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低溫等離子體介紹低溫等離子體介紹根本概念以及光子。其中的負(fù)電荷總數(shù)等于正電荷總數(shù),所以叫等離子體。等離子體的分類1、按等離子體焰溫度分:等離子體的分類1、按等離子體焰溫度分:高溫等離子體:溫度相當(dāng)于108~109K完全電離的等離子體,如太陽、受控?zé)岷司圩兊入x子體。低溫等離子體:熱等離子體:稠密高壓〔1大氣壓以上〕,溫度103~105K,如電弧、高頻和燃燒等離子體。冷等離子體:電子溫度高〔103~104K〕、氣體溫度低,如淡薄低壓輝光放電等離子體、電暈放電等離子體、DBD介質(zhì)阻擋放電等離子體、索梯放電等離子體等。2、按等離子體所處的狀態(tài):。如常壓下的電弧放電等離子體和高頻感應(yīng)等離子體。非平衡等離子體:低氣壓下或常壓下,電子溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于氣體溫度的等離DCDBD介質(zhì)阻擋放電等產(chǎn)生的冷等離子體。什么是低溫〔冷〕等離子體?0100→液態(tài)→氣態(tài)三種物態(tài)的轉(zhuǎn)?(plasma)來,我們可以把等離子體定義為:正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。星斗又都是高溫的完全電離等離子體。據(jù)印度天體物理學(xué)家沙哈(M·Saha,1893-1956)的計(jì)算,宇宙中的99.9%106〔單位:個(gè)/m3〕1025的電弧放電等離子體,20100K的低溫到超高溫核聚變等離子108-109K〔1~10億度〕eV(electronvolt)是等離子體領(lǐng)域中常用的溫度單位,1eV=11600K。通常,等離子體中存在電子、正離子和中性粒子(包括不帶電荷的粒子如原子或分子以及原子團(tuán))ne,ni,nn,由于準(zhǔn)電中性,ne≈nnβ=ne/(ne+nn),以此來衡量等離子體的電離程度。日冕、核聚變中的高溫等離子體的電離度都是100%β=11%(β≥10-2)(β<10-3,稱之為弱電離等離子體。假設(shè)放電是在接近于大氣壓的高氣壓條件下進(jìn)展,那么電子、離子、中性粒子會(huì)通過劇烈碰撞而充分交換動(dòng)能,從而使等離子體到達(dá)熱平衡狀態(tài)。假設(shè)電子、離子、Te,Ti,Tn,我們把這三種粒子的溫度近似相等(Te≈Ti≈Tn)的熱平衡等離子體稱為熱等離子體(thermalplasma)出的等離子體呈噴射狀,可稱為等離子體炬(plasmajet)或等離子體噴焰(plasmatorch)等。與離子或中性粒子的碰撞過程中幾乎不損失能量,所以有Te>>Ti,Te>>Tn。我們把這樣的等離子體稱為低溫等離子體(coldplasma)低溫等離子體也可以通過不產(chǎn)生熱效應(yīng)的短脈沖放電模式如電暈放電〔coronadischarge)、介質(zhì)阻擋放電(DielectricBarrierDischarge,DBD)或滑動(dòng)電弧放電(GlideArcDischargeorPlasmaArc)來生成。大氣壓下的輝光放電技術(shù)目前也在高氣壓下等離子體的輸運(yùn)特性的爭論也剛剛起步,現(xiàn)已形成的爭論熱點(diǎn)。低溫等離子體的產(chǎn)生方法電暈放電介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體的產(chǎn)生方法電暈放電介質(zhì)阻擋放電電暈放電(CoronaDischarge)過程中的早期進(jìn)展階段。碰撞電離后,電子被驅(qū)往遠(yuǎn)離尖端電極的空間,并形成負(fù)離子,在靠近電極外表則(arc)將反響器做成非對(duì)稱(asymmetric)的電極形式〔如以下圖所示〕電暈放電反響器的設(shè)計(jì)主要參考電源的性質(zhì)而有所不同(DCcorona)和脈沖式(pulsedcorona)物體在大地電場作用下的電暈放電是參與大氣電平衡的重要環(huán)節(jié)的電暈放電可促進(jìn)海洋中有機(jī)物的生成放電形式之一。針對(duì)不同應(yīng)用目的爭論,電暈放電是具有重要意義的技術(shù)課題。介質(zhì)阻擋放電(DielectricBarrierDischarge,DBD)介質(zhì)阻擋放電(DBD)是有絕緣介質(zhì)插入放電空間的一種非平衡態(tài)氣體放電又稱104~10650Hz1MHz。電極構(gòu)造的設(shè)計(jì)形式多種多樣。在兩個(gè)放電電極之間布滿某種工作氣體,并將其中一個(gè)或兩個(gè)電極用絕緣介質(zhì)掩蓋,也可以將介質(zhì)直接懸掛在放電空間或承受顆粒狀的介金屬薄膜及板材的改性、接枝、外表張力的提高、清洗和親水改性中。介質(zhì)阻擋放電通常是由正弦波型(sinusoidal)的溝通(alternatingcurrent,AC)高壓,即會(huì)由絕緣狀態(tài)(insulation)漸漸至擊穿(breakdown)最終發(fā)生放電。當(dāng)供給的的漸漸提高,反響區(qū)域中的電子也隨之增加,但未到達(dá)反響氣體的擊穿電壓(breakdownvoltage;avalanchevoltage)時(shí),兩電極間的電場比較低無法供給電撞而大量增加,當(dāng)空間中的電子密度高于一臨界值時(shí)及帕邢(Paschen)擊穿電壓時(shí),便產(chǎn)生許多微放電絲(microdischarge)導(dǎo)通在兩極之間,同時(shí)系統(tǒng)中可明顯觀看到發(fā)光(luminous)的現(xiàn)象此時(shí),電流會(huì)隨著施加的電壓提高而快速增加。在介質(zhì)阻擋放電中,當(dāng)擊穿電壓超過帕邢(Paschen)擊穿電壓時(shí),大量隨機(jī)分布發(fā)出接近蘭色的光。近看,則由大量呈現(xiàn)細(xì)絲狀的微小快脈沖放電構(gòu)成。只要電極間的氣隙均勻,則放電是均勻、漫散和穩(wěn)定的。這些微放電是由大量快脈沖電0.1~0.3mm,放電持續(xù)時(shí)間極短,約為10~100ns,但電流密度卻可高達(dá)0.1~1kA/cm2,每個(gè)電流細(xì)絲就是一個(gè)微放電,在介質(zhì)表功率、頻率和介質(zhì)的不同而有所轉(zhuǎn)變。如用雙介質(zhì)并施加足夠的功率時(shí),電暈放電會(huì)表現(xiàn)出“無絲狀”、均勻的蘭色放電,看上去像輝光放電但卻不是輝光放電。的氣體環(huán)境其放電的顏色是不同的。20
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