光電技術(shù)自測(cè)題(全)

光電技術(shù)復(fù)習(xí)題第一局部自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題.以下選項(xiàng)中的參數(shù)與接收器有關(guān)的有〔AD〕A.曝光量B.光通量C.亮度D.照度.光電探測(cè)器中的噪聲主要包括〔ABCDE〕A.熱噪聲B.散粒噪聲C.產(chǎn)生復(fù)合噪聲D.1/f噪聲E溫度噪聲.光電技術(shù)中應(yīng)用的半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要是〔AB 〕A.本征吸收B.雜質(zhì)吸收C.激子吸收口.自由載流子吸收E晶格吸收二、單項(xiàng)選擇題.被光激發(fā)產(chǎn)生的電子溢出物質(zhì)外表，形成真空中的電子的現(xiàn)象叫做〔B〕A.內(nèi)光電效應(yīng)B.外光電.當(dāng)黑體的溫度升高時(shí)，其峰值光譜輻射出射度所對(duì)應(yīng)的波長的移動(dòng)方向?yàn)椤睞〕.某He-Ne激光器的輸出功率為8mW,正常人眼的明視覺和暗視覺最大光譜光是效能分別為683lm/W和1725lm/W,人眼明視覺光譜光視效率為0.24,那么該激光器發(fā)出的光通量為⑴〕.半導(dǎo)體〔A〕電子吸收光子能量躍遷入〔〕，產(chǎn)生電子一空穴對(duì)的現(xiàn)象成為本征吸收。A.價(jià)帶，導(dǎo)帶B.價(jià)帶，禁帶C.禁帶，導(dǎo)帶 D.導(dǎo)帶，價(jià)帶.一個(gè)電阻值為1000歐姆的電阻，在室溫下，工作帶寬為1Hz時(shí)，熱噪聲均方電壓為(B)A3nVB4nVC5nVD6nV.用照度計(jì)測(cè)得某環(huán)境下的照度值為1000lx,該環(huán)境可能是〔B〕A陽光直射 B陰天室外 C工作臺(tái)D晨昏蒙影.某輻射源發(fā)出的功率為1W,該波長對(duì)應(yīng)的光譜光視效率為0.5,那么該輻射源輻射的光通量為⑻A683lm B341.5lmC1276lmD638lm.為了描述顯示器的每個(gè)局部面元在各個(gè)方向的輻射能力,最適合的輻射度量是〔D〕A輻射照度 B輻射強(qiáng)度C輻射出度 D輻射亮度.電磁波譜中可見光的波長范圍為（A）A0.38~0.78umB0.38~1umC1~3umD8~12um.一束激光功率為30mW、波長為0.6328um,普朗克常數(shù)h=6.626x10-34J-S那么該激光束的光子流速率N為〔A〕。A.5X1016個(gè)/秒B.5X1019個(gè)/秒C.X1025個(gè)/秒D.X1022個(gè)/秒.某半導(dǎo)體光電器件的長波限為13um,其雜質(zhì)電離能A々為〔B〕A.0.095JB.0.095eVC.9.5x104J D.9.5x104eV.100W標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈在0.2sr范圍內(nèi)所發(fā)出的輻射通量為〔A〕A.1.592W B.27.223lm C.3.184WD.27.223W13.甲、乙兩廠生產(chǎn)的光電器件在色溫2856K標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈下標(biāo)定出的靈敏度分別為S=5uA/uW,S=o.4A/lm，那么甲乙兩廠中光電器件靈敏度比擬結(jié)果正確的選項(xiàng)ev是⑻A.甲場(chǎng)靈敏度高 B.乙場(chǎng)靈敏度高C.甲乙兩場(chǎng)靈敏度一樣高 D.無法比擬.光電發(fā)射材料KCsSb的光電發(fā)射長波限為680nm,該光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值的2大小為〔D〕A.1.82x103JB.1.82x103eV C.1.82JD.1.83eV.某種光電器件的本征吸收長波限為1.4um,那么該材料的禁帶寬度為〔B〕A.0.886JB.0.886eV C.886JD.886eV三、判斷題比探測(cè)率是一個(gè)與工作頻率、測(cè)量帶寬無關(guān)的常數(shù)?！