及微粒間相互作用,

并解釋石墨具有導(dǎo)電性和潤(rùn)滑性的原因。

石墨晶體混合型晶體

層內(nèi)碳原子

混共價(jià)鍵—

之間

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