光電子材料與器件題庫

第頁《光電子材料及器件》題庫選擇題:1.如下圖所示的兩個原子軌道沿z軸方向接近時，形成的分子軌道類型為(A)(A)(B)(C)(D)2.基于分子的對稱性考慮，屬于下列點群的分子中不可能具有偶極矩的為（C）（A）Cn（B）Cnv（C）C2h（D）Cs3.隨著溫度的上升，光敏電阻的光譜特性曲線的變化規(guī)律為（B）。（A）光譜響應的峰值將向長波方向移動（B）光譜響應的峰值將向短波方向移動（C）光生電流減弱（D）光生電流增加4.利用某一CCD來讀取圖像信息時，圖像積分后每個CCD像元積聚的信號在同一時刻先轉移到遮光的并行讀出CCD中，而后再轉移輸出。則該CCD的類型為（B）（A）幀轉移型CCD（B）線陣CCD（C）全幀轉移型CCD（D）行間轉移CCD5.對于白光LED器件，當LED基片放射藍光時，其對應的熒光粉的發(fā)光顏色應當為（D）（A）綠光（B）紫光（C）紅光（D）黃光6.在制造高效率太陽能電池所實行的技術和工藝中，下列不屬于光學設計的為（C）（A）在電池表面鋪上減反射膜;（B）表面制絨;（C）把金屬電極鍍到激光形成槽內;（D）增加電池的厚度以提高汲取7.電子在原子能級之間躍遷需滿意光譜選擇定則，下列有關躍遷允許的表述中，不正確的是（B）：總角量子數之差為1主量子數必需相同總自旋量子數不變內量子數之差不大于28.物質汲取肯定波長的光達到激發(fā)態(tài)之后，又躍遷回基態(tài)或低能態(tài)，放射出的熒光波長小于激發(fā)光波長，稱為（B）。（A）斯托克斯熒光（B）反斯托克斯熒光（C）共振熒光（D）熱助線熒光9.依據H2+分子軌道理論，確定H原子能否形成分子的主要因素為H原子軌道的（A）（A）交換積分（B）庫侖積分（C）重疊積分（D）置換積分10.下列軌道中，屬于分子軌道的是（C）（A）非鍵軌道（B）s軌道（C）反鍵軌道（D）p軌道11.N2的化學性質特別穩(wěn)定，其緣由是由于分子中存在（D）（A）強σ鍵（B）兩個π鍵（C）離域的π鍵（D）三鍵12.測試得到某分子的光譜處于遠紅外范圍，則該光譜反映的是分子的（B）能級特性。（A）振動（B）轉動（C）電子運動（D）電聲子耦合13．下列的對稱元素中，所對應的對稱操作屬于虛動作的是（C）（A）C3（B）E（C）σh（D）C614.某晶體的特征對稱元素為兩個相互垂直的鏡面，則其所處的晶系為（C）（A）四方晶系（B）立方晶系（C）正交晶系（D）單斜晶系15.砷化鎵是III-V族化合物半導體，它的晶體結構是（D）。（Ａ）NaCl結構（B）纖鋅礦結構（C）鈣鈦礦結構（D）閃鋅礦結構16.原子軌道經雜化形成分子軌道時，會發(fā)生等性雜化或非等性雜化。下列物質中化學鍵屬于不等性雜化的是（B）。（A）CH4（B）H2O（C）石墨烯（D）金剛石17.關于金屬的特性，特魯德模型不能勝利說明的是（A）（A）比熱（B）歐姆定律（C）電子的弛豫時間（D）電子的平均自由程18.下列有關半導體及絕緣體在能帶上的說法中，正確的是（B）。（A）在絕緣體中，電子填滿了全部的能帶（B）在0K下，半導體中能帶的填充狀況及絕緣體是相同的（C）半導體中禁帶寬度比較大（D）絕緣體的禁帶寬度比較小19.在非本征半導體中，載流子（電子和空穴）的激發(fā)方式為（B）？（A）電（B）熱（C）磁（D）摻雜20．在P型半導體材料中，雜質能級被稱之為（C）。（A）施主能級（B）深陷阱能級（C）受主能級（D）淺陷阱能級21.對于自然界中鮮花的顏色，以下因素不起確定作用的是（B）。（A）太陽光的強弱（B）光的汲取（C）光的反射（C）光的透射22.下列有關載流子遷移率的說法，錯誤的是（C）（A）遷移率的大小反映了施加電場影響載流子運動的強度（B）對于某一特定材料，遷移率由平均自由時間確定（C）輕摻雜材料中，晶格振動散射對遷移率的影響可以忽視（D）非輕摻雜材料中，高溫時晶格振動散射是影響遷移率的主要因素23.下列關于半導體材料中費米能級位置的正確的說法是（B）（A）P型半導體中，費米能級靠近導帶（B）在熱平衡下，PN結兩邊的半導體具有同一條費米能級（C）N型半導體中，費米能級靠近價帶（D）在外加電壓下，PN結兩邊的半導體具有同一條費米能級24.下列半導體對光的汲取作用中，汲取波長位于本征汲取波長閾值短波側的是（D）。