A電路專業(yè)英語翻譯

PART1ElectricalandElectronicEngineeringBasics

UNIT1AElectricalNetworks3

BThree-phaseCircuits

UNIT2ATheOperationalAmplifier5

BTransistors

UNIT3ALogicalVariablesandFlip-flop8

BBinaryNumberSystem

UNIT4APowerSemiconductorDevices11

BPowerElectronicConverters

UNIT5ATypesofDCMotors15

BClosed-loopControlofDCDrivers

UNIT6AACMachines-19

BInductionMotorDrive

UNIT7AElectricPowerSystem22

BPowerSystemAutomation

PART2ControlTheory

UNIT1ATheWorldofControl27

BTheTransferFunctionandtheLaplaceTransformation29

UNIT2AStabilityandtheTimeResponse30

BSteadyState31

UNIT3ATheRootLocus32

BTheFrequencyResponseMethods:NyquistDiagrams33

UNIT4ATheFrequencyResponseMethods:BodePlots34

BNonlinearControlSystem37

UNIT5AIntroductiontoModernControlTheory38

BStateEquations40

UNIT6AControllability,Observability,andStability

BOptimumControlSystems

UNIT7AConventionalandIntelligentControl

BArtificialNeuralNetwork

PART3ComputerControlTechnology

UNIT1AComputerStructureandFunction42

BFundamentalsofComputerandNetworks43

UNIT2AInterfacestoExternalSignalsandDevices44

BTheApplicationsofComputers46

UNIT3APLCOverview

BPACsforIndustrialControl,theFutureofControl

UNIT4AFundamentalsofSingle-chipMicrocomputer49

BUnderstandingDSPandItsUses

UNIT5AAFirstLookatEmbeddedSystems

BEmbeddedSystemsDesign

PART4ProcessControl

UNIT1AAProcessControlSystem50

BFundamentalsofProcessControl52

UNIT2ASensorsandTransmitters53

BFinalControlElementsandControllers

UNIT3APControllersandPIControllers

BPIDControllersandOtherControllers

UNIT4AIndicatingInstruments

BControlPanels

PART5ControlBasedonNetworkandInformation

UNIT1AAutomationNetworkingApplicationAreas

BEvolutionofControlSystemArchitecture

UNIT2AFundamentalIssuesinNetworkedControlSystems

BStabilityofNCSswithNetwork-inducedDelay

UNIT3AFundamentalsoftheDatabaseSystem

BVirtualManufacturing一AGrowingTrendinAutomation

UNIT4AConceptsofComputerIntegratedManufacturing

BEnterpriseResourcesPlanningandBeyond

PART6SyntheticApplicationsofAutomaticTechnology

UNIT1ARecentAdvancesandFutureTrendsinElectricalMachineDrivers

BSystemEvolutioninIntelligentBuildings

UNIT2AIndustrialRobot

BAGeneralIntroductiontoPatternRecognition

UNIT3ARenewableEnergy

BElectricVehicles

UNIT1

A電路

電路或電網(wǎng)絡(luò)由以某種方式連接的電阻器、電感器和電容器等元件組成。如果網(wǎng)絡(luò)不包含能

源，如電池或發(fā)電機，那么就被稱作無源網(wǎng)絡(luò)。換句話說，如果存在一個或多個能源，那么

組合的結(jié)果為有源網(wǎng)絡(luò)。在研究電網(wǎng)絡(luò)的特性時，我們感興趣的是確定電路中的電壓和電流。

因為網(wǎng)絡(luò)由無源電路元件組成，所以必須首先定義這些元件的電特性.

就電阻來說，電壓-電流的關(guān)系由歐姆定律給出，歐姆定律指出：電阻兩端的電壓等于電阻

上流過的電流乘以電阻值。在數(shù)學上表達為：u=iR(1TAT)式中u二電壓，伏特；i二電流,

安培；R二電阻，歐姆。

純電感電壓由法拉第定律定義，法拉第定律指出：電感兩端的電壓正比于流過電感的電流隨

時間的變化率。因此可得到：U=Ldi/dt式中di/dt=電流變化率，安培/秒；L二感應(yīng)

系數(shù)，享利。

電容兩端建立的電壓正比于電容兩極板上積累的電荷q。因為電荷的積累可表示為電荷增

量dq的和或積分，因此得到的等式為"，式中電容量C是與電壓和電荷相關(guān)的比例

常數(shù)。由定義可知，電流等于電荷隨時間的變化率，可表示為1=（14/孔。因此電荷增量dq

等于電流乘以相應(yīng)的時間增量，或dq=idt,那么等式（1-1A-3）可寫為式中C=電容

量，法拉。

歸納式（1TAT）、（1-1A-2）和（1TA-4）描述的三種無源電路元件如圖1TAT所示。注意，

圖中電流的參考方向為慣用的參考方向，因此流過每一個元件的電流與電壓降的方向一致。

有源電氣元件涉及將其它能量轉(zhuǎn)換為電能，例如，電池中的電能來自其儲存的化學能，發(fā)

電機的電能是旋轉(zhuǎn)電樞機械能轉(zhuǎn)換的結(jié)果。

有源電氣元件存在兩種基本形式：電壓源和電流源。其理想狀態(tài)為：電壓源兩端的電壓恒定，

與從電壓源中流出的電流無關(guān)。因為負載變化時電壓基本恒定，所以上述電池和發(fā)電機被認

為是電壓源。另一方面，電流源產(chǎn)生電流，電流的大小與電源連接的負載無關(guān)。雖然電流源

在實際中不常見，但其概念的確在表示借助于等值電路的放大器件，比如晶體管中具有廣泛

應(yīng)用。電壓源和電流源的符號表示如圖1TA-2所示。

分析電網(wǎng)絡(luò)的一般方法是網(wǎng)孔分析法或回路分析法。應(yīng)用于此方法的基本定律是基爾霍夫第

一定律，基爾霍夫第一定律指出：一個閉合回路中的電壓代數(shù)和為0,換句話說，任一閉合

回路中的電壓升等于電壓降。網(wǎng)孔分析指的是：假設(shè)有一個電流一一即所謂的回路電流一一

流過電路中的每一個回路，求每一個回路電壓降的代數(shù)和，并令其為零.

