化學(xué)人教版選修3學(xué)案34離子晶體

第四節(jié)離子晶體

［學(xué)習(xí)目標(biāo)］L通過(guò)模型了解離子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)并利用其結(jié)構(gòu)

特點(diǎn)解釋物理性質(zhì)。

2.結(jié)合圖片了解常見(jiàn)的離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。

3.了解晶格能的概念、意義及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響。

一、離子晶體

1.構(gòu)成離子晶體的粒子

構(gòu)成離子晶體的粒子是陽(yáng)離子和陰離子,粒子之間的相互作用是

離子鍵,這些粒子在晶體中不能(填“能”或“不能"，下同)自由移動(dòng),

所以離子晶體不能導(dǎo)電。

2.配位數(shù)

離子晶體中離子的配位數(shù)指一個(gè)離子周?chē)钹徑氖请娦噪x王的

數(shù)目。決定離子晶體中離子的配位數(shù)的因素有幾何因素、電荷因素、

鍵性因素。

⑴幾何因素是指晶體中正負(fù)離子的半徑比(r+")。它是決定離子

晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。

⑵電荷因素是指正負(fù)離子的電荷比。如在NaCl晶體中，每個(gè)Na

十周?chē)?個(gè)CF,每個(gè)CF周?chē)?個(gè)Na+。NaCl只是氯化鈉晶體的

化學(xué)式,在晶體中不存在單個(gè)氯化鈉分子，只有Na+和Clo在CsCl

晶體中，每個(gè)Cs+周?chē)幸矀€(gè)C「，每個(gè)C「周?chē)幸矀€(gè)Cs+。如果正

負(fù)離子的電荷不同,正負(fù)離子的仝數(shù)必定不相同，結(jié)果，正負(fù)離子的

配位數(shù)就不會(huì)相同。如在CaF2晶體中，Ca2+和F一的電荷比是21,

個(gè)數(shù)比是12,Ca2+的配位數(shù)為SF一的配位數(shù)為4。

⑶鍵性因素是指離子鍵的純粹程度。

3.特點(diǎn)

離子晶體硬度較大、難于壓縮、較高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)。

二、晶格能

1?概念

氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量,通常取正值。

2.影響晶格能大小的因素

(1)離子所帶電荷：離子所帶電荷越多,晶格能越大。

(2)離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。

3.晶格能的作用

晶格能直接反應(yīng)離子晶體的穩(wěn)定性。晶格能越大，形成的離子晶

體越穩(wěn)定,而且熔點(diǎn)越高，硬度越大。

知識(shí)點(diǎn)一離子晶體的組成和性質(zhì)

1.離子鍵

(1)定義：陰、陽(yáng)離子間通過(guò)靜電作用所形成的化學(xué)鍵叫做離子鍵。

⑵成鍵元素：活潑金屬元素(如K、Na、Ca、Ba等，主要是第IA

族和第HA族元素)和活潑非金屬元素(如F、CkBr、。等，主要是第

VIA族和第VDA族元素)相互結(jié)合時(shí)大多形成離子鍵。

⑶成鍵原因：活潑金屬原子容易失去電子而形成陽(yáng)離子，活潑非

金屬原子容易得到電子形成陰離子。當(dāng)活潑金屬遇到活潑非金屬時(shí)，

電子發(fā)生轉(zhuǎn)移，分別形成陽(yáng)、陰離子，再通過(guò)靜電作用形成離子鍵。

(4)離子鍵只存在于離子化合物中。

(5)強(qiáng)堿、活潑金屬氧化物、大多數(shù)鹽類(lèi)等是離子化合物。

2.離子晶體

(1)離子晶體是由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合而成的晶體。

(2)離子晶體微粒之間的作用力是離子鍵。由于靜電作用沒(méi)有方向

性，故離子鍵沒(méi)有方向性。只要條件允許，陽(yáng)離子周?chē)梢员M可能多

地吸引陰離子，同樣，陰離子周?chē)梢员M可能多地吸引陽(yáng)離子，故離

子鍵也沒(méi)有飽和性。根據(jù)靜電作用大小的影響因素可知，在離子晶體

中陰陽(yáng)離子半徑越小，所帶電荷數(shù)越多，離子鍵越強(qiáng)。

(3)離子晶體的化學(xué)式只表示晶體中陰陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比，而不是表

