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ARM原理與設(shè)計智慧樹知到期末考試答案2024年ARM原理與設(shè)計STM32F103中斷優(yōu)先級包括搶占優(yōu)先級與副優(yōu)先級,總共有()中分組方式。
A:2B:4C:3D:5答案:5STMFD堆棧尋址方式是()。
A:空遞增B:空遞減C:滿遞減D:滿遞增答案:滿遞減能夠?qū)崿F(xiàn)R0值乘2的指令是()。
A:MOVR0,#2B:ASRR0,#2C:LSLR0,#1D:LSRR0,#1答案:LSLR0,;1下列異常優(yōu)先級最高的是()。
A:FIQB:數(shù)據(jù)異常中止C:復(fù)位D:SWI答案:復(fù)位ARM指令執(zhí)行引起的間接異常包括()。
A:軟中斷B:未定義的指令C:數(shù)據(jù)中止D:預(yù)取值中止答案:數(shù)據(jù)中止異步串行通信,波特率為9600bps,每幀數(shù)據(jù)10bit,每秒鐘最多能傳輸()個字符?
A:960B:1000C:480D:96答案:960RTC的控制寄存器CRL中,用作秒中斷標(biāo)志位的是()。
A:OWFB:ALRFC:RSFD:SECF答案:SECF片上SRAM的位綁定區(qū)域地址范圍是()。
A:0x30000000---0x300fffffB:0x20000000---0x200fffffC:0x30000000---0x300fffffD:0x10000000---0x100fffff答案:0x20000000---0x200fffff將寄存器R2的低8位取反的指令是()。
A:XORR2,#0X00FFB:MOVR2,#0X00FFC:EORR2,#0X00FFD:ANDR2,#0XFF00答案:XOR以下屬于自動變址的是()。
A:LDRR0,[R1,#4]B:LDRR0,[R1,#4]!C:LDRR0,[R1],#4D:LDRR0,[R1]答案:LDRR0,[R1,;4]!下列不屬于有效立即數(shù)的是()。
A:939524079B:200C:0x24D:0x456答案:0x456以下屬于前變址的是()。
A:LDRR,[R1,#4]!B:LDRR0,[R1],#4C:LDRR0,[R1]D:LDRR0,[R1,#4]答案:LDRR0,[R1,;4]異常產(chǎn)生的原因可以是()。
A:訪問存儲器失敗B:數(shù)據(jù)溢出C:執(zhí)行軟中斷指令D:遇到未定義指令答案:執(zhí)行軟中斷指令STM32F10x系列微控制器最高工作頻率為()。
A:72MHzB:32MHzC:64MHzD:96MHz答案:72MHzSysTick是一個24位計數(shù)器,在clock作用下做()計數(shù)。
A:遞減B:可逆C:雙向D:遞增答案:遞減無條件轉(zhuǎn)移到NEXTP的指令是()。
A:BNEXTPB:BALNEXTPC:BLTNEXTPD:BNENEXTP答案:BNEXTP;BALNEXTP采用流水線的優(yōu)點(diǎn)()。
A:提高處理器核的效率和吞吐率B:縮短程序執(zhí)行時間C:每個周期執(zhí)行一條指令D:多個部件并行工作答案:多個部件并行工作;縮短程序執(zhí)行時間;提高處理器核的效率和吞吐率下列哪些微控制器屬于STM32F10x系列()。
A:STM32F100B:STM32F101C:STM32F103D:STM32F105答案:STM32F100;STM32F101;STM32F103;STM32F105CMSIS層主要由三部分構(gòu)成,分別是()
A:B:片上外設(shè)訪問層(DPAL)C:介質(zhì)訪問控制層(MAD:中間件訪問層(MWAL)E:核內(nèi)外設(shè)訪問層(CPAL)答案:核內(nèi)外設(shè)訪問層(CPAL);片上外設(shè)訪問層(DPAL);中間件訪問層(MWAL)下列ARM的SVC工作模式說法正確的是()。
A:處理軟件中斷SWIB:有自己特有的R8-R12C:其優(yōu)先級和未定義模式相同D:操作系統(tǒng)保護(hù)模式答案:操作系統(tǒng)保護(hù)模式;處理軟件中斷SWI;其優(yōu)先級和未定義模式相同能夠?qū)⒓拇嫫鱎1賦值為0X11的指令有()。
A:MOVR1,#0X11B:LDRR1,=0X11C:LDRR1,#0X11D:ANDR1,#0X11答案:MOVR1,;0X11;LDRR1,;0X11STM32最小系統(tǒng)電路包括:()。
A:下載調(diào)試電路B:復(fù)位電路C:電源電路D:時鐘電路答案:復(fù)位下列屬于低組寄存器的是()。
A:R6B:R0C:R4D:R7答案:R0;R7;R6;R4STM32F103是一款ST公司推出的基于Cortex-M3內(nèi)核的32位微控制器。()
A:錯誤B:正確答案:正確ARM命名體系中,ARM920T,T表示支持Thumb指令。()
A:錯誤B:正確答案:正確IPSR的值為當(dāng)前激活的異常ISR編號。()
