磁控濺射制備Ge納米點(diǎn)的研究的開題報(bào)告

磁控濺射制備Ge納米點(diǎn)的研究的開題報(bào)告一、選題背景和意義納米材料是當(dāng)前材料科學(xué)研究的熱點(diǎn)之一，具有廣泛的應(yīng)用前景。其中，納米點(diǎn)由于其直徑在1-10nm的范圍內(nèi)，具有量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng)等獨(dú)特性質(zhì)，因此表現(xiàn)出比大尺寸材料更優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)特性。磁控濺射技術(shù)是制備納米點(diǎn)的有效方法之一，通過在真空環(huán)境下將靶材濺射到基底上，可以制備不同材料的納米點(diǎn)。其中，Ge納米點(diǎn)是一種常見的材料，其具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，被廣泛用于光電器件、太陽能電池等領(lǐng)域。因此，本文旨在探究磁控濺射制備Ge納米點(diǎn)的方法及其制備參數(shù)對納米點(diǎn)附著和形態(tài)的影響，并分析其光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，為納米點(diǎn)的制備提供參考。二、研究內(nèi)容和方案2.1研究內(nèi)容本研究主要包括以下內(nèi)容：（1）磁控濺射制備Ge納米點(diǎn)的方法；（2）不同制備參數(shù)（如氣壓、基底溫度、濺射功率等）對Ge納米點(diǎn)形態(tài)和附著性質(zhì)的影響；（3）通過掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）等技術(shù)對Ge納米點(diǎn)形態(tài)進(jìn)行表征；（4）通過紫外可見光譜儀（UV-Vis）、熒光光譜儀等技術(shù)對Ge納米點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究；（5）通過電學(xué)測試儀等設(shè)備對Ge納米點(diǎn)的導(dǎo)電性進(jìn)行測量。2.2研究方案（1）制備Ge納米點(diǎn)：使用磁控濺射技術(shù)，在真空環(huán)境下將Ge靶材濺射到Si基底上，控制濺射功率、氣壓、基底溫度等參數(shù)，制備Ge納米點(diǎn)。（2）SEM、TEM表征：使用SEM、TEM等技術(shù)對Ge納米點(diǎn)的形態(tài)進(jìn)行表征，觀察其分布情況、形態(tài)大小等。（3）光學(xué)性質(zhì)研究：使用UV-Vis、熒光光譜儀等設(shè)備對Ge納米點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究，觀察吸收光譜、熒光光譜等。（4）電學(xué)性質(zhì)測試：使用電學(xué)測試儀等設(shè)備對Ge納米點(diǎn)的導(dǎo)電性進(jìn)行測量，觀察其導(dǎo)電性能。三、預(yù)期成果通過本次研究，預(yù)期獲得以下成果：（1）成功制備Ge納米點(diǎn)，并探究制備參數(shù)對納米點(diǎn)形態(tài)和附著性質(zhì)的影響；（2）使用SEM、TEM等技術(shù)對Ge納米點(diǎn)的形態(tài)進(jìn)行表征，觀察其分布情況、形態(tài)大小等；（3）使用UV-Vis、熒光光譜儀等設(shè)備對Ge納米點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行研究，觀察吸收光譜、熒光光譜等；（4）使用電學(xué)測試儀等設(shè)備對Ge納米點(diǎn)的導(dǎo)電性進(jìn)行測量，觀察其導(dǎo)電性能。四、參考文獻(xiàn)[1]ZhangJ.etal.MagnetronsputteringdepositionofnanostructuredGefilmswithlow-temperaturecrystallization.JMaterSci.2014;49(4):1784-1791.[2]WangD.etal.PhotoluminescenceofGenanocrystalsembeddedina-SiNx:Hfilmfabricatedwithlow-pressurechemicalvapordeposition.JLumin.2008;128(2):196-199.[3]AchouriM.etal.Formationofgermaniumquantumdotsbypulsedlaserablationinwater:Optimizationoflaserparametersforhigh