大功率變流技術(shù)智慧樹知到期末考試答案2024年

大功率變流技術(shù)智慧樹知到期末考試答案2024年大功率變流技術(shù)對(duì)于電流源型逆變器，當(dāng)采用階梯波調(diào)制時(shí)，調(diào)制比與電流利用率（）。

A:與負(fù)載有關(guān)B:無(wú)關(guān)C:強(qiáng)相關(guān)D:弱相關(guān)答案:弱相關(guān)多脈波整流器中，采用移相變壓器可以消除下列哪些諧波？（）

A:5次諧波B:6次諧波C:7次諧波D:4次諧波答案:5次諧波;7次諧波大容量變流系統(tǒng)在柔性交流輸電系統(tǒng)中的應(yīng)用為？（）

A:靜止同步補(bǔ)償器B:統(tǒng)一潮流控制器C:無(wú)源電抗器D:靜止同步串聯(lián)補(bǔ)償器答案:靜止同步補(bǔ)償器;統(tǒng)一潮流控制器;靜止同步串聯(lián)補(bǔ)償器T型MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有哪些（）。

A:FB-I-AAMCB:FB-T-AAMCC:Hybrid-T-MMCD:HB-T-AAMC答案:FB-T-AAMC;Hybrid-T-MMC;HB-T-AAMC以下哪些屬于隔離檢測(cè)電流的探頭？（）

A:電流互感器B:羅氏線圈C:電流探頭D:同軸電阻答案:電流探頭;羅氏線圈;電流互感器以下哪些拓?fù)淠軌蜉敵觯闺娖剑ǎ?/p>

A:一個(gè)模塊電壓為E，另一個(gè)模塊電壓為４E的兩模塊CHB拓?fù)銪:一個(gè)模塊電壓為E，另一個(gè)模塊電壓為３E的兩模塊CHB拓?fù)銫:單個(gè)模塊電壓均為E的四模塊CHB拓?fù)銬:單個(gè)模塊電壓均為E的三模塊CHB拓?fù)浯鸢?一個(gè)模塊電壓為E，另一個(gè)模塊電壓為３E的兩模塊CHB拓?fù)?單個(gè)模塊電壓均為E的四模塊CHB拓?fù)?一個(gè)模塊電壓為E，另一個(gè)模塊電壓為４E的兩模塊CHB拓?fù)湟韵履膸醉?xiàng)為IGBT的常見(jiàn)電壓等級(jí)？（）

A:3300VB:10kVC:1700VD:6500V答案:1700V;3300V;6500V模塊化多電平拓?fù)渌哂械娜秉c(diǎn)（）。

A:橋臂電流中存在環(huán)流分量，會(huì)帶來(lái)額外損耗B:輸出電壓電平數(shù)較高C:控制目標(biāo)和控制模式復(fù)雜D:子模塊電容電壓均衡控制困難答案:子模塊電容電壓均衡控制困難;控制目標(biāo)和控制模式復(fù)雜;橋臂電流中存在環(huán)流分量，會(huì)帶來(lái)額外損耗MMC子模塊拓?fù)涞难苌蜆?gòu)造的方法有（）。

A:組合重構(gòu)B:退化重構(gòu)C:交叉重構(gòu)D:并聯(lián)重構(gòu)答案:并聯(lián)重構(gòu);退化重構(gòu);交叉重構(gòu)對(duì)于電流源型逆變器，當(dāng)采用階梯波調(diào)制時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生以下次的電流諧波（）。