考慮圖1-1A-3a所示的電路，其由串聯(lián)到電壓源上的電感和電阻組成，假設(shè)回路電流i,

那么回路總的電壓降為因為在假定的電流方向上，輸入電壓代表電壓升的方向，所以輸電

壓在（1-1A-5）式中為負。因為電流方向是電壓下降的方向，所以每一個無源元件的壓降為

正。利用電阻和電感壓降公式，可得等式（1TA-6）是電路電流的微分方程式。

或許在電路中，人們感興趣的變量是電感電壓而不是電感電流。正如圖1TAT指出的用積

分代替式（1TA-6）中的i,可得1-1A-7

B三相電路

三相電路不過是三個單相電路的組合。因為這個事實，所以平衡三相電路的電流、電壓和功

率關(guān)系可通過在三相電路的組合元件中應(yīng)用單相電路的規(guī)則來研究。這樣看來，三相電路比

單相電路的分析難不了多少。使用三相電路的原因在單相電路中，功率本身是脈動的。在功

率因數(shù)為1時，單相電路的功率值每個周波有兩次為零。當功率因數(shù)小于1時，功率在每個

周波的部分時間里為負。雖然供給三相電路中每一相的功率是脈動的，但可證明供給平

衡三相電路的總功率是恒定的?；诖?，總的來說三相電氣設(shè)備的特性優(yōu)于類似的單相電氣

設(shè)備的特性。三相供電的機械和控制設(shè)備與相同額定容量的單相供電的設(shè)備相比：體積小，

重量輕，效率高。除了三相系統(tǒng)提供的上述優(yōu)點，三相電的傳輸需要的銅線僅僅是同樣功率

大小單相電傳輸所需銅線的3/4o三相電壓的產(chǎn)生三相電路可由三個頻率相同在時間相位上

相差1200電角度的電動勢供電。這樣的三相正弦電動勢如圖1-1B-1所示。這些電動勢由

交流發(fā)電機的三套獨立電樞線圈產(chǎn)生，這三套線圈安裝在發(fā)電機電樞上，互相之間相差

120°電角度。線圈的頭尾可以從發(fā)電機中全部引出，組成三個獨立的單相電路。然而一般

線圈無論在內(nèi)部或在外部均會相互連接，形成三線或四線三相系統(tǒng)。連接三相發(fā)電機線圈有

兩種方法，一般來說，把任何類型的裝置連接到三相電路也存在兩種方法。它們是星（Y）

形聯(lián)接和角（D）形聯(lián)接。大多數(shù)發(fā)電機是星（Y）形聯(lián)接，但負載可以是星（Y）形聯(lián)接或

角（D）形聯(lián)接。星（Y）形聯(lián)接發(fā)電機的電壓關(guān)系圖1TB-2a表示發(fā)電機的三個線圈

或相繞組。這些繞組在電樞表面上是按它們產(chǎn)生的電動勢在時間相位上相差120°分布的。

每一個線圈的兩端均標有字母S和F（起始和終結(jié)）。圖1TB-2a中，所有標有S的線圈端

連接到一個公共點N,三個標有F的線圈端被引出到接線端A、B和C,形成三相三線電源。

這種聯(lián)接形式被稱為Y形聯(lián)接。中性聯(lián)接經(jīng)常被引出接到接線板上，如圖1TB-2a的虛線

所示，形成三相四線系統(tǒng)。交流發(fā)電機每相產(chǎn)生的電壓被稱為相電壓（符號為Ep）?如果

中性聯(lián)接從發(fā)電機中引出，那么從任一個接線端A、B或C到中性聯(lián)接N間的電壓為相電

壓。三個接線端A、B或C中任意兩個間的電壓被稱為線到線的電壓，或簡稱線電壓（符

號為EL）。三相系統(tǒng)的三相電壓依次出現(xiàn)的順序被稱為相序或電壓的相位旋轉(zhuǎn)。這由發(fā)電

機的旋轉(zhuǎn)方向決定，但可以通過交換發(fā)電機外的三條線路導線中的任意兩條（不是一條線路

導線和中性線）來改變相序。將三相繞組排列成如圖l-lB-2b所示的丫形有助于丫形聯(lián)接電

路圖的繪制。注意，圖1-1B-2b所示的電路與圖1-1B-2a所示的電路完全一樣，在每一種情

況下，連接到中性點的每一個線圈的S端和F端都被引出到接線板。在畫出所有的接線點都

標注了字母的電路圖后，繪制的相量圖如圖1TB-2c所示。相量圖可顯示相隔120°的三

相電壓請注意在圖1TB-2中每一個相量用帶有兩個下標的字母表示。這兩個下標字

母表示電壓的兩個端點，字母順序表示在正半周時電壓的相對極性。例如，符號表

示點A和N間的電壓，在其正半周，A點相對于N點為正。在所示的相量圖中，已假定在正

半周時發(fā)電機接線端相對于中性線為正。因為電壓每半周反一次相，所以我們也可規(guī)定在電

壓的正半周A點相對于N點為負，但對每一相的規(guī)定要一樣。要注意到，如果是在電壓的正

半周定義A點相對于N的極性（），那么在用于同一相量圖中時就應(yīng)

