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3GB/T26111微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技PECVD：等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposi4應(yīng)使用PECVD沉積400nm氮化硅作為硅片第應(yīng)在絕緣層上濺射20nm的Ti作為粘附層，并濺射150nm的Cu應(yīng)在金屬層表面進(jìn)行正膠光刻，作為第一層厚金屬應(yīng)在光刻掩膜縫隙中電鍍第一層厚金屬膜，鍍Cu厚5應(yīng)用丙酮、Cu腐蝕液和Ti腐蝕液依次去除光刻膠、Cu種子層和Ti粘附層，完成濕法腐蝕。見圖5。應(yīng)用PECVD沉積400nm氮化硅作為第6應(yīng)進(jìn)行深反應(yīng)離子刻蝕，刻蝕第二層氮化硅絕緣層，完成開孔，以連接兩應(yīng)濺射20nm的Ti作為粘附層，并再次濺射150nm的Cu作應(yīng)在金屬層表面進(jìn)行正膠光刻，作為第二層厚金屬膜7應(yīng)在光刻掩膜縫隙中電鍍第二層厚金屬膜，鍍Cu厚應(yīng)通過丙酮、Cu腐蝕液和Ti腐蝕液依次去除光刻膠、Cu種子層和Ti粘附層，完成濕法腐蝕，從而8應(yīng)保證各批次加工結(jié)果的一致性，各加工設(shè)備的片間在硅基厚金屬膜多層電鍍工藝中使用的原材料及輔助材料見表3。表中所列P型或N型；晶向<100>；晶圓直徑150±0.2μm；厚度625912341

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