基于Al互連的電阻型存儲(chǔ)器關(guān)鍵技術(shù)研究開題報(bào)告

基于Al互連的電阻型存儲(chǔ)器關(guān)鍵技術(shù)研究開題報(bào)告一、課題背景和研究意義電阻型存儲(chǔ)器（ResistiveRandomAccessMemory，ReRAM）是一種新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，具有存儲(chǔ)密度高、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為未來存儲(chǔ)技術(shù)的研究熱點(diǎn)之一。在ReRAM技術(shù)中，Al互連是關(guān)鍵的制備工藝之一。Al互連的電學(xué)性能對存儲(chǔ)器的性能有著關(guān)鍵作用。隨著電子信息化時(shí)代的到來，存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)成為發(fā)展的關(guān)鍵所在，而ReRAM技術(shù)的優(yōu)勢使其在未來存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展中具有廣闊的應(yīng)用前景。因此，對于基于Al互連的ReRAM關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行研究，對于推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展有著重要的意義。二、研究內(nèi)容和技術(shù)路線（一）研究內(nèi)容本課題旨在研究基于Al互連的ReRAM關(guān)鍵技術(shù)，具體包括以下內(nèi)容：1.制備Al互連工藝的研究。2.分析不同制備條件下Al互連的電學(xué)性能。3.優(yōu)化Al互連制備工藝，提高其電學(xué)性能。4.利用優(yōu)化后的Al互連制備ReRAM器件。5.測試ReRAM器件的電學(xué)性能，并分析其性能提高的原因。（二）技術(shù)路線1.制備Al互連工藝的研究采用脈沖電沉積法制備Al互連，并控制制備條件，包括沉積時(shí)間、沉積電位等。2.分析不同制備條件下Al互連的電學(xué)性能使用掃描電子顯微鏡等測試手段，對不同制備條件下的Al互連進(jìn)行形貌和電學(xué)性能的測試。3.優(yōu)化Al互連制備工藝，提高其電學(xué)性能根據(jù)不同制備條件下的測試結(jié)果，針對其中較好的制備條件進(jìn)行優(yōu)化，探索提高Al互連電學(xué)性能的途徑。4.利用優(yōu)化后的Al互連制備ReRAM器件將優(yōu)化后的Al互連作為電極，制備ReRAM器件。5.測試ReRAM器件的電學(xué)性能，并分析其性能提高的原因采用電學(xué)測試方法，測試制備的ReRAM器件的電學(xué)性能，并分析優(yōu)化后的Al互連對ReRAM性能提高的原因。三、預(yù)期研究結(jié)果和進(jìn)展預(yù)期研究結(jié)果：1.研究出Al互連制備的最優(yōu)工藝條件。2.制備出性能優(yōu)良的ReRAM存儲(chǔ)器。3.研究Al互連對ReRAM性能提高的機(jī)制。預(yù)期進(jìn)展：1.在Al互連制備工藝、ReRAM結(jié)構(gòu)和性能方面，獲得了一定的研究進(jìn)展。2.提高ReRAM存儲(chǔ)器的電學(xué)性能，推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展。四、可行性分析本課題的研究內(nèi)容涉及到制備工藝、測試分析等多個(gè)方面，涵蓋了多個(gè)研究領(lǐng)域，是有一定難度的。但是，本課題的研究方向明確、研究方法可行、研究基礎(chǔ)較好，研究團(tuán)隊(duì)具有相關(guān)研究經(jīng)驗(yàn)，因此，認(rèn)為本課題具有可行性。五、研究計(jì)劃安排本課題的研究周期為2年，計(jì)劃安排如下：第一年：1.完成Al互連制備工藝的研究。2.分析不同制備條件下Al互連的電學(xué)性能。3.對Al互連制備工藝進(jìn)行優(yōu)化研究。第二年：1.利用優(yōu)化后的Al互連制備ReRAM存儲(chǔ)