數(shù)字電路基礎(chǔ)

關(guān)于數(shù)字電路基礎(chǔ)

教學(xué)要求1.了解二極管、晶體管ROM的基本結(jié)構(gòu)和存儲單元結(jié)構(gòu)；會用ROM實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。2.熟悉RAM的結(jié)構(gòu)和操作過程；了解RAM的擴展方式。第2頁,共13頁，2024年2月25日，星期天7.1概述

半導(dǎo)體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件。按存儲功能分只讀存儲器（ROM）隨機存儲器（RAM）按制造工藝分雙極性MOS型第3頁,共13頁，2024年2月25日，星期天7.2只讀存儲器（ROM)優(yōu)點：電路結(jié)構(gòu)簡單，斷電后數(shù)據(jù)不丟失，具有非易失性。缺點：只適用于存儲固定數(shù)據(jù)的場合。電路結(jié)構(gòu)ReadOnlyMemory第4頁,共13頁，2024年2月25日，星期天只讀存儲器分類：掩膜ROM：出廠后內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)不能改動，只能讀出。PROM：可編程，只能寫一次。EPROM:用紫外線擦除，擦除和編程時間較慢，次數(shù)也不宜多。E2PROM:電信號擦除，擦除和寫入時需要加高電壓脈沖，擦、寫時間仍較長?？扉W存儲器(FlashMemory)：吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡單，編程可靠的優(yōu)點，又保留了E2PROM用隧道效應(yīng)擦除的快捷特性，集成度可作得很高。第5頁,共13頁，2024年2月25日，星期天7.3隨機存儲器（RAM)優(yōu)點：讀、寫方便,使用靈活。缺點：一旦停電所存儲的數(shù)據(jù)將隨之丟失（易失性）?；窘Y(jié)構(gòu)：地址譯碼器、存儲矩陣和讀\寫控制電路構(gòu)成。RandomAccessMemory...P368圖7.3.2第6頁,共13頁，2024年2月25日，星期天7.4存儲容量的擴展字線位線存儲容量＝字?jǐn)?shù)×位數(shù)存儲容量＝22×4＝4×4地址輸入端數(shù)據(jù)輸出端第7頁,共13頁，2024年2月25日，星期天位擴展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。第8頁,共13頁，2024年2月25日，星期天字?jǐn)U展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。第9頁,共13頁，2024年2月25日，星期天7.5用存儲器實現(xiàn)組合邏輯函數(shù)例7.5.2試用ROM產(chǎn)生如下一組多輸出邏輯函數(shù)第10頁,共13頁，2024年2月25日，星期天解：化為最小項之和的形式：第11頁,共13頁，2024年2月25日，星期天第12頁,共13頁，