示分子的組成。

3.離子晶體的組成

①離子晶體由陰陽(yáng)離子組成，陰陽(yáng)離子間的作用力是離子鍵。

②離子晶體中不一定都含有金屬元素，如NH4cl是離子晶體。

③離子晶體中除離子鍵外不一定不含其他化學(xué)鍵，如：NaOH晶

體中還含有極性共價(jià)鍵，Na2O2晶體中還含有非極性共價(jià)鍵。

④由金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體，如：

A1CL是由金屬元素A1和非金屬元素C1組成的分子晶體，含有金屬離

子的晶體不一定是離子晶體，如：金屬晶體中含有金屬陽(yáng)離子。

4.離子晶體的性質(zhì)

（1）具有較高的熔沸點(diǎn)，難揮發(fā)

離子晶體中，陰、陽(yáng)離子間有強(qiáng)烈的相互作用（離子鍵），要克服離

子間的相互作用使物質(zhì)熔化和沸騰，就需要較多的能量。因此，離子

晶體具有較高的熔沸點(diǎn)和難揮發(fā)的性質(zhì)。一般說(shuō)來(lái)，陰、陽(yáng)離子的電

荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高，如

Al2O3>MgO；NaCDCsCl等。

⑵硬而脆

離子晶體中，陰、陽(yáng)離子間有較強(qiáng)的離子鍵，離子晶體表現(xiàn)出較

高的硬度。當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí)，部分離子鍵發(fā)生斷裂，導(dǎo)致晶

體破碎。

（3）導(dǎo)電性

離子晶體不導(dǎo)電，熔化或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中，離子鍵

較強(qiáng)，離子不能自由移動(dòng)，即晶體中無(wú)自由移動(dòng)離子，離子晶體不導(dǎo)

電。當(dāng)升高溫度時(shí)，陰、陽(yáng)離子獲得足夠能量克服離子間的相互作用，

成為自由移動(dòng)的離子，在外界電場(chǎng)作用下，離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。離

子化合物溶于水時(shí)，陰、陽(yáng)離子受到水分子作用變成了自由移動(dòng)的離

子（或水合離子），在外界電場(chǎng)作用下，陰、陽(yáng)離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。

（4）溶解性

大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑（如水）中，難溶于非極性溶劑（如

苯、CCL0中。當(dāng)把離子晶體放在水中時(shí)，極性水分子對(duì)離子晶體中的

離子產(chǎn)生吸引，使晶體中的離子克服離子間的作用而離開(kāi)晶體，變成

在水中自由移動(dòng)的離子。

化學(xué)變化過(guò)程一定發(fā)生舊化學(xué)鍵的斷裂和新化學(xué)鍵的形成，但破

壞化學(xué)鍵或形成化學(xué)鍵的過(guò)程卻不一定發(fā)生化學(xué)變化。如食鹽熔化會(huì)

破壞離子鍵，食鹽結(jié)晶過(guò)程會(huì)形成離子鍵，但均不是化學(xué)變化過(guò)程。

學(xué)后反思=1.AB型離子晶體NaCl和CsCl中的配位數(shù)為

何不同？

【點(diǎn)撥】凡是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素，其值越大，配位數(shù)

V-

越大，NaCl與CsCl雖都為AB型離子晶體，但Na+與Cs+的半徑不

同，則目的比值不同，則配位數(shù)也就不同。

F-

2.如何判斷一種晶體是否為離子晶體？

【點(diǎn)撥】常見(jiàn)的方法有以下兩種。

方法一：由組成晶體的粒子種類(lèi)來(lái)判斷，離子化合物形成的晶體

一定為離子晶體。

方法二：由晶體的性質(zhì)來(lái)判斷。（1）根據(jù)導(dǎo)電性，固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，

