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文檔簡介

半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷

實際半導(dǎo)體晶格偏離理想情況雜質(zhì)缺陷原子在平衡位置附近振動雜質(zhì)和缺陷原子的周期性勢場受到破壞在禁帶中引入能級決定半導(dǎo)體的物理和化學(xué)性質(zhì)雜質(zhì)：半導(dǎo)體中存在的與本體元素不同的其它元素。缺陷點缺陷，如空位、間隙原子等線缺陷，如位錯等面缺陷，如層錯、晶粒間界等SiP●

Li雜質(zhì)出現(xiàn)在半導(dǎo)體中時，產(chǎn)生的附加勢場使嚴(yán)格的周期性勢場遭到破壞。雜質(zhì)能級位于禁帶之中EcEv雜質(zhì)能級

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