（A）激子汲取（B）自由載流子汲?。–）雜質汲?。―）基質汲取25.高溫下半導體材料中的雜質已完全電離，此時若上升溫度，則材料的電阻率的變化趨勢是（C）。（A）上升（B）不變（C）下降（D）先上升后下降26.紅寶石激光器屬于（A）固體激光器B.氣體激光器C.液體激光器D.染料激光器27.半導體激光器的縮寫是（B）LEDB.LDC.LCDD.ELD28.下列激光器屬于氣體激光器的是（B）摻釹釔鋁石榴石激光器B.Ar+激光器C.GaAs半導體激光器D.光解離碘原子化學激光器29.激光及一般光源最大的區(qū)分在于（D）A.方向性好B.相干性好C.單色性好D.光子簡并度高30.下列不屬于勻稱加寬的類型是（B）A.碰撞加寬B.晶格缺陷加寬C.晶格振動加寬D.壓力加寬31.哪種物質不是固體激光器常用的工作物質？（B）A．紅寶石B.摻鋱釔鋁榴石C.釹玻璃D.摻釹釔鋁石榴石32.下列的激光器中哪一個是氣體激光器？（C）A.紅寶石激光器B.F-P激光器C.He-Ne激光器D.DFB激光器33.固體激光器及其他激光器相比的主要優(yōu)點是？（D）輸出光束的質量好輸出能量大，峰值功率高功耗低,轉換效率高重量輕,體積小34.下列哪種激光器可以應用于光盤存貯？（B）A.光纖激光器B.半導體激光器C.CO2激光器D.染料激光器35.在光纖通信中最常用的激光器是？（C）A.光纖激光器B.光纖激光器C.半導體激光器D.固體激光器LED光源在汽車高位剎車燈上的應用主要是利用了發(fā)光二極管（C）的特點。A,供電電壓小B,對環(huán)境污染小C,響應時間短D,穩(wěn)定性好37.LED光源在志向狀況下的發(fā)光壽命約為（B）。A,小時B,100000小時C,50000小時D,1000小時38.下列哪一個不是高功率GaN基LED器件在藍寶石襯底上生長的限制因素（C）。A,兩種材料的晶格失配率和不同的熱脹系數B,高的位錯密度和應力殘存C,對生長環(huán)境的溫度要求很高D,藍寶石差的導熱性39.下列哪一個不是垂直結構LED相對于水平結構的優(yōu)勢（D）。A,避開了對LED器件表面的刻蝕B,提高了載流子的注入效率C,增大了器件的出光面積D,減小了對樣品邊緣的損傷40.以YAG固體激光光源的Micro-area激光剝離技術及傳統(tǒng)的KrF激光剝離技術相比，優(yōu)勢在于（A）。A,光斑能量呈現高斯分布B,具有高的轉換效率C,壽命長D,譜線窄41.現階段熒光OLED期間電子空穴發(fā)生耦合是在（C）層陰極B,陽極C,發(fā)光層D,傳導電子發(fā)光層42,及熒光相比，下列有關磷光的說法不正確的是(A)：A,磷光的波長較熒光更長B,磷光的壽命比熒光長C,磷光是由三重態(tài)躍遷到基態(tài)是所發(fā)出的光D,磷光的衰減劇烈的受溫度影響43.下列哪一項不能作為OLED的陰極材料：（D）A低功函數金屬 B鎂鋁合金C鋰鋁合金D金屬Ni,Au,Pt44.選擇發(fā)光材料時下列哪項不是應當滿意的條件（B）A．高量子效率的熒光特性，熒光光譜主要成分分布400-700nm可見光區(qū)域B．高量子效率的磷光特性，磷光光譜主要成分分布400-700nm可見光區(qū)域C．能夠獲得較高的電致發(fā)光效率和亮度D．好的成膜特性，在幾十納米的薄層中不產生針孔45.下面屬于OLED顯示器時的優(yōu)勢描述中哪一項是錯誤的（C）A.技術優(yōu)勢——無輻射，超輕薄(可達1毫米以下)，松軟顯示，屏幕可卷曲B.適應性強——能在-45℃～80℃正常顯示C.成本優(yōu)勢——OLED制造工藝比較簡單，批量生產時的成本要比LCD至少節(jié)約20%D.節(jié)能性強——利用背光源，因而更加節(jié)約能源46．N型半導體的多數載流子是（A）：A:電子，B：空穴，C：電子和空穴，D：聲子47．存在外場時對電流有貢獻的是（A）：A：導帶，B：價帶，C：禁帶，D：導帶和價帶48．以下屬于固態(tài)照明的是（C）：（1）白熾燈，（2）節(jié)能燈，（3）蠟燭A：（1）,（2），B：（2）,（3），C:（1）,（3）,D：（1）,（2）,（3）49．