而熔融狀態(tài)或溶于水時(shí)能導(dǎo)電的一般為離子晶體；（2）根據(jù)機(jī)械性能，

一般具有較大硬度且質(zhì)脆的為離子晶體。

3.離子鍵為何沒(méi)有方向性和飽和性？

【點(diǎn)撥】通常情況下，陰、陽(yáng)離子可以看成是球形對(duì)稱(chēng)的，其電

荷分布也是球形對(duì)稱(chēng)的，只要空間條件允許，一個(gè)離子可以同時(shí)吸引

多個(gè)異電性離子。因此，離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性。

【例1】下列性質(zhì)中，可以較充分說(shuō)明某晶體是離子晶體的是

（）

A.具有較高的熔點(diǎn)

B.固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電

C.可溶于水

D.固態(tài)不導(dǎo)電，熔融狀態(tài)能導(dǎo)電

【提示】判斷某晶體是否屬于離子晶體，就要看它是否具有離子

晶體的特性。熔點(diǎn)高、固體不導(dǎo)電、可溶或難溶于水都不是離子晶體

所特有的，而在熔融狀態(tài)下能否導(dǎo)電是區(qū)分化合物是離子化合物還是

共價(jià)化合物的重要依據(jù)。

【解析】從爆點(diǎn)來(lái)看，離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)，但金剛石、

石英等原子晶體也有很高的爆點(diǎn)，A項(xiàng)錯(cuò)誤；從溶解性來(lái)看，蔗糖、

葡萄糖等分子晶體也可溶于水，C項(xiàng)錯(cuò)誤；從導(dǎo)電性來(lái)看，A1C13>HC1

都不是離子化合物，但它們的水溶液均能導(dǎo)電，B項(xiàng)錯(cuò)誤；而如果固

態(tài)不導(dǎo)電、熔融狀態(tài)能導(dǎo)電，說(shuō)明由固態(tài)變?yōu)槿廴跔顟B(tài)的過(guò)程是克服

離子鍵(而不是共價(jià)鍵或金屬鍵)的過(guò)程，即固態(tài)中原本有陰、陽(yáng)離子，

只是不能自由移動(dòng)，而由陰、陽(yáng)離子構(gòu)成的晶體一定是離子晶體。

【答案】D

下列有關(guān)離子晶體的數(shù)據(jù)大小比較不正確的是(A)

A.熔點(diǎn)：NaF>MgF2>AlFs

B.晶格能：NaF>NaCl>NaBr

C.陰離子的配位數(shù)：CsCl>NaCl>CaF2

D.硬度：MgO>CaO>BaO

解析：由于r(Na+)>r(Mg2+)>r(AF+),且Na+、Mg2+^A「+所帶電

荷數(shù)依次增大，所以NaF、MgF2>AIF3的離子鍵依次增強(qiáng)，晶格能依

次增大，故熔點(diǎn)依次升高。r(F-)<r(Cr)<r(Br_),故NaF、NaCKNaBr

的晶格能依次減小。在CsCl、NaCkCaF2中陰離子的配位數(shù)分別為8、

6、4or(Mg2+)<r(Ca2+)<r(Ba2+),故MgO、CaO>BaO中離子鍵依次

減弱，晶格能依次減小，硬度依次減小。

知識(shí)點(diǎn)二常見(jiàn)離子晶體的構(gòu)型

1.離子晶體的典型結(jié)構(gòu)