該畫得同相反，即相位差為180°Y形聯(lián)接發(fā)電機的任意兩個接線端間的電壓

等于這兩個接線端相對于中性線間的電位差。例如，線電壓等于A接線端相對于中

性線間的電壓（）減去B接線端相對于中性線間的電壓（）。為了

從中減去，必需將反相，并把此相量加到上。相

量和幅值相等，相位相差60。，如圖1-1B-2c所示。由圖形可以看出

通過幾何學可以證明等于1.73乘以（）或（）。圖形結(jié)構(gòu)如相量圖所

示。因此，在對稱丫形聯(lián)接中星（Y）形聯(lián)接發(fā)電機的電流關(guān)系從發(fā)電機接線端A、B和C

（圖1TB-2）流到線路導線的電流必定從中性點N中流出，并流過發(fā)電機線圈。因此流過每

一條線路導線的電流（）必定等于與其相連接的相電流（）。在丫形聯(lián)接中

IL=IP

UNIT2

A運算放大器

運算放大器像廣義放大器這樣的電子器件存在的一個問題就是它們的增益AU或AI取決于雙

端口系統(tǒng)（m、b、RI、Ro等）的內(nèi)部特性。器件之間參數(shù)的分散性和溫度漂移給設(shè)計工作增

加了難度。設(shè)計運算放大器或Op-Amp的目的就是使它盡可能的減少對其內(nèi)部參數(shù)的依賴性、

最大程度地簡化設(shè)計工作。運算放大器是一個集成電路，在它內(nèi)部有許多電阻、晶體管等元

件。就此而言，我們不再描述這些元件的內(nèi)部工作原理。

運算放大器的全面綜合分析超越了某些教科書的范圍。在這里我們將詳細研究一個例子，然

后給出兩個運算放大器定律并說明在許多實用電路中怎樣使用這兩個定律來進行分析。這兩

個定律可允許一個人在沒有詳細了解運算放大器物理特性的情況下設(shè)計各種電路。因此，運

算放大器對于在不同技術(shù)領(lǐng)域中需要使用簡單放大器而不是在晶體管級做設(shè)計的研究人員

來說是非常有用的。在電路和電子學教科書中，也說明了如何用運算放大器建立簡單的濾波

電路。作為構(gòu)建運算放大器集成電路的積木一晶體管，將在下篇課文中進行討論。

理想運算放大器的符號如圖1-2A-1所示。圖中只給出三個管腳：正輸入、負輸入和輸出。

讓運算放大器正常運行所必需的其它一些管腳，諸如電源管腳、接零管腳等并未畫出。在實

際電路中使用運算放大器時，后者是必要的，但在本文中討論理想的運算放大器的應(yīng)用時則

不必考慮后者。兩個輸入電壓和輸出電壓用符號U+、U-和Uo表示。每一個電壓均指的是

相對于接零管腳的電位。運算放大器是差分裝置。差分的意思是：相對于接零管腳的輸出電

壓可由下式表示（1-2A-1）式中A是運算放大器的增益，U+和U-是輸入電壓。換句

話說，輸出電壓是A乘以兩輸入間的電位差。

集成電路技術(shù)使得在非常小的一塊半導體材料的復(fù)合“芯片”上可以安裝許多放大器電

路。運算放大器成功的一個關(guān)鍵就是許多晶體管放大器“串聯(lián)”以產(chǎn)生非常大的整體增益。

也就是說，等式（1-2人-1）中的數(shù)人約為100,000或更多（例如，五個晶體管放大器串聯(lián)，每

一個的增益為10,那么將會得到此數(shù)值的A）。第二個重要因素是這些電路是按照流入每

一個輸入的電流都很小這樣的原則來設(shè)計制作的。第三個重要的設(shè)計特點就是運算放大器的

輸出阻抗（R。）非常小。也就是說運算放大器的輸出是一個理想的電壓源。

我們現(xiàn)在利用這些特性就可以分析圖1-2A-2所示的特殊放大器電路了。首先，注意到在正

極輸入的電壓U+等于電源電壓，即U+=Us。各個電流定義如圖1-2A-2中的b圖所示。對

圖1-2A-2b的外回路應(yīng)用基爾霍夫定律，注意輸出電壓Uo指的是它與接零管腳之間的電

位，我們就可得到因為運算放大器是按照沒有電流流入正輸入端和負輸入端的原則制作的，

即1-=0。那么對負輸入端利用基爾霍夫定律可得H=12,利用等式（1-2A-2）,并設(shè)II

=12=1,UO=（RI+R2）I（1-2A-3）根據(jù)電流參考方向和接零管腳電位為零伏特的事

實，利用歐姆定律，可得負極輸入電壓U-：因此U-=IR1,并由式（1-2A-3）可得：

因為現(xiàn)在已有了U+和U-的表達式,所以式（1-2AT）可用于計算輸出電壓，

綜合上述等式，可得：最后可得：這是電路的增

益系數(shù)。如果A是一個非常大的數(shù)，大到足夠使ARI?（RI+R2）,那么分式的分母主要由

AR1項決定，存在于分子和分母的系數(shù)A就可對消，增益可用下式表示這表明

（l-2A-5b）,如果A非常大，那么電路的增益與A的精確值無關(guān)并能夠通過R1和R2的選擇

來控制。這是運算放大器設(shè)計的重要特征之在信號作用下，電路的動作僅取決于能

夠容易被設(shè)計者改變的外部元件，而不取決于運算放大器本身的細節(jié)特性。注意，如果

A=100,000,而（RI+R2）/Rl=10,那么為此優(yōu)點而付出的代價是用一個具有100,000倍電

壓增益的器件產(chǎn)生一個具有10倍增益的放大器。從某種意義上說，使用運算放大器是以

“能量”為代價來換取“控制”。

對各種運算放大器電路都可作類似的數(shù)學分析，但是這比較麻煩，并且存在一些非常有用的

捷徑，其涉及目前我們提出的運算放大器兩個定律應(yīng)用.

1）第一個定律指出：在一般運算放大器電路中，可以假設(shè)輸入端間的電壓為零，也就是說,

2）第二個定律指出：在一般運算放大器電路中，兩個輸入電流可被假定為零：1+=1-=0

第一個定律是因為內(nèi)在增益A的值很大。例，如果運算放大器的輸出是IV,并且A=100,000,

那么這是一個非常小、可以忽略的數(shù)，因此可設(shè)U+=U-。第二個定律來自于運算放大器的

內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)使得基本上沒有電流流入任何一個輸入端。

B晶體管

簡單地說，半導體是這樣一種物質(zhì)，它能夠通過“摻雜”來產(chǎn)生多余的電子，又稱自由電子

（N型）；或者產(chǎn)生“空穴”，又稱正電荷（P型）。由N型摻雜和P型摻雜處理的錯或硅

的單晶體可形成半導體二極管，它具有我們描述過的工作特性。晶體管以類似的方式形成，

就象帶有公共中間層、背靠背的兩個二極管，公共中間層是以對等的方式向兩個邊緣層滲入

而得，因此中間層比兩個邊緣層或邊緣區(qū)要薄的多。PNP或NPN（圖1-2B-1）這兩種結(jié)構(gòu)顯

然是可行的。PNP或NPN被用于描述晶體管的兩個基本類型。因為晶體管包含兩個不同極性

的區(qū)域（例如“P”區(qū)和“N”區(qū)），所以晶體管被叫作雙向器件，或雙向晶體管因此晶體管

有三個區(qū)域，并從這三個區(qū)域引出三個管腳。要使工作電路運行，晶體管需與兩個外部電壓

或極性連接。其中一個外部電壓工作方式類似于二極管。事實上，保留這個外部電壓并去掉

上半部分，晶體管將會象二極管一樣工作。例如在簡易收音機中用晶體管代替二極管作為檢

波器。在這種情況下，其所起的作用和二極管所起的作用一模一樣?？梢越o二極管電路加正

向偏置電壓或反向偏置電壓。在加正向偏置電壓的情況下，如圖1-2B-2所示的PNP晶體管，

電流從底部的P極流到中間的N極。如果第二個電壓被加到晶體管的頂部和底部兩個極之間，

并且底部電壓極性相同，那么，流過中間層N區(qū)的電子將激發(fā)出從晶體管底部到頂部流過的

電流。在生產(chǎn)晶體管的過程中，通過控制不同層的摻雜度，經(jīng)過負載電阻流過第二個電路電

流的導電能力非常顯著。實際上，當晶體管下半部為正向偏置時，底部的P區(qū)就像一個取之

不竭的自由電子源（因為底部的P區(qū)發(fā)射電子，所以它被稱為發(fā)射極）。這些電子被頂部P

區(qū)接收，因此它被稱為集電極，但是流過這個特定電路實際電流的大小由加到中間層的偏置

電壓控制，所以中間層被稱為基極。因此，當晶體管外加電壓接連正確（圖1-2B-3）后工

作時，實際上存在兩個獨立的“工作”電路。一個是由偏置電壓源、發(fā)射極和基極形成的回

路，它被稱為基極電路或輸入電路；第二個是由集電極電壓源和晶體管的三個區(qū)共同形成的

電路，它被稱為集電極電路或輸出電路。（注意：本定義僅適用于發(fā)射極是兩個電路的公共

端時一一被稱為共發(fā)射極連接。）這是晶體管最常見的連接方式，但是，當然也存在其它兩

種連接方法一一共基極連接和共集電極連接。但是在每一種情況下晶體管的工作原理是相

同的。本電路的特色是相對小的基極電流能控制和激發(fā)出一個比它大得多的集電極電流（或

更恰當?shù)卣f，一個小的輸入功率能夠產(chǎn)生一個比它大得多的輸出功率）.換句話說，晶體管

的作用相當于一個放大器。在這種工作方式中，基極-發(fā)射極電路是輸入側(cè)；通過基極的發(fā)

