1+X集成電路理論知識模擬試題含答案

1+X集成電路理論知識模擬試題含答案

1、工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的（）到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢

的芯片。

A、芯片測試隨件單

B、晶圓測試隨件單

C、中轉(zhuǎn)箱號

D、芯片名稱

答案：C

工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外

檢的芯片。

2、SOP封裝的芯片一般采用（）形式進行包裝。

A、卷盤

B、編帶

C、料管

D、料盤

答案：B

SOP封裝因其體積小等特點，一般采用編帶包裝形式。

3、銅電鍍之前，需要沿著側(cè)壁和底部，淀積一層連續(xù)的薄種子層，若種子

層不連續(xù)可能導(dǎo)致電鍍的銅產(chǎn)生。

A、空洞

B、尖刺

C、電遷移

D、肖特基現(xiàn)象

答案：A

如果種子層不連續(xù)，就可能在電鍍的銅中產(chǎn)生空洞

4、用平移式分選機設(shè)備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是（）。

A、分選

B、上料

C、測試

D、外觀檢查

答案：C

平移式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一分選一

外觀檢查一真空包裝。

5、摻雜結(jié)束后，要對硅片進行質(zhì)量檢測，造成硅片表面有顆粒污染的原因

可能是（）。

A、離子束中混入電子

B、注入機未清洗干凈

C、注入過程中晶圓的傾斜角度不合適

D、離子束電流檢測不夠精確

答案：B

離子束中混入電子、離子束電流檢測不夠精確導(dǎo)致的是摻雜劑量不合適。

注入過程中晶圓的傾斜角度不合適導(dǎo)致雜質(zhì)再分布。

6、使用重力式分選機設(shè)備進行芯片檢測時，第一環(huán)節(jié)需進行()操作。

A、上料

B、分選

C、編帶

D、外檢

答案：A

重力式分選機設(shè)備芯片檢測工藝流程：上料一測試f分選一編帶(SOP)一

外觀檢查一真空包裝。

7、CMP是實現(xiàn)()的一種技術(shù)。

A、平滑處理

B、部分平坦化

C、局部平坦化

D、全局平坦化

答案：D

化學(xué)機械拋光(CMP)是通過比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來獲得均

勻表面,利用化學(xué)腐蝕和機械研磨加工硅片和其他襯底材料的凸出部分,實現(xiàn)全

局平坦化的一種技術(shù)。

8、芯片檢測工藝通常在()無塵車間內(nèi)進行。

A、百級

B、千級

C、十萬級

D、三十萬級

答案：B

芯片檢測工藝是對完成封裝的芯片進行電性測試，其芯片為非裸露狀態(tài)，

通常在常規(guī)千級無塵車間內(nèi)進行，其溫度為22±3℃,濕度為55±10%o

9、在如下方波輸出控制程序中，占空比計算公式為()oVoid

PWM_Init(){PWMO->TBPRD=400；PWM1->TBCTL=0；PW1-

>TBCTL_b.HSPCLKDIV=1；PWMl->TBCTL_b.CLKDIV=4；PWMb>TBCTL_b.PRDLD

=1；PWMO->TBCTL_b.CTRMODE=2；PWMO->AQCTLA_b.CAU=1；PWMO-

>AQCTLA_b.CAD=2；PWMO->CMPA=200；PWM_START；}

A、PWMO->AQCTLA_b.CAU/PWO->AQCTLA_b.CAD=50%

B、PWO->TBCTL_b.CTRMODE/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=50%

C、PWl->TBCTL_b.HSPCLKDIV/PWM1->TBCTL_b.CLKDIV=25%

D、PWM0->CMPA/PW0->TBPRD=50%

答案：D

10、轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、測前光檢一測后光檢一測試一芯片分選

B、芯片分選一測前光檢一測后光檢一測試

C、測前光檢一測試一測后光檢一芯片分選

D、測前光檢一測后光檢一芯片分選一測試