(l)NaCl型

①如圖所示，每個(gè)Na+周?chē)罱嚯x的C廠有6個(gè)，構(gòu)成正八面體

構(gòu)型；每個(gè)周?chē)罱嚯x的Na+也有6個(gè)，構(gòu)成正八面體構(gòu)型。由

此可推知食鹽晶體的化學(xué)式為NaCL

②每個(gè)Na+周?chē)罱嚯x的Na+有12個(gè)(上層4個(gè)，同層4個(gè)，

下層4個(gè))；每個(gè)C廠周?chē)罱嚯x的CF也有12個(gè)。

③每個(gè)晶胞中Na+的實(shí)際數(shù)目是1+12X：=4(個(gè))，C廠的數(shù)目是

6X；+8X==4（個(gè)）。由此亦可推知食鹽晶體的化學(xué)式為NaCL

乙O

⑵CsCl型

CsCl型離子晶體中，每個(gè)離子被8個(gè)帶相反電荷的離子包圍，常

見(jiàn)的CsCl型離子晶體有鈍的鹵化物（氟化物除外）等。CsCl晶體的晶胞

如圖所示。

①每個(gè)Cs+周?chē)罱嚯x的C廠有8個(gè)，構(gòu)成正六面體構(gòu)型；每個(gè)

C「周?chē)罱嚯x的Cs+也有8個(gè)，構(gòu)成正六面體構(gòu)型。由此可推知該

晶體的化學(xué)式為CsClo

②每個(gè)Cs+周?chē)罱嚯x的Cs+有6個(gè)（上、下、左、右、前、后）,

構(gòu)成正八面體；每個(gè)C廠周?chē)罱嚯x的C廠也有6個(gè)，構(gòu)成正八面體。

③每個(gè)晶胞中實(shí)際Cs+的數(shù)目為8X〃=1（個(gè)），C廠的數(shù)目為1個(gè)。

由此亦可推知該晶體的化學(xué)式為CsClo

（3）CaF2型

CaF2晶體中每個(gè)Ca2+周?chē)瑫r(shí)吸引著8個(gè)每個(gè)F一周?chē)瑫r(shí)

吸引著4個(gè)Ca2+（如圖所示）。

2.離子晶體中離子的配位數(shù)

（1）離子的配位數(shù)：晶體晶胞中一個(gè)離子周?chē)钹徑漠愲娦噪x子

的數(shù)目稱(chēng)為該離子的配位數(shù)。見(jiàn)下表：

離子晶體

NaClCsClCaF2

陰離子的配位數(shù)684

陽(yáng)離子的配位數(shù)688

⑵影響配位數(shù)的因素

①離子的半徑：離子半徑比值越大，配位數(shù)就越大（見(jiàn)下表）。

離子晶體正、負(fù)離子半徑比（「+"一）配位數(shù)（C.N.）

NaClr+/r_=0.52(0.414?0.732)6

CsClr+/r一=0.93(0.732?1.00)8

ZnSr+/r_=0.27(0.225?0.414)4

②離子的電荷數(shù)：離子正、負(fù)電荷的比值決定陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)

比，這對(duì)配位數(shù)有重要影響。

以CaF2的結(jié)構(gòu)為例分析：

分析右圖中的晶胞結(jié)構(gòu)可知：每個(gè)Ca2+周?chē)钹徑摹赣?個(gè)，

表明Ca2+的配位數(shù)為8；每個(gè)F-周?chē)钹徑腃a2+有4個(gè)，表明F-

的配位數(shù)為4O由此可見(jiàn)，在CaF2晶體中，Ca?+和的個(gè)數(shù)比為1

2,剛好與Ca2+和F-的電荷比21相反。因此可以得出：晶體中

陰、陽(yáng)離子的電荷比也是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素，稱(chēng)為電荷因

素。

學(xué)后反思=NaCkCsCl晶體中有無(wú)單個(gè)分子？“NaCl”、

“CsCl”是否代表其分子構(gòu)成？其晶體中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)各是多

少？

【點(diǎn)撥】在NaCl晶體、CsCl晶體中都不存在單個(gè)的NaCl分子、

CsCl分子，在這兩種晶體里，陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)比都是110所以

NaCl和CsCl是表示離子晶體中離子個(gè)數(shù)比的化學(xué)式，而不是表示其

分子構(gòu)成的分子式。這兩種離子晶體中陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)見(jiàn)下表。

