外設篇13 sst25vf016b工作原理接口flash

學ARM從STM32開始外設篇網(wǎng)站：郵箱：手機：QQ號：77463810QQ群：139216850/30094562淘寶店：主講人：劉洋學習板：LY-STM32SST25VF016B工作原理眾想科技主講人：劉洋講的好您告訴身邊人，講的不好您告訴天下人。眾想科技主講人：劉洋一.特性眾想科技主講人：劉洋二.框圖眾想科技主講人：劉洋三.引腳說明眾想科技主講人：劉洋眾想科技主講人：劉洋四.器件操作SST25VF016B支持SPI總線操作的模式0（0,0）和模式3（1,1）。兩種模式之間的差異在于當總線主器件處于待機模式并且沒有數(shù)據(jù)傳送時的SCK信號狀態(tài)。SCK信號在模式0時為低電平，在模式3時為高電平。對于這兩種模式，串行數(shù)據(jù)輸入（SI）在SCK時鐘信號的上升沿被采樣，串行數(shù)據(jù)輸出（SO）在SCK時鐘信號的下降沿之后被驅(qū)動。眾想科技主講人：劉洋五.寫保護引腳（WP#）寫保護（WP#）引腳用于使能狀態(tài)寄存器的BPL位（bit7）的鎖定功能。當WP#驅(qū)動為低電平時，是否執(zhí)行寫狀態(tài)寄存器（WRSR）指令由BPL位的值（見表2）決定。當WP#為高電平時，BPL位的鎖定功能被禁止。眾想科技主講人：劉洋六.狀態(tài)寄存器軟件狀態(tài)寄存器提供有關閃存存儲器陣列是否可進行任何讀或?qū)懖僮鞯臓顟B(tài)、器件是否寫使能以及存儲器寫保護的狀態(tài)。在內(nèi)部擦除或編程操作期間，可對狀態(tài)寄存器只進行讀操作，以確定正在進行的操作的完成狀態(tài)。眾想科技主講人：劉洋七.寫使能鎖存器（WEL）寫使能鎖存器（Write-EnableLatch，WEL）位表示內(nèi)部寄存器的寫使能鎖存器狀態(tài)。如果寫使能鎖存器位置“1”，則表示器件寫使能。如果該位置“0”（復位），則表示器件未寫使能，并且不接受任何存儲器寫（編程/擦除）命令。在下列條件下，寫使能鎖存器位自動復位：?上電?寫禁止（WRDI）指令完成?字節(jié)編程指令完成?自動地址遞增（AAI）編程完成或達到其最高的不受保護的存儲器地址?扇區(qū)擦除指令完成?塊擦除指令完成?全片擦除指令完成?寫狀態(tài)寄存器指令眾想科技主講人：劉洋八.塊保護（BP3、BP2、BP1和BP0）塊保護（BP3、BP2、BP1和BP0）位定義了要通過軟件保護方式防止任何存儲器寫（編程或擦除）操作的存儲器區(qū)域的大小，如表4中定義。只要WP#為高電平或塊保護鎖定（Block-Protect-Lock，BPL）位為0，就可以使用寫狀態(tài)寄存器（WRSR）指令編程BP3、BP2、BP1和BP0位。僅當塊保護位全部為0時，才能執(zhí)行全片擦除。上電后，BP3、BP2、BP1和BP0置為1。眾想科技主講人：劉洋九.塊保護鎖定（BPL）WP#引腳驅(qū)動為低電平（VIL）時，將使能塊保護鎖定（BPL）位。當BPL置1時，將阻止對BPL、BP3、BP2、BP1和BP0位的任何進一步修改。當WP#引腳驅(qū)動為高電平（VIH)時，BPL位沒有任何作用，其值為“無關”。上電后，BPL位復位為0。眾想科技主講人：劉洋十.指令指令用于讀、寫（擦除和編程）和配置SST25VF016B。指令總線周期是8個表示命令（操作碼）、數(shù)據(jù)和地址的位。在執(zhí)行任何字節(jié)編程、自動地址遞增（AAI）編程、扇區(qū)擦除、塊擦除、寫狀態(tài)寄存器或全片擦除指令之前，必須先執(zhí)行寫使能（WREN）指令。表5提供了完整的指令列表。所有指令在CE#從高電平轉(zhuǎn)換到低電平時同步。在SCK的上升沿從最高有效位開始接受輸入。在輸入指令之前，CE#必須驅(qū)動為低電平，而在輸入指令的最后一位后，CE#必須驅(qū)動為高電平（讀、讀ID和讀狀態(tài)寄存器指令除外）。在接收到指令總線周期的最后一位之前，CE#上任何低電平到高電平的轉(zhuǎn)換都將終止正在進行的指令，并將器件恢復為待機模式。指令命令（操作碼）、地址和數(shù)據(jù)都先從最高有效位（MostSignificantBit，MSb）輸入。