下列不屬于LED交通信號燈的優(yōu)點的是（D）：A,沒有強的反射，B,光直射下也足以辨別信號，C,效率高，D,發(fā)光功率大50.光明環(huán)境下人的視覺對555nm的綠光最靈敏，在這個波長上，1W光能能夠產生多少lm的光度（A）？A.100lmB.200lmC.95lmD.50lm51.下面哪一個不是電光電轉換器件（D）。光耦B,光電隔離器C,光電耦合器D,光纖耦合器52.光電耦合器有如下的幾個應用，除了（D）。A,組成開關電路B,酒店的電卡C,邏輯電路組成D光路的分路53．CCD的感光范圍是：（A,B）。（多選）A,可見光B,紅外光C紫外光D,X射線54．下列哪一項不是CCD的特點：（B）。A,體積小B,功率高C,牢靠性高D,壽命長55．如下為CCD電荷轉移的示意圖，那么正確的電荷轉移的順序是（B）。abcdeA,a-d-b-e-cB,c-a-d-e-bC,b-a-d-e-cD,d-c-a-e-b56.下列關于硅制備的說法錯誤的是（B）A硅的制備主要是在電弧爐中用碳還原石英砂而成B經過還原,提純和精煉后得到的硅被稱為冶金級硅C多晶硅錠通過單晶拉制變?yōu)閱尉Ч鐳單晶硅太陽能電池是目前發(fā)展最成熟的太陽能電池技術57.以下對多晶硅的描述正確的是BA多晶硅的光學,電學性質比單晶硅優(yōu)良B制造多晶硅碇的主要方法是熔化澆鑄技術C多晶硅由晶面取向相同的晶粒結合而成D多晶硅制造成本高于單晶硅58.關于多元化合物太陽能電池的描述錯誤的是（A）A大多數已經產業(yè)化B砷化鎵電池的理論效率遠高于硅光電池C硒光電池的光電轉換效率低D多元化合物電池指不是用單一元素半導體材料制成的電池以下對國內太陽能產業(yè)現狀的描述錯誤的是（C）A國內生產的太陽能電池產品90％靠出口B我國太陽能資源較豐富的地區(qū)為西部地區(qū)C我國多晶硅生產基地和太陽能光伏產業(yè)基地主要分布在西部地區(qū)D國內生產太陽能的核心技術主要靠進口對比幾種不同材質的太陽能電池，正確的是（C）A單晶硅太陽能電池成本較低B非晶硅電池成本較低C多晶硅電池轉換效率比單晶硅電池高D砷化鎵電池耐溫性比硅光電池差61.目前全球光伏市場中，哪個國家占據最大份額（C）A．德國B.美國C.西班牙D.日本62.下列對太陽能特點的描述中，對于其開發(fā)利用不利的是（D）A．用之不盡B.資源豐富C.無污染D.分散性63.到達地球的太陽輻射能主要去向是（B）A．短波的直接反射B.直接轉化為熱能C.用于光合作用D.被人類利用64.太陽能的優(yōu)點之一是許久，那么太陽能可以維持多久（B）A．6×109年B.6×1010年C.6×1011年D.6×1012年65.由于太陽光光譜的能量分布較寬，為了使不同波長的光都能被太陽能電池有效汲取，可實行的對應措施是（D）A.表面制絨減少反射B.聚光太陽能電池C.追日系統(tǒng)D疊層太陽能電池66.下面哪一個不是液晶顯示方式（C）A．反射式B．透射式C.背射式D.投影式67.液晶顯示和等離子體顯示作為平板顯示技術，都具有重量輕,無閃耀,無輻射,圖象逼真,畫質細膩等諸多優(yōu)點，但下面性能中液晶顯示要強于等離子體顯示的是（A）A.亮度B.對比度C.色調數D.響應速度68.下面那一項不屬于熱致液晶（D）近晶相向列相膽甾相螺距相69.顯示用的液晶都是一些有機化合物，液晶分子的形態(tài)呈棒狀很像“雪茄煙”，其長和寬的尺寸量級是（D）。A．厘米B.毫米C．微米D．納米70.等離子顯示技術的成像原理是在顯示屏上排列上千個密封的小低壓氣體室，通過電流激發(fā)使其發(fā)出（A），該光碰擊后面玻璃上的紅,綠,藍3色熒光體發(fā)出肉眼能看到的可見光，以此成像。A.紫外光B.紅外光C.可見光D.復色光71．下面屬于本征型電致發(fā)光的是（A）A.ACELB.LCDC.LEDD.OLED72．德斯垂效應應用在下面哪種發(fā)光器件中（A）A.ACELB.DCELC.ACTFELD.DCTFEL73．我們平常用的MP3，MP4播放器的屏幕用的是哪種器件（D）A.LEDB.OLEDB.LCDD.液晶顯示屏74．LED顯示器的響應時間為（A）A．毫秒級B.微秒級C.納秒級D.飛秒級