離子晶陰離子的配陽(yáng)離子的配

體位數(shù)位數(shù)

NaCl66

CsCl88

【例2】高溫下，超氧化鉀晶體呈立方體結(jié)構(gòu)，晶體中氧的化合

價(jià)部分為0,部分為一2。如圖為超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞（晶體中最小

的重復(fù)單元）。下列說(shuō)法正確的是（）

A.超氧化鉀的化學(xué)式為KO2,每個(gè)晶胞含有4個(gè)K+和4個(gè)03

B.晶體中每個(gè)K+周?chē)?個(gè)03每個(gè)02■周?chē)?個(gè)K+

C.晶體中與每個(gè)K+距離最近的K+有8個(gè)

D.晶體中，0價(jià)氧元素與一2價(jià)氧元素的原子個(gè)數(shù)比為13

【提示】解答該題時(shí)，一要利用“均攤法”，求得每個(gè)晶胞中所

含離子的數(shù)目；二要根據(jù)晶體結(jié)構(gòu)求得陰陽(yáng)離子的配位數(shù)。同時(shí)也可

聯(lián)想NaCl晶體模型，利用熟悉的模型去解答有關(guān)問(wèn)題。

【解析】在一個(gè)超氧化鉀晶胞中，含K+數(shù)為8X1+6X；=4,07

O乙

數(shù)為12義/+1=4,故化學(xué)式為KO2,且每個(gè)晶胞中含有4個(gè)K+和4

個(gè)。2,故A正確；晶體中每個(gè)K卡周?chē)?個(gè)。2,每個(gè)O2周?chē)?

個(gè)K+,故B錯(cuò)；晶體中與每個(gè)K+距離最近的K+有12個(gè)，故C錯(cuò)；

設(shè)0價(jià)氧原子個(gè)數(shù)為x,—2價(jià)氧原子個(gè)數(shù)為y,根據(jù)KO2為電中性物

質(zhì)得：2y=g』，故D不正確。

【答案】A

下面是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來(lái)的部分結(jié)構(gòu)圖，其中

屬于從NaCl晶體中分割出來(lái)的結(jié)構(gòu)圖是(C)

A.圖(1)和(3)B.圖(2)和(3)

C.圖⑴和(4)D.只有圖(4)

解析：本題考查了離子晶體的代表物質(zhì)NaCl、CsCl晶體結(jié)構(gòu)。

NaCl晶體是簡(jiǎn)單立方體結(jié)構(gòu)，每個(gè)Na+周?chē)?個(gè)C1-,每個(gè)C「周

圍有6個(gè)Na+;與每個(gè)Na+等距離的CF有6個(gè)，且構(gòu)成正八面體，同

理，與每個(gè)C廠等距離的6個(gè)Na+也構(gòu)成正八面體，由此可知圖(1)和(4)

是屬于NaCl晶體的，C項(xiàng)正確，A、B、D三項(xiàng)錯(cuò)誤。

知識(shí)點(diǎn)三晶格能

1.概念

離子晶體的晶格能的定義是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體時(shí)釋放

的能量，通常取正值。下表給出了某些離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)。

某些離子晶體的晶格能/(kJ?mo「i)