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：測前光檢f測試一測后光檢f芯片

分選。

11、封裝工藝中，將塑封后的芯片放到溫度為175±5℃的高溫烘箱內(nèi)的作

用是（）o

A、消除內(nèi)部應(yīng)力，保護芯片

B、測試產(chǎn)品耐高溫效果

C、改變塑封外形

D、剔除塑封虛封的產(chǎn)品

答案：A

12、重力式分選機進行自動上料時，進入上料架，上料夾具準備夾取的料

管中的芯片位置（）要求：（）。

A、有；芯片印章在上面

B、有；芯片印章在下面

C、無；需要等待料管篩選

D、無；進入上料的芯片位置沒有要求

答案：A

重力式分選機進行上料時，進入上料架，上料夾具準備夾取的料管中的芯

片位置要求芯片印章朝上，便于后期操作。

13、晶圓切割后的光檢中對于不良廢品，需要做（）處理。

A、剔除

B、修復(fù)

C、標記

D、降檔

答案：A

略

14、離子注入過程中需要遵守三大方向，其中一個是摻雜物類型是由。

材料決定的。

A、離子電流

B、離子源材料

C、離子轟擊注入的能量

D、離子電流與注入時間相乘

答案：B

15、重力式分選機進行芯片檢測時，測試機對芯片測試完畢后，將檢測結(jié)

果通過。把結(jié)果傳回分選機。

A、GPIB

B、數(shù)據(jù)線

C、串口

D、VGA

答案：A

16、在電子電路方案設(shè)計中最簡單的顯示平臺是()o

A、OLED

B、LCD

C、LED

D、數(shù)碼管

答案：C

17、平移式分選機進行料盤上料時，在上料架旁的紅色指示燈亮的含義是

()。

A、上料機構(gòu)故障

B、上料架上有料盤

C、上料架上有空料盤

D、上料架上沒有料盤

答案：B

平移式分選機進行料盤上料時，上料架上是否有料盤可以通過上料架旁的

傳感器進行檢測。當傳感器指示燈為紅色時，表明上料架上還有料盤，可以繼

續(xù)進行上料，當傳感器指示燈為綠色時，表明上料架上無料盤，停止上料。

18、利用全自動探針臺進行扎針測試時，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確

的是()。

A、打開蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃到位一花籃固定一合上蓋子

B、打開蓋子->花籃放置一花籃到位一花籃下降花籃固定一合上蓋子

C、打開蓋子一花籃放置一花籃下降一花籃固定一花籃到位一合上蓋子

D、打開蓋子一花籃放置一花籃固定一花籃下降一花籃到位一合上蓋子

答案：D

19、如果焊接面上有（）,不能生成兩種金屬材料的合金層。

A、阻隔浸潤的污垢

B、氧化層

C、沒有充分融化的焊料

D、以上都是

答案：D

20、一般來說，（）封裝形式會采用轉(zhuǎn)塔式分選機進行測試。

A、LGA/T0

B、LGA/S0P

C、DIP/S0P

D、QFP/QFN

答案：A

一般來說，LGA/T0會采用轉(zhuǎn)塔式分選機進行測試，DIP/S0P會采用重力式

分選機進行測試，QFP/QFN會采用平移式分選機進行測試。

21、最大不失真輸出電壓測試，輸入信號步進值（），但測試時間會隨輸

入電壓步進值（）。

A、越小越好、增加而增加

B、越大越好、增加而減小

C、越小越好、減小而增加

D、越大越好，減小而減小

答案：C

22、芯片粘接過程中點銀漿之后進入（）步驟。

A、框架上料

B、芯片拾取

C、框架收料

D、銀漿固化

答案：B

芯片粘接流程為：放置引線框架和晶圓一參數(shù)設(shè)置一框架上料f點銀漿f

芯片拾取一框架收料f銀漿固化（烘烤箱內(nèi)進行）。

23、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進行初步的

清理。

A、晶圓碎片

不良晶粒

C、去離子水

D、切割時產(chǎn)生的火花

答案：C

略

24、在電子產(chǎn)品測試中需保證測試環(huán)境穩(wěn)定，其中使用環(huán)境穩(wěn)定是指（）o

A、硬件的工作參數(shù)穩(wěn)定

B、軟件的工作參數(shù)穩(wěn)定

C、模擬真實用戶使用時的場景

D、使用人員操作得當

答案：C

25、晶圓檢測工藝中，在進行打點工序以后，需要進行的工序是（）。

A、扎針調(diào)試

B、扎針測試

C、烘烤

D、外觀檢查

答案：C

26、利用編帶機進行編帶的過程中，在完成熱封處理后，需要進入（）環(huán)