填空題1.金剛石及石墨烯均是由碳構成的共價化合物，但由于二者的電子雜化類型分別為____sp3_____和___sp2_____雜化，因而表現出截然不同的性質。2.離子晶體中陰陽離子的極化實力差別較大，其中_____陰離子_____易于被極化而主極化實力較低，____陽離子_____主極化實力較強而被極化程度較低。3.光電二極管需在反向偏壓下工作，其原理是增加_耗盡區(qū)禁帶___的寬度，以提高光敏二極管的靈敏度。4.激光器的激活物質通過受激放射產生激光，就物質的形態(tài)而言，其可以是____氣體_____,___固體____和____液體_____。5.在光輻照下，不勻稱半導體或半導體及金屬組合的不同部位之間會產生電位差，其產生的機制為____側向光電效應_____,____光電磁效應______和_______勢壘效應___________。6.某一半導體材料的禁帶寬度為2.2電子伏特，則該本征汲取的長波極限為_564.7_____納米。7.原子軌道構成有效的分子軌道須滿意三個條件，即___能級高低相近______,___軌道最大重疊______和_____對稱性匹配______。8.高效率太陽能電池的設計必須要對頂端電極進行優(yōu)化，其目的是為了使__載流子_______造成的損耗降到最低。9.光譜學中常常用光譜項來表示原子所處狀態(tài)。當兩激發(fā)態(tài)的光譜項分別寫為32D5/2和32P3/2時，其對應的四個量子數n,L,S,J分別為__321/25/2______和___311/23/2_______。10.即便在沒有外界影響的狀況下，原子的汲取譜線也會發(fā)生寬化，這種譜線的寬化稱為___自然加寬____，其緣由是由于_____處于同一狀態(tài)的原子，所具有的能量有小的差別，譜線有肯定的寬度________________。11.分子軌道理論模型的建立假定了三個近似，它們分別是____單原子近似___,_____波思近似______和____非相對論近似___________12.分子軌道中，能量高于原子軌道的是___反鍵_____軌道，能量等于原子軌道是__非鍵____軌道。13.同核雙原子分子F2的分子軌道順序為__a1s<a*1s<a2s<a*2s<a2pz<pi2px=pi2Py<pi*2px_______________________________________。14.紅外光譜是鑒定分子官能團和化學鍵的常用分析手段，但對于偶極矩__不變_____的分子則不適用，對此應用__拉曼_____光譜來測定。15.晶體的宏觀對稱性確定了晶體中旋轉軸n不可能出現5及大于6的軸次，但是分子的對稱性則不同，這表現為軸次為___5及大于6______的旋轉軸的出現。16.等大球體進行緊密積累時，理論的最大空間利用率是___74.5%_____，其對應的緊密積累方式是___六方最緊密積累和立方最緊密積累________________________。17．離子晶體中離子半徑是指離子的__有效_____半徑，它通常是依據大量晶體測定的陰陽離子半徑和進行比較分析得到，資料上稱之可希密德為_____________半徑。18.已知[Cu(NH3)4]2+絡合物形成過程中，Cu2+原子軌道發(fā)生了dsp2雜化，則該絡合物分子的空間構型為____指向正方形頂角的平面分布______。19.依據能帶理論，在布里淵區(qū)旁邊，能帶底部電子能量及波矢的關系是___向上彎曲的拋物線____________。20.利用Mooser-Pearson閱歷公式來推斷材料是否可作半導體材料時，知道材料的___化學成分_______和____晶格結構_______即可。21.本征半導體的電導率對溫度和電導率敏感：隨著溫度上升，電導率___呈指數增加_____;隨禁帶寬度越變寬，電導率_越小______。22.描述彩色的三個基本參數是___色調_____,__亮度_______和____飽和度________。23.在間接帶隙半導體中，電子由價帶頂躍遷到導帶底時，須要同時汲取或放射__聲子______，以補償電子準動量的變化。24.