A:11次B:3次C:7次D:5次答案:5次;7次;11次下列對(duì)二極管箝位型多電平拓?fù)涞奶攸c(diǎn)概括正確的是（）

A:二極管箝位型多電平拓?fù)洳粫?huì)采用開關(guān)器件串聯(lián)的方案B:二極管箝位型多電平拓?fù)涞碾娙葜悬c(diǎn)電位可以通過(guò)外接輔助電路實(shí)現(xiàn)平衡C:二極管箝位型多電平拓?fù)涞碾娙葜悬c(diǎn)電位可以通過(guò)控制實(shí)現(xiàn)平衡D:二極管箝位型多電平拓?fù)涞拈_關(guān)器件耐壓和箝位二極管耐壓相同答案:二極管箝位型多電平拓?fù)涞碾娙葜悬c(diǎn)電位可以通過(guò)控制實(shí)現(xiàn)平衡;二極管箝位型多電平拓?fù)涞碾娙葜悬c(diǎn)電位可以通過(guò)外接輔助電路實(shí)現(xiàn)平衡;二極管箝位型多電平拓?fù)涞拈_關(guān)器件耐壓和箝位二極管耐壓相同對(duì)于IGBT而言，芯片溫度越高，集電極電流越大，功率損耗也越大。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤的電容中點(diǎn)電位不需要外界干預(yù)，能夠自動(dòng)平衡（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤電流源型逆變器給定輸出電流（）。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確電力電子可以提升電能的利用效率、運(yùn)行可靠性和調(diào)控靈活性。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確電流源型逆變器所采用的階梯波調(diào)制本質(zhì)是一種過(guò)調(diào)制方式，因此提高了電流利用率（）。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確限制晶閘管開關(guān)頻率的主要因素為其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確示波器帶寬高于檢測(cè)信號(hào)最大等效頻率3-5倍，可確保較高的檢測(cè)精度。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤必須為二極管箝位型拓?fù)渑鋫洫?dú)立的電壓源（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤當(dāng)橋臂子模塊數(shù)較少時(shí)，采用最近電平逼近調(diào)制方式可以減小輸出電壓畸變（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤根據(jù)構(gòu)造規(guī)則能夠形成8電平電路（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確檢測(cè)系統(tǒng)的帶寬，是由示波器和探頭的帶寬共同決定的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)大容量風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)，目前國(guó)內(nèi)外代表性風(fēng)機(jī)廠家的單臺(tái)風(fēng)機(jī)功率等級(jí)已到達(dá)3000MW。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤二極管六脈波整流器在交流電感過(guò)大時(shí)，會(huì)帶來(lái)額外的相移功率因數(shù)，在大電流時(shí)功率因數(shù)反而下降。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確載波層疊調(diào)制中開關(guān)器件的開關(guān)頻率各不相同，其產(chǎn)生的損耗也不盡相同（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確可采用功率器件串聯(lián)的技術(shù)，以提高變流器的高壓等級(jí)。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確模塊化多電平電路采用三次諧波注入方式，所具有的優(yōu)點(diǎn)有（）。

A:減小輸出電壓畸變率B:減小子模塊電容電壓波動(dòng)C:減小橋臂上子模塊數(shù)D:抑制MMC相間環(huán)流答案:AI參考:模塊化多電平電路采用三次諧波注入方式，所具有的優(yōu)點(diǎn)有抑制MMC相間環(huán)流。因此，答案為D。這種方式可以通過(guò)注入三次諧波來(lái)改善輸出電壓的畸變，同時(shí)還可以減小橋臂上子模塊的數(shù)量，但這并不是其主要優(yōu)點(diǎn)。相比之下，抑制MMC相間環(huán)流是該方式的一個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)，它可以有效地減少M(fèi)MC（磁性功率變換器和模塊）之間的環(huán)流，從而提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。'相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的關(guān)系，正確的是（）

A:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的正切值B:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的余切值C:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的余弦值D:相移功率因數(shù)為觸發(fā)角α的正弦值答案:AI參考:正確答案是C：相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的關(guān)系，正確的是相移功率因數(shù)與觸發(fā)角α的余弦值。\n\n相移功率因數(shù)是指交流電路中功率因數(shù)與觸發(fā)角α的余弦值之間的函數(shù)關(guān)系。因此，選項(xiàng)C是正確的。其他選項(xiàng)中，正切值、余切值和正弦值都不是正確的函數(shù)關(guān)系。'對(duì)于電流源型逆變器，當(dāng)采用階梯波調(diào)制時(shí)，調(diào)制比與電流利用率（）。