插e(cuò)〕探測(cè)率是一個(gè)反映探測(cè)器探測(cè)能力的物理量，探測(cè)率越大，說明探測(cè)器的探測(cè)能力越強(qiáng)?！矊?duì)〕噪聲等效功率是信噪比為1時(shí)，入射到探測(cè)器上的信號(hào)輻射通量?！矊?duì)〕1/f噪聲是一種低頻噪聲，幾乎所有探測(cè)器中都存在這種噪聲?！矊?duì)〕量子效率是在特定波長下單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比?！矊?duì)〕假設(shè)金屬溢出功為W,那么長波限為1.24/W（nm）.（錯(cuò)）光通量的單位是坎德拉。（錯(cuò)）輻射通量與光通量的單位是相同的。（錯(cuò)）朗伯輻射體的輻射出射度等于他的輻射亮度?！插e(cuò)〕被照明物體外表的輻射照度和光源與物體外表的距離平方成反比?！矊?duì)〕輻射出射度Me與輻射照度Ee的定義式都是：某點(diǎn)處面元的輻通量d①e除以改面元的面積dA的商，所以這兩個(gè)物理量是具有相同的概念?！插e(cuò)〕發(fā)光方式主要有電致發(fā)光，光致發(fā)光，化學(xué)發(fā)光和熱發(fā)光?！矊?duì)〕發(fā)光強(qiáng)度的單位是坎德拉〔cd〕，其定義為：在給定方向上能發(fā)射540x10i2Hz的單色輻射源，在此方向上的輻強(qiáng)度為〔1/683〕W/sr，其發(fā)光強(qiáng)度定義為1cd。〔對(duì)〕在對(duì)具有一定量度和顏色的非黑體輻射體的溫度標(biāo)測(cè)中，亮溫度與實(shí)際溫度的偏差最小，色溫度次之，輻射溫度與實(shí)際溫度的偏差最大?！插e(cuò)〕波長長于本征吸收的光波長波限的入射輻射能使器件產(chǎn)生本征吸收，改變本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性?！插e(cuò)〕雜志吸收的長波限總要長于本征吸收的長波限?！矊?duì)〕可以引起光電效應(yīng)的光吸收包括本征吸收，雜質(zhì)吸收，激子吸收，自由載流子吸收和晶格吸收?！插e(cuò)〕在弱輻射作用的情況下，半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)與入射輻射通量的關(guān)系是線性的?！矊?duì)〕光生伏特效應(yīng)能將光能轉(zhuǎn)換成電能?！矊?duì)〕外光電效應(yīng)是半導(dǎo)體光電器件、真空光電倍增管、攝像管、變像管和像增強(qiáng)器的核心技術(shù)。〔錯(cuò)〕第二局部常用光輻射源自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題.常用的激光器有〔ACDE〕A.氣體激光器 B.液體激光器 C.固體激光器 D.染料激光器E半導(dǎo)體激光器.按發(fā)光機(jī)理分類，常用光源有〔ABCD〕A.發(fā)光二極管 B.激光器C.氣體放電 D.熱輻射E太陽二、單項(xiàng)選擇題.低壓汞燈光譜為〔A〕。.高壓鈉燈光譜為〔B〕。.高壓鈉燈光譜為〔B〕。.白熾燈光譜為〔C〕.熒光燈光譜為〔D〕.某光源的發(fā)光效率為90~100lm/W，該光源可能是〔C〕.連續(xù)波半導(dǎo)體激光器輸出功率約為〔B〕.黑體是指〔B〕磁波三、判斷題發(fā)光效率是光源發(fā)射的光通量與所需的電功率之比?！矊?duì)〕GaAs的開啟電壓約為IV?！矊?duì)〕物體溫度升高時(shí)，輻射峰值波長向長波方向移動(dòng)?！插e(cuò)〕氮化物藍(lán)或紫LED的管芯中加上三基色熒光粉可激發(fā)出白光，成為白光LED?！矊?duì)〕超高亮度LED是指輻射功率高，法向發(fā)光強(qiáng)度在1000mcd以上的LED，光效可以到達(dá)50~100lm/W?！矊?duì)〕發(fā)光二極管輻射光的峰值波長與材料的禁帶寬度Eg無關(guān)?！插e(cuò)〕LED發(fā)出的光是基于受激輻射，發(fā)出的是相干光。〔錯(cuò)〕普通鎢絲燈的發(fā)光效率約為8~18lm/W?！