納米制造 材料規(guī)范 第4-2部分 發(fā)光納米材料 一般照明和顯示應(yīng)用的詳細(xì)規(guī)范 征求意見稿

1納米制造材料規(guī)范發(fā)光納米材料第2部分：照明和顯示用詳細(xì)規(guī)范本文本文件規(guī)定了單分散發(fā)光納米材料的基本光學(xué)性質(zhì)與一些其他性質(zhì)。本文件未明確規(guī)定發(fā)光納米材料的特性指標(biāo)，供需雙方可根據(jù)具體應(yīng)用需求IEC/TS62607-3-2納米制造關(guān)鍵控制特定（Nanomanufacturing-Keycontrolcharacteristics-Part3-2:Luminescentnanoparticles通過色空間中三個(gè)坐標(biāo)作為唯一標(biāo)識的發(fā)光納米材料的光生產(chǎn)日期dateofmanufa發(fā)射波長峰值emissionwavelengt發(fā)射波長范圍emissionwaveleng注：為避免雜散光的影響，以發(fā)射強(qiáng)度大于5激發(fā)波長excitationwavel制造過程標(biāo)識符（3.1.11用于確認(rèn)發(fā)光納米材料具體制備程序或配方唯一標(biāo)識。任一外部維度、內(nèi)部或表面結(jié)構(gòu)處于納米尺極化各向異性polarizationaniso發(fā)射光各向異性emissionanr之差與總熒光強(qiáng)度（IT）的比值來表示：Cpk制造過程能力指數(shù)（manufacturingprocesscapabilCVD化學(xué)氣相沉積（chemicalvapourdepEDX能量色散X射線光譜（energydispersiveX-rNIR近紅外光譜（near-infraredspectroscopy）PFS偏振熒光光譜（polarizedfluorescencespectroscoPL熒光光譜（photoluminescPVD物理氣相沉積（physicalvapourdeposSEM掃描電子顯微鏡（scanningelectronmicTGA熱重分析（thermogravimetricanalTOPO三辛基氧化膦（trioctylphosphineoxTEM透射電子顯微鏡（transmissionelectronmicroscUV-Vis紫外-可見光譜（ultraviolet-visiblespectroscoXRDX射線衍射（X-raydiXRFX射線熒光（X-rayfluYAG:Ce鈰摻雜釔鋁石榴石（cerium-dopedyttriumaluminiumgar4.測量方法要求業(yè)應(yīng)用，本文件對每個(gè)特性參數(shù)均給出了推薦的測試4試程序。建議供需雙方共同確認(rèn)測試方法標(biāo)準(zhǔn)的5.基本要求注：狀態(tài)可控意味著生產(chǎn)過程在統(tǒng)計(jì)過程控制下，且符合規(guī)定的制造過程能力指注：一般采購規(guī)范號、修訂版本和分部分號/修訂版本由客戶或發(fā)光納6近紅外；電感耦合等離子體質(zhì)譜；元素分析；電感耦合等離子體發(fā)射光譜；譜射光譜;X射線熒光;析譜譜-------準(zhǔn)確測試發(fā)光納米材料的各項(xiàng)關(guān)鍵特性參數(shù)以評價(jià)材料質(zhì)量，對納米材料在透射電鏡圖像給出了形貌的粗略概念，而更高分辨率的透射電鏡圖像可以監(jiān)控單個(gè)納米粒子的形紫外可見光8[1]IEC62607-3-1:2014，Nanomanufacturing–Keycontrolcharacteristics-Luminescentnanomaterials-Qua[2]ISO/TS8