射極和集電極電路是輸出側(cè)。雖然基極和發(fā)射極是公共路徑，但這兩個電路實際上是獨立的，

就基極電路的極性而言，基極和晶體管的集電極之間相當于一個反向偏置二極管，因此沒有

電流從基極電路流到集電極電路。要讓電路正常工作，當然，加在基極電路和集電極電路的

電壓極性必須正確（基極電路加正向偏置電壓，集電極電源的連接要保證公共端（發(fā)射極）

的極性與兩個電壓源的極性相同）。這也就是說電壓極性必須和晶體管的類型相匹配。在上

述的PNP型晶體管中，發(fā)射極電壓必須為正。因此，基極和集電極相對于發(fā)射極的極性為

負。PNP型晶體管的符號在發(fā)射極上有一個指示電流方向的箭頭，總是指向基極。（在PNP

型晶體管中，“P”代表正）。在NPN型晶體管中，工作原理完全相同，但是兩個電源的極

性正好相反（圖1-2B-4）。也就是說，發(fā)射極相對于基極和集電極來說極性總是負的（在

NPN型晶體管中，“N”代表負）.這一點也可以從NPN型晶體管符號中發(fā)射極上相反方向

的箭頭看出來，即，電流從基極流出。雖然現(xiàn)在生產(chǎn)的晶體管有上千種不同的型號，但晶

體管各種外殼形狀的數(shù)量相對有限，并盡量用一種簡單碼一一TO（晶體管外形）后跟一個數(shù)

字為統(tǒng)一標準。T01是一種最早的晶體管外殼一一即一個在底部帶有三個引腳的圓柱體“外

罩”，這三個引腳在底部形成三角狀。觀看底部時，“三角形”上面的管腳是基極，其右面

的管腳（由一個彩色點標出）為集電極，其左面的管腳為發(fā)射極。集電極引腳到基集引腳的

間距也許比發(fā)射極到基集引腳的間距要大。在其它TO外殼中，三個引腳可能有類似的三角

形形狀（但是基極、集電極和發(fā)射極的位置不一定相同），或三個引腳排成一條直線。使人

容易搞亂的問題是同一TO號碼的子系列產(chǎn)品其管腳位置是不一樣的。例如，T092的三個

管腳排成一條直線，這條直線與半圓型“外罩”的切面平行，觀看T092的底部時，將切面

沖右，從上往下讀，管腳的排序為1,2,3。（注otherwisecircular"can"中的otherwise

譯為不同的，特殊的。在這里“特殊的圓形外罩”指的應(yīng)該是普通的圓柱體“外罩”在圓平

面上畫一條小于等于直徑的弦，沿軸線方向切入后形成的半或大半圓柱體，切入后形成的剖

面就是文中說的aflatside,這也是現(xiàn)在很常見的一種晶體管外殼。）對T092子系

列a（T092a）:1=發(fā)射極2=集電極3=基極對T092子系列b（T092b）:1=發(fā)

射極2=基3=集電極更容易使人搞亂的是一些晶體管只有兩個管腳（第三個管腳已在里邊和

外殼連接）；一些和晶體管的外形很像的外殼底部有三個以上的管腳。實際上，這些都是集

成電路（ICs）,用和晶體管相同的外殼包裝的，只是看起來像晶體管。更復(fù)雜的集成電路（ICs）

用不同形狀的外殼包裝，例如平面包裝。根據(jù)外殼形狀非常容易識別功率晶體管。它們是金

屬外殼，帶有延長的底部平面，底部平面上還有兩個安裝孔。功率晶體管只有兩個管腳（發(fā)

射極和基極），通常會標明。集電極在內(nèi)部被連接到外殼上，因此，與集電極的連接要通過

一個裝配螺栓或外殼底面。

UNIT3

A邏輯變量與觸發(fā)器

邏輯變量我們討論的雙值變量通常叫做邏輯變量，而象或和與這樣的操作被稱為邏輯操作。

現(xiàn)在我們將簡要地討論一下這些術(shù)語之間的關(guān)聯(lián)，并在此過程中，闡明用標示“真”和

“假”來識別一個變量的可能值的特殊用途。

舉例說明，假設(shè)你和兩個飛行員在一架空中航行的飛機中，你在客艙中，而飛行員A和B

在駕駛員座艙中。在某一時刻，A來到了你所在的客艙中，你并不擔心這種變化。然而，假

設(shè)當你和A在客艙時，你抬頭發(fā)現(xiàn)B也已經(jīng)來到了你所在的客艙中?；谀愕倪壿嬐评砟?/p>

力，你將會推斷飛機無人駕駛；并且，大概你已聽到了警報，以致使駕駛員之一將迅速對此

緊急情況作出響應(yīng)。

換句話說，假設(shè)每一位飛行員座位下面有一個電子裝置，當座位上有人時，其輸出電壓為

VI,當座位上無人時，其輸出電壓為V2?，F(xiàn)在我們用“真”來代表電壓V2,從而使電壓VI

表示“假”。讓我們進一步制作一個帶有兩個輸入端和一個輸出端的電路，此電路的特性是：

只要兩個輸入，即一個輸入同時和另一個輸入相與，結(jié)果為V2時，輸出電壓才是V2。否則，

輸出是VI。最后，讓我們把輸入和飛行員A和B座位下的裝置聯(lián)結(jié)起來，并安裝一個與輸

出Z相連的警鈴，當輸出是V2（“真”）時響應(yīng)，否則不響應(yīng)。這樣，我們已創(chuàng)建了一個執(zhí)