F-crBr-r

Li+1036853807757

Na+923786747704

K+821715682649

Rb+785689660630

Cs+740659631604

晶格能可用來(lái)判斷離子鍵的強(qiáng)弱，晶格能越大，晶格越穩(wěn)定，破

壞其晶格時(shí)消耗的能量也越大，表示離子鍵越強(qiáng)，則離子晶體越穩(wěn)定。

2.影響晶格能大小的因素

影響晶格能大小的因素主要是離子所帶的電荷和陰、陽(yáng)離子間的

距離。晶格能與陰、陽(yáng)離子所帶電荷的乘積成正比，與陰、陽(yáng)離子間

的距離的平方成反比，可用下式表示：

晶格能8歲

離子所帶電荷越多，核間距越小，晶格能就越大。而離子的核間

距與離子的半徑大小有關(guān)，陽(yáng)離子或陰離子半徑越小，離子的核間距

就越小，則晶格能就越大。

如，比較MgO晶體和NaCl晶體的晶格能大小。Mg2+和。2-都是

二價(jià)離子，而Na+和都是一價(jià)離子；Mg2+半徑小于Na+,O?-半徑

小于CF,故Mg2+和-的核間距小于Na+和C廠的核間距，所以MgO

晶體的晶格能大于NaCl晶體的晶格能。

除此之外，影響晶格能的因素還有離子晶體的結(jié)構(gòu)型式。如，NaCl

晶體中，每個(gè)Na+周?chē)?個(gè)CF,稍遠(yuǎn)一點(diǎn)，又有12個(gè)Na+,再遠(yuǎn)

一點(diǎn)還有8個(gè)CF……而帶異性電荷的離子之間存在著相互吸引作用，

帶同性電荷的離子之間卻存在著相互排斥作用。因而具有不同結(jié)構(gòu)型

式的晶體的晶格能也不相同。

3.晶格能與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系

因?yàn)榫Ц衲艿拇笮?biāo)志著離子晶體裂解成氣態(tài)陰、陽(yáng)離子的難易

程度，反映著離子晶體中離子鍵的強(qiáng)度，故它與離子晶體的性質(zhì)有著

密切聯(lián)系。

對(duì)于相同類(lèi)型的離子晶體，晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越

高，硬度越大。幾種離子晶體的晶格能和熔點(diǎn)、硬度數(shù)據(jù)如下表。

AB型離離子電晶格能/熔點(diǎn)摩氏硬

子晶體荷數(shù)(kJ-mol-1)/℃度

NaF19239933.2

NaCl17868012.5

NaBr1747747<2.5

Nai1704661<2.5

MgO2379128526.5

CaO2340126144.5

【例31引艮據(jù)下表的數(shù)目曲判斷下列說(shuō)法正確的是（)

離子化離子電鍵長(zhǎng)晶格能/熔點(diǎn)摩氏

合物荷數(shù)/pm(kJ-mol-1)/℃硬度

NaF12319239933.2

NaCl12827868012.5

MgO2210379128526.5

CaO2240340126144.5

A.晶格能的大小與正負(fù)離子電荷數(shù)和距離成正比

B.晶格能越大，即正負(fù)離子間的靜電引力越強(qiáng)，晶體的熔點(diǎn)就越

高，硬度就越大

C.NaF晶體比NaCl晶體穩(wěn)定

D.表中物質(zhì)CaO的晶體最穩(wěn)定

【提示】（1）晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量，

通常取正值；晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，離子晶體的熔點(diǎn)