矊?duì)〕LED的壽命通常小于106小時(shí)?！插e(cuò)〕10.通常利用半導(dǎo)體激光器〔LD〕和發(fā)光二極管伏安特性和響應(yīng)時(shí)間特性對(duì)光源進(jìn)行直接調(diào)制?！矊?duì)〕第三局部光電導(dǎo)探測(cè)器自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題.以下光電導(dǎo)器件中那些屬于本證光電導(dǎo)器件〔BCDE〕A.鍺摻汞B.硫化鎘C.硫化鉛D.銻化汞E碲金鬲汞.光電導(dǎo)器件的噪聲主要有〔ABC〕A.熱噪聲B.1/f噪聲C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲D.散粒噪聲二、單項(xiàng)選擇題.光電導(dǎo)的單位〔B〕A.歐姆B.西門子C.流明D勒克斯.氮化鎵光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為〔A〕A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nmD1~7um.硫化鎘光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為〔B〕A.200~365nm B.400~700nmC.700~1100nm D1~7um.常溫硫化鉛光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為〔D〕A.200~365nm B.400~700nmC.700~1100nm D0.4~3um.常溫碲化銦光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為〔C〕A.200~365nm B.400~700nmC.1~7.5umD0.4~3umkQ，且它在90~120lx范圍內(nèi)的丫=0.9。那么該光敏電阻在110lx光照下的阻值為〔C〕。QQC.18QQ.假設(shè)某只CdS光敏電阻的最大功耗是30mW，光電導(dǎo)靈敏度S=0.5x10-6S/lx，暗電g導(dǎo)g=0。當(dāng)CdS光敏電阻上的偏置電壓為20V是的極限照度為〔D〕。0C.2500lxD.150lx和22500lx.光電導(dǎo)探測(cè)器的特性受工作溫度影響〔B〕。三、判斷題.由于電子的遷移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光電導(dǎo)器件?！插e(cuò)〕.本征光電導(dǎo)器件的長波限可以到達(dá)130um?！插e(cuò)〕.弱輻射情況下，本征光電導(dǎo)與入射輻射通量成正比?！矊?duì)〕.材料確定后，光敏電阻的光照指數(shù)是一個(gè)常數(shù)?！插e(cuò)〕.前歷效應(yīng)是指光電導(dǎo)探測(cè)器的時(shí)間特性與工作前歷史有關(guān)的一種現(xiàn)象?！矊?duì)〕.光電導(dǎo)器件的時(shí)間響應(yīng)都較小，適合于探測(cè)窄脈沖光信號(hào)?！插e(cuò)〕.當(dāng)光電導(dǎo)器件接收交變調(diào)制光時(shí)，隨調(diào)制光頻率的增加，其輸出會(huì)減小?！矊?duì)〕.光敏電阻光譜特性的峰值波長，低溫時(shí)向短波方向移動(dòng)?！插e(cuò)〕9光敏電阻光敏面做成蛇形狀，有利于提高靈敏度?！矊?duì)〕光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。〔錯(cuò)〕光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時(shí)間大于小將時(shí)間。〔錯(cuò)〕在測(cè)量某光電導(dǎo)器件的Y值時(shí)，背景光照越強(qiáng)，其Y值越小?！矊?duì)〕光敏電阻在恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些?！插e(cuò)〕光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高?！