行與操作的電路，這個電路能完成當兩個駕駛員確實都離開駕駛艙時飛機是無人駕駛的邏輯

推斷。

概括一下，情形如下：符號A、B和Z代表命題

A=飛行員A已離開座位為真（T）

B=飛行員B已離開座位為真（T）

Z=飛機無人駕駛，處于危險狀況時為真（T）

當然，、和分別代表相反的命題。例如，代表的命題是當飛行員離開駕駛

艙等時為假（F）,以此類推。命題間的關(guān)系可寫為Z=AB（1-3AT）我們已

經(jīng)選擇用電壓來表示邏輯變量A、B和Z。但是必須注意，實際上式（1-3A-1）是命題間

的關(guān)系，與我們選擇的表示命題的確切方式無關(guān)，甚至可以說與我們具有的任何物理表示形

式無關(guān)。式（「3A-1）指出，如果命題A和B都為真，那么命題Z就為真，否則命題Z為假。

式（1-3AT）是一個例子，這種命題代數(shù)被稱為布爾代數(shù)。和其它處理有數(shù)字意義的變量一樣，

布爾代數(shù)處理的是命題，而且布爾代數(shù)對于分析僅有兩個互反變量的命題之間的關(guān)系是一種

有效的工具。

SR觸發(fā)器

圖1-3AT給出的一對交叉連接的或非門電路被稱為觸發(fā)器。其有一對輸入端S和R,分別

代表“置位”和“復(fù)位”。我們不僅用符號S和R標明端點，而且指定端點的邏輯電平。

因此，通常S=1指的是對應(yīng)于邏輯電平為1的電壓出現(xiàn)在S端。相似的，輸出端和相應(yīng)的

輸出邏輯電平為Q和。使用這樣的符號時，我們已經(jīng)明確了一個事實，即在我們下

面將看到的符號操作中，輸出的邏輯電平是互補的。

觸發(fā)器基本的、最重要的特性是其具有“記憶”功能。也就是說，設(shè)置S和R目前的邏輯

電平為0和0,根據(jù)輸出的狀態(tài)，即可確定S和R在其獲得當前電平之前的邏輯電平。

術(shù)語

為方便銜接下面的討論內(nèi)容，介紹一些常見的術(shù)語，這有助于了解邏輯系統(tǒng)設(shè)計師中慣用的

觀點。

在與非和或非門（以及與和或門）中，當用其來達到我們的設(shè)計意圖時，我們能夠任意

選擇一個輸入端，并把其看成是使能-失效輸入，因此可考慮或非或或門。如果被選的一個

輸入為邏輯1,那么門電路的輸出與所有的其它輸入無關(guān)。這個被選的輸入可控制門電路，

其它所有輸入相對于這個門電路是失效的（術(shù)語“抑制”的同義詞為“失效”）。相反，如

果被選輸入為邏輯0,那么它不能控制門電路，門電路能夠響應(yīng)其它輸入。在與非或與門中，

當被選輸入為邏輯0時，此輸入控制并截止門電路，因為一個輸入為邏輯0,那么門電路的

輸出不能響應(yīng)其它輸入。注意一方面是或非門和或門間的區(qū)別，另一方面是與非門和與門

間的區(qū)別。在第一種情況下，當控制輸入轉(zhuǎn)為邏輯1時，其可獲得門電路的控制；在第二種

情況下，當控制輸入轉(zhuǎn)為邏輯。時，其可獲得門電路的控制。

在數(shù)字系統(tǒng)中，普遍的觀點是把邏輯0看成一個基本的、無干擾的、穩(wěn)定的、靜止的狀態(tài)，

把邏輯1看成激勵的、活躍的、有效的狀態(tài)，就是說，這種狀態(tài)是發(fā)生在某種操作動作之后。

因此，當作用已產(chǎn)生時，其傾向?qū)⑹嵌x最后的狀態(tài)作為對某邏輯變量已轉(zhuǎn)為1的響應(yīng)。當

“無操作發(fā)生”時，邏輯變量為邏輯0。類似地，如果作用將通過邏輯變量的變化產(chǎn)生，

那么最好是以這樣的方式定義有關(guān)的邏輯變量，即當邏輯變量轉(zhuǎn)為邏輯1時達到此效果。在

我們對觸發(fā)器的討論中，將看到持有此種觀點的例子

B二進制數(shù)字系統(tǒng)

概述大約在1850年由喬治?布爾提出的代數(shù)學中，變量僅允許具有兩個值，真或假，通常

被寫為1和0,對這些變量的代數(shù)運算是與、或和非。在1938年，香農(nóng)認識到了此代數(shù)形

式和電氣開關(guān)系統(tǒng)功能間的相似之處，在這種開關(guān)中存在有通-斷兩種狀態(tài)的器件。布爾代

數(shù)的推理過程由充當邏輯電路的開關(guān)完成。已有大量集成電路可完成脈沖信號的邏輯操作，

這些脈沖信號采用二進制數(shù)字系統(tǒng),并利用電子器件的關(guān)斷和導通作為二進制系統(tǒng)的兩種狀

態(tài)。二進制數(shù)字系統(tǒng)和其它代碼為了用晶體管直接計算十進制數(shù)，要求晶體管認識這10個

狀態(tài)0、1、…、9,此操作要求的精度是電子器件并不具備的。將導通和關(guān)斷作為工作狀態(tài),

這樣的裝置可以在兩態(tài)即二進制系統(tǒng)中運行，因此數(shù)字計算機中的內(nèi)部操作一般采用二進制

系統(tǒng)。在十進制系統(tǒng)中，基數(shù)或底數(shù)為10,小數(shù)點左邊或右邊的每一個位都表示其權(quán)重增

加或減少10的一次累。在二進制系統(tǒng)中，底數(shù)為2,二進制小數(shù)點左邊或右邊的位具有的

權(quán)重以2的哥次增加或減少。數(shù)字可被編碼為兩個電平的脈沖串，通常標為1或0,如圖

1-3BT所示。l-3B-lb中的脈沖序列能夠譯為：二進制：1'25+0'24+1'23+0'22+1'2

1+1'20=101011十進制：32+0+8+0+2+1=43

相反，在把十進制數(shù)43轉(zhuǎn)換為二進制形式的過程中，可使其連續(xù)被2除。每一次除后所得

余數(shù)0或1即是二進制數(shù)的位數(shù)。十進制數(shù)43的轉(zhuǎn)化過程：等價于十進制數(shù)43的二進制數(shù)