節(jié)。

A、將芯片放入載帶中

B、密封

C、編帶收料

D、光檢

答案：C

27、使用轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進行芯片測試時，其測試環(huán)節(jié)的流程正確的是

（）0

A、測前光檢一測后光檢~測試一芯片分選

B、芯片分選一測前光檢~測后光檢一測試

C、測前光檢一測試一測后光檢一芯片分選

D、測前光檢一測后光檢f芯片分選一測試

答案：C

28、晶圓檢測工藝中，在進行真空入庫之前，需要進行的操作是（）。

A、烘烤

B、打點

C、外檢

D、扎針測試

答案：C

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點一烘

烤->外檢一真空入庫。

29、該圖是()的版圖。

A、D觸發(fā)器

B、一位全加器

C^傳輸門

D、與非門

答案：A

30、利用平移式分選設(shè)備進行芯片檢測時，芯片在該區(qū)域的操作完成后會

進入()區(qū)域。

A、上料

B、待測

C、測試

D、分選

答案：D

31、封裝按材料分一般可分為塑料封裝、。和陶瓷封裝等。

A、金屬封裝

B、橡膠封裝

C、泡沫封裝

D、DIP封裝

答案：A

略

32、雙極型與單極型集成電路在性能上的主要差別是()o

A、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性好、輸入電阻大，而單極

型器件正好相反

B、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性差、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

C、雙極型器件工作頻率高、功耗低、溫度特性好、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

D、雙極型器件工作頻率低、功耗大、溫度特性好、輸入電阻小，而單極

型器件正好相反

答案：B

33、引線鍵合機內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi)，引線框架

盒每接收完一個引線框架會（）o

A、保持不動

B、自動上移一定位置

C、自動下移一定位置

D、自動后移一定位置

答案：C

完成引線鍵合的框架由傳輸裝置送進出料口的引線框架盒內(nèi)?？蚣芎忻拷?/p>

收完一個引線框架，自動下移一定位置，等待接收下一個引線框架。

34、晶圓檢測工藝中，在進行外檢之前，需要進行的操作是（）。

A、扎針測試

B、烘烤

C、打點

D、真空入庫

答案：B

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片一上片加溫、扎針調(diào)試一扎針測試一打點一烘

烤f外檢f真空入庫。

35、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進行初步的

清理。

A、晶圓碎片

B、不良晶粒

C、去離子水

D、切割時產(chǎn)生的火花

答案：C

36、裝有晶圓的花籃需要放在氮氣柜中儲存的主要目的是（）。

A、防氧化

B、合理利用生產(chǎn)車間的空間

C、作為生產(chǎn)工藝的中轉(zhuǎn)站

D、防塵

答案：A

氮氣柜主要是利用氮氣來降低濕度和氧含量。將裝有晶圓的花籃放在氮氣

柜中的主要目的是防氧化。

37、轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備進行編帶后，進入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B、測試