矊?duì)〕光敏電阻的前例效應(yīng)是由于被光照過后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合而需要很長的時(shí)間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合機(jī)率不斷減小，使得光敏電阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長時(shí)間這一特性的描述?！插e(cuò)〕第四局部光伏探測(cè)器自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題.光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間主要由〔ABC〕因素決定A.光生載流子擴(kuò)散到結(jié)區(qū)的時(shí)間 B.光生載流子的漂移時(shí)間 C.結(jié)電容和負(fù)載電阻決定的時(shí)間常數(shù).光伏器件的噪聲主要有〔AD〕A.熱噪聲B.1/f噪聲C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲D.散粒噪聲.光伏探測(cè)器的光電特性主要與〔ABCD〕有關(guān)A.材料B.光照范圍C.負(fù)載大小D.外加電壓.光伏探測(cè)器在正常使用時(shí)，常用的偏置方式有〔ABC〕A.自偏置B.零偏置C.反向偏置D.二、單項(xiàng)選擇題.假設(shè)要檢測(cè)脈寬為10-7S的光脈沖，應(yīng)選用〔A〕為光電變換器件。.用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用〔D〕為光電接收器件。.硅光電池在〔D〕偏置時(shí)，其光電流與入射輻射量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A.恒流 8.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置.硅光電池在〔B〕情況下有最大的輸出功率。A.開路 8.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置.通常光伏探測(cè)器的擴(kuò)散時(shí)間為〔A〕A．10-9sB.10-10sC.10-11sD.10-12s.通常光伏探測(cè)器的漂移時(shí)間為〔C〕A．10-9sB.10-10sC.10-11sD.10-12s.硅光電池的最高截止頻率通常為〔B〕A.幾千赫茲B.幾萬赫茲C.幾十萬赫茲D.幾百萬赫茲.硅光電池的受光面的輸出多做成梳齒狀或E字形電極，其目的是〔B〕。.硅光電三極管偏置電壓為零，現(xiàn)在逐漸增強(qiáng)其光照度，那么此時(shí)光電三極管集電極電流的變化為〔D〕。A電流不斷增大 B.電流逐漸減小C.電流逐漸增大，到一定程度后趨于穩(wěn)定 D電流大小始終為零.為了提高光電二極管短波段波長的光譜響應(yīng)，下面可以采取的措施是〔D〕。A.增強(qiáng)短波波長光譜的光照強(qiáng)度 B.增強(qiáng)長波波長光譜的光照強(qiáng)度.用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸〔15000r/min〕的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用〔D〕為光電接收器件。10-7s的光脈沖，應(yīng)選用〔A〕為光電變換器件。CR11硅光電池.硅光電池在〔D〕偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。.硅光電池在〔B〕情況下有最大的電流輸出。15．光伏器件的自偏置電路主要用于〔B〕器件.以下光電器件中可以作為繼電器的是〔B〕.以下光電器件中可以精確測(cè)量位置的是〔C〕三、判斷題.光伏探測(cè)器的暗電流是一個(gè)確定的常數(shù)。〔錯(cuò)〕.光伏器件外加反向偏壓時(shí)，暗電流隨反向偏壓的增加有所增大，最后趨近于反向飽和電流?！