為101011。雖然二進制數(shù)僅需兩個信號電平，這種簡化的獲得是以附加的位數(shù)為代價的。

在以r為底數(shù)的數(shù)制中表示n位十進制數(shù)，需要m位。其中等式右邊是一個整數(shù)，或選擇

下一個較大的整數(shù)。對于一個10位的十進制數(shù)，可得m=33.2,因此必須使用34位二進制

數(shù)。二進制位叫作比特。寫為0.1101的二進制小數(shù)意味著0.1101=1,2-1+112-2+012

-3+1,2-4=1/2+1/4+0+1/16二進制數(shù)0.1101表示為十進制數(shù)=0.500+

0.250+0.062=0.812小于1的十進制數(shù)的轉(zhuǎn)換可通過連續(xù)乘2獲得。對于結(jié)果在小數(shù)點

左邊為1的每一步，記錄二進制數(shù)1.然后繼續(xù)計算所得十進制數(shù)的小數(shù)部分。對于結(jié)果在

小數(shù)點左邊為0的每一步，記錄二進制位0,然后繼續(xù)計算。把十進制數(shù)0.9375轉(zhuǎn)化為二

進制數(shù)，運算如下：等價于十進制數(shù)0.9375的二進制數(shù)可寫為0.11110。最高位是第一個

獲得的二進制位，放置在二進制小數(shù)點的右邊。十進制數(shù)0到15的二進制等值表為：給出

一串正脈沖和負脈沖，或正脈沖和零，或者零和負脈沖來表示二進制的1和。時，就會有許

多這些脈沖可以傳遞的碼。計算機輸入最常見的碼就是BCD碼，每一個十進制數(shù)需要四個脈

沖或二進制數(shù)。用此種代碼，每一個十進制位轉(zhuǎn)化為其二進制等值數(shù)如上表所示，也就是說,

十進制數(shù)827用BCD碼表示為100000100111計算機通過算術(shù)運算，

能夠容易地把此類輸入轉(zhuǎn)化為純二進制形式。解碼器也能夠把BCD碼轉(zhuǎn)化為十進制形式。BCD

碼在傳輸中不需附加位的情況下，能夠擴大到十進制數(shù)15,成為十六進制碼，通常使用字

母a、b、L、f來表示10到15。在某些計算機操作中應(yīng)用的另一種碼是八進制或8為底

數(shù)的數(shù)制。采用的符號為0、1、2L、7,十進制數(shù)24可被寫為八進制數(shù)30(3'81+0'80)。

八進制數(shù)字的二進制譯碼僅需要BCD表中三個最小的有效位，八進制數(shù)30的二進制譯碼為

011000。因為十進制數(shù)24用純二進制形式可寫為11000，用八進制譯碼形式可寫為011000,

所以需要指出二進制數(shù)字轉(zhuǎn)換為八進制數(shù)字的簡易方法。以三個位為一組劃分二進制數(shù)，每

一組顯示為一個等值的八進制譯碼數(shù)，例如，十進制數(shù)1206以二進制表示為10010110110,

以三個位為一組，可得：二進制：010010110110八進制：2266八進制

數(shù)是2266。通過使用導電塊上的電刷，光學讀卡機或碼盤，經(jīng)常用格雷碼將角位移或直線

位移轉(zhuǎn)換為二進制數(shù)。由于組合誤差，不能同時變化兩個數(shù)位以免產(chǎn)生不確定性。設(shè)計的格

雷碼就是為了解決此問題，其在二進制數(shù)的每一步變換中，僅需變化一個位。此碼的一種形

式是其它一些碼被設(shè)計來降低傳輸誤差，在這些碼中將1變?yōu)椤；驅(qū)?變?yōu)?。通常，檢測

單一誤差的代碼可通過把檢驗位與原始碼相加獲得。合成碼將有偶數(shù)個或奇數(shù)個1,這些碼

被稱為偶數(shù)奇偶校驗碼或奇數(shù)奇偶校驗碼，例如0000的奇數(shù)奇偶校驗碼將是10000；在任

何位的誤差將使結(jié)果具有偶數(shù)個1,接收裝置將會進行校正。多重誤差可通過更為復(fù)雜的代

碼形式探測

UNIT4

A功率半導體器件

功率半導體器件構(gòu)成了現(xiàn)代電力電子設(shè)備的核心。它們以通-斷開關(guān)矩陣的方式被用于電力

電子轉(zhuǎn)換器中。開關(guān)式功率變換的效率更高?，F(xiàn)今的功率半導體器件幾乎都是用硅材料制造,

可分類如下：二極管晶閘管或可控硅雙向可控硅門極可關(guān)斷晶閘管雙極結(jié)型晶體管電力金屬

氧化物半導體場效應(yīng)晶體管靜電感應(yīng)晶體管絕緣柵雙極型晶體管金屬氧化物半導體控制的

晶閘管集成門極換向晶閘管二極管電力二極管提供不可控的整流電源，這些電源有很廣的應(yīng)

用，如：電鍍、電極氧化、電池充電、焊接、交直流電源變頻驅(qū)動。它們也被用于變換器和

緩沖器的回饋和慣性滑行功能。典型的功率二極管具有P-I-N結(jié)構(gòu)，即它幾乎是純半導體層

（本征層），位于P-N結(jié)的中部以阻斷反向電壓。圖1-4AT給出了二極管符號和它的伏安

特性曲線。在正向偏置條件下，二極管可用一個結(jié)偏置壓降和連續(xù)變化的電阻來表示，這樣

可畫出一條斜率為正的伏安特性曲線。典型的正向?qū)▔航禐?.0伏。導通壓降會引起導通

損耗，必須用合適的吸熱設(shè)備對二極管進行冷卻來限制結(jié)溫上升。在反向偏置條件下，由于

少數(shù)載流子的存在，有很小的泄漏電流流過，泄漏電流隨電壓逐漸增加。如果反向電壓超過

了臨界值，叫做擊穿電壓，二極管雪崩擊穿，雪崩擊穿指的是當反向電流變大時由于結(jié)功率

損耗過大造成的熱擊穿。電力二極管分類如下:標準或慢速恢復(fù)二極管快速恢復(fù)二極管肖特

基二極管晶閘管閘流管或可控硅一直是工業(yè)上用于大功率變換和控制的傳統(tǒng)設(shè)備。50年代

后期，這種裝置的投入使用開辟了現(xiàn)代固態(tài)電力電子技術(shù)。術(shù)語''晶閘管”來自與其相應(yīng)的

充氣管等效裝置，閘流管。通常，晶閘管是個系列產(chǎn)品的總稱，包括可控硅、雙向可控硅、

門極可關(guān)斷晶閘管、金屬氧化物半導體控制的晶閘管、集成門極換向晶閘管。晶閘管可分成

標準或慢速相控型，快速開關(guān)型，電壓回饋逆變器型。逆變器型現(xiàn)已淘汰。圖1-4A-2給出

了晶閘管符號和它的伏安特性曲線。基本上，晶閘管是一個三結(jié)P-N-P-N器件,器件內(nèi)P-N-P

和N-P-N兩個三極管按正反饋方式連接。晶閘管可阻斷正向和反向電壓（對稱阻斷）.當

陽極為正時，晶閘管可由一個短暫的正門極電流脈沖觸發(fā)導通；但晶閘管一旦導通，門極即

失去控制晶閘管關(guān)斷的能力。晶閘管也可由陽極過電壓、陽極電壓的上升率（dv/dt）、結(jié)