C、外觀檢查

D、真空包裝

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一編帶一

外觀檢查一真空包裝。

38、封裝工藝中，激光打標的文本內(nèi)容和格式設(shè)置完成后，需要（）。

A、選擇打標文檔

B、點擊保存按鈕保存設(shè)置情況

C、點擊開始打標按鈕

D、調(diào)整光具位置

答案：B

39、從安全上看，四氯化硅氫還原法、三氯氫硅氫還原法、硅烷熱分解法

的安全性從小到大排列的順序為：（）。

A、硅烷熱分解法〈四氯化硅氫還原法V三氯化硅氫還原法

B、四氯化硅氫還原法V硅烷熱分解法V三氯化硅氫還原法

C、三氯化硅氫還原法〈硅烷熱分解法〈四氯化硅氫還原法

D、硅烷熱分解法〈三氯化硅氫還原法〈四氯化硅氫還原法

答案：D

從安全上看，硅烷最危險，最容易爆炸，三氯氫硅次之，也容易爆炸，四

氯化硅最安全，根本不會發(fā)生爆炸。

40、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用DHF清洗液進行清洗時，可

以去除的物質(zhì)是（）o

A、光刻膠

B、顆粒

C、金屬

D、自然氧化物

答案：D

41、若使用串口助手下載程序到單片機，則需要keil軟件生成（）文件。

A、Inp

B、Dsp

C>Hex

D、Crf

答案：c

42、窄間距小外形封裝的英文簡稱為（）0

A、SIP

B、SOP

C、SSOP

D、QFP

答案：C

SIP-單列直插式封裝；SOP-小外形封裝；SSOP-窄間距小外形封裝；QFP-四

側(cè)引腳扁平封裝。

43、Cadence中庫管理由高到低分別是。。

A、庫-單元-視圖

B、庫-視圖-單元

C、單元-庫-視圖

D、單元-視圖-庫

答案：A

44、電子組裝業(yè)中最通用最廣泛的文件格式是（）o

A、BOM

B、PCB

C、ICT

D、Gerber

答案：D

45、料盤外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、查詢零頭（若有）一零頭檢查一檢查外觀一電路拼零一零頭儲存

B、檢查外觀一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零一零頭儲存

C、查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零一零頭儲存一檢查外觀

D、檢查外觀一零頭儲存一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼零

答案：B

料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀一查詢零頭（若有）一零頭檢查一電路拼

零一零頭儲存。

46、濕度卡的作用是（）。

A、去潮濕物質(zhì)中的水分

B、可以防止靜電

C、起到防水的作用

D、顯示密封空間的濕度狀況

答案：D

濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。

47、對準和曝光過程中，套準精度是指形成的圖形層與前層的最大相對位

移大約是關(guān)鍵尺寸的（）o

A、二分之一

B、三分之一

C、四分之一

D、五分之一

答案：B

版圖套準過程有了對準規(guī)范，也就是常說的套準容差或套準精度。具體是

指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之

0

48、｛在扎針測試時，需要記錄測試結(jié)果，根據(jù)以下入庫晶圓測試隨件單的

信息，如果剛測完片號為5的晶圓，那么下列說法正確的是：（）。｝

A、T0TAL=5968,PASS=5788

B、T0TAL=6000,PASS=5820

C、T0TAL=5820,FAIL=180

D、T0TAL=5788,FAIL=212

答案：B

入庫晶圓測試隨件單中的合格數(shù)指的是除去測試不合格及外觀不合格的合

格數(shù)量，因此，總數(shù)TOTAL="合格數(shù)”+“測試不良數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測

試合格數(shù)PASS="合格數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測試不合格數(shù)FAIL="測試不良

數(shù)”。所以對于片號為5的晶圓,T0TAL=6000,PASS=5820,FAIL=180o

49、料盤進行真空包裝時，一般會在內(nèi)盒側(cè)面的空白處貼。個標簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：A

50、晶圓檢測工藝中，在進行打點之后，需要進行的操作是（）。

A、加溫、扎針調(diào)試

B、扎針測試

C、烘烤

D、外檢

答案：C

晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片f上片f加溫、扎針調(diào)試f扎針測試f打點f烘

烤f外檢f真空入庫。

51、4英寸的單晶硅錠的切割方式為：（）。

A、外圓切割

B、內(nèi)圓切割

C、線鋸切割

D、以上均可

答案：B

直徑＜300mm時采用內(nèi)圓切割，直徑2300mm時采用外圓切割、線鋸切割。

4英寸的單晶硅錠直徑為100mm,切割方式為內(nèi)圓切割。

52、管裝芯片外觀檢查步驟錯誤的是（）。

A、①取一捆待檢查電路，平整地排放于桌面，使定位標記朝左，打印面朝

操作者；②以一邊為支點，將料管斜起45度左右后放回桌面（使電路排緊密）；

B、①將料管旋轉(zhuǎn)90度，②重復(fù)步驟1,使電路兩邊方向管腳均按步驟1

進行檢查。

C、逐根翻轉(zhuǎn)料管90度，使打印面朝上，平鋪。

D、將檢查合格的電路用牛皮筋捆扎好。

答案：B

53、管裝裝內(nèi)盒時，在內(nèi)盒上貼有（）種標簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