A:與負(fù)載有關(guān)B:無(wú)關(guān)C:強(qiáng)相關(guān)D:弱相關(guān)答案:AI參考:對(duì)于電流源型逆變器，當(dāng)采用階梯波調(diào)制時(shí)，調(diào)制比與電流利用率強(qiáng)相關(guān)。因?yàn)殡A梯波調(diào)制的方式會(huì)導(dǎo)致電流波形的階梯變化，從而影響電流利用率。同時(shí)，負(fù)載的變化也會(huì)影響電流源型逆變器的輸出電流波形和效率，進(jìn)而影響電流利用率。因此，選項(xiàng)C是正確答案。'在低幅度調(diào)制比情況下，下列哪種說(shuō)法是錯(cuò)誤的（）

A:載波層疊調(diào)制下H橋模塊中可能出現(xiàn)不發(fā)生開關(guān)動(dòng)作的情況B:三模塊的CHB拓?fù)漭敵鰹?電平C:載波層疊調(diào)制的輸出THD比載波移相調(diào)制小得多D:載波移相調(diào)制下所有開關(guān)的開關(guān)頻率是相同的答案:AI參考:在低幅度調(diào)制比情況下，載波移相調(diào)制下所有開關(guān)的開關(guān)頻率是相同的。在載波層疊調(diào)制下，當(dāng)調(diào)制信號(hào)幅度較低時(shí)，H橋模塊中的開關(guān)可能不會(huì)發(fā)生開關(guān)動(dòng)作，因此選項(xiàng)A正確。對(duì)于三模塊的CHB拓?fù)?，輸出電平取決于調(diào)制信號(hào)的幅度，因此選項(xiàng)B正確。載波層疊調(diào)制和載波移相調(diào)制都涉及載波信號(hào)的相位調(diào)制，但它們的輸出THD不一定有很大差異，因此選項(xiàng)C可能正確。然而，在載波移相調(diào)制中，每個(gè)開關(guān)的開關(guān)頻率是不同的，因?yàn)槊總€(gè)開關(guān)的控制信號(hào)相位都會(huì)發(fā)生變化，所以選項(xiàng)D錯(cuò)誤。因此，正確答案是D：載波移相調(diào)制下所有開關(guān)的開關(guān)頻率是相同的。'二極管箝位型拓?fù)渲袑?duì)開關(guān)器件的耐壓要求是多少（）

A:一個(gè)母線電容的電壓B:一個(gè)母線電壓C:半個(gè)母線電壓D:半個(gè)母線電容的電壓答案:AI參考:正確答案是B：一個(gè)母線電壓。\n\n二極管箝位型拓?fù)涫且环N電力電子技術(shù)，用于限制開關(guān)器件的電壓和電流。在這種拓?fù)渲?，開關(guān)器件需要承受一個(gè)母線電壓，因此對(duì)開關(guān)器件的耐壓要求是母線電壓，而不是其他選項(xiàng)中的電壓值。'12脈波整流的直流電流在每個(gè)工頻周期的脈動(dòng)數(shù)為（）

A:48個(gè)B:24個(gè)C:12個(gè)D:6個(gè)答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【C:12個(gè)】。\n\n單相全波整流電路中，電流在一個(gè)周期內(nèi)的平均值為0，那么在每個(gè)工頻周期內(nèi)，電流的脈動(dòng)次數(shù)為交流電的周期數(shù)，對(duì)于50Hz的交流電，電流的脈動(dòng)次數(shù)為100/f=100/50=2次，也就是脈動(dòng)2次。而采用12脈波整流電路時(shí)，會(huì)增加一個(gè)脈動(dòng)點(diǎn)，因此電流在每個(gè)工頻周期內(nèi)的脈動(dòng)數(shù)為12個(gè)。因此，正確選項(xiàng)為C。'以下哪項(xiàng)不屬于電力電子技術(shù)范圍？（）