溫的上升、PN結(jié)上的光照等產(chǎn)生誤導通。在門電流IG=0時，如果將正向電壓施加到晶閘

管上，由于中間結(jié)的阻斷會產(chǎn)生漏電流；如果電壓超過臨界極限（轉(zhuǎn)折電壓），晶閘管進入

導通狀態(tài)。隨著門極控制電流IG的增加，正向轉(zhuǎn)折電壓隨之減少，最后，當門極控制電流

IG=IG3時，整個正向阻斷區(qū)消失，晶閘管的工作狀態(tài)就和二極管一樣了。在晶閘管的門極

出現(xiàn)一個最小電流，即阻塞電流，晶閘管將成功導通。在導通期間，如果門極電流是零并

且陽極電流降到臨界極限值以下，稱作維持電流，晶閘管轉(zhuǎn)換到正向阻斷狀態(tài)。相對反向電

壓而言，晶閘管末端的P-N結(jié)處于反向偏置狀態(tài)?，F(xiàn)在的晶閘管具有大電壓（數(shù)千伏）、

大電流（數(shù)千安）額定值。雙向可控硅雙向可控硅有復(fù)雜的復(fù)結(jié)結(jié)構(gòu)，但從功能上講，它是

在同一芯片上一對反并聯(lián)的相控晶閘管。圖1-4A-3給出了雙向可控硅的符號。在電源的正

半周和負半周雙向可控硅通過施加門極觸發(fā)脈沖觸發(fā)導通。在1+工作方式，T2端為正，雙

向可控硅由正門極電流脈沖觸發(fā)導通。在HI-工作方式，T1端為正，雙向可控硅由負門極電

流脈沖觸發(fā)導通雙向可控硅比一對反并聯(lián)的晶閘管便宜和易于控制，但它的集成結(jié)構(gòu)有一些

缺點。由于少數(shù)載流子效應(yīng)，雙向可控硅的門極電流敏感性較差，關(guān)斷時間較長。由于同樣

的原因，重復(fù)施加的dv/dt額定值較低，因此用于感性負載比較困難。雙向可控硅電路必

須有精心設(shè)計的RC沖器。雙向可控硅用于電燈的亮度調(diào)節(jié)、加熱控制、聯(lián)合型電機驅(qū)動、

50/60赫茲電源頻率的固態(tài)繼電器。門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管，顧名思義，是一

種晶閘管類型的器件。同其他晶閘管一樣，它可以由一個小的正門極電流脈沖觸發(fā)，但除此

之外，它還能被負門極電流脈沖關(guān)斷。GT0的關(guān)斷能力來自由門極轉(zhuǎn)移P-N-P集電極的電

流，因此消除P-N-P/N-P-N的正反饋效應(yīng)。GTO有非對稱和對稱電壓阻斷兩種類型，分別

用于電壓回饋和電流回饋變換器。GT0的阻斷電流增益定義為陽極電流與阻斷所需的負門

極電流之比，典型值為4或5,非常低。這意味著6000安培的GT0需要1,500安培的門極

電流脈沖。但是，脈沖化的門極電流和與其相關(guān)的能量非常小，用低壓電力M0S場效應(yīng)晶體

管提供非常容易。GT0被用于電機驅(qū)動、靜態(tài)無功補償器和大容量AC/DC電源。大容量GT0

的出現(xiàn)取代了強迫換流、電壓回饋的可控硅換流器。圖1-4A-4給出了GT0的符號。電力M0S

場效應(yīng)晶體管與以前討論的器件不同，電力M0S場效應(yīng)晶體管是一種單極、多數(shù)載流子、“零

結(jié)”、電壓控制器件。圖1-4A-5給出了N型MOS場效應(yīng)晶體管的符號如果柵極電壓為正并

且超過它的門限值，N型溝道將被感應(yīng)，允許在漏極和源極之間流過由多數(shù)載流子（電子）

組成的電流。雖然柵極阻抗在穩(wěn)態(tài)非常高，有效的柵一源極電容在導通和關(guān)斷時會產(chǎn)生一個

脈沖電流。MOS場效應(yīng)晶體管有不對稱電壓阻斷能力，如圖所示內(nèi)部集成一個通過所有的反

向電流的二極管。二極管具有慢速恢復(fù)特性，在高頻應(yīng)用場合下通常被一個外部連接的快速

恢復(fù)二極管旁路。雖然對較高的電壓器件來說，MOS場效應(yīng)晶體管處于導通時損耗較大,

但它的導通和關(guān)斷時間非常小，因而開關(guān)損耗小。它確實沒有與雙極性器件相關(guān)的少數(shù)載流

子存儲延遲問題。雖然在靜態(tài)MOS場效應(yīng)晶體管可由電壓源來控制，通常的做法是在動態(tài)由

電流源驅(qū)動而后跟隨一個電壓源來減少開關(guān)延遲。MOS場效應(yīng)晶體管在低壓、小功率和高

頻（數(shù)十萬赫茲）開關(guān)應(yīng)用等領(lǐng)域得到極其廣泛的應(yīng)用。譬如開關(guān)式電源、無刷直流電機、

步進電機驅(qū)動和固態(tài)直流繼電器。絕緣柵雙極型晶體管在20世紀80年代中期出現(xiàn)的絕緣柵

雙極型晶體管是功率半導體器件發(fā)展歷史上的一個重要里程碑。它們在中等功率（數(shù)千瓦到

數(shù)兆瓦）的電力電子設(shè)備上處處可見，被廣泛用于直流/交流傳動和電源系統(tǒng)。它們在數(shù)兆

瓦功率級取代了雙極結(jié)型晶體管，在數(shù)千瓦功率級正在取代門極可關(guān)斷晶閘管。IGBT基本

上是混合的MOS門控通斷雙極性晶體管，它綜合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它的結(jié)構(gòu)基本

上與MOSFET的結(jié)構(gòu)相似，只是在MOSFET的N+漏極層上的集電極加了一個額外的P+層。

IGBT有MOSFET的高輸入阻抗和像BJT的導通特性。如果門極電壓相對于發(fā)射極為正，P區(qū)

的N型溝道受到感應(yīng)。這個P-N-P晶體管正向偏置的基極一發(fā)射極結(jié)使IGBT導通并引起N

一區(qū)傳導性調(diào)制，這使得導通壓降大大低于MOSFET的導通壓降。在導通條件下，在IGBT的

等效電路中，驅(qū)動器MOSFET運送大部分的端子電流。由寄生N-P-N晶體管引起的與晶閘管

相似的阻塞作用通過有效地減少P+層電阻系數(shù)和通過MOSFET將大部分電流轉(zhuǎn)移而得到預(yù)

防。IGBT通過減小門極電壓到零或負電壓來關(guān)斷，這樣就切斷了P區(qū)的導通通道。IGBT比

BJT或MOSFET有更高的電流密度。IGBT的輸入電容（Ciss）比MOSFET的要小得多。還有，

IGBT的門極一集電極電容與門極一發(fā)射極電容之比更低，給出了改善的密勒反饋效應(yīng)。金

屬氧化物半導體控制的晶閘管金屬氧化物半導體控制的晶閘管（MCT）,正像名字所說的那樣，

是一種類似于晶閘管，通過觸發(fā)進入導通的混合器件，它可以通過在MOS門施加一個短暫

的電壓脈沖來控制通斷。MCT具有微單元結(jié)構(gòu),在那里同一個芯片上數(shù)千個微器件并聯(lián)連接。

單元結(jié)構(gòu)有點復(fù)雜。圖1-4A-7給出了MCT的符號。它由一個相對于陽極的負電壓脈沖觸

發(fā)導通，由一個相對于陽極的正電壓脈沖控制關(guān)斷。MCT具有類似晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu)，