管裝內(nèi)盒上的標簽有合格標簽和含芯片信息的標簽。

54、先進的平坦化技術(shù)有（）。

A、反刻法

B、高溫回流法

C、旋涂玻璃法

D、化學(xué)機械拋光法

答案：D

反刻法、高溫回流法、旋涂玻璃法屬于傳統(tǒng)平坦化技術(shù)，化學(xué)機械拋光法屬

于先進平坦化技術(shù)。

55、利用平移式分選設(shè)備進行芯片測試時，設(shè)備在測試區(qū)完成測試后，會

進入（）環(huán)節(jié)。

A、上料

B、分選

C、外觀檢查

D、真空包裝

答案：B

56、若防靜電點檢未通過則需要()o

A、重新啟動檢測儀器，再次檢測

B、請其他員工檢測，門開啟后一同進入

C、找管理部門手動打開

D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測

答案：D

防靜電點檢未通過時，應(yīng)該檢查自身著裝并消除靜電，然后重新檢測。不

可隨其他檢測通過的人員一起進入，否則自身超標的靜電會對對車間內(nèi)的芯片

造成損害。

57、芯片完成編帶并進行清料后，會將完成編帶的芯片放在()上。

A、已檢查品貨架

B、待檢查品貨架

C、待外檢貨架

D、合格品貨架

答案：B

芯片完成編帶并進行清料后，將將編帶盤、隨件單放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱中，

并將中轉(zhuǎn)箱放在待檢查品貨架上等待外觀檢查。

58、晶圓進行扎針測試時，完成晶圓信息的輸入后，需要核對()上的信

息，確保三者的信息一致。

A、MAP圖、測試機操作界面、晶圓測試隨件單

B、MAP圖、探針臺界面、晶圓測試隨件單

C、MAP圖、軟件檢測程序、晶圓測試隨件單

D、MAP圖、軟件版本、晶圓測試隨件單

答案：A

59、單晶爐加熱過程中爐體冷卻水中斷或流量不足，提示水流量低報警，

該故障是()o

A、斷水

B、液面過低

C、電極故障

D、打火

答案：A

60>PE板函數(shù)：_set_drvpin（）函數(shù)原形：void_set_drvpin（char

*logic,unsignedintPin,...）；函數(shù)功能：設(shè)置輸出（驅(qū)動）管腳的邏輯

狀態(tài)；參數(shù)說明：*logic——邏輯標志（,H：高電平，L：低

電平,pin,...——管腳序列（1,2,3,…64）,管腳序列要以0結(jié)尾；現(xiàn)