A:潮流計(jì)算B:中壓整流器C:自動(dòng)控制算法D:中壓逆變器答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【C:自動(dòng)控制算法】。\n\n電力電子技術(shù)是一門涉及電子器件、電力變換和控制技術(shù)的交叉學(xué)科，主要涉及中低壓大功率開關(guān)電源和電機(jī)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。潮流計(jì)算是電力系統(tǒng)分析中的一個(gè)重要內(nèi)容，中壓整流器和逆變器是電力電子技術(shù)中的重要應(yīng)用，而自動(dòng)控制算法則是自動(dòng)控制領(lǐng)域的內(nèi)容，不屬于電力電子技術(shù)范圍。'半橋子模塊通過(guò)并聯(lián)重構(gòu)可以得到的子模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是（）。

A:全橋子模塊結(jié)構(gòu)B:交叉箝位型子模塊結(jié)構(gòu)C:混合型子模塊結(jié)構(gòu)D:二極管箝位型結(jié)構(gòu)答案:AI參考:正確答案是C：混合型子模塊結(jié)構(gòu)。\n半橋子模塊通過(guò)并聯(lián)重構(gòu)可以得到多種子模塊拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中C選項(xiàng)為混合型子模塊結(jié)構(gòu)，其他選項(xiàng)均為半橋子模塊的其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。因此，本題的正確答案為C。'對(duì)于ANPC/FC五電平拓?fù)?，一共有______個(gè)飛跨電容和______個(gè)母線電容（）

A:0，3B:3，0C:2，1D:1，2答案:AI參考:正確答案是【B:3，0】。\n\nANPC/FC五電平拓?fù)渲校w跨電容的數(shù)量為3個(gè)，母線電容的數(shù)量為0個(gè)。這是因?yàn)锳NPC/FC五電平拓?fù)洳捎枚鄠€(gè)電壓等級(jí)，通過(guò)多級(jí)級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)大容量輸電，每一級(jí)都需要引入飛跨電容進(jìn)行電氣隔離，因此飛跨電容的數(shù)量為3個(gè)。而母線電容則不需要，因?yàn)樗淮嬖谟谀妇€之間，用于平衡各相的電壓，保證電網(wǎng)的穩(wěn)定性，不需要額外添加電容。因此，答案為B。'以下哪個(gè)拓?fù)渚哂薪涣鳂虮?，是T型MMC拓?fù)洌ǎ?/p>

A:Hybrid-I-MMCB:HCMCC:FB-I-AAMCD:HB-I-AAMC答案:AI參考:正確答案是D:HB-I-AAMC。\n\nHB-I-AAMC具有交流橋臂，是T型MMC拓?fù)涞囊环N。而其他選項(xiàng)中的Hybrid-I-MMC、HCMC、FB-I-AAMC和選項(xiàng)B和C則不具備交流橋臂。因此，答案是D。'對(duì)于NPC/H-Bridge五電平拓?fù)?，有幾種不同的方式可以得到0電平（）

A:2B:3C:1D:4答案:AI參考:正確答案是D：4。\n對(duì)于NPC/H-Bridge五電平拓?fù)?，可以有四種不同的方式可以得到0電平，分別是橋臂全部導(dǎo)通、橋臂部分導(dǎo)通、一個(gè)橋臂完全斷開和兩個(gè)橋臂部分?jǐn)嚅_。因此，答案為D，即有4種不同的方式可以得到0電平。'設(shè)直流母線電壓為，開通延遲時(shí)間為，關(guān)斷延遲時(shí)間為，關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間為，則失衡電壓的表達(dá)式為：（）