在那里P-N-P和N-P-N兩個晶體管部件連接成正反饋方式。但與晶閘管不同的是MCT只有

單極（或不對稱）電壓阻斷能力。如果MCT的門極電壓相對于陽極為負，在P型場效應(yīng)晶

體管中的P溝道受到感應(yīng)，使N-P-N晶體管正向偏置。這也使P-N-P晶體正向偏置，由正

反饋效應(yīng)MCT進入飽和狀態(tài)。在導通情況下，壓降為1伏左右（類似于晶閘管）如果MCT的

門極電壓相對于陽極為正，N型場效應(yīng)晶體管飽和并將P-N-P晶體管的發(fā)射極-基極短路。

這將打破晶閘管工作的正反饋環(huán)，MCT關(guān)斷。關(guān)斷完全是由于再結(jié)合效應(yīng)因而MCT的關(guān)斷時

間有點長。MCT有限定的上升速率，因此在MCT變換器中必須加緩沖器電路。最近，MCT已

用于“軟開關(guān)”變換器中，在那不用限定上升速率。盡管電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，MCT的電流卻比電

力MOSFET>BJT和IGBT的大，因此它需要有一個較小的死區(qū)。1992年在市場上可見到MCT,

現(xiàn)在可買到中等功率的MCT。MCT的發(fā)展前景尚未可知。集成門極換向晶閘管集成門極換向

晶閘管是當前電力半導體家族的最新成員，由ABB在1997年推出。圖1-4A-8給出了IGCT的

符號?；旧希琁GCT是一個具有單位關(guān)斷電流增益的高壓、大功率、硬驅(qū)動不對稱阻塞的

GTO,這表示具有可控3,000安培陽極電流的4,500VIGCT需要3,000安培負的門極關(guān)斷電

流。這樣一個持續(xù)時間非常短、di/dt非常大、能量又較小的門極電流脈沖可以由多個并聯(lián)

的MOSFET來提供，并且驅(qū)動電路中的漏感要特別低。門驅(qū)動電路內(nèi)置在IGCT模塊內(nèi)。IGCT

內(nèi)有一對單片集成的反并聯(lián)二極管。導通壓降、導通時電流上升率di/dt、門驅(qū)動器損耗、

少數(shù)載流子存儲時間、關(guān)斷時電壓上升率dv/dt均優(yōu)于GTO。IGCT更快速的通斷時間使它

不用加緩沖器并具有比GTO更高的開關(guān)頻率。多個IGCT可以串聯(lián)或并聯(lián)用于更大的功率場

合。IGCT已用于電力系統(tǒng)連鎖電力網(wǎng)安裝（100兆伏安）和中等功率（最大5兆瓦）工業(yè)驅(qū)

動。

B電力電子變換器

電力電子變換器能將電力從交流轉(zhuǎn)換為直流（整流器），直流轉(zhuǎn)換為直流（斬波器），直流

轉(zhuǎn)換為交流（逆變器），同頻率交流轉(zhuǎn)換為交流（交流控制器），變頻率交流轉(zhuǎn)換為交流（周

波變換器）。它們是四種類型的電力電子變換器。變換器被廣泛用于加熱和燈光控制，交流

和直流電源，電化學過程，直流和交流電極驅(qū)動，靜態(tài)無功補償，有源諧波濾波等等。整流

器整流器可將交流轉(zhuǎn)換成直流。整流器可由二極管、可控硅、GTO、IGBT、IGCT等組成。

二極管和相控整流器是電力電子設(shè)備中份額最大的部分，它們的主要任務(wù)是與電力系統(tǒng)連

接。由于器件開通時損耗低，且其開關(guān)損耗幾乎可忽略不計，故該類整流器的效率很高，典

型值約為98%。但是，它們的缺點是在電力系統(tǒng)中產(chǎn)生諧波，對其他用戶產(chǎn)生供電質(zhì)量問

題。止匕外，晶閘管變換器給電力系統(tǒng)提供了一個滯后的低功率因數(shù)負載。二極管整流器是最

簡單、可能也是最重要的電力電子電路。因為功率只能從交流側(cè)流向直流側(cè)，所以它們是整

流器。最重要的電路配置包括單相二極管橋和三相二極管橋。常用的負載包括電阻性負載、

電阻-電感性負載、電容-電阻性負載。圖1MBT給出了帶RC負載的三相二極管橋式整流器。

逆變器逆變器是從一側(cè)接受直流電壓，在另一側(cè)將其轉(zhuǎn)換成交流電壓的裝置。根據(jù)應(yīng)用情況,

交流電壓和頻率可以是可變的或常數(shù)。逆變器可分成電壓源型和電流源型兩種。電壓源型逆

變器在輸入側(cè)應(yīng)有一個剛性的電壓源，即，電源的戴維南電路等效阻抗應(yīng)該為零。如果電源

不是剛性的，再輸入側(cè)可接一個大電容。直流電壓可以是固定的或可變的，可從電網(wǎng)或交流

發(fā)電機通過一個整流器和濾波器得到。電流注入或電流源型逆變器，像名字所表示的那樣，

在輸入側(cè)有一個剛性的直流電流源，與電壓源型逆變器需要一個剛性的電壓源相對應(yīng)。通過

串聯(lián)大電感，可變電壓源可以在電流反饋控制回路的控制下轉(zhuǎn)換為可變電流源。這兩種逆變

器都有著廣泛的應(yīng)用。它們使用的半導體器件可以是IGBT、電力MOSFET和IGCT等等。圖

1-4B-2給出了一種三相橋式電壓源型逆變器的常見電路。斬波器斬波器將直流電源轉(zhuǎn)換成

另一個具有不同終端參數(shù)的直流電源。它們被廣泛用于開關(guān)式電源和直流電機啟動。其中一

些斬波器，尤其是電源中的斬波器，有一個隔離變壓器。斬波器經(jīng)常在不同電壓的直流系統(tǒng)

中用作連接器。降壓和升壓斬波器是兩種基本的斬波器結(jié)構(gòu)。分別稱作Buck斬波器和Boost

斬波器。但是，要清楚降壓斬波器也是升流斬波器，反之亦然，因為輸入功率一定等于輸出

功率。降-升壓斬波器既可降壓也可升壓。所有這些斬波器在電路結(jié)構(gòu)上可有一、二、四象

限的變化。圖1-4B-3給出了降壓斬波器的電路結(jié)構(gòu)，它是一種電壓降、電流升斬波器。雙

位開關(guān)由電路開關(guān)S和二極管組成。開關(guān)S以1/Ts的頻率通斷，導通時間為T。電壓波形

如圖1-4B-4所示。因此平均輸出電壓為平均電流為D為占空比，變化范圍是Is為

直流電源輸出的平均電流。周波變換器周波變換器是一種變頻器，