眾想科技主講人：劉洋器件操作指令眾想科技主講人：劉洋十一.讀（25MHz）讀指令（03H）支持最高為25MHz的讀操作。器件從指定的地址單元開始輸出數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輸出流連續(xù)遍歷所有地址，直到被CE#上低電平到高電平的轉(zhuǎn)換終止。內(nèi)部地址指針將自動遞增，直到達到最高的存儲器地址為止。達到最高的存儲器地址后，地址指針將自動遞增到地址空間的開始位置（回繞）。從地址單元1FFFFFH讀取數(shù)據(jù)之后，下一次輸出將來自地址單元000000H。通過執(zhí)行8位命令03H（后面緊跟地址位[A23-A0]）來啟動讀指令。在讀周期的持續(xù)時間內(nèi)，CE#必須保持有效低電平。眾想科技主講人：劉洋十二.高速讀（80MHz）高速讀指令支持最高為80MHz的讀操作，通過執(zhí)行8位命令0BH（后面緊跟地址位[A23-A0]和一個空字節(jié)）來啟動。在高速讀周期的持續(xù)時間內(nèi)，CE#必須保持有效低電平。有關高速讀序列，請參見圖6。在一個空周期之后，高速讀指令從指定的地址單元開始輸出數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輸出流連續(xù)遍歷所有地址，直到被CE#上低電平到高電平的轉(zhuǎn)換終止。內(nèi)部地址指針將自動遞增，直到達到最高的存儲器地址為止。達到最高的存儲器地址后，地址指針將自動遞增到地址空間的開始位置（回繞）。從地址單元1FFFFFH讀取數(shù)據(jù)之后，下一次輸出將來自地址單元000000H。眾想科技主講人：劉洋十三.字節(jié)編程字節(jié)編程指令用于將所選字節(jié)中的位編程為所需數(shù)據(jù)。當啟動編程操作時，所選字節(jié)必須處于擦除狀態(tài)（FFH）。應用到受保護存儲器區(qū)域的字節(jié)編程指令將被忽略。在執(zhí)行任何寫操作之前，必須先執(zhí)行寫使能（WREN）指令。在字節(jié)編程指令的持續(xù)時間內(nèi)，CE#必須保持有效低電平。通過執(zhí)行8位命令02H（后面緊跟地址位[A23-A0]）來啟動字節(jié)編程指令。在地址后面，按照從MSb（bit7）到LSb（bit0）的順序輸入數(shù)據(jù)。在執(zhí)行指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。用戶可以輪詢軟件狀態(tài)寄存器中的BUSY位，或等待TBP(10μs)時間讓內(nèi)部自定時字節(jié)編程操作完成。眾想科技主講人：劉洋十四.自動地址遞增（AAI）字編程AAI編程指令允許對多個字節(jié)的數(shù)據(jù)進行編程，無需再次發(fā)出下一連續(xù)地址單元。當要對多個字節(jié)或整個存儲器陣列編程時，該特性可減少總編程時間。指向受保護存儲器區(qū)域的AAI字編程指令將被忽略。當啟動AAI字編程操作時，所選地址范圍必須處于已擦除狀態(tài)（FFH）。當處于AAI字編程序列中時，僅下列指令有效：1軟件寫操作結(jié)束檢測指令AAI字（ADH）、寫禁止WRDI（04H）、讀取狀態(tài)寄存器RDSR（05H）。2.硬件寫操作結(jié)束檢測指令AAI字（ADH）、寫禁止WRDI（04H）。眾想科技主講人：劉洋在執(zhí)行任何寫操作之前，必須先執(zhí)行寫使能（WREN）指令。通過執(zhí)行8位命令ADH（后面緊跟地址位[A23-A0]）來啟動AAI字編程指令。在地址后面，連續(xù)輸入兩個字節(jié)的數(shù)據(jù)，每個字節(jié)都從MSb（Bit7）到LSb（Bit0）。在執(zhí)行AAI字編程指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。在輸入下一個有效命令之前，請檢查BUSY狀態(tài)。一旦器件指示不再忙，就可以對下兩個連續(xù)地址的數(shù)據(jù)進行編程，然后對再下兩個連續(xù)地址的數(shù)據(jù)進行編程，依此類推。