A:B:C:D:答案:AI參考:根據(jù)題目描述，直流母線電壓為某個(gè)值，開通延遲時(shí)間為t1，關(guān)斷延遲時(shí)間為t2，關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間為t3。當(dāng)出現(xiàn)失衡電壓時(shí)，我們需要求出它的表達(dá)式。\n\n根據(jù)題目給出的信息，我們可以得到以下關(guān)系：\n\n1.初始電壓：U0\n2.最終電壓：Uf\n3.開通延遲時(shí)間：t1\n4.關(guān)斷延遲時(shí)間：t2\n5.關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間：t3\n\n由于開通延遲時(shí)間是在電壓從初始值U0上升到關(guān)斷階段的電壓值的過(guò)程中產(chǎn)生的，所以可以推斷出初始電壓U0與關(guān)斷階段的電壓值Uf的關(guān)系，即Uf=U0+t1ΔV。其中，ΔV表示電壓從初始值上升到關(guān)斷階段的電壓值之間的電壓差。\n\n接下來(lái)，我們需要找出關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間t3與關(guān)斷延遲時(shí)間t2的關(guān)系。由于關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間是在電壓從關(guān)斷階段的電壓值下降到初始電壓的過(guò)程中產(chǎn)生的，所以可以推斷出關(guān)斷階段電壓上升時(shí)間t3與關(guān)斷延遲時(shí)間t2的關(guān)系為t3=t2+ΔV/R。其中，R表示負(fù)載電阻。\n\n將上述兩個(gè)關(guān)系式代入失衡電壓的表達(dá)式中，可得：\n\nUf=U0+t1ΔV+(t2+ΔV/R)ΔV\n\n化簡(jiǎn)后得到：\n\nUf=(U0+t1)ΔV+t2RΔV/R+ΔV^2\n\n由于題目沒(méi)有給出初始電壓U0、負(fù)載電阻R、電壓差ΔV的具體數(shù)值，所以無(wú)法確定最終的表達(dá)式。因此，無(wú)法得出正確的選項(xiàng)。\n\n綜上所述，由于題目給出的信息不完整，無(wú)法確定失衡電壓的表達(dá)式。因此，正確選項(xiàng)為無(wú)。'關(guān)于載波層疊調(diào)制的CHB拓?fù)?，下列哪一?xiàng)是不正確的（）

A:載波層疊調(diào)制需要采用開關(guān)序列輪詢的方式進(jìn)行損耗均衡B:載波層疊調(diào)制中對(duì)于每個(gè)H橋模塊來(lái)說(shuō)均為單極性調(diào)制C:載波層疊調(diào)制具有倍頻效應(yīng)D:載波層疊調(diào)制中各器件的損耗的分布是不均衡的答案:AI參考:關(guān)于載波層疊調(diào)制的CHB拓?fù)?，下列哪一?xiàng)是不正確的（B:載波層疊調(diào)制中對(duì)于每個(gè)H橋模塊來(lái)說(shuō)均為單極性調(diào)制）。\n\n載波層疊調(diào)制中，每個(gè)H橋模塊既可以進(jìn)行單極性調(diào)制，也可以進(jìn)行雙極性調(diào)制。因此，選項(xiàng)B是不正確的。其他選項(xiàng)如A（載波層疊調(diào)制需要采用開關(guān)序列輪詢的方式進(jìn)行損耗均衡）、C（載波層疊調(diào)制具有倍頻效應(yīng)）和D（載波層疊調(diào)制中各器件的損耗的分布是不均衡的）都是正確的。'通過(guò)將全橋拓?fù)浜?電平拓?fù)浣M合，可以構(gòu)造的MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是（）。

A:AAMCB:HCMCC:CHBD:ANPC答案:AI參考:正確答案是A：AAMC。\n全橋拓?fù)浜?電平拓?fù)浣M合，可以構(gòu)造AAMC（全橋+2電平）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。其他選項(xiàng)HCMC、CHB、ANPC都不是由全橋和2電平拓?fù)浣M合構(gòu)造的。'下列哪種調(diào)制方法的輸出THD最低（）

A:載波交替反相層疊調(diào)制B:載波同相層疊調(diào)制C:載波反相層疊調(diào)制D:載波移相調(diào)制答案:AI參考:正確答案是C：載波反相層疊調(diào)制。\n載波反相層疊調(diào)制是一種調(diào)制方法，其輸出THD最低。載波交替反相層疊調(diào)制和載波同相層疊調(diào)制都是通過(guò)將兩個(gè)或多個(gè)正弦波載波疊加在一起，但是它們的相位關(guān)系不同，導(dǎo)致輸出THD不同。載波移相調(diào)制是一種通過(guò)改變載波相位來(lái)改變輸出信號(hào)的方法，但是它的輸出THD并不是最低的。因此，本題的正確答案是C：載波反相層疊調(diào)制。'對(duì)于直流源電壓同為E的5電平CHB拓?fù)鋪?lái)說(shuō)，總共有多少種冗余