設(shè)定PIN1,3,5輸出高電平，實例代碼為：（）。

A、_sel_drv_pin"H"L3,5,0；

B、_sel_drv_pin"H"1,5,3,0；

C、_sel_drv_pin"L"1,3,5,1；

D、_sel_drv_pin"L”1,5,3,1；

答案：A

61、芯片的耐壓度是指（），主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕

緣結(jié)構(gòu)。

A、所能承受的最大應(yīng)力

B、承受電壓的能力

C、所能承受的最大壓強

D、所能承受的極限載荷

答案：B

耐壓度是承受電壓的能力，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕

緣結(jié)構(gòu)。

62、SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用（）。

A、料盤包裝

B、編帶包裝

C、料管包裝

D、散裝

答案：B

SOP封裝的芯片因其體積小等特點，一般采用編帶包裝。

63、用重力式選機設(shè)備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是（）。

A、分選

B、測試

C、上料

D、外觀檢查

答案：B

重力式分選機設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料一測試一分選f

編帶（SOP）-外觀檢查一真空包裝。

64、薄膜淀積完成后，需要進行質(zhì)量評估。其中()是檢測薄膜質(zhì)量、組

分及純度的有效參數(shù)，可以用橢偏儀測量。

A、厚度

B、折射率

C、臺階覆蓋率

D、均勻性

答案：B

65、減薄工藝的正確流程是()0

A、清洗一上蠟粘片一原始厚度測量一壓片二次厚度測量一拋光一減薄

一去蠟一清洗

B、清洗一壓片一原始厚度測量一上蠟粘片一二次厚度測量一減薄一拋光

一去蠟一清洗

C、清洗一壓片一原始厚度測量一上蠟粘片一二次厚度測量一拋光->減薄

->去蠟->清洗

D、清洗一原始厚度測量一上蠟粘片一壓片一二次厚度測量一減薄一拋光

一去蠟一清洗

答案：D

66、防靜電點檢的目的是。。

A、檢測進入車間人員的體重與身體狀況

B、指紋檢測

C、檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準

D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生

答案：C

:防靜電點檢的目的是檢測人體帶有的靜電是否超出進入車間的標準，沒有

A、B、D選項所述的功能；規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)

生。

67、口罩和發(fā)罩。。

A、需要定期清洗

B、不得重復(fù)使用

C、一周必須更換一次

D、每天下班時放入消毒柜，下次對應(yīng)取用

答案：B

口罩和發(fā)罩不得重復(fù)使用，每天需穿戴全新的口罩和發(fā)罩。

68、點銀漿時，銀漿的覆蓋范圍需要。。

A、小于50%

B、大于50%

C、大于75%

D、不小于90%

答案：C

引線框架被推至點銀漿指定位置后，點膠頭在晶粒座預(yù)定粘著晶粒的位置

點上定量的銀漿（銀漿覆蓋范圍＞75Q。

69、晶圓貼膜過程中，需要外加一個（），它起到支撐的作用。

A、晶圓基底圓片

B、晶圓貼片環(huán)

C、藍膜支撐架

D、固定掛鉤

答案：B

在貼膜過程中，需要外加一個厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金

屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來

的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運。

70、下列選項中不屬于芯片外觀不良的是（）。

A、管腳壓傷

B、印章不良

C、塑封體開裂

D、電源電流過大

答案：D

71、當（）時，可以確定花籃位置放置正確，花籃的卡槽與承重臺密貼。

A、探針臺前的紅色指示燈亮

B、探針臺前的綠色指示燈亮

C、探針臺上的位置指示燈亮

D、探針臺前的紅色指示燈滅

答案：C

當花籃的卡槽與承重臺密貼時，探針臺上的位置指示燈亮。探針臺前的紅

色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升。

72、打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的（）大小。

A、1/4~1/3

B、1/3~1/2

C、1/41/2

D、1/5~1/3

答案：A

打點時，合格的墨點必須控制在管芯面積的1/41/3大小，旦墨點不能覆

蓋PAD點。

73、轉(zhuǎn)塔式分選機常見故障不包括（）。

A、真空吸嘴無芯片

B、測試卡與測試機調(diào)用的測試程序錯誤

C、料軌堵塞

D、IC定位錯誤

答案：D

74、利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的原子最后淀積在

硅片上的物理過程是（）。

A、電阻加熱蒸發(fā)

B、電子束蒸發(fā)

C、濺射

D、電鍍

答案：C

濺射是在高真空下，利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的

原子最后淀積在硅片上的物理過程。

75、在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分

析屬于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)（）。

A、淘汰超過規(guī)范值的部分，同時附上分析報告

B、整批淘汰，同時附上分析報告

C、留下該批次中的合格品

D、不做處理

答案：B

在目檢過程中，篩選后出現(xiàn)嚴重失效或篩選淘汰率超過規(guī)范值，經(jīng)分析屬

于批次性質(zhì)量問題的，應(yīng)整批淘汰，同時附上分析報告。

76、電子產(chǎn)品的幾何測試的主要用到的工具是（）。

A、鍍層測厚儀

B、千分尺

C^量規(guī)

D、以上都是

答案：D

77、通過監(jiān)控某一特定譜峰或波長，在預(yù)期的刻蝕終點可探測到對應(yīng)的數(shù)