當編程最后一個所需字或最高的不受保護存儲器地址時，通過硬件或軟件（RDSR指令）方法檢查忙狀態(tài)，以確定編程是否完成。編程完成之后，使用適用的方法終止AAI。如果器件處于軟件寫操作結(jié)束檢測模式，則執(zhí)行寫禁止（WRDI）指令04H。如果器件處于AAI硬件寫操作結(jié)束檢測模式，則執(zhí)行寫禁止（WRDI）指令04H，再執(zhí)行8位DBSY命令80H。在達到最高的不受保護的存儲器地址之后，AAI編程期間不存在回繞模式。眾想科技主講人：劉洋1.使用硬件寫操作結(jié)束檢測時的自動地址遞增（AAI）字編程序列眾想科技主講人：劉洋2.使用軟件寫操作結(jié)束檢測時的自動地址遞增（AAI）字編程序列眾想科技主講人：劉洋十五.4KB扇區(qū)擦除扇區(qū)擦除指令會將所選4KB扇區(qū)中的所有位清除為FFH。應用到受保護存儲器區(qū)域的扇區(qū)擦除指令將被忽略。在執(zhí)行任何寫操作之前，必須先執(zhí)行寫使能（WREN）指令。在任何命令序列的持續(xù)時間內(nèi)，CE#都必須保持有效低電平。通過執(zhí)行8位命令20H（后面緊跟地址位[A23-A0]）來啟動扇區(qū)擦除指令。在執(zhí)行指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。用戶可以輪詢軟件狀態(tài)寄存器中的BUSY位，或等待TSE(25ms)時間讓內(nèi)部自定時扇區(qū)擦除周期完成。眾想科技主講人：劉洋十六.32KB和64KB塊擦除眾想科技主講人：劉洋十七.全片擦除全片擦除指令會將器件中的所有位清除為FFH。如果有任何存儲器區(qū)域受到保護，全片擦除指令將被忽略。在執(zhí)行任何寫操作之前，必須先執(zhí)行寫使能（WREN）指令。在全片擦除指令序列的持續(xù)時間內(nèi)，CE#必須保持有效低電平。通過執(zhí)行8位命令60H或C7H來啟動全片擦除指令。在執(zhí)行指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。用戶可以輪詢軟件狀態(tài)寄存器中的BUSY位，或等待TCE(50ms)時間讓內(nèi)部自定時全片擦除周期完成。眾想科技主講人：劉洋十八.讀取狀態(tài)寄存器（RDSR）讀取狀態(tài)寄存器（RDSR）指令允許讀取狀態(tài)寄存器。可在任何時間讀取狀態(tài)寄存器，甚至是在寫（編程/擦除）操作期間。當進行寫操作時，應在發(fā)送任何新命令前檢查BUSY位，以確保新命令會被器件正確接收。在輸入RDSR指令之前，CE#必須驅(qū)動為低電平，并保持低電平直到狀態(tài)數(shù)據(jù)被讀取為止。讀狀態(tài)寄存器繼續(xù)使用當前時鐘周期，直到被CE#上低電平到高電平的轉(zhuǎn)換終止。眾想科技主講人：劉洋十九.使能寫狀態(tài)寄存器EWSR、寫狀態(tài)寄存器WRSR寫狀態(tài)寄存器指令將新值寫入狀態(tài)寄存器的BP3、BP2、BP1、BP0和BPL位。在輸入WRSR(0x01)指令的命令序列之前，需先輸入EWSR(0x50)使能寫狀態(tài)寄存器。眾想科技主講人：劉洋二十.寫使能（WREN）寫使能（WREN）指令可將狀態(tài)寄存器中的寫使能鎖存器位設置為“1”，以允許進行寫操作。在執(zhí)行任何寫（編程/擦除）操作之前，都必須先執(zhí)行WREN指令。在執(zhí)行WREN指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。眾想科技主講人：劉洋二十一.寫禁止（WRDI）寫禁止（WRDI）指令將寫使能鎖存器位和AAI位復位為0，以禁止任何新的寫操作發(fā)生。WRDI指令不會終止任何正在進行的編程操作。執(zhí)行WRDI指令之后，所有正在進行的編程操作都可以持續(xù)到TBP。在執(zhí)行WRDI指令之前，CE#必須驅(qū)動為高電平。眾想科技主講人：劉洋二十二.讀ID（RDID）讀ID指令（RDID）將器件標識為SST25VF016B，將制造商標識為SST。此命令向后兼容所有SST25xFxxxA器件，當