在光電放射過程中，電子首先汲取光子由__基態(tài)______躍遷到__能量高于基態(tài)的激發(fā)態(tài)_________，然后在受激地點及其他電子（或晶格）發(fā)生碰撞而到達材料表面，最終需克服對電子的束縛而從表面逸出。25.光生伏特效應是指光照使不勻稱半導體或半導體及金屬組合的不同部位之間產生電位差的現象，其產生的機制主要有____側向光電效應___________,___光電磁效應_____________和____勢壘效應______________。無輻射躍遷是以聲子的形式進行能量的轉移。27.當受激輻射大于受激汲取的時候，物質對外表現為光放大；當受激輻射小于受激汲取時候，物質對外表現為光汲取。28.形成激光的兩個基本條件是：激活介質處于粒子數反轉分布狀態(tài)，滿意光振蕩的閾值條件。29.激光器的基本結構：工作物質，諧振腔，激勵源。30．受激輻射產生的光的特點是：方向性好，相干性好，單色性好。31.激光加工分為激光熱加工和光化學反應加工兩類。32.激光器按工作方式區(qū)分可分為連續(xù)型和脈沖型。33.激光器依據諧振腔類型可分為__穩(wěn)態(tài)腔_______,____非穩(wěn)腔__________和______臨界腔__________。34.眼科手術中常常采納的是飛秒激光器。35.光纖通信中最常用的激光器波長是86013101550。36.LED的相應時間為____納秒____量級。37.LED光源相比一般光源的特點是：________,________,________,________,________。（請說出至少5種）供電電壓小,效能高,適用性強,穩(wěn)定性高,響應時間短,對環(huán)境污染小,顏色齊全,價格較高38.為了解決高功率GaN基LED器件藍寶石襯底的熱導瓶頸問題，我們可以采納________或__________材料作為襯底。（金屬或Si）39．Micro-area激光剝離技術由于激光剝離瞬時的高溫以及應力釋放將會引起________的增加。（反向漏電）40．改善Micro-area激光剝離技術反向漏電問題的一個較好方案是____________________。（增加LED器件的厚度）41．發(fā)光的方式有許多，但依據余輝的長短可將發(fā)光大致分成__熒光_____和___磷光____兩類.42.白光OLED結構分為___多重發(fā)光層結構______和____多摻雜發(fā)光層結構__兩種類型43.磷光OLED器件結構中，有機板開始依次分為基板,陽極,空穴傳輸層,發(fā)光層,__阻擋層_______,傳導電子發(fā)光層，空穴的傳遞會被阻隔到該層及發(fā)光層之間增加了空穴在界面的濃度，從而增加了電子空穴在發(fā)光層發(fā)生復合的幾率。44.在OLED器件中，限制兩端電極注入電流的大小就可以調整發(fā)光的強弱，而所發(fā)出光的顏色不同則是因為____發(fā)光層材料成分不同______45.有機電致發(fā)光過程的三個基本步驟是________,_______和________?？昭ê碗娮拥淖⑷腚姾稍谕獠侩妶龅尿寗酉聜鬏旊娮?空穴復合形成一激發(fā)子（或者是載流子的注入,載流子的運輸,載流子的復合。）注：重點為講到注入,傳輸,復合。46.獲得白光LED的方法有:白色多芯片(MC)LED和熒光粉轉換(PC)LED47.高壓鈉燈用作街道照明的光源而不用來做室內照明的緣由是效率低，顯色性差48.舉出你活動的環(huán)境中，能夠看到的兩種固態(tài)的照明器件：LED,OLED49．熒光粉轉換形白光LED發(fā)光效率的理論上限是：270lm/W。50.固態(tài)照明技術的最終目標是通用照明。51．CCD的突出特點是以__電荷_作為信號，其基本功能是電荷的__存儲和電荷的____轉移______。52．光電耦合器主要由______發(fā)光源____,__受光器__兩部分組成，分別實現_電—光轉換__,光—電轉換_功能。53．請說出至少三個光電耦合器的主要參數_輸入參數（即LED的參數）_,_輸出參數（光電流,飽和壓降）_,傳輸參數（電流比CTR,隔離電阻RISO,極間耐壓UISO）。54．構成CCD的基本單元是MOS(金屬—氧化物—半導體)結構，其結構圖是以下哪一個？（A）。AB