A:正確B:錯誤答案:正確小端模式是較高的有效字節(jié)存放在較高的存儲器地址,較低的有效字節(jié)存放在較低的存儲器地址()
A:正確B:錯誤答案:正確應(yīng)用GPIO程序設(shè)計時,既可以使用庫函數(shù)編程,也可以使用寄存器編程。()
A:錯誤B:正確答案:正確SysTick時鐘是STM32的一個片上外設(shè),與CM3核無關(guān)。()
A:錯誤B:正確答案:錯誤CM3核采用的是滿遞增堆棧()
A:錯誤B:正確答案:錯誤內(nèi)嵌匯編操作數(shù)可以char、short、int類型,單都作為無符號數(shù)進(jìn)行操作()
A:正確B:錯誤答案:正確CM3核支持4種低功耗模式。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤ALIGN指令使得當(dāng)前存儲位置與指定的邊界對齊()
A:錯誤B:正確答案:正確ARM的狀態(tài)寄存器CPSR的T位為1時,表示處于Thumb狀態(tài)。()
A:錯誤B:正確答案:正確根據(jù)ATPCS規(guī)則,子程序返回結(jié)果,如果是64位,則通過寄存器R0和R1返回,其中R1保存低32位。()
A:錯誤B:正確答案:錯誤CortexM3的FAULTMASK寄存器置為1時,只有NMI才能響應(yīng),其他的異常都被屏蔽了()
A:錯誤B:正確答案:正確指令LDMDBR1!,{R2,R4,R7}與LDMDBR1!,{R4,R2,R7}執(zhí)行結(jié)果一樣()
A:正確B:錯誤答案:正確當(dāng)ARM芯片工作在ARM狀態(tài)時,執(zhí)行的是半字對齊的16位指令。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤存儲器操作指令能夠在存儲器與存儲器之間直接傳輸數(shù)據(jù)()
A:錯誤B:正確答案:錯誤片上外設(shè)區(qū)中,位綁定區(qū)對應(yīng)別名區(qū)地址范圍是0x22000000---0x23ffffff(32M)。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤當(dāng)ARM芯片工作在ARM狀態(tài)時,執(zhí)行的是字對齊的32位指令。()
A:正確B:錯誤答案:正確當(dāng)ARM7剛上電時,處于16位Thumb狀態(tài)。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤core_cm3.c是Cortex-M3內(nèi)核及其設(shè)備文件。()
A:正確B:錯誤答案:正確NVIC優(yōu)先級控制原則中,搶占優(yōu)先級相同的中斷,可以相互打斷。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤匯編程序訪問C語言的全局變量時,要通過IMPORT關(guān)鍵詞引入該全局變量()
A:錯誤B:正確答案:正確內(nèi)嵌匯編可用來開關(guān)中斷()
A:錯誤B:正確答案:正確根據(jù)ATPCS規(guī)則,子程序返回結(jié)果,如果是32位,則通過寄存器R0返回。()
A:正確B:錯誤答案:正確ARM處理器訪問內(nèi)部寄存器的速度要大于訪問內(nèi)存的速度()
A:錯誤B:正確答案:正確當(dāng)ARM7剛上電時,處于32位ARM狀態(tài)。()
A:錯誤B:正確答案:正確在線程模式用戶權(quán)限下,只能通過異?;蛑袛噙M(jìn)入特權(quán)訪問模式。()
A:錯誤B:正確答案:正確在串行異步通信方式中,接收方通過起始位來判斷一幀數(shù)據(jù)的開始。()
A:錯誤B:正確答案:正確并行通信一定比串行通信速度快。()
A:錯誤B:正確答案:錯誤基于CM3核的微控制器必須配置0.5GB的片上RAM。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤兩個數(shù)據(jù)相乘,結(jié)果再與第三個數(shù)據(jù)求和,可以使用MLA指令實現(xiàn)。()
A:錯B:對答案:錯ARM是fabless和chipless生產(chǎn)模式的成功典范。()
A:正確B:錯誤答案:正確LR寄存器用于BL指令中,保存程序的返回地址。()
A:錯誤B:正確答案:正確寄存器R0的字長為16bit。()
A:正確B:錯誤答案:錯誤ARM處理器可以支持大端模式和小端模式,缺省為小端模式()
A:正確B:錯誤答案:正確轉(zhuǎn)移類指令可以實現(xiàn)子程序調(diào)用功能()
A:對B:錯答案:對下列指令正確的是()。
A:STR[R0],R1B:MOVR1,#0x801C:ADDR0,#1,R2D:SUBR0,R0,#100答案:AI參考:正確答案是B:MOVR1,#0x801。\n選項A中STR指令
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