矊?duì)〕.自偏壓是指光伏探測(cè)器的輸出電流流過外電路負(fù)載電阻產(chǎn)生的壓降就是他自身的正向偏壓。〔對(duì)〕.光電池的主要用途為太陽能光電池和測(cè)量光電池。〔對(duì)〕.雪崩光電二極管的最正確工作點(diǎn)在接近雪崩擊穿點(diǎn)附近?！矊?duì)〕.硅光電池需要加偏壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能?！插e(cuò)〕.光電池通常工作在自偏置狀態(tài)，用作弱光信號(hào)的線性測(cè)量或強(qiáng)光信號(hào)的存在探測(cè)。〔對(duì)〕.光伏效應(yīng)對(duì)光的吸收主要為非本征吸收?！插e(cuò)〕.用雙結(jié)光電二極管作顏色測(cè)量時(shí)，可以測(cè)出其中兩個(gè)硅光電二極管的短路電流比的對(duì)數(shù)值與入射光波長的關(guān)系?！矊?duì)〕.PSD是利用位置離子注入技術(shù)制成的一種對(duì)入射到光敏面上的光點(diǎn)位置敏感的光電器件?！矊?duì)〕第五局部光電子發(fā)射探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題光電倍增管產(chǎn)生暗電流的原因有(ABCD)。A.歐姆漏電B.熱發(fā)射C.剩余氣體放電D場(chǎng)致發(fā)射.光電倍增管的短波限和長波限的決定因素有〔BC〕A.光電陽極材料 B.光電陰極材料.常規(guī)光電陰極材料有〔ABCD〕A.銀氧銫B.單堿銻化物C.多堿銻化物D.碲化銫E負(fù)電子親和勢(shì).光電倍增管的時(shí)間特性主要有〔ABC〕參數(shù).以下信號(hào)中，可以使用光電倍增管進(jìn)行探測(cè)的有〔AD〕。A.微弱可見光信號(hào) B.強(qiáng)紫外光信號(hào).以下選項(xiàng)中，符合光電倍增管電子光學(xué)系統(tǒng)作用的選項(xiàng)有〔AB〕。二、單項(xiàng)選擇題.光電子發(fā)射探測(cè)器是基于〔B〕的光電探測(cè)器。A.內(nèi)光電效應(yīng)B.外光電效應(yīng)C.光生伏特效應(yīng)D.光熱效應(yīng).某光電倍增關(guān)的陽極靈敏度為100A/lm,陰極靈敏度為2uA/lm,要求陽極輸出電流限制在100PA范圍內(nèi)，那么允許的最大入射光通量為〔A〕。A.10-6lm B.5x10-6lmc.10-7lmd.5x10-7Im.真空光電器件的響應(yīng)速度可以到達(dá)〔C〕量級(jí)。.在光電倍增管中，吸收光子能量發(fā)射光電子的部件是〔B〕。A. 光入射窗 B.光電陰極C.光電倍增級(jí)D.光電陽極.在較強(qiáng)輻射作用下倍增管靈敏度下降的現(xiàn)象稱為〔D〕。三、判斷題.負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極是真空能級(jí)在導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢(shì)為負(fù)值。〔對(duì)〕.NEA材料的量子效率比常規(guī)光電子陰極材料高很多?！矊?duì)〕.光電倍增極在使用過程中隊(duì)入射光沒有特殊要求?！插e(cuò)〕.測(cè)量陽極靈敏度時(shí)，入射到陰極上的光通量大約在10-5?10-2lm。〔錯(cuò)〕.光電倍增管分壓電阻通常要求流過電阻鏈的電流比陽極最大電流大10倍以上?！矊?duì)〕5?！插e(cuò)〕.光電倍增管增益定義為陽極電流與陰極電流之比，或陽極靈敏度與陰極靈敏度之比?！矊?duì)〕.光電倍增管的倍增極通常是大于12。（錯(cuò)）.光電倍增管的噪聲主要是散粒噪聲?！矊?duì)〕.光電倍增管分壓電阻鏈上的電流值通常要比陽極最大平均電流大10倍以上?！矊?duì)〕第六局部熱探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題.常用的熱輻射探測(cè)器主要有(ABC)。A.熱電偶D紅外焦平面陣列.光電倍增管的短波限和長波限的決定因素有〔BC