700V VDMOS設(shè)計(jì)的中期報(bào)告

700VVDMOS設(shè)計(jì)的中期報(bào)告本次中期報(bào)告將圍繞著700VVDMOS器件的設(shè)計(jì)進(jìn)行介紹和分析。1.設(shè)計(jì)目標(biāo)與參數(shù)確定目標(biāo)：設(shè)計(jì)一款700VVDMOS功率器件，用于高電壓應(yīng)用中。參數(shù)確定：-最大耐壓：700V-輸出電阻：100mΩ-飽和電流：20A-封裝形式：TO-2472.設(shè)計(jì)流程VDMOS器件設(shè)計(jì)的流程如下：-電路仿真和設(shè)備選擇-晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)-掩模設(shè)計(jì)-工藝制備-封裝測(cè)試3.設(shè)計(jì)分析在進(jìn)行電路仿真時(shí)，首先需要選擇器件。由于設(shè)計(jì)的是700VVDMOS功率器件，所以選擇了STMicroelectronics的MTP10P06，它是一款適用于N溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的P硅基材料器件，最大耐壓為60V，能承受20A的電流，輸出電阻為160mΩ。接下來(lái)，進(jìn)行晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要注意以下幾點(diǎn)：-輸出電阻：電路需要產(chǎn)生一個(gè)低電阻通道，來(lái)提高輸出電壓并防止功率集中損失。-耐壓：需要確定設(shè)計(jì)目標(biāo)中指定的最大耐壓，以確保晶體管在使用時(shí)能夠安全地操作。-飽和電流：飽和電流是指晶體管可以承受的最大電流，應(yīng)在設(shè)計(jì)中確定。根據(jù)以上設(shè)計(jì)目標(biāo)，在此設(shè)計(jì)中使用了并聯(lián)的電流線，最終完成了VDMOS晶體管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。在完成晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后，接下來(lái)進(jìn)行掩模設(shè)計(jì)。此步驟需要使用專業(yè)的軟件，根據(jù)設(shè)計(jì)的晶體管結(jié)構(gòu)，進(jìn)行設(shè)計(jì)。制備工藝是VDMOS器件設(shè)計(jì)中非常關(guān)鍵的一步。在此步驟中需要注意以下幾點(diǎn)：-清洗晶片：需要使用一種適合的清洗液來(lái)清洗晶片表面，以便在后續(xù)工藝中更好地涂上感光樹(shù)脂。-涂覆感光樹(shù)脂：選擇一種合適的感光樹(shù)脂，涂覆在晶片上，以便制作出所需的結(jié)構(gòu)。-掩膜曝光：將掩膜與晶片結(jié)合起來(lái)，進(jìn)行曝光，以便制造出所需的結(jié)構(gòu)。在這個(gè)過(guò)程中，要確保晶片上的所有感光樹(shù)脂都暴露在光線下，以便能夠清楚地看到晶片上的所有細(xì)節(jié)。-蝕刻：使用化學(xué)方法將不需要的金屬蝕掉，以便制造出所需的結(jié)構(gòu)。最后，進(jìn)行封裝測(cè)試。進(jìn)行封裝測(cè)試可以確保晶體管制作出來(lái)后符合設(shè)計(jì)規(guī)格，并且可以在高壓應(yīng)用中成功運(yùn)行。4.總結(jié)通過(guò)以上設(shè)計(jì)流程，成功完成了700VVDMOS功率器件的設(shè)計(jì)。接下來(lái)，需要進(jìn)行性能測(cè)試，以便確認(rèn)器件是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。