越高，硬度越大。（2）同種類(lèi)型的離子晶體，離子所帶電荷數(shù)越多、離

子半徑越小，晶格能越大。

【解析】A項(xiàng)，根據(jù)表中的數(shù)據(jù)可知，晶格能的大小與正負(fù)離子

之間的距離成反比；B項(xiàng)，離子鍵本質(zhì)是陰、陽(yáng)離子間的靜電作用，

不只是引力，還有斥力等，晶格能越大，即正負(fù)離子間的靜電作用力

越強(qiáng)，晶體的熔點(diǎn)就越高，硬度就越大；C項(xiàng)，晶格能：NaF>NaCl,

故NaF晶體比NaCl晶體穩(wěn)定；D項(xiàng)，晶格能越大，晶體越穩(wěn)定，表

中所列物質(zhì)中MgO的晶體最穩(wěn)定。

【答案】c

離子晶體漠化鈉、氯化鈉和氧化鎂的核間距和晶格能(部分)如下表

所示。

NaBrNaClMgO

離子的核間距/pm290276205

晶格能/(kJ?mo「i)7873890

(1)漠化鈉晶體比氯化鈉晶體晶格能小(填“大”或“小”)，主要

原因是NaBr晶體比NaCl晶體中離子的核間距大。

(2)氧化鎂晶體比氯化鈉晶體晶格能大，主要原因是氧化鎂晶體中

的陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)絕對(duì)值大，并且離子的核間距小。

(3)漠化鈉、氯化鈉和氧化鎂晶體中，硬度最大的是氧化鎂。

工業(yè)制取單質(zhì)鎂時(shí)，往往電解的是氯化鎂而不是氧化鎂，主要原

因是氧化鎂晶體比氯化鎂晶體晶格能大，熔點(diǎn)高，電解時(shí)消耗電能大。

解析：⑴離子核間距越小，晶格能越大，核間距NaBr>NaCl,故

晶格能NaCl>NaBr;(2)離子所帶電荷越多，晶格能越大，MgO中陰、

陽(yáng)離子所帶電荷多，且r(C)2-)<r(ci-)<r(Br-),r(Mg2+)<r(Na+),故晶

格能：MgO>NaCL(3)晶格能大的物質(zhì)，熔點(diǎn)高，硬度大，三種物質(zhì)

中硬度最大的為MgO;MgO的熔點(diǎn)高，電解時(shí)要消耗大量的電能。

1.離子晶體中一定不會(huì)存在的相互作用是(D)

A.離子鍵B.極性鍵

C.非極性鍵D.范德華力

解析：離子化合物中一定含有離子鍵，也可能含有共價(jià)鍵，例如

OH一和含氧酸根中的極性共價(jià)鍵，還有。歹中的非極性共價(jià)鍵。只有

分子晶體中才含有范德華力，離子晶體中一定不含有范德華力。因此

選D。

2.下列說(shuō)法中正確的是(D)

A.固態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的物質(zhì)一定是金屬晶體

B.熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體

C.水溶液能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體

D.固態(tài)不導(dǎo)電而熔融態(tài)導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體

解析：四種晶體在不同狀態(tài)下的導(dǎo)電性區(qū)別如下：

分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體

不導(dǎo)電（晶

固態(tài)不導(dǎo)電可導(dǎo)電不導(dǎo)電

體硅導(dǎo)電）

爆融狀態(tài)不導(dǎo)電不導(dǎo)電可導(dǎo)電可導(dǎo)電

有的

水溶液——可導(dǎo)電

可導(dǎo)電

3.下列說(shuō)法不正確的是（D）

A.由于NaCl晶體和CsCl晶體中正負(fù)離子半徑比不相等，所以

兩種晶體中離子的配位數(shù)不相等

B.CaF2晶體中，Ca2+的配位數(shù)為8,F一的配位數(shù)為4,配位數(shù)不

相等主要是由于F，Ca?+所帶電荷（絕對(duì)值）不相同

C.MgO的熔點(diǎn)比MgCb高主要是因?yàn)镸gO的晶格能比MgCl2

大

D.MCO3中M?+半徑越大，MCO3熱分解溫度越低

解析：碳酸鹽受熱分解是由于晶體中陽(yáng)離子結(jié)合碳酸根離子中的

氧離子，使碳酸根離子分解為二氧化碳分子，故陽(yáng)離子半徑越小，碳

酸鹽的分解溫度越低，故選D。

4.下列說(shuō)法不正確的是（D）

A.離子晶體的晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)

B.陽(yáng)離子的半徑越大，則可同時(shí)吸引的陰離子越多

C.通常陰、陽(yáng)離子的半徑越小、所帶電荷數(shù)越多，該陰陽(yáng)離子組

成離子化合物的晶格能越大

D.拆開(kāi)1mol離子鍵所需的能量叫該離子晶體的晶格能

解析：晶格能是氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量。

5.下列性質(zhì)適合于離子晶體的是（A）

①熔點(diǎn)1070℃,易溶于水，水溶液能導(dǎo)電

②熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電