據(jù)的方法是（）o

A、發(fā)射光譜法

B、干涉測量法

C、質(zhì)譜分析法

D、橢圓偏振法

答案：A

發(fā)射光譜法是通過監(jiān)控來自等離子體反應(yīng)中一種反應(yīng)物的某一特定發(fā)射光

譜峰或波長，在預(yù)期的刻蝕終點可探測到發(fā)射光譜的改變，從而來推斷刻蝕過

程及終點。

78、對薄膜淀積設(shè)備進行日常維護時，尾氣排風(fēng)管。之內(nèi)必須檢查、清

洗一次管路。

A、一天

B、一周

C、一月

D、■—個季度

答案：B

79、分選機選擇依據(jù)是（）。

A、芯片的管腳數(shù)量

B、芯片封裝類型

C、芯片的電氣特性

D、芯片的應(yīng)用等級

答案：B

80、芯片檢測工藝中，管裝裝內(nèi)盒時，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標簽。

A、1

B、2

C、3

D、4

答案：B

81、用比色法進行氧化層厚度的檢測時，看到的色彩是（）色彩。

A、反射

B、干涉

C、衍射

D、二氧化硅膜本身的

答案：B

硅片表面生成的二氧化硅本身是無色透明的膜，當有白光照射時，二氧化

硅表面與硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。不同的氧化層厚度的

干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩來估計氧化層的厚度。

82、晶圓烘烤時，溫度一般設(shè)置在（）℃。

A、110

B、120

C、130

D、140

答案：B

晶圓烘烤時，溫度一般設(shè)置在120℃。

83、在版圖設(shè)計過程中，NMOS管的源極接（）,漏極接（）,PMOS管的源

極接（），漏極接（）。

A、地、高電位、GND、低電位

B、電源、高電位、GND、低電位

C、地、高電位、GND、高電位

D、地、高電位、電源、低電位

答案：A

84、8英寸的晶圓直徑大小為：（）。

A、125mm

B、150mm

C、200mm

D、300mm

答案：c

5英寸：125mm,6英寸：150mm,8英寸：200mm,12英寸：300mmo

85、在原理圖編輯器內(nèi)，執(zhí)行ToolsfFootprintManager命令，顯示（）。

A、Messages窗口

B、工程變更命令對話框

C、封裝管理器檢查對話框

D、Navigator面板

答案：C

86、使用平移式分選設(shè)備進行芯片檢測時，測試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、吸取、搬運芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一壓測一記錄測試結(jié)果一搬運、吹

放芯片

B、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測試結(jié)果一搬運、吹

放芯片

C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一搬運、吹放芯片一壓測一記錄測試結(jié)果f吸取、搬

運芯片

D、搬運、吹放芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運芯片一壓測一記錄測

試結(jié)果

答案：B

87、風(fēng)淋室在運行時，風(fēng)淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強風(fēng)。

A、高溫烘烤

B、車間內(nèi)部

C、低溫處理

D、高效過濾

答案：D

風(fēng)淋是為了吹出人體表面的灰塵，故其噴出的風(fēng)必須是經(jīng)過高效過濾，除

掉掉微塵的潔凈風(fēng)。

88、封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。

A、裝料

B、高溫退火

C、電鍍

D、后期清洗

答案：C

89、（）即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為LCC。

封裝四側(cè)配置有電極觸點。

A、QFN

B、QFP

C、LGA

D、DIP

答案：A

QFN即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱為LCC。封裝

四側(cè)配置有電極觸點，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。

90、在一個花籃中有片號10/15/20/25的晶圓，其中片號為15的晶圓需放

在花籃編號為（）的溝槽內(nèi)。

A、10

B、15

C、20

D、25

答案：B

導(dǎo)片時需保證晶圓片號與花籃編號一致。因此，片號為15的晶圓需放置在

花籃編號為15的溝槽內(nèi)。

91、切筋成型工序中，設(shè)備在完成模具內(nèi)的切筋與成型步驟后，下一步是

（）。

A、人工目檢

B、核對數(shù)量

C、裝料

D、下料

答案：D

92、通常情況下，一個編帶盤中芯片的數(shù)量是（）。

A、1000

B、2000

C、4000

D、8000

答案：C

略

93、在刻蝕工藝中，有幾個非常重要的參數(shù)，其中（）定義為當刻蝕線條

時，刻蝕的深度V與一邊的橫向增加量AX的比值V/AX,比值越大，說明橫

向刻蝕速率小，刻蝕圖形的保真度好。

A、刻蝕因子

B、刻蝕速率

C、